JPH04362991A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置の駆動方法

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JPH04362991A
JPH04362991A JP3256183A JP25618391A JPH04362991A JP H04362991 A JPH04362991 A JP H04362991A JP 3256183 A JP3256183 A JP 3256183A JP 25618391 A JP25618391 A JP 25618391A JP H04362991 A JPH04362991 A JP H04362991A
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JP
Japan
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voltage
liquid crystal
crystal display
display device
vth
Prior art date
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Pending
Application number
JP3256183A
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English (en)
Inventor
Shinichi Kamagami
信一 鎌上
Hiroshi Morita
廣 森田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示装置の駆動
方法に係わり、特に、非線形な電流電圧特性を有するス
イッチング素子を画素ごとに組み込んだ液晶表示装置の
駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、時計・電卓・計測機器等の比較的
簡単なものから、パ−ソナルコンピュ−タ、ワ−ドプロ
セッサ−、更にはOA用の端末機器、TV画像表示等の
大容量情報表示の用途に液晶表示装置は使用されている
。こうした大容量の液晶表示装置においては、マトリク
ス表示の時分割駆動方式が一般に採用されている。とこ
ろがこの方式は、液晶自身の本質的な特性によって、表
示部分(ON画素)と非表示部分(OFF画素)のコン
トラスト比は走査電極の本数が多くなるに従い低下し、
走査電極の本数は200本程度が実用上の限界であり、
更に走査電極が500本以上の大規模なマトリクス表示
を行なう場合には、コントラスト比の劣化が致命的であ
った。
【0003】そして、この液晶表示装置のもつ欠点を解
決するための開発が各所で盛んに行われている。その一
つの方向が、個々の画素を直接にスイッチ駆動するもの
である。その場合のスイッチング素子として薄膜トラン
ジスタが採用されている。薄膜トランジスタを構成する
半導体として、これまで単結晶シリコン、セレン化カド
ミウム及びテルル等の種々の材料が提案されてきたが、
現在は非晶質シリコンが最も多く研究されている。しか
しながら、この種の液晶表示装置の製造においては、微
細加工工程が数回必要となり、工程が複雑で歩留まりが
悪くなることがあった。この結果、製品コストが高くな
り、また、大規模な液晶表示装置の製造が著しく困難と
なっていた。
【0004】スイッチング素子列(アレイ)を用いた別
の方向として、非線形な電流電圧特性を有するスイッチ
ング素子(以下非線形抵抗素子と呼ぶ)を用いたものが
ある。非線形抵抗素子は、薄膜トランジスタの三端子に
比べて、基本的に二端子で構造が簡単であり、製造が容
易である。このため、製品歩留まりの向上が期待でき、
コスト低下の利点がある。
【0005】非線形抵抗素子は、薄膜トランジスタと同
様の材料を用いて、接合形成したダイオ−ドの型、酸化
亜鉛を用いたバリスタの型、電極間に絶縁物を挟んだ金
属−絶縁物−金属(MIM)型、更には金属電極間に半
導電性の層(MSI)を用いた型等が開発されている。 このうちMIM型は、構造が最も簡単なものの一つで現
在すでに実用化されている。
【0006】図6はMIM型液晶表示装置の液晶層に印
加される電圧波形を示す図であり、縦軸は液晶層に印加
される電圧VLC、横軸は時間を表している。このMI
M型液晶表示装置では、液晶を挟持する両電極間に駆動
電圧が印加されると小さい時定数で充電が行なわれ、駆
動電圧が印加されなくなると大きい時定数で放電する。 従って、図6に示すように駆動電圧がONされてから短
い選択期間τonで液晶は充電され、OFFされた後も
長い時間τoff だけ充分な電圧を保持する。この結
果、選択期間τonにおける印加電圧が駆動電圧の実効
値を決定し、通常のマトリクス表示の時分割駆動方式の
液晶表示素子よりもONとOFFの実効値比を大きくす
ることができ、コントラスト比を低下させることがない
液晶表示装置が実現される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
MIM型液晶表示装置では、MIM素子の電流電圧特性
が正/負方向で対称でないため、表示のちらつき(フリ
ッカ)という問題が起きたり、同じ表示パタ−ンを長時
間表示しておくと表示がしばらくの間薄く残る残像現象
という問題が発生する。フリッカは直流のオフセット電
圧を駆動波形に重畳することにより抑えることができる
。しかしながら、残像現象は直流のオフセット電圧を印
加しフリッカのない状態にしても発生する。ONとOF
Fの実効値比が十分大きい場合、即ち、100〜300
本程度の走査電極を有する液晶表示装置を時分割駆動す
る場合には、残像現象は、見かけ上、無視できるほど小
さいが、近年のように300〜1000本もの走査電極
を有する液晶表示装置を時分割駆動する場合のようにO
NとOFFの実効値比が必然的に小さくなってくると残
像現象は、見かけ上、大きくなる。この残像現象は表示
品位を著しく低下させるため実用上大きな問題となる。
【0008】この発明は、以上述べたような問題点を解
決するためになされたものであり、液晶表示装置の走査
電極数が増えた場合でも残像現象等の見られない良好な
表示の液晶表示装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、非線形な電
流電圧特性を有し且つこの電流電圧特性が電圧印加の正
方向と負方向とで非対称なスイッチング素子と、このス
イッチング素子を組み込んだ複数個の画素と、電気光学
特性におけるしきい値電圧がVth(V)、飽和電圧が
Vsat (V)である液晶とを有し、信号電圧を所定
の画素に書き込む選択期間と書き込まれた信号電圧を保
持する非選択期間とからなる電圧波形で時分割駆動され
る液晶表示装置の駆動方法についてのものである。そし
て、非選択期間に画素に印加される電圧の絶対値Vb 
(V)が      V’/2−0.4≦Vb ≦V’
/2+0.5(V’=Vth+Vsat )を満足する
ように設定した電圧波形で時分割駆動することを特徴と
している。
【0010】ここで、例えばノーマリーホワイトの液晶
表示装置を想定した場合には、Vthは透過率90%の
ときの電圧、Vsat は透過率10%のときの電圧と
して規定している。
【0011】
【作用】MIM型のような二端子型液晶表示装置では、
MIM素子の電流電圧特性が正/負方向で対称でないこ
とにより直流電圧等が発生し、残像現象が発生する。こ
のMIM素子の電流電圧特性を対称にすれば残像現象は
発生しないと考えられる。しかし、MIM素子の電流電
圧特性を対称にする、即ち、2つの金属−絶縁体接合界
面を同じ特性になるように作り、且つ、絶縁体の膜質も
膜厚方向に対称になるように作製するのは、容易ではな
い。
【0012】このような従来の状況で、本発明者等は、
各種の実験から解決の糸口となる次のような知見を得た
。即ち、残像現象の大きさを、一定時間τの間ON状態
にした後に引き続きON状態にしたときの透過率と、一
定時間τの間OFF状態にした後にON状態にしたとき
の透過率との差をΔTrで表すと、残像現象の大きさΔ
Trは、非選択期間に画素に印加される電圧の絶対値V
b に依存していることがわかった。即ち、Vth、V
sat の異なる各種液晶について調べたところ、Vb
は選択期間の電圧との比で決まるのではなく、V’=V
th+Vsat としたときに、 V’/2−0.4≦Vb ≦V’/2+0.5の範囲で
あれば良いことがわかった。
【0013】これは、スーパーツイステッドネマチック
(STN)形液晶表示装置等で用いられている最適バイ
アス比とは大きく異なっている。(最適バイアス比は1
/Nデューティの場合、1/(N1/2 +1)である
。)
【0014】このことは次のように考えられる。図
7に示すように、MIM素子の電流電圧特性は、低電圧
側でより非対称である。このために直流電圧が発生する
。直流電圧は液晶層との界面等に電荷二重層を形成し、
残像現象となると考える。印加電圧が小さい場合には、
MIM素子の抵抗が大きいため、電流電圧特性の非対称
性が大きいにもかかわらず、直流電圧の発生は抑えられ
る。 また、印加電圧が大きい場合には、電流電圧特性の非対
称性が小さいため、やはり直流電圧の発生は抑えられ、
図8に示すように、所定の印加電圧で直流電圧は極値を
とると推察される。
【0015】また、発生する直流電圧は、選択期間の電
圧の違いからON状態とOFF状態とで異なり、その差
はある電圧で最小になる。液晶表示装置においては表示
コントラストから一義的に駆動電圧が決まってしまうが
、その駆動電圧範囲においては、バイアス電圧を変える
ことによって発生する直流電圧のON状態とOFF状態
との差を最小にすることができる。また、液晶層に印加
される電圧は常に、ON状態ではVsat 程度、OF
F状態ではVth程度であるため、最適なバイアス電圧
は液晶自身の電気光学特性に依存する。即ち、最適なバ
イアス電圧はVsat ,Vthに関連づけられる。
【0016】この発明の液晶表示装置では非選択期間に
画素に印加される電圧の絶対値Vbを、ON/OFF各
状態で発生する直流電圧の差が最小になるように、即ち
、       V’/2−0.4≦Vb ≦V’/2+0
.5(V’=Vth+Vsat )を満足するように設
定してあるため、残像現象が無視できる最適な状態で駆
動されることになり、常に良好に表示することが可能と
なる。
【0017】
【実施例】以下、この発明の詳細を図面を参照して説明
する。
【0018】図1はこの発明の一実施例を適用する液晶
表示装置を説明するための図であり、図1(a)はこの
液晶表示装置におけるマトリクスアレイ基板を示す平面
図、図1(b)は図1(a)のA−A´断面に対応する
液晶表示装置の断面図を表している。
【0019】図1において製造工程に従って説明すると
、例えばガラスからなる基板1上に、例えばTaからな
る走査電極2とスイッチング素子部の下部電極3を形成
する。次に、走査電極2と下部電極3の表面には、陽極
酸化によりスイッチング素子部の絶縁体4を形成する。 更に、例えばCrからなるスイッチング素子部の上部電
極5を形成することにより、スイッチング素子6が完成
する。次に、例えばITOからなる画素電極7を上部電
極5と電気的に接続するように形成することにより、マ
トリクスアレイ基板8を得る。
【0020】一方別に、例えばガラスからなる基板9上
に、例えばITOからなる表示電極10を走査電極2と
直交する方向に形成することにより、対向基板11を得
る。そして、マトリクスアレイ基板8と対向基板11を
5〜20μmの間隔を保って保持させ、この間隙に液晶
12を注入する。ここで、接続されたスイッチング素子
6と画素電極7、表示電極10及び液晶12の組合せに
より1つの画素が構成されている。
【0021】図1に示した液晶表示装置は450×11
52ドットの画素を有し、図2に示される駆動手段によ
り駆動される。即ち、液晶表示装置の表示部20は、照
明用電源回路21によって動作される照明器22でその
背面が照明される。また、走査信号発生回路23におい
ては、表示データ発生回路24から発生されるデータ信
号で電源回路25からの電圧信号が変調されて走査信号
が発生され、同様に、表示信号発生回路26においては
、データ信号で電源回路25からの電圧信号が変調され
て表示信号が発生される。この表示部20の各画素にお
いては、走査電極2に走査信号発生回路23から発生さ
れる走査信号が印加され、表示電極10には、表示信号
発生回路26から発生された表示信号が印加され、これ
らの信号によって表示部20の各画素が駆動される。 電源回路25には、温度補正回路27が接続され、この
温度補正回路27によって残像を最小にする最適な電圧
にバイアス電圧が維持される。即ち、バイアス電圧は、
液晶のしきい値電圧Vthに依存して定められるが、こ
のしきい値電圧Vthは、温度の変化に従って変化され
る。 このことから、例えば環境温度が上昇されて液晶のしき
い値電圧Vthが低下されると、電源回路25において
は、バイアス電圧が低下されるように温度補正回路27
からの信号に従ってバイアス電圧が最適に変化され、こ
の最適電源電圧が走査信号発生回路23及び表示信号発
生回路26に供給される。その結果、走査電極2には走
査信号発生回路23から発生される最適走査信号が印加
され、表示電極10には表示信号発生回路26から発生
された最適表示信号が印加される。
【0022】既に説明したように各画素には、非線形な
電流電圧特性を有し、且つ、この電流電圧特性が電圧印
加の正方向と負方向とで非対称なMIM素子であるスイ
ッチング素子6が組み込まれている。また、液晶12は
電気光学特性におけるしきい値電圧Vthが1.9(V
)、飽和電圧Vsat が3.3(V)である材料を用
いた。また、この液晶表示装置の駆動電源部は、デュー
ティー比1/450で、バイアス電圧を1乃至4(V)
に設定した時分割駆動波形を発生する回路からなってお
り、更に詳細には図3(a)に示すように、抵抗R0 
に直列接続された可変抵抗R1 及びそれらの抵抗R1
 ,R0 間に接続された増幅器30,31,32,3
3から構成され、可変抵抗R1 により手動で出力電源
電圧VDD,V1 〜V5 を変えられるようになって
いる。同様に、温度補正回路27を含む電源回路25は
、図3(b)に示すように、抵抗R0 に直列接続され
た可変抵抗R1 、サーミスタRthからなる並列回路
、及びそれらの抵抗R1 ,R0 間に接続された増幅
器30,31,32,33から構成され、温度に依存し
て抵抗値が変化されるサーミスタRthにより出力電源
電圧VDD,V1 〜V5 が変化される。走査信号発
生回路23にはVDD,V1 ,V4 ,V5 が供給
され、この走査信号発生回路23から図4(a)に示す
ような走査信号が走査電極2に出力される。表示信号発
生回路26にはVDD,V2 ,V3 ,V5 が供給
され、この表示信号発生回路26から図4(b)に示す
ような表示信号が表示電極10に出力される。そして、
|VDD−V5|が選択期間に画素に印加される電圧V
OPに相当し、|VDD−V1 |がバイアス電圧Vb
 に相当する。
【0023】図5は図1に示した液晶表示装置について
の非選択期間に画素に印加される電圧に対する残像現象
の大きさの依存性を示す図であり、縦軸はOFF状態(
光透過状態)の透過率を100%として、5分間ON状
態(透過率50%)にした後に引き続きON状態にした
ときの透過率と、5分間OFF状態にした後にON状態
にしたときの透過率との差△Tr、横軸は電圧Vb を
表している。図5からわかるように、Vb が2.2〜
3.1(V)、即ちV’/2−0.4とV’/2+0.
5の範囲にあるときに、△Trが2%以下と小さい。よ
り好ましくは、△Trが1%以下の2.4〜2.9(V
)がよく、この場合、通常(コントラスト比が最大にな
るようにした)表示で残像は全く見られなかった。 一方、Vb が2.2(V)より小さい場合は黒い残像
、3.1(V)より大きい場合は白い残像が目視にて確
認され、△Trが2%以上と大きかった。
【0024】また、|△Tr|が最小になるバイアス電
圧は、温度上昇によって液晶のVthが低くなること等
により低電圧側にシフトするが、駆動電源部を、図3(
b)のようにし、バイアス電圧をサーミスタにより最適
値に保つようにした装置では、周囲温度が変化しても残
像現象が全く見られなかったとともに、45msecの
高速応答且つ50という高いコントラスト比が得られ、
良好な表示であることが確認された。
【0025】
【発明の効果】この発明は、非選択期間にMIM素子に
印加される電圧をMIM素子の電流電圧特性が正/負方
向で非対称な場合にも直流電圧が発生しないような最適
な値に設定してあるため、残像現象が見られない良好な
表示を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を適用した液晶表示装置の
構成を示す図である。
【図2】この発明の一実施例を適用した液晶表示装置の
ブロックダイアグラムを示す図である。
【図3】この発明の一実施例を適用した液晶表示装置に
おける駆動電源部の回路図である。
【図4】この発明の一実施例を適用した液晶表示装置に
おける走査電極及び表示電極に印加される電圧波形を示
す図である。
【図5】この発明の一実施例を適用した液晶表示装置に
ついての非選択期間に画素に印加される電圧に対する残
像現象の大きさの依存性を示す図である。
【図6】非線形抵抗素子を画素ごとに組み込んだ液晶表
示装置の液晶層に印加される電圧波形を示す図である。
【図7】MIM素子の電圧印加方向が正/負の場合の電
流の比を示す図である。
【図8】発生した直流電圧の印加電圧依存性を示す図で
ある。
【符号の説明】
6……スイッチング素子 12……液晶

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  非線形な電流電圧特性を有し且つこの
    電流電圧特性が電圧印加の正方向と負方向とで非対称な
    スイッチング素子と、このスイッチング素子を組み込ん
    だ複数個の画素と、電気光学特性におけるしきい値電圧
    がVth(V)、飽和電圧がVsat (V)である液
    晶とを有し、信号電圧を所定の前記画素に書き込む選択
    期間と書き込まれた前記信号電圧を保持する非選択期間
    とからなる電圧波形で時分割駆動される液晶表示装置の
    駆動方法において、前記非選択期間に前記画素に印加さ
    れる電圧の絶対値Vb (V)が       V’/2−0.4≦Vb ≦V’/2+0
    .5(V’=Vth+Vsat )を満足するように設
    定した電圧波形で時分割駆動することを特徴とする液晶
    表示装置の駆動方法。
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