JPH0436280Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436280Y2 JPH0436280Y2 JP1986196442U JP19644286U JPH0436280Y2 JP H0436280 Y2 JPH0436280 Y2 JP H0436280Y2 JP 1986196442 U JP1986196442 U JP 1986196442U JP 19644286 U JP19644286 U JP 19644286U JP H0436280 Y2 JPH0436280 Y2 JP H0436280Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- ohmic contact
- parts
- brightness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本考案は主走査長光プリンタヘツドに好適な光
プリンタ用発光ダイオードに関する。
プリンタ用発光ダイオードに関する。
ロ 従来の技術
近年モノリシツク発光ダイオード(アレイ)を
用いた光プリンタが開発されているが、それに用
いる光プリンタヘツドは例えば特開昭61−202859
号公報に示される様に、複数の発光ダイオードを
1列に整列させ全体を光プリンタの主走査の長さ
にあわせた。いわゆる1ライン型ヘツドとなつて
いる。このような1ライン型ヘツドにおいて最も
重要な事の1つに、発光ダイオードの継目におい
ても印写品質を劣悪化させてはならないというこ
とがある。つまり、1つの発光ダイオードにおい
て発光部は選択拡散等によつて等間隔、所定輝度
になるように形成されるが、それらを連接させる
と特に継目をはさんだ隣接発光部で特性差が現わ
れないようにする必要がある。ところが、この継
目部分に位置する発光部、言いかえると発光ダイ
オード素子端部に位置する発光部は、ウエハ切断
時に発光部の近傍を切るので歪(ストレス)を受
け、その歪により特性劣化を生じたり、結晶端縁
がPN接合に近いため電流や光の端縁側への洩れ
などを生じたりすることにより、輝度低下が生じ
やすい。このような発光ダイオードを用いた光プ
リンタにおいては、その継目部分において副走査
方向に白線があるかの様に印写されるので印写品
質は著しく悪い。また輝度低下が少ない場合でも
継目部分で発光部間隔が所定間隔より少しでも広
いと、異なる発光ダイオードにおける特性差が強
調されるような印写となり、印写品質は悪くな
る。
用いた光プリンタが開発されているが、それに用
いる光プリンタヘツドは例えば特開昭61−202859
号公報に示される様に、複数の発光ダイオードを
1列に整列させ全体を光プリンタの主走査の長さ
にあわせた。いわゆる1ライン型ヘツドとなつて
いる。このような1ライン型ヘツドにおいて最も
重要な事の1つに、発光ダイオードの継目におい
ても印写品質を劣悪化させてはならないというこ
とがある。つまり、1つの発光ダイオードにおい
て発光部は選択拡散等によつて等間隔、所定輝度
になるように形成されるが、それらを連接させる
と特に継目をはさんだ隣接発光部で特性差が現わ
れないようにする必要がある。ところが、この継
目部分に位置する発光部、言いかえると発光ダイ
オード素子端部に位置する発光部は、ウエハ切断
時に発光部の近傍を切るので歪(ストレス)を受
け、その歪により特性劣化を生じたり、結晶端縁
がPN接合に近いため電流や光の端縁側への洩れ
などを生じたりすることにより、輝度低下が生じ
やすい。このような発光ダイオードを用いた光プ
リンタにおいては、その継目部分において副走査
方向に白線があるかの様に印写されるので印写品
質は著しく悪い。また輝度低下が少ない場合でも
継目部分で発光部間隔が所定間隔より少しでも広
いと、異なる発光ダイオードにおける特性差が強
調されるような印写となり、印写品質は悪くな
る。
ハ 考案が解決しようとする問題点
本考案は上述の点を改めるためになされたもの
で、端における発光部を高輝度化させた光プリン
タ用発光ダイオードを提供するものである。
で、端における発光部を高輝度化させた光プリン
タ用発光ダイオードを提供するものである。
ニ 問題点を解決するための手段
本考案は発光部のオーミツク接触部分の面積を
発光ダイオード(素子)の略中央部における発光
部のものに対し、端に位置する発光部のものを小
さくするもので、より好ましくは端に位置する発
光部のオーミツク接触部分を発光ダイオードの端
寄りに設けたものである。
発光ダイオード(素子)の略中央部における発光
部のものに対し、端に位置する発光部のものを小
さくするもので、より好ましくは端に位置する発
光部のオーミツク接触部分を発光ダイオードの端
寄りに設けたものである。
ホ 作用
これにより、発光部において略中央部のものよ
り端の方のものが電流密度が高くなり高輝度化
し、その電流はオーミツク接触部分から発光部に
供給されるので位置が偏る事により端の方が高輝
度になる。
り端の方のものが電流密度が高くなり高輝度化
し、その電流はオーミツク接触部分から発光部に
供給されるので位置が偏る事により端の方が高輝
度になる。
ヘ 実施例
第1図は本考案実施例の光プリンタ用発光ダイ
オードの平面図aと要部断面図bと要部輝度特性
図cである。図において1はGaAsP/GaAs等の
化合物半導体からなる基板で、表面には選択拡散
法により発光部2,2……3,3′が設けてある。
この発光部2,2……3,3′は光取出部(拡散
領域露出部)が1直線状にかつ等間隔になるよう
に配置され、その整列方向に対する端縁11,1
1と端に位置する発光部3,3′の距離は、発光
部2,2……の整列間隔の半分又は半分より短い
長さとなつて、発光ダイオードを連接配置した時
に継目でも発光部が等間隔となる様にしてある。
4,4……は発光部2,2……3,3′の各々と
オーミツク接触部21,21……31,31′で
オーミツク接触され、基板1の表面に絶縁層5を
介して設けられた個別電極で、アルミニウムの蒸
着膜などからなる。
オードの平面図aと要部断面図bと要部輝度特性
図cである。図において1はGaAsP/GaAs等の
化合物半導体からなる基板で、表面には選択拡散
法により発光部2,2……3,3′が設けてある。
この発光部2,2……3,3′は光取出部(拡散
領域露出部)が1直線状にかつ等間隔になるよう
に配置され、その整列方向に対する端縁11,1
1と端に位置する発光部3,3′の距離は、発光
部2,2……の整列間隔の半分又は半分より短い
長さとなつて、発光ダイオードを連接配置した時
に継目でも発光部が等間隔となる様にしてある。
4,4……は発光部2,2……3,3′の各々と
オーミツク接触部21,21……31,31′で
オーミツク接触され、基板1の表面に絶縁層5を
介して設けられた個別電極で、アルミニウムの蒸
着膜などからなる。
ここにおいて、例えば発光部2,2……の光取
出部の大きさが50μm×50μmであるとすると、そ
のオーミツク接触部21,21……の大きさは
47μm×45μm(2115μm2)である。それに対し、端
に位置する発光部3,3′の光取出部の大きさは
50μm×50μmでかわらないが、オーミツク接触部
31,31はいずれも約1000μm2となつている。
電流は発光部2,2……3,3′の深さと不純物
濃度分布によりその分布を略均一化できるが、電
流の大きさが駆動用集積回路(ドライバ)により
略一定にされていれば、電流密度は発光部と基板
非拡散部との境界にあるPN接合Aの面積に依存
する。従つて略中央部にある発光部2,2……で
は、約4615μm2のPN接合に例えば3mA流れ、端
に位置する発光部3,3においては約3500μm2の
PN接合に同じ電流が流れる。輝度は電流密度に
略比例するから約32%高くなる計算になるが、実
際には電極下の光は取り出せないので、20〜25%
高輝度になる。
出部の大きさが50μm×50μmであるとすると、そ
のオーミツク接触部21,21……の大きさは
47μm×45μm(2115μm2)である。それに対し、端
に位置する発光部3,3′の光取出部の大きさは
50μm×50μmでかわらないが、オーミツク接触部
31,31はいずれも約1000μm2となつている。
電流は発光部2,2……3,3′の深さと不純物
濃度分布によりその分布を略均一化できるが、電
流の大きさが駆動用集積回路(ドライバ)により
略一定にされていれば、電流密度は発光部と基板
非拡散部との境界にあるPN接合Aの面積に依存
する。従つて略中央部にある発光部2,2……で
は、約4615μm2のPN接合に例えば3mA流れ、端
に位置する発光部3,3においては約3500μm2の
PN接合に同じ電流が流れる。輝度は電流密度に
略比例するから約32%高くなる計算になるが、実
際には電極下の光は取り出せないので、20〜25%
高輝度になる。
さらに、第1図aに示すように、端に位置する
発光部3,3′のオーミツク接触部31,31′を
三角形とか階段状もしくは短冊状とし、発光部
3,3′の中心より端縁11,11側のオーミツ
ク接触面積が大きくなるようにすると、輝度特性
は第1図bの曲線32の如くに、他の発光部2,
2……の特性を示す曲線22,22……より高輝
度で、かつ端の方になる程より高輝度にすること
ができる。これにより、この発光ダイオードを用
いた光プリンタヘツドにおいて発光ダイオードの
継目が多少広くても、その部分は高濃度印写され
るから目立たない。
発光部3,3′のオーミツク接触部31,31′を
三角形とか階段状もしくは短冊状とし、発光部
3,3′の中心より端縁11,11側のオーミツ
ク接触面積が大きくなるようにすると、輝度特性
は第1図bの曲線32の如くに、他の発光部2,
2……の特性を示す曲線22,22……より高輝
度で、かつ端の方になる程より高輝度にすること
ができる。これにより、この発光ダイオードを用
いた光プリンタヘツドにおいて発光ダイオードの
継目が多少広くても、その部分は高濃度印写され
るから目立たない。
第2図は本考案の他の例に係るもので、特に発
光部20,20……30の略中央部に、個別電極
40,40……から延長された帯状電極41,4
1……が配置された場合を例にとつている。この
時もオーミツク接触面積を端部12に位置する発
光部30の分だけ、他の発光部20,20……の
ものより小さくしてある。さらに、帯状電極4
1,41……は発光部20,20……30の全体
に均一に電流を流す役をするものの、第2図bの
曲線23,23……に示すように帯状電極41,
41……は陰をつくる。従つて端の発光部30に
おいては、この帯状電極41を中央より端に位置
させるだけではなく細くすると、曲線33の如く
端側の輝度が高くなるばかりでなく陰の部分も狭
くなるからより好ましい。
光部20,20……30の略中央部に、個別電極
40,40……から延長された帯状電極41,4
1……が配置された場合を例にとつている。この
時もオーミツク接触面積を端部12に位置する発
光部30の分だけ、他の発光部20,20……の
ものより小さくしてある。さらに、帯状電極4
1,41……は発光部20,20……30の全体
に均一に電流を流す役をするものの、第2図bの
曲線23,23……に示すように帯状電極41,
41……は陰をつくる。従つて端の発光部30に
おいては、この帯状電極41を中央より端に位置
させるだけではなく細くすると、曲線33の如く
端側の輝度が高くなるばかりでなく陰の部分も狭
くなるからより好ましい。
尚上述の例において、いずれも端に位置する発
光部において電流密度が上がるが、それが高くな
りすぎない限り、放熱をよくする事で急速劣化等
は生じない。実用的な略中央発光部と端発光部と
の面積比は1:0.9〜1:0.7が効果的である。ま
た上述の例では最も端に位置する1発光部につい
てのみオーミツク接触面積を小さくしたが、発光
ダイオードが長い場合や発光部が高密度の時には
最も端側から1乃至数個の発光部に適用してもよ
い。
光部において電流密度が上がるが、それが高くな
りすぎない限り、放熱をよくする事で急速劣化等
は生じない。実用的な略中央発光部と端発光部と
の面積比は1:0.9〜1:0.7が効果的である。ま
た上述の例では最も端に位置する1発光部につい
てのみオーミツク接触面積を小さくしたが、発光
ダイオードが長い場合や発光部が高密度の時には
最も端側から1乃至数個の発光部に適用してもよ
い。
ト 考案の効果
以上の如くにより。発光ダイオードの端(継目
近傍)における発光部の輝度を高くし、あるいは
その発光部の輝度特性を端側がより高輝度になる
ようにしているので、劣化等を生じて本来の輝度
より低い輝度となつても白線印写程には至らず、
また継目が多少広がつても目立たない程度に光プ
リンタの感光体を感光させることができ、継目部
分による印写品質の劣悪化を防ぐことができる。
近傍)における発光部の輝度を高くし、あるいは
その発光部の輝度特性を端側がより高輝度になる
ようにしているので、劣化等を生じて本来の輝度
より低い輝度となつても白線印写程には至らず、
また継目が多少広がつても目立たない程度に光プ
リンタの感光体を感光させることができ、継目部
分による印写品質の劣悪化を防ぐことができる。
第1図は本考案実施例の光プリンタ用発光ダイ
オードの平面図aと要部断面図bと要部輝度特性
図c、第2図は他の実施例の光プリンタ用発光ダ
イオードの要部平面図aとその輝度特性図bであ
る。 1……基板、2,2……3,3′,20,20
……30……発光部、4,4……40,40……
個別電極。
オードの平面図aと要部断面図bと要部輝度特性
図c、第2図は他の実施例の光プリンタ用発光ダ
イオードの要部平面図aとその輝度特性図bであ
る。 1……基板、2,2……3,3′,20,20
……30……発光部、4,4……40,40……
個別電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 表面に整列して設けられた複数の発光部と、
発光部の各々にオーミツク接触された個別電極
とを具備した光プリンタ用発光ダイオードにお
いて、発光ダイオードの端に位置する発光部の
オーミツク接触面積は発光ダイオードの略中央
に位置する発光部のオーミツク接触面積より小
さい事を特徴とする光プリンタ用発光ダイオー
ド。 (2) 発光ダイオードの端に位置する前記発光部は
該発光部の中心より発光ダイオードの端側で前
記個別電極とオーミツク接触している事を特徴
とする前記実用新案登録請求の範囲第1項記載
の光プリンタ用発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986196442U JPH0436280Y2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986196442U JPH0436280Y2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100240U JPS63100240U (ja) | 1988-06-29 |
| JPH0436280Y2 true JPH0436280Y2 (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=31155266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986196442U Expired JPH0436280Y2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436280Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP1986196442U patent/JPH0436280Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63100240U (ja) | 1988-06-29 |
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