JPH04362516A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH04362516A JPH04362516A JP16369791A JP16369791A JPH04362516A JP H04362516 A JPH04362516 A JP H04362516A JP 16369791 A JP16369791 A JP 16369791A JP 16369791 A JP16369791 A JP 16369791A JP H04362516 A JPH04362516 A JP H04362516A
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- Japan
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- thin film
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- magnetic recording
- silicone
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は強磁性金属薄膜層を記
録層とする磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、走行
性および耐久性が良好で、信頼性に優れた前記の磁気記
録媒体に関する。
録層とする磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、走行
性および耐久性が良好で、信頼性に優れた前記の磁気記
録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、強磁性金属またはそれらの合金
などを真空蒸着等によって基体上に被着してつくられる
磁気記録媒体は、高密度記録特性に優れる反面、結合剤
樹脂を用いず、また強磁性金属薄膜層の表面平滑性が良
いため、磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて摩耗や損傷
を受け易く、耐久性や走行性に劣る。このため、種々の
潤滑剤からなる保護層を強磁性金属薄膜層上に設けるな
どして耐久性および走行性を改善することが行われてお
り、たとえば、フッ化エ−テル系潤滑剤、カルボン酸エ
ステル系潤滑剤、部分フッ素化カルボン酸エステル系潤
滑剤等からなる保護層を強磁性金属薄膜層上に設けたり
(特開昭62−103838号、特開昭60−8542
7号、特開昭62−236118号、特開平2−210
615号)、また近年の記録密度の向上に伴い、磁気記
録媒体と磁気ヘッドとの相対摺動速度が向上し、さらに
磁気記録媒体と磁気ヘッド等との接触圧力が高くなって
きていることから、リン酸エステル系極圧剤または亜リ
ン酸エステル系極圧剤を、上記潤滑剤と併用することが
試みられている。(特開昭62−164216号、特開
昭62−164218号、特開昭62−165727号
)
などを真空蒸着等によって基体上に被着してつくられる
磁気記録媒体は、高密度記録特性に優れる反面、結合剤
樹脂を用いず、また強磁性金属薄膜層の表面平滑性が良
いため、磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて摩耗や損傷
を受け易く、耐久性や走行性に劣る。このため、種々の
潤滑剤からなる保護層を強磁性金属薄膜層上に設けるな
どして耐久性および走行性を改善することが行われてお
り、たとえば、フッ化エ−テル系潤滑剤、カルボン酸エ
ステル系潤滑剤、部分フッ素化カルボン酸エステル系潤
滑剤等からなる保護層を強磁性金属薄膜層上に設けたり
(特開昭62−103838号、特開昭60−8542
7号、特開昭62−236118号、特開平2−210
615号)、また近年の記録密度の向上に伴い、磁気記
録媒体と磁気ヘッドとの相対摺動速度が向上し、さらに
磁気記録媒体と磁気ヘッド等との接触圧力が高くなって
きていることから、リン酸エステル系極圧剤または亜リ
ン酸エステル系極圧剤を、上記潤滑剤と併用することが
試みられている。(特開昭62−164216号、特開
昭62−164218号、特開昭62−165727号
)
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらフッ
化エ−テル系潤滑剤、カルボン酸エステル系潤滑剤、部
分フッ素化カルボン酸エステル系潤滑剤やリン酸エステ
ル系極圧剤および亜リン酸エステル系極圧剤では、磁気
記録媒体と磁気ヘッドとの相対摺動速度がさらに高くな
ったときや、ビデオテ−プにおける静止画面であるスチ
ル状態において、未だ強磁性金属薄膜層を充分に保護す
ることができず、繰り返し走行回数が満足できなかった
り、またスチル時間が極端に短くなるなどの問題があり
、特に、低温低湿度下ではこの傾向が著しい。
化エ−テル系潤滑剤、カルボン酸エステル系潤滑剤、部
分フッ素化カルボン酸エステル系潤滑剤やリン酸エステ
ル系極圧剤および亜リン酸エステル系極圧剤では、磁気
記録媒体と磁気ヘッドとの相対摺動速度がさらに高くな
ったときや、ビデオテ−プにおける静止画面であるスチ
ル状態において、未だ強磁性金属薄膜層を充分に保護す
ることができず、繰り返し走行回数が満足できなかった
り、またスチル時間が極端に短くなるなどの問題があり
、特に、低温低湿度下ではこの傾向が著しい。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明はかかる現状に
鑑み種々検討を行った結果なされたもので、非磁性支持
体の表面もしくは表裏両面に設けられた強磁性金属薄膜
上に、少なくとも一個の分子末端に非疎水性官能基を持
ち、かつ珪素原子を5原子%以上含むシリコ−ンを存在
させることによって、高速での繰り返し走行やスチル状
態などの過酷な使用条件下での潤滑性を良好にし、走行
性および耐久性を充分に向上させて強磁性金属薄膜型磁
気記録媒体の信頼性を充分に向上させたものである。ま
た、さらに脂肪族エステルを併用して強磁性金属薄膜層
上に存在させることによって、高速での繰り返し走行や
スチル状態などの過酷な使用条件下での走行性および耐
久性をさらに向上させ、強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
の信頼性をさらに一段と向上させたものである。
鑑み種々検討を行った結果なされたもので、非磁性支持
体の表面もしくは表裏両面に設けられた強磁性金属薄膜
上に、少なくとも一個の分子末端に非疎水性官能基を持
ち、かつ珪素原子を5原子%以上含むシリコ−ンを存在
させることによって、高速での繰り返し走行やスチル状
態などの過酷な使用条件下での潤滑性を良好にし、走行
性および耐久性を充分に向上させて強磁性金属薄膜型磁
気記録媒体の信頼性を充分に向上させたものである。ま
た、さらに脂肪族エステルを併用して強磁性金属薄膜層
上に存在させることによって、高速での繰り返し走行や
スチル状態などの過酷な使用条件下での走行性および耐
久性をさらに向上させ、強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
の信頼性をさらに一段と向上させたものである。
【0005】この発明で使用するシリコ−ンは、少なく
とも一個の分子末端に非疎水性官能基を持ち、かつ珪素
原子を5原子%以上含むものであることが好ましく、少
なくとも一個の分子末端に非疎水性官能基を有すると、
この非疎水性官能基が強磁性金属薄膜層の表面に吸着ま
たは反応して、シリコ−ンの一部または全部が強磁性金
属薄膜層の表面に固定される。そして、強磁性金属薄膜
層の表面に固定されたシリコ−ンは珪素原子を5原子%
以上含み、シリコ−ン鎖が充分な疎水性を有しているた
め、長くまた時としてル−プ状のひげとなって、強磁性
金属薄膜層が直接磁気ヘッドやシリンダと接触するのを
極力防止する。また、同時にこのシリコ−ンの優れた潤
滑効果も充分に発揮される。従って、この種のシリコ−
ンが強磁性金属薄膜層上に存在すると、高速での繰り返
し走行やスチル状態などの過酷な使用条件下での走行性
および耐久性が充分に向上される。
とも一個の分子末端に非疎水性官能基を持ち、かつ珪素
原子を5原子%以上含むものであることが好ましく、少
なくとも一個の分子末端に非疎水性官能基を有すると、
この非疎水性官能基が強磁性金属薄膜層の表面に吸着ま
たは反応して、シリコ−ンの一部または全部が強磁性金
属薄膜層の表面に固定される。そして、強磁性金属薄膜
層の表面に固定されたシリコ−ンは珪素原子を5原子%
以上含み、シリコ−ン鎖が充分な疎水性を有しているた
め、長くまた時としてル−プ状のひげとなって、強磁性
金属薄膜層が直接磁気ヘッドやシリンダと接触するのを
極力防止する。また、同時にこのシリコ−ンの優れた潤
滑効果も充分に発揮される。従って、この種のシリコ−
ンが強磁性金属薄膜層上に存在すると、高速での繰り返
し走行やスチル状態などの過酷な使用条件下での走行性
および耐久性が充分に向上される。
【0006】この種のシリコ−ンにおいて、少なくとも
一個の分子末端に有する非疎水性官能基としては、下記
の化学式および一般式 −OH、−COOX、−NH2 、−NHR、−NHR
R´、−COOR、−CH(CH2 OCH2 )CH
2 、−OC(CH2 OCH2 )R(但し、式中X
は水素原子または金属原子、R及びR´はアルキル基で
ある。)で表される非疎水性官能基およびアンモニウム
塩などがあり、これらの非疎水性官能基から選ばれる少
なくとも1種を、シリコ−ンの少なくとも一個の分子末
端に有していることが好ましい。
一個の分子末端に有する非疎水性官能基としては、下記
の化学式および一般式 −OH、−COOX、−NH2 、−NHR、−NHR
R´、−COOR、−CH(CH2 OCH2 )CH
2 、−OC(CH2 OCH2 )R(但し、式中X
は水素原子または金属原子、R及びR´はアルキル基で
ある。)で表される非疎水性官能基およびアンモニウム
塩などがあり、これらの非疎水性官能基から選ばれる少
なくとも1種を、シリコ−ンの少なくとも一個の分子末
端に有していることが好ましい。
【0007】また、この種のシリコ−ンの珪素原子を5
原子%以上含むシリコ−ン鎖は、充分な疎水性を有して
いる必要があり、主鎖が基本的にシクロキサン結合であ
って、珪素原子に直接または酸素原子を介してメチル基
等のアルキル基、フェニル基等のアリル基、トリフェニ
ルメチル基などのフッ疎置換アルキル基または水素原子
などを結合したものであることが好ましい。
原子%以上含むシリコ−ン鎖は、充分な疎水性を有して
いる必要があり、主鎖が基本的にシクロキサン結合であ
って、珪素原子に直接または酸素原子を介してメチル基
等のアルキル基、フェニル基等のアリル基、トリフェニ
ルメチル基などのフッ疎置換アルキル基または水素原子
などを結合したものであることが好ましい。
【0008】さらに、この種のシリコ−ンは、走行装置
にもよるが分子量が500より小さいとひげの長さが十
分でなくなって所期の効果が得られず、50000より
大きいと固定されたシリコ−ンに粘着性が生じるため、
500以上50000以下のものが好ましく、800以
上10000以下のもの、さらには1200以上400
0以下の分子量のものがより好ましく使用される。
にもよるが分子量が500より小さいとひげの長さが十
分でなくなって所期の効果が得られず、50000より
大きいと固定されたシリコ−ンに粘着性が生じるため、
500以上50000以下のものが好ましく、800以
上10000以下のもの、さらには1200以上400
0以下の分子量のものがより好ましく使用される。
【0009】このような少なくとも一個の分子末端に非
疎水性官能基を持ち、かつ珪素原子を5原子%以上含む
シリコ−ンは、単独で使用しても高速での繰り返し走行
やスチル状態などの過酷な使用条件下での走行性および
耐久性を充分に向上させることができるが、脂肪族エス
テルと併用すると、脂肪族エステルが低粘度でかつ凝集
力があり化学的に不活性な液状潤滑剤であるため、この
脂肪族エステルが流体潤滑剤として良好に作用して、高
速での繰り返し走行やスチル状態などの過酷な使用条件
下での耐久性がさらに一段と向上される。
疎水性官能基を持ち、かつ珪素原子を5原子%以上含む
シリコ−ンは、単独で使用しても高速での繰り返し走行
やスチル状態などの過酷な使用条件下での走行性および
耐久性を充分に向上させることができるが、脂肪族エス
テルと併用すると、脂肪族エステルが低粘度でかつ凝集
力があり化学的に不活性な液状潤滑剤であるため、この
脂肪族エステルが流体潤滑剤として良好に作用して、高
速での繰り返し走行やスチル状態などの過酷な使用条件
下での耐久性がさらに一段と向上される。
【0010】このような脂肪族エステルとしては、総炭
素数が18より少なくて分子量が小さいと、揮発し易く
なったり、凝集力が不足して油膜切れを起こすため、耐
久性を充分に向上させることができず、逆に、総炭素数
が50より多くて分子量が大きいと、粘度が上昇して走
行性が悪くなるため、総炭素数18以上50以下のもの
が好ましく使用され、総炭素数22以上36以下のもの
がより好ましく使用される。
素数が18より少なくて分子量が小さいと、揮発し易く
なったり、凝集力が不足して油膜切れを起こすため、耐
久性を充分に向上させることができず、逆に、総炭素数
が50より多くて分子量が大きいと、粘度が上昇して走
行性が悪くなるため、総炭素数18以上50以下のもの
が好ましく使用され、総炭素数22以上36以下のもの
がより好ましく使用される。
【0011】また、この脂肪族エステルは、加水分解な
どで脂肪族エステルが分解して脂肪酸を生成したりする
と強磁性金属薄膜層の腐蝕の原因となるため、化学的安
定性に優れたものが好ましく使用され、脂肪酸の発生を
抑制することができる脂肪族エステル、たとえば、エス
テル基の炭素または酸素原子に対してα位またはβ位に
炭素原子があり、かつその炭素原子が二級または三級で
ある脂肪族エステルが好ましく使用される。
どで脂肪族エステルが分解して脂肪酸を生成したりする
と強磁性金属薄膜層の腐蝕の原因となるため、化学的安
定性に優れたものが好ましく使用され、脂肪酸の発生を
抑制することができる脂肪族エステル、たとえば、エス
テル基の炭素または酸素原子に対してα位またはβ位に
炭素原子があり、かつその炭素原子が二級または三級で
ある脂肪族エステルが好ましく使用される。
【0012】このようなエステル基の炭素または酸素原
子に対してα位またはβ位に炭素原子があり、かつその
炭素原子が二級または三級である脂肪族エステルは、酸
ハライド法で合成され、脂肪酸のハライド、特に酸クロ
ライドと所定のアルコ−ルから容易に合成できる。この
場合、使用されるアルコ−ル成分としては、一般のアル
コ−ルがいずれも使用されるが、加水分解を良好に抑制
するためには、特に三級アルコ−ルまたは水酸基に対し
てβ位の炭素が四級であるものが好ましく使用される。
子に対してα位またはβ位に炭素原子があり、かつその
炭素原子が二級または三級である脂肪族エステルは、酸
ハライド法で合成され、脂肪酸のハライド、特に酸クロ
ライドと所定のアルコ−ルから容易に合成できる。この
場合、使用されるアルコ−ル成分としては、一般のアル
コ−ルがいずれも使用されるが、加水分解を良好に抑制
するためには、特に三級アルコ−ルまたは水酸基に対し
てβ位の炭素が四級であるものが好ましく使用される。
【0013】ここで、三級アルコ−ルまたは水酸基に対
してβ位の炭素が四級であるアルコ−ルとしては、たと
えば、t−ブタノ−ル、ネオペンチルアルコ−ル、ネオ
ヘプチルアルコ−ル、ネオノニルアルコ−ル、ネオデシ
ルアルコ−ル、2−イソプロピル−2,3−ジメチルブ
タノ−ル、2−エチル−2,3,3−トリメチルブタノ
−ル、2,2,4,4−テトラメチルペンタノ−ル、2
,2,3,4−テトラメチルペンタノ−ル、2,2,3
,3−テトラメチルペンタノ−ル、2−イソプロピル−
2,3,5,5−テトラメチルヘキサノ−ル、2,3,
4−トリメチル−2−ネオペンチルペンタノ−ル、2,
2,4,4,6,6−ヘキサメチルヘプタノ−ル、2,
4,4−トリメチル−2−tert−ペンチルペンタノ
−ル、2−エチル−2,3,3,5,5−ペンタメチル
ヘキサノ−ル等が挙げられ、これらのアルコ−ルは単独
で使用される他、二種以上混合して使用される。また、
これらのアルコ−ルは、市販の脂肪酸をリチウムアルミ
ニウムハイドライドやナトリウムボロンハイドライドを
利用して還元したり、直接水素によって還元して得られ
、たとえば、エクソン化学社製のネオペンタン酸、ネオ
ヘプタン酸、ネオノナン酸、ネオデカン酸、出光石油化
学社製のエクアシッド9、エクアシッド13などの市販
の脂肪酸を使用し、還元して得られたものが使用される
。
してβ位の炭素が四級であるアルコ−ルとしては、たと
えば、t−ブタノ−ル、ネオペンチルアルコ−ル、ネオ
ヘプチルアルコ−ル、ネオノニルアルコ−ル、ネオデシ
ルアルコ−ル、2−イソプロピル−2,3−ジメチルブ
タノ−ル、2−エチル−2,3,3−トリメチルブタノ
−ル、2,2,4,4−テトラメチルペンタノ−ル、2
,2,3,4−テトラメチルペンタノ−ル、2,2,3
,3−テトラメチルペンタノ−ル、2−イソプロピル−
2,3,5,5−テトラメチルヘキサノ−ル、2,3,
4−トリメチル−2−ネオペンチルペンタノ−ル、2,
2,4,4,6,6−ヘキサメチルヘプタノ−ル、2,
4,4−トリメチル−2−tert−ペンチルペンタノ
−ル、2−エチル−2,3,3,5,5−ペンタメチル
ヘキサノ−ル等が挙げられ、これらのアルコ−ルは単独
で使用される他、二種以上混合して使用される。また、
これらのアルコ−ルは、市販の脂肪酸をリチウムアルミ
ニウムハイドライドやナトリウムボロンハイドライドを
利用して還元したり、直接水素によって還元して得られ
、たとえば、エクソン化学社製のネオペンタン酸、ネオ
ヘプタン酸、ネオノナン酸、ネオデカン酸、出光石油化
学社製のエクアシッド9、エクアシッド13などの市販
の脂肪酸を使用し、還元して得られたものが使用される
。
【0014】このような脂肪族エステルを前記のシリコ
−ンと併用する際、さらに他の潤滑剤と併用してもよく
、たとえば、脂肪酸またはその金属塩、脂肪酸アミド、
脂肪酸アルコ−ル、モノサルファイド、パラフィン類、
パ−フルオロポリエ−テル類、ポリテトラフルオロエチ
レン等の樹脂微粉末など、一般に磁気記録媒体に使用さ
れる潤滑剤がいずれも好適に併用される。しかし、これ
らを併用する場合、脂肪族エステルおよび前記のシリコ
−ンに対するこれらの潤滑剤の使用割合は、30重量%
を越えると所期の効果が得られないため、30重量%以
下の割合で併用するのが好ましい。
−ンと併用する際、さらに他の潤滑剤と併用してもよく
、たとえば、脂肪酸またはその金属塩、脂肪酸アミド、
脂肪酸アルコ−ル、モノサルファイド、パラフィン類、
パ−フルオロポリエ−テル類、ポリテトラフルオロエチ
レン等の樹脂微粉末など、一般に磁気記録媒体に使用さ
れる潤滑剤がいずれも好適に併用される。しかし、これ
らを併用する場合、脂肪族エステルおよび前記のシリコ
−ンに対するこれらの潤滑剤の使用割合は、30重量%
を越えると所期の効果が得られないため、30重量%以
下の割合で併用するのが好ましい。
【0015】前記のシリコ−ンを強磁性金属薄膜層上に
存在させる方法としては、前記のシリコ−ンを、イソプ
ロパノ−ル等のアルコ−ル系溶媒、n−ヘキサン等の炭
化水素系溶媒、フッ素系溶媒などに溶解させ、これを予
めポリエステルフィルムなどの非磁性支持体上に形成し
た強磁性金属薄膜層上に、塗布あるいは噴霧するか、も
しくは逆にこの溶液中に前記の強磁性金属薄膜層を浸漬
するなどの方法で行われる。
存在させる方法としては、前記のシリコ−ンを、イソプ
ロパノ−ル等のアルコ−ル系溶媒、n−ヘキサン等の炭
化水素系溶媒、フッ素系溶媒などに溶解させ、これを予
めポリエステルフィルムなどの非磁性支持体上に形成し
た強磁性金属薄膜層上に、塗布あるいは噴霧するか、も
しくは逆にこの溶液中に前記の強磁性金属薄膜層を浸漬
するなどの方法で行われる。
【0016】また、前記のシリコ−ンおよび脂肪族エス
テルを強磁性金属薄膜層上に存在させる方法としては、
まず強磁性金属薄膜層上に前記のようにしてシリコ−ン
を存在させた後、この上に、脂肪族エステルをイソプロ
パノ−ル等のアルコ−ル系溶媒、n−ヘキサン等の炭化
水素系溶媒などに溶解させ、これを前記のシリコ−ンを
存在させた強磁性金属薄膜層上に、塗布あるいは噴霧す
るか、もしくは逆にこの溶液中に前記の強磁性金属薄膜
層を浸漬する方法、あるいはこれらのシリコ−ンおよび
脂肪族エステルを、イソプロパノ−ル等のアルコ−ル系
溶媒、n−ヘキサン等の炭化水素系溶媒などに同時に溶
解させ、これを予めポリエステルフィルムなどの非磁性
支持体上に形成した強磁性金属薄膜層上に、塗布あるい
は噴霧するか、もしくは逆にこの溶液中に前記の強磁性
金属薄膜層を浸漬するなどの方法で行われる。
テルを強磁性金属薄膜層上に存在させる方法としては、
まず強磁性金属薄膜層上に前記のようにしてシリコ−ン
を存在させた後、この上に、脂肪族エステルをイソプロ
パノ−ル等のアルコ−ル系溶媒、n−ヘキサン等の炭化
水素系溶媒などに溶解させ、これを前記のシリコ−ンを
存在させた強磁性金属薄膜層上に、塗布あるいは噴霧す
るか、もしくは逆にこの溶液中に前記の強磁性金属薄膜
層を浸漬する方法、あるいはこれらのシリコ−ンおよび
脂肪族エステルを、イソプロパノ−ル等のアルコ−ル系
溶媒、n−ヘキサン等の炭化水素系溶媒などに同時に溶
解させ、これを予めポリエステルフィルムなどの非磁性
支持体上に形成した強磁性金属薄膜層上に、塗布あるい
は噴霧するか、もしくは逆にこの溶液中に前記の強磁性
金属薄膜層を浸漬するなどの方法で行われる。
【0017】強磁性金属薄膜層上でのこの種のシリコ−
ンの存在量は、強磁性金属薄膜層1m2 当たり0.0
5mgより少ないと、時として均一な保護層が形成され
ず、期待される耐久性、信頼性の向上が得られにくくな
り、また2mgより多いと磁気ヘッドに強磁性金属薄膜
層がはりついたりするため、強磁性金属薄膜層1m2
当たり0.05mg以上2mg以下にするのが好ましく
、脂肪族エステルも同様な理由から強磁性金属薄膜層1
m2 当たり 0.2mg以上5mg以下にするのが好
ましい。
ンの存在量は、強磁性金属薄膜層1m2 当たり0.0
5mgより少ないと、時として均一な保護層が形成され
ず、期待される耐久性、信頼性の向上が得られにくくな
り、また2mgより多いと磁気ヘッドに強磁性金属薄膜
層がはりついたりするため、強磁性金属薄膜層1m2
当たり0.05mg以上2mg以下にするのが好ましく
、脂肪族エステルも同様な理由から強磁性金属薄膜層1
m2 当たり 0.2mg以上5mg以下にするのが好
ましい。
【0018】強磁性金属薄膜層の形成は、Co、Ni、
Fe、Co−Ni、Co−Cr、Co−P、Co−Ni
−P、Fe−Co−B、Co−Ni−Fe−B、Fe−
Ni、Fe−Co、Co−Pt、Co−Ni−Pt、C
o−Niなどの強磁性材を、真空蒸着、イオンプレ−テ
ィング、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体
上に被着するなどの方法で行われ、このようにして形成
される強磁性金属薄膜層は、厚さを0.03〜1μmの
範囲内にするのが好ましい。
Fe、Co−Ni、Co−Cr、Co−P、Co−Ni
−P、Fe−Co−B、Co−Ni−Fe−B、Fe−
Ni、Fe−Co、Co−Pt、Co−Ni−Pt、C
o−Niなどの強磁性材を、真空蒸着、イオンプレ−テ
ィング、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体
上に被着するなどの方法で行われ、このようにして形成
される強磁性金属薄膜層は、厚さを0.03〜1μmの
範囲内にするのが好ましい。
【0019】なお、このようにして形成される強磁性金
属薄膜層上に前記のシリコ−ンや脂肪族エステルを存在
させる際、強磁性金属薄膜層の表面に微量水分が付着し
ていてもよく、さらにベンゾトリアゾ−ル系等の防錆剤
を強磁性金属薄膜層上に塗布したり、真空蒸着、スパッ
タリング、プラズマ等で有機膜、炭素膜、酸化珪素膜な
どの保護膜層を強磁性金属薄膜層上に形成したりしてい
てもよい。
属薄膜層上に前記のシリコ−ンや脂肪族エステルを存在
させる際、強磁性金属薄膜層の表面に微量水分が付着し
ていてもよく、さらにベンゾトリアゾ−ル系等の防錆剤
を強磁性金属薄膜層上に塗布したり、真空蒸着、スパッ
タリング、プラズマ等で有機膜、炭素膜、酸化珪素膜な
どの保護膜層を強磁性金属薄膜層上に形成したりしてい
てもよい。
【0020】また、表面に強磁性金属薄膜層を形成した
非磁性支持体の裏面にバックコ−ト層が設けられていて
もよく、このようなバックコ−ト層は、カ−ボンブラッ
ク、炭酸カルシウムなどの非磁性粉末を、塩化ビニル−
酢酸ビニル系共重合体、ウレタン系樹脂、繊維素系樹脂
等の結合剤樹脂および有機溶剤等とともに混合分散して
バックコ−ト層用塗料を調製し、このバックコ−ト層用
塗料を表面に強磁性金属薄膜層を形成した非磁性支持体
の裏面に、塗布、乾燥して形成される。
非磁性支持体の裏面にバックコ−ト層が設けられていて
もよく、このようなバックコ−ト層は、カ−ボンブラッ
ク、炭酸カルシウムなどの非磁性粉末を、塩化ビニル−
酢酸ビニル系共重合体、ウレタン系樹脂、繊維素系樹脂
等の結合剤樹脂および有機溶剤等とともに混合分散して
バックコ−ト層用塗料を調製し、このバックコ−ト層用
塗料を表面に強磁性金属薄膜層を形成した非磁性支持体
の裏面に、塗布、乾燥して形成される。
【0021】非磁性支持体としては、ポリエチレンテレ
フタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト、ポリカ−ボネ
−ト、ポリイミド、ポリ塩化ビニル等の合成樹脂やアル
ミニウム合金、チタン合金等が好適に使用され、この非
磁性支持体の形状はテ−プ、シ−ト、ディスク、カ−ド
等のいずれであってもよく、表面に突起を形成していて
もよい。
フタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト、ポリカ−ボネ
−ト、ポリイミド、ポリ塩化ビニル等の合成樹脂やアル
ミニウム合金、チタン合金等が好適に使用され、この非
磁性支持体の形状はテ−プ、シ−ト、ディスク、カ−ド
等のいずれであってもよく、表面に突起を形成していて
もよい。
【0022】
【実施例】次に、この発明の実施例について説明する。
実施例1
厚さ15μmのポリエチレンテレフタレ−トフィルムを
真空蒸着装置に装填し、Co−Ni合金を加熱蒸発させ
、斜め入射蒸着して、ポリエチレンテレフタレ−トフィ
ルムの表面に厚さ1200ÅのCo−Ni合金からなる
強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、ベンゾトリアゾ
−ルをイソプロパノ−ルに溶解し、この溶液を前記のポ
リエチレンテレフタレ−トフィルム上に形成されたCo
−Ni合金からなる強磁性金属薄膜層上に 0.1mg
/m2 になるように塗布して防錆剤層を形成した。次
ぎに、分子量が2000の両末端に水酸基を持つジメチ
ルポリシロキサンをイソプロパノ−ルに溶解し、この溶
液を前記のベンゾトリアゾ−ルからなる防錆剤層上に、
さらに 1.6mg/m2 になるように塗布乾燥して
、第1の保護層を形成した。さらに、1,1,2,2−
テトラヒドロパ−フルオロオクチレ−トをイソプロピル
アルコ−ルに溶解し、この溶液を前記のジメチルポリシ
ロキサンからなる第1の保護層上に、さらに3mg/m
2 になるように塗布し、乾燥して第2の保護層を形成
した。しかる後、8mm幅にスリットして磁気テ−プを
作製した。
真空蒸着装置に装填し、Co−Ni合金を加熱蒸発させ
、斜め入射蒸着して、ポリエチレンテレフタレ−トフィ
ルムの表面に厚さ1200ÅのCo−Ni合金からなる
強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、ベンゾトリアゾ
−ルをイソプロパノ−ルに溶解し、この溶液を前記のポ
リエチレンテレフタレ−トフィルム上に形成されたCo
−Ni合金からなる強磁性金属薄膜層上に 0.1mg
/m2 になるように塗布して防錆剤層を形成した。次
ぎに、分子量が2000の両末端に水酸基を持つジメチ
ルポリシロキサンをイソプロパノ−ルに溶解し、この溶
液を前記のベンゾトリアゾ−ルからなる防錆剤層上に、
さらに 1.6mg/m2 になるように塗布乾燥して
、第1の保護層を形成した。さらに、1,1,2,2−
テトラヒドロパ−フルオロオクチレ−トをイソプロピル
アルコ−ルに溶解し、この溶液を前記のジメチルポリシ
ロキサンからなる第1の保護層上に、さらに3mg/m
2 になるように塗布し、乾燥して第2の保護層を形成
した。しかる後、8mm幅にスリットして磁気テ−プを
作製した。
【0023】実施例2
実施例1における第2の保護層の形成において、実施例
1で使用した1,1,2,2−テトラヒドロパ−フルオ
ロオクチレ−トに代えて、オクチル−2−イソプロピル
−2,3−ジメチルブチレ−トを同量使用し、下記のバ
ックコ−ト層組成物をボ−ルミルで96時間混合分散し
て調製したバックコ−ト層用塗料を、強磁性金属薄膜層
を形成したポリエチレンテレフタレ−トフィルムの裏面
に乾燥後の厚みが 0.7μmとなるように塗布し、乾
燥してバックコ−ト層を形成した以外は、実施例1と同
様にして磁気テ−プを作製した。
1で使用した1,1,2,2−テトラヒドロパ−フルオ
ロオクチレ−トに代えて、オクチル−2−イソプロピル
−2,3−ジメチルブチレ−トを同量使用し、下記のバ
ックコ−ト層組成物をボ−ルミルで96時間混合分散し
て調製したバックコ−ト層用塗料を、強磁性金属薄膜層
を形成したポリエチレンテレフタレ−トフィルムの裏面
に乾燥後の厚みが 0.7μmとなるように塗布し、乾
燥してバックコ−ト層を形成した以外は、実施例1と同
様にして磁気テ−プを作製した。
【0024】
バックコ−ト層組成物
ニトロセルロ−ス(旭化成社製;セルノバH1
) 20重量部
ポリウレタン樹脂(日本ポリウレタン工業社製;N−
2301) 20 〃 ポリイソシアネ−ト
化合物(日本ポリウレタン工業社製;コロ 10
〃 ネ−トL) カ−ボンブラック(比表面積300 m2/g
) 50
〃 シクロヘキサノン
150 〃 トルエン
15
0 〃
) 20重量部
ポリウレタン樹脂(日本ポリウレタン工業社製;N−
2301) 20 〃 ポリイソシアネ−ト
化合物(日本ポリウレタン工業社製;コロ 10
〃 ネ−トL) カ−ボンブラック(比表面積300 m2/g
) 50
〃 シクロヘキサノン
150 〃 トルエン
15
0 〃
【0025】実施例3
実施例1における第2の保護層の形成において、実施例
1で使用した1,1,2,2−テトラヒドロパ−フルオ
ロオクチレ−トに代えて、1,1,2,2−テトラヒド
ロパ−フルオロオクチル−2−イソプロピル−2,3,
5,5−テトラメチルヘキサレ−トを同量使用した以外
は、実施例1と同様にして磁気テ−プを作製した。
1で使用した1,1,2,2−テトラヒドロパ−フルオ
ロオクチレ−トに代えて、1,1,2,2−テトラヒド
ロパ−フルオロオクチル−2−イソプロピル−2,3,
5,5−テトラメチルヘキサレ−トを同量使用した以外
は、実施例1と同様にして磁気テ−プを作製した。
【0026】実施例4
実施例1における第1の保護層の形成において、実施例
1で使用した分子量が2000の両末端に水酸基を持つ
ジメチルポリシロキサンに代えて、分子量が3000の
両末端にエポキシ基を持つジメチルポリシロキサンを同
量使用し、第2の保護層の形成において、1,1,2,
2−テトラヒドロパ−フルオロオクチレ−トに代えて、
オクチル−2−イソプロピル−2,3−ジメチルブチレ
−トを同量使用した以外は、実施例1と同様にして磁気
テ−プを作製した。
1で使用した分子量が2000の両末端に水酸基を持つ
ジメチルポリシロキサンに代えて、分子量が3000の
両末端にエポキシ基を持つジメチルポリシロキサンを同
量使用し、第2の保護層の形成において、1,1,2,
2−テトラヒドロパ−フルオロオクチレ−トに代えて、
オクチル−2−イソプロピル−2,3−ジメチルブチレ
−トを同量使用した以外は、実施例1と同様にして磁気
テ−プを作製した。
【0027】実施例5
実施例4における第1の保護層の形成において、実施例
4で使用した分子量が3000の両末端にエポキシ基を
持つジメチルポリシロキサンに代えて、分子量が300
0の両末端にアミノ基を持つジメチルポリシロキサンを
同量使用した以外は、実施例4と同様にして磁気テ−プ
を作製した。
4で使用した分子量が3000の両末端にエポキシ基を
持つジメチルポリシロキサンに代えて、分子量が300
0の両末端にアミノ基を持つジメチルポリシロキサンを
同量使用した以外は、実施例4と同様にして磁気テ−プ
を作製した。
【0028】実施例6
実施例1と同様にして強磁性金属薄膜層および防錆剤層
を形成した後、分子量が2000の両末端に水酸基を持
つジメチルポリシロキサンと、1,1,2,2−テトラ
ヒドロパ−フルオロオクチレ−トとを同時にイソプロピ
ルアルコ−ルに溶解し、この溶液をベンゾトリアゾ−ル
からなる防錆剤層上に、3mg/m2 になるように塗
布乾燥して保護層を形成した。しかる後、8mm幅にス
リットして磁気テ−プを作製した。
を形成した後、分子量が2000の両末端に水酸基を持
つジメチルポリシロキサンと、1,1,2,2−テトラ
ヒドロパ−フルオロオクチレ−トとを同時にイソプロピ
ルアルコ−ルに溶解し、この溶液をベンゾトリアゾ−ル
からなる防錆剤層上に、3mg/m2 になるように塗
布乾燥して保護層を形成した。しかる後、8mm幅にス
リットして磁気テ−プを作製した。
【0029】実施例7
実施例4における第1の保護層の形成において、実施例
4で使用した分子量が3000の両末端にエポキシ基を
持つジメチルポリシロキサンに代えて、分子量が800
の両末端に水酸基を持つジメチルポリシロキサンを同量
使用した以外は、実施例4と同様にして磁気テ−プを作
製した。
4で使用した分子量が3000の両末端にエポキシ基を
持つジメチルポリシロキサンに代えて、分子量が800
の両末端に水酸基を持つジメチルポリシロキサンを同量
使用した以外は、実施例4と同様にして磁気テ−プを作
製した。
【0030】実施例8
実施例4における第1の保護層の形成において、実施例
4で使用した分子量が3000の両末端にエポキシ基を
持つジメチルポリシロキサンに代えて、分子量が130
000の両末端にアミノ基を持つジメチルポリシロキサ
ンを同量使用した以外は、実施例4と同様にして磁気テ
−プを作製した。
4で使用した分子量が3000の両末端にエポキシ基を
持つジメチルポリシロキサンに代えて、分子量が130
000の両末端にアミノ基を持つジメチルポリシロキサ
ンを同量使用した以外は、実施例4と同様にして磁気テ
−プを作製した。
【0031】実施例9
実施例1における第2の保護層の形成において、実施例
1で使用した1,1,2,2−テトラヒドロパ−フルオ
ロオクチレ−トに代えて、グリセリントリオレ−トを同
量使用した以外は、実施例1と同様にして磁気テ−プを
作製した。
1で使用した1,1,2,2−テトラヒドロパ−フルオ
ロオクチレ−トに代えて、グリセリントリオレ−トを同
量使用した以外は、実施例1と同様にして磁気テ−プを
作製した。
【0032】実施例10
実施例1における第2の保護層の形成において、実施例
1で使用した1,1,2,2−テトラヒドロパ−フルオ
ロオクチレ−トに代えて、n−ブチルステアレ−トを同
量使用した以外は、実施例1と同様にして磁気テ−プを
作製した。
1で使用した1,1,2,2−テトラヒドロパ−フルオ
ロオクチレ−トに代えて、n−ブチルステアレ−トを同
量使用した以外は、実施例1と同様にして磁気テ−プを
作製した。
【0033】実施例11
実施例1において、第2の保護層の形成を省いた以外は
、実施例1と同様にして磁気テ−プを作製した。
、実施例1と同様にして磁気テ−プを作製した。
【0034】比較例1
実施例1における第1の保護層の形成において、実施例
1で使用した分子量が2000の両末端に水酸基を持つ
ジメチルポリシロキサンに代えて、フォンブリンZ−D
OL(日本モンテジソン社製、パ−フルオロポリエ−テ
ル)を同量使用した以外は、実施例1と同様にして磁気
テ−プを作製した。
1で使用した分子量が2000の両末端に水酸基を持つ
ジメチルポリシロキサンに代えて、フォンブリンZ−D
OL(日本モンテジソン社製、パ−フルオロポリエ−テ
ル)を同量使用した以外は、実施例1と同様にして磁気
テ−プを作製した。
【0035】比較例2
実施例1において、防錆剤層および第1の保護層の形成
を省いた以外は、実施例1と同様にして磁気テ−プを作
製した。
を省いた以外は、実施例1と同様にして磁気テ−プを作
製した。
【0036】比較例3
比較例1において、防錆剤層および第2の保護層の形成
を省いた以外は、実施例1と同様にして磁気テ−プを作
製した。
を省いた以外は、実施例1と同様にして磁気テ−プを作
製した。
【0037】各実施例および比較例で得られた磁気テ−
プについて、スチル耐久性および走行性を調べた。スチ
ル耐久性は、各磁気テ−プを20℃、50%RHの条件
下で1週間保存後、20℃、50%RHおよび5℃、1
0%RHの環境下において、ソニ−社製8mmVTR:
EV−S900を用いて、記録信号が3dB低下するま
での時間を測定して調べた。また、走行性は、各磁気テ
−プを20℃、50%RHの条件下で1週間保存後、2
0℃、50%RHおよび5℃、10%RHの環境下にお
いて、ソニ−社製8mmVTR:EV−S900を用い
て走行させ、記録信号が3dB低下するまでの連続走行
回数を測定して調べた。下記表1はその結果である。
プについて、スチル耐久性および走行性を調べた。スチ
ル耐久性は、各磁気テ−プを20℃、50%RHの条件
下で1週間保存後、20℃、50%RHおよび5℃、1
0%RHの環境下において、ソニ−社製8mmVTR:
EV−S900を用いて、記録信号が3dB低下するま
での時間を測定して調べた。また、走行性は、各磁気テ
−プを20℃、50%RHの条件下で1週間保存後、2
0℃、50%RHおよび5℃、10%RHの環境下にお
いて、ソニ−社製8mmVTR:EV−S900を用い
て走行させ、記録信号が3dB低下するまでの連続走行
回数を測定して調べた。下記表1はその結果である。
【0038】表1
【0039】
【発明の効果】上記表1から明らかなように、この発明
で得られた磁気テ−プ(実施例1〜11)は、比較例1
ないし3で得られた磁気テ−プに比し、いずれもスチル
時間が長くて、走行回数が多く、このことからこの発明
によって得られる磁気記録媒体は、耐久性および走行性
がよく、信頼性に優れていることがわかる。
で得られた磁気テ−プ(実施例1〜11)は、比較例1
ないし3で得られた磁気テ−プに比し、いずれもスチル
時間が長くて、走行回数が多く、このことからこの発明
によって得られる磁気記録媒体は、耐久性および走行性
がよく、信頼性に優れていることがわかる。
Claims (9)
- 【請求項1】 非磁性支持体の表面もしくは表裏両面
に強磁性金属薄膜層を設け、強磁性金属薄膜層上に、少
なくとも一個の分子末端に非疎水性官能基を持ち、かつ
珪素原子を5原子%以上含むシリコ−ンを存在させたこ
とを特徴とする磁気記録媒体 - 【請求項2】 表面に強磁性金属薄膜層を設けた非磁
性支持体の裏面にさらにバックコ−ト層を設けた請求項
1記載の磁気記録媒体 - 【請求項3】 シリコ−ンが、下記の化学式および一
般式−OH、−COOX、−NH2 、−NHR、−N
HRR´、−COOR、−CH(CH2 OCH2 )
CH2 、−OC(CH2 OCH2 )R(但し、式
中Xは水素原子または金属原子、R及びR´はアルキル
基である。)で表される非疎水性官能基およびアンモニ
ウム塩から選ばれる非疎水性官能基を少なくとも一個の
分子末端に持つシリコ−ンである請求項1および2記載
の磁気記録媒体 - 【請求項4】 シリコ−ンが、基本的
にシロキサン結合をシリコ−ン鎖の主鎖とし、珪素原子
に直接または酸素原子を介してアルキル基、アリル基、
フッ素置換アルキル基または水素原子が結合したシリコ
−ンである請求項3記載の磁気記録媒体 - 【請求項5】 シリコ−ンが、分子量500以上50
000以下のシリコ−ンである請求項4記載の磁気記録
媒体 - 【請求項6】 シリコ−ンを、強磁性金属薄膜層1m
2 当たり0.05mg以上2mg以下存在させた請求
項1ないし5記載の磁気記録媒体 - 【請求項7】 強磁性金属薄膜層上に、さらに脂肪族
エステルを存在させた請求項1ないし6記載の磁気記録
媒体 - 【請求項8】 脂肪族エステルが、総炭素数18以上
50以下の脂肪族エステルである請求項7記載の磁気記
録媒体 - 【請求項9】 脂肪族エステルが、エステル基の炭素
または酸素原子に対してα位またはβ位に炭素原子があ
り、かつその炭素原子が二級または三級である脂肪族エ
ステルである請求項8記載の磁気記録媒体【請求項10
】 脂肪族エステルを、強磁性金属薄膜層1m2 当
たり0.2 mg以上5mg以下存在させた請求項7な
いし9記載の磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16369791A JPH04362516A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16369791A JPH04362516A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362516A true JPH04362516A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=15778898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16369791A Withdrawn JPH04362516A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04362516A (ja) |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP16369791A patent/JPH04362516A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |