JPH04363012A - Ceramic capacitor - Google Patents

Ceramic capacitor

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JPH04363012A
JPH04363012A JP3236856A JP23685691A JPH04363012A JP H04363012 A JPH04363012 A JP H04363012A JP 3236856 A JP3236856 A JP 3236856A JP 23685691 A JP23685691 A JP 23685691A JP H04363012 A JPH04363012 A JP H04363012A
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dielectric constant
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dielectric
temperature
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洋八 山下
Osamu Furukawa
修 古川
Mitsuo Harada
光雄 原田
Takashi Takahashi
孝 高橋
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Abstract

PURPOSE:To realize a high dielectric constant and to improve temperature characteristics and bias characteristics by mixing, calcinating and milling oxides of Pb, Ba, Sr, Zn, Nb, Ti, Mg at specified proportions to manufacture raw powders, by forming a desired shape using the raw powders and by burning it thereafter. CONSTITUTION:A high dielectric constant ceramic composition is used as a dielectric layer, which is formed by replacing a part of Pb of a composition (excepting on a segment connecting a and b) inside a line which connects each point shown by a (x=0.50, y=0.00, z=0.50), b(x=1.00, y=0.00, z=0.00), c(x=0.20, y=0.80, z=0.00), d(x=0.05, y=0.90, z=0.05) of a phase diagram whose top is each component when expressed by a formula xPb(Zn1/3Nb2/3)O3-yPb(Mg1/3 Nb2/3)O3-zPbTiO3 with at least one kind of Ba and Sr of 1 to 35mol%. It is mixed by a ball mill, etc., at the composition ratio and calcinated at 700 to 850 deg.C. Then, it is milled by a ball mill, etc., and then dried. The element is sintered in air at 980 to 1080 deg.C for 2 hours.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、Pb(Zn1/3 N
b2/3 )O3 を主体とした誘電率温度係数(T.
C.C.)温度変化の小さい高誘電率磁器組成物を誘電
体層として用いたセラミックコンデンサに関する。
[Industrial Application Field] The present invention provides Pb(Zn1/3N
b2/3) Temperature coefficient of dielectric constant (T.
C. C. ) It relates to a ceramic capacitor using a high dielectric constant ceramic composition with small temperature changes as a dielectric layer.

【0002】0002

【従来の技術】誘電体材料として要求される電気的特性
としては、誘電率,誘電率温度係数,誘電損失,誘電率
バイアス電界依存性、容量抵抗積等があげられる。
2. Description of the Related Art Electrical properties required for dielectric materials include dielectric constant, temperature coefficient of dielectric constant, dielectric loss, dependence of dielectric constant on electric field, and capacitance-resistance product.

【0003】特に容量抵抗積(CR値)は、十分高い値
を取る必要があり、EIAJ(日本電子機械工業会)の
電子機器用積層磁器コンデンサ(チップ型)規格RC−
3698Bに常温で 500MΩ・μF以上と規定され
ている。 さらにより厳しい条件でも使用できるように、高温(例
えば米国防省規格MIL−C 55681Bでは、 1
25℃でのCR値が定められている。)でも高いCR値
を維持することが要求される。
In particular, the capacitance-resistance product (CR value) must take a sufficiently high value, and the RC-
3698B specifies a resistance of 500MΩ・μF or more at room temperature. Furthermore, in order to enable use under even more severe conditions, high temperatures (for example, according to the U.S. Department of Defense standard MIL-C 55681B, 1
The CR value at 25°C is determined. ) is required to maintain a high CR value.

【0004】また、誘電率温度係数の小さいことが要求
されるが、一般に誘電率(K)の大きい材料では、T.
C.C.が大きい傾向がありK/T.C.C.が大きい
こと、すなわち、誘電率の変化の相対値の小さいことが
要求される。
[0004]Although a small temperature coefficient of dielectric constant is required, materials with a large dielectric constant (K) generally have a low temperature coefficient of T.
C. C. tends to be large, and K/T. C. C. is required to be large, that is, the relative value of the change in dielectric constant is required to be small.

【0005】さらに積層タイプの素子を考えた場合、電
極層と誘電体層とは一体的に焼成されるため、電極材料
としては誘電体材料の焼成温度でも安定なものを用いる
必要がある。従って誘電体材料の焼成温度が高いと白金
(Pt),パラジウム(Pd)等の高価な材料を用いな
ければならず、銀(Ag)等の安価な材料を使用できる
ように、1100℃以下程度の低温での焼成が可能であ
ることが要求される。
Furthermore, when a multilayer type element is considered, since the electrode layer and the dielectric layer are fired integrally, it is necessary to use an electrode material that is stable even at the firing temperature of the dielectric material. Therefore, if the firing temperature of the dielectric material is high, expensive materials such as platinum (Pt) and palladium (Pd) must be used. It is required that firing can be performed at low temperatures.

【0006】従来から知られている高誘電率磁器組成物
としてチタン酸バリウムをベ―スとして、これに錫酸塩
,ジルコン酸塩,チタン酸塩等を固溶したものがある。 確かに誘電率の高いものを得ることはできるが、誘電率
が高くなるとT.C.C.が大きくなり、また、バイア
ス電界依存性も大きくなってしまうという問題があった
。さらに、チタン酸バリウム系の材料の焼成温度は13
00〜1400℃程度と高温であり、電極材料として必
然的に白金,パラジウム等の高温で耐えうる高価な材料
を用いなければならず、コスト高の原因となる。
Conventionally known high-permittivity ceramic compositions include those based on barium titanate, in which stannate, zirconate, titanate, etc. are solidly dissolved. It is certainly possible to obtain a material with a high dielectric constant, but the higher the dielectric constant, the higher the T. C. C. There is a problem in that the voltage becomes large and the dependence on the bias electric field also becomes large. Furthermore, the firing temperature of barium titanate-based materials is 13
The temperature is as high as about 00 to 1400°C, and as an electrode material, it is necessary to use an expensive material such as platinum or palladium that can withstand high temperatures, which causes high costs.

【0007】このチタン酸バリウム系の問題点を解消す
べく、各種組成物の研究がなされている。例えば鉄ニオ
ブ酸鉛を主体としたもの(特開昭57−57204号)
,マグネシウム・ニオブ酸鉛を主体としたもの(特開昭
55−51758号),マグネシウム・タングステン酸
鉛を主体としたもの(特開昭52−21699号)等が
ある。鉄ニオブ酸鉛を主体としたものは、CR値の焼成
温度による変化が大きく、特に高温におけるCR値の低
下が大きいという問題点がある。マグネシウム・ニオブ
酸鉛を主体としたものは焼成温度が比較的高く、また、
マグネシウム・タングステン酸鉛を主体としたものは、
CR値が大きいと誘電率が小さく、誘電率が大きいとC
R値が小さいという問題点が有った。さらにこれらの材
料のT.C.C.はチタン酸バリウム系より優れてはい
るものの十分ではない。
[0007] In order to solve the problems of barium titanate, various compositions have been studied. For example, those based on lead iron niobate (Japanese Patent Application Laid-open No. 57-57204)
, one based on magnesium/lead niobate (Japanese Patent Application Laid-open No. 51758/1983), and one based on magnesium/lead tungstate (Japanese Patent Application Laid-open No. 21699/1982). Those containing lead iron niobate as a main component have a problem in that the CR value changes greatly depending on the firing temperature, and the CR value decreases particularly at high temperatures. Products mainly composed of magnesium and lead niobate have a relatively high firing temperature, and
Those mainly composed of magnesium and lead tungstate are
When the CR value is large, the dielectric constant is small, and when the dielectric constant is large, the C
There was a problem that the R value was small. Furthermore, the T. C. C. Although it is superior to the barium titanate type, it is not sufficient.

【0008】さらに、マグネシウムニオブ酸鉛とチタン
酸鉛との固溶体で必要に応じ鉛の一部をバリウム,スト
ロンチウム,カルシウムで置換した材料についても研究
されている(特開昭 55−121959号)。しかし
ながらこの材料のT.C.C.は−25〜85℃で最良
のものでも−59.8%であり、十分とは言えない。さ
らに、コンデンサ材料として最も重要なCR値について
は述べられておらず、コンデンサ材料としての有用性は
明らかではない。
[0008] Further, research has also been conducted on materials in which a solid solution of lead magnesium niobate and lead titanate is used, in which part of the lead is replaced with barium, strontium, or calcium as required (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 121959/1982). However, the T. C. C. Even the best value is -59.8% at -25 to 85°C, which is not sufficient. Furthermore, the most important CR value for a capacitor material is not mentioned, and its usefulness as a capacitor material is not clear.

【0009】また、特開昭57−25607号にはマグ
ネシウム・ニオブ酸鉛と亜鉛ニオブ酸鉛との固溶体の材
料についても研究されている。しかしながらCR値、及
びT.C.C.については述べられておらず、コンデン
サ材料としての有用性は明らかではない。
[0009] Further, in JP-A-57-25607, solid solution materials of magnesium lead niobate and zinc lead niobate are also studied. However, the CR value and T. C. C. There is no mention of this, and its usefulness as a capacitor material is unclear.

【0010】0010

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の点を考
慮してなされたもので、誘電率が大きく、かつその温度
係数の小さい高誘電率磁器組成物を誘電体層として用い
たセラミックコンデンサを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above points, and provides a ceramic capacitor using a high permittivity ceramic composition having a large dielectric constant and a small temperature coefficient as a dielectric layer. The purpose is to provide

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、一般
式 xPb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 −yPb(
Mg1/3 Nb2/3 )O3 −zPbTiO3 
で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の
a(x= 0.50 ,y= 0.00 ,z= 0.
50 )b(x= 1.00 ,y= 0.00 ,z
= 0.00 )c(x= 0.20 ,y= 0.8
0 ,z= 0.00 )d(x= 0.05 ,y=
 0.90 ,z= 0.05 )で示される各点を結
ぶ線内の組成(ただし、abを結ぶ線分上は除く)のP
bの一部を1〜35 mol%のBa及びSrの少なく
とも一種で置換した高誘電率磁器組成物を誘電体層とし
て用い、この誘電体層を介して一対の電極が形成された
セラミックコンデンサであり、さらに前記高誘電率磁器
組成物がMn及びCoの少なくとも一種を 0.5wt
%以下含有するセラミックコンデンサである。
[Means and effects for solving the problems] The present invention provides the general formula xPb(Zn1/3 Nb2/3)O3 -yPb(
Mg1/3 Nb2/3 )O3 -zPbTiO3
When expressed as a (x= 0.50, y= 0.00, z= 0.
50) b(x= 1.00, y= 0.00, z
= 0.00)c(x=0.20,y=0.8
0, z= 0.00) d(x= 0.05, y=
0.90, z = 0.05) of the composition within the line connecting each point (excluding the line segment connecting ab)
A ceramic capacitor in which a high permittivity ceramic composition in which part of b is replaced with at least one of 1 to 35 mol% of Ba and Sr is used as a dielectric layer, and a pair of electrodes are formed through this dielectric layer. 0.5wt of at least one of Mn and Co.
% or less.

【0012】従来から誘電体材料として各種のペロブス
カイト型の磁器材料が検討されているが、亜鉛・ニオブ
酸鉛(Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 )は磁
器とした場合、ペロブスカイト構造を取りにくく、誘電
体材料としては適さないと考えられていた(NEC R
esearch  & Development No
. 29  April 1973  p.15〜21
参照)。本発明者等の研究によれば、Pb(Zn1/3
 Nb2/3 )O3 のPbサイトをBaまたはSr
で適量置換することにより、磁器で安定なペロブスカイ
ト構造を形成できることがわかった。さらに、この様な
磁器組成物は、非常に高い誘電率および絶縁抵抗を示し
、かつ、その温度特性も極めて良好であることがわかっ
た。また、機械的強度も優れたものであることがわかっ
た。さらに研究を進めた結果、この亜鉛ニオブ酸鉛にマ
グネシウム・ニオブ酸鉛およびチタン酸鉛とを組合せる
ことにより、さらに高い誘電率と絶縁抵抗を合せ持つ高
誘電率磁器組成物が得られることを見出したのである。
Various perovskite-type porcelain materials have been studied as dielectric materials, but zinc-lead niobate (Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3) has a perovskite structure when made into porcelain. It was considered difficult to use as a dielectric material (NEC R
search & Development No.
.. 29 April 1973 p. 15-21
reference). According to the research of the present inventors, Pb(Zn1/3
Nb2/3)O3 Pb site is Ba or Sr
It was found that a stable perovskite structure can be formed in porcelain by substituting an appropriate amount of . Furthermore, it has been found that such a ceramic composition exhibits extremely high dielectric constant and insulation resistance, and also has extremely good temperature characteristics. It was also found that the mechanical strength was excellent. Further research revealed that by combining this zinc lead niobate with magnesium lead niobate and lead titanate, a high dielectric constant porcelain composition with even higher dielectric constant and insulation resistance could be obtained. I found it.

【0013】以下に本発明組成物の組成範囲について説
明する。
The composition range of the composition of the present invention will be explained below.

【0014】Me=Ba,Srは上記した一般式のペロ
ブスカイト構造を形成するために必要な元素であり、1
 mol%以下だと、パイロクロア構造が混在し、高い
誘電率および高い絶縁抵抗を示さない。35 mol%
以上では誘電率が1000程度以下と小さくなってしま
ったり、焼成温度が1100℃以上と高くなったりして
しまう。よって、Me成分での置換量は、(Pb1−α
Meα)と表したとき0.01 <α< 0.35 とする。
Me=Ba, Sr are elements necessary to form the perovskite structure of the above general formula, and 1
If it is less than mol %, a pyrochlore structure is mixed, and high dielectric constant and high insulation resistance are not exhibited. 35 mol%
If this is the case, the dielectric constant will be as low as about 1,000 or less, or the firing temperature will be as high as 1,100° C. or more. Therefore, the amount of substitution with the Me component is (Pb1-α
Meα), 0.01 <α< 0.35.

【0015】誘電体材料においては常温における容量を
高くするため、キュリ―温度が常温付近(0〜30℃)
にくるようにする。本発明のMe成分は上述したように
ペロブスカイト構造を形成するための必須成分であるが
、また、本発明磁器組成物のキュリ―温度を下げるシフ
タ―の働きがある。さらに、絶縁抵抗を著しく増加させ
、機械的強度も向上させる。
In dielectric materials, in order to increase the capacity at room temperature, the Curie temperature should be around room temperature (0 to 30°C).
Make sure to come. The Me component of the present invention is an essential component for forming a perovskite structure as described above, but it also functions as a shifter to lower the Curie temperature of the ceramic composition of the present invention. Furthermore, it significantly increases insulation resistance and improves mechanical strength.

【0016】Me成分によるPbの置換量はキュリ―温
度等を考慮して適宜設定することが可能であるが、亜鉛
ニオブ酸鉛およびチタン酸鉛の多い領域(x>0.5,
z> 0.1)では、10 mol%以上が好ましく、
マグネシウム・ニオブ酸鉛の多い領域(y> 0.6,
z< 0.05 )では、1 mol%以上で十分その
置換の効果を発揮する。
[0016] The amount of Pb replaced by the Me component can be appropriately set in consideration of the Curie temperature, etc.;
z>0.1), preferably 10 mol% or more,
Region with a lot of magnesium/lead niobate (y > 0.6,
z<0.05), 1 mol % or more is sufficient to exhibit the effect of the substitution.

【0017】図1に本発明磁器組成物の組成範囲を示す
FIG. 1 shows the composition range of the ceramic composition of the present invention.

【0018】線分adの外側では焼成温度が1100℃
以上と高くなってしまい、また絶縁抵抗も低下し高いC
R値を得ることができない。
[0018] Outside the line segment ad, the firing temperature is 1100°C.
Insulation resistance also decreases, resulting in high C.
Unable to obtain R value.

【0019】また、線分cdの外側では、キュリ―温度
がもともと常温付近にあるため、Me成分による置換で
キュリ―点が大幅に低温側に移動して、常温における誘
電率が大幅に低下してしまう。また、d1 (x= 0
.10,y= 0.80 ,z= 0.10 )とした
とき、線分cd1 の内側がより好ましい。
[0019] Furthermore, outside the line segment cd, the Curie temperature is originally near room temperature, so the substitution with the Me component significantly shifts the Curie point to the lower temperature side, and the dielectric constant at room temperature decreases significantly. It ends up. Also, d1 (x= 0
.. 10, y=0.80, z=0.10), the inside of the line segment cd1 is more preferable.

【0020】またマグネシウム・ニオブ酸鉛は少量の添
加・含有でその効果を発揮するが実用上は1 mol%
以上含有することが望ましい。
[0020] Magnesium/lead niobate exhibits its effect even when added/contained in small amounts, but in practice it is limited to 1 mol%.
It is desirable to contain the above amount.

【0021】また、CR値を考慮すると、亜鉛・ニオブ
酸鉛を15 mol%以上含有することが好ましく、さ
らには、20 mol%以上含有することがより好まし
い。20 mol%以上含有する時は、誘電損失も特に
小さい。
[0021] Furthermore, in consideration of the CR value, it is preferable to contain zinc/lead niobate in an amount of 15 mol% or more, and more preferably 20 mol% or more. When the content is 20 mol% or more, the dielectric loss is also particularly small.

【0022】またc1 (x= 0.40 ,y= 0
.60 ,z= 0.00 ),d2 (x= 0.1
5 ,y=0.70 ,z= 0.15 ),d3 (
x= 0.20 ,y= 0.60 ,z= 0.20
 ),c2 (x= 0.45 ,y= 0.55 ,
z= 0.00 )としたとき、線分c1 d1 の外
側では、緻密な磁器を得るのが比較的困難である。
[0022] Also, c1 (x= 0.40, y= 0
.. 60, z= 0.00), d2 (x= 0.1
5, y=0.70, z=0.15), d3 (
x= 0.20, y= 0.60, z= 0.20
), c2 (x= 0.45, y= 0.55,
z=0.00), it is relatively difficult to obtain dense porcelain outside the line segment c1 d1.

【0023】このように、CR値,T.C.C.,焼結
性等を考慮すると線分c1 d2 の内側、特に線分c
2 d2 ,さらには線分c2 d3 の内側が好まし
い。しかしながら誘電率等を考慮した場合には、この様
な線分で区切られた組成系でも十分な特性を有している
[0023] In this way, the CR value, T. C. C. , considering sinterability, etc., the inside of line segment c1 d2, especially line segment c
2 d2 , and more preferably inside the line segment c2 d3 . However, when the dielectric constant and the like are taken into consideration, even a composition system divided by such line segments has sufficient characteristics.

【0024】図2は亜鉛・ニオブ酸鉛50 mol%,
マグネシウム・ニオブ酸鉛50 mol%の組成系での
Me量によるCR値と誘電率の変化を示したものである
。同図から明らかなように、少量のMe成分の添加含有
によって、大幅に特性が向上していることが分る。特に
CR値における効果は顕著であり、セラミックコンデン
サとしての信頼性に優れている。
FIG. 2 shows zinc/lead niobate 50 mol%,
This figure shows the change in CR value and dielectric constant depending on the amount of Me in a composition system of 50 mol % of magnesium lead niobate. As is clear from the figure, the properties are significantly improved by adding a small amount of Me component. In particular, the effect on the CR value is remarkable, and the reliability as a ceramic capacitor is excellent.

【0025】本発明は、前記一般式で表わされるものを
主体とするものであるが、多少化学量論比がずれても構
わない。この組成物を酸化物に換算すると、PbO  
    46.13 〜69.09 wt%BaO  
     0.00 〜18.10 wt%SrO  
     0.00 〜12.99 wt%ZnO  
     0.42 〜 9.13 wt%Nb2 O
5   15.15 〜27.13 wt%TiO2 
     0.00 〜14.31 wt%MgO  
     0.04 〜 3.73 wt%(ただし、
BaOとSrOとの合計で 0.32 〜18.10 
wt%) となる。
Although the present invention is mainly based on the compound represented by the above general formula, the stoichiometric ratio may be slightly different. When this composition is converted into oxide, PbO
46.13 ~69.09 wt%BaO
0.00 ~ 18.10 wt%SrO
0.00 ~12.99 wt%ZnO
0.42 ~ 9.13 wt%Nb2O
5 15.15 ~27.13 wt%TiO2
0.00 ~14.31 wt%MgO
0.04 to 3.73 wt% (however,
The total of BaO and SrO is 0.32 to 18.10
wt%).

【0026】また、本発明の効果を損わない範囲での不
純物,添加物,置換物等の含有も構わない。例えば、M
nO2 ,CoO,NiO,MgO,Sb2 O3 ,
ZrO2 ,La2 O3 等の遷移金属やランタニド
元素があげられる。これらの添加物の含有量は、多くて
も1wt%程度である。特にMn,Coは有効であり、
 0.01 〜 0.5wt%程度の少量の添加が効果
的である。
[0026] Furthermore, impurities, additives, substitutes, etc. may be included within a range that does not impair the effects of the present invention. For example, M
nO2, CoO, NiO, MgO, Sb2O3,
Examples include transition metals such as ZrO2 and La2O3 and lanthanide elements. The content of these additives is about 1 wt% at most. Mn and Co are particularly effective;
Addition of a small amount of about 0.01 to 0.5 wt% is effective.

【0027】次に本発明組成物の製造方法について説明
する。
Next, a method for producing the composition of the present invention will be explained.

【0028】出発原料としてPb,Ba,Sr,Zn,
Nb,Ti,Mgの酸化物もしくは焼成により酸化物に
なる炭酸塩,しゅう酸塩等の塩類,水酸化物,有機化合
物等を所定の割合で秤量し、十分混合した後に仮焼する
。この仮焼は 700℃〜 850℃程度で行う。余り
仮焼温度が低いと焼結密度が低下し、また、余り高いと
、やはり焼結密度が低下し、絶縁抵抗が低下する。次い
で仮焼物を粉砕し原料粉末を製造する。平均粒径は 0
.8〜2μm程度が好ましく、余り大きいと焼結体中に
ポア―が増加し、小さいと成型性が低下する。この様な
原料粉末を用い所望の形状に成型した後、焼成すること
により、高誘電率セラミックを得る。本発明の組成物を
用いることにより焼成は1100℃以下、 980〜1
080℃程度と比較的低温で行うことができる。
[0028] As starting materials, Pb, Ba, Sr, Zn,
Oxides of Nb, Ti, and Mg or salts such as carbonates and oxalates that become oxides by firing, hydroxides, organic compounds, etc. are weighed out in predetermined proportions, thoroughly mixed, and then calcined. This calcination is performed at about 700°C to 850°C. If the calcination temperature is too low, the sintered density will decrease, and if it is too high, the sintered density will also decrease and the insulation resistance will decrease. Next, the calcined product is pulverized to produce raw material powder. Average particle size is 0
.. The diameter is preferably about 8 to 2 μm; if it is too large, pores will increase in the sintered body, and if it is too small, moldability will deteriorate. A high dielectric constant ceramic is obtained by molding such raw material powder into a desired shape and firing it. By using the composition of the present invention, firing can be performed at 1100°C or less, 980-1
It can be carried out at a relatively low temperature of about 0.80°C.

【0029】積層タイプの素子を製造する場合は、前述
の原料粉末にバインダ―,溶剤等を加えスラリ―化して
、グリ―ンシ―トを形成しこのグリ―ンシ―ト上に内部
電極を印刷した後、所定の枚数を積層・圧着し、焼成す
ることにより製造する。この時、本発明の誘電体材料は
低温で焼結ができるため、内部電極材料として例えばA
g主体の安価な材料を用いることができる。
When manufacturing a multilayer type element, a binder, a solvent, etc. are added to the raw material powder described above to form a slurry, a green sheet is formed, and internal electrodes are printed on this green sheet. After that, a predetermined number of sheets are laminated and pressed together, and then fired. At this time, since the dielectric material of the present invention can be sintered at a low temperature, for example, A
An inexpensive material mainly composed of g can be used.

【0030】また、このように低温で焼成が可能である
ことから、回路基板上等に印刷・焼成する厚膜誘電体ペ
―ストの材料としても有効である。
Furthermore, since it can be fired at such a low temperature, it is also effective as a material for thick film dielectric paste to be printed and fired on circuit boards and the like.

【0031】この様な本発明磁器組成物は、高誘電率か
つ、そのT.C.C.が良好である。また、CR値も大
きく、特に高温でも十分な値を有し、高温での信頼性に
優れている。
The ceramic composition of the present invention has a high dielectric constant and a T. C. C. is good. In addition, the CR value is large, particularly sufficient even at high temperatures, and has excellent reliability at high temperatures.

【0032】T.C.C.の小さいことは本発明の大き
な特徴であり、これは、K≧ 10000のごとくの大
きな誘電率の場合特に顕著である。この様に誘電率の大
きい場合には、(誘電率)/(温度変化率の絶対値)の
大きいことが要求される。本発明ではこの点に関しても
非常に優れている。
[0032]T. C. C. A small characteristic of the present invention is that K is small, and this is particularly noticeable in the case of a large dielectric constant such as K≧10,000. When the dielectric constant is large like this, it is required that (permittivity)/(absolute value of temperature change rate) be large. The present invention is also very superior in this respect.

【0033】さらに、誘電率バイアス電界依存性も従来
のチタン酸バリウム系の材料と比較して優れており、誘
電率の変化率が4kV/mmでも10%以下程度の材料
を得ることもできる。したがって、高圧用の材料として
有効である。また誘電損失が小さく、交流用,高周波用
としても有効である。
Furthermore, the bias electric field dependence of the dielectric constant is superior to that of conventional barium titanate-based materials, and even at a rate of change in dielectric constant of 4 kV/mm, it is possible to obtain a material with a dielectric constant change rate of about 10% or less. Therefore, it is effective as a material for high pressure. Furthermore, it has low dielectric loss and is effective for alternating current and high frequency applications.

【0034】さらに、焼成時のグレインサイズも1〜3
μmと均一化されるため耐圧性にも優れている。
[0034] Furthermore, the grain size during firing is 1 to 3.
It also has excellent pressure resistance because it is uniform in μm.

【0035】以上電気的特性について述べたが、機械的
強度も十分に優れたものである。
Although the electrical properties have been described above, the mechanical strength is also sufficiently excellent.

【0036】[0036]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。[Examples] Examples of the present invention will be described below.

【0037】出発原料としてPb,Ba,Sr,Zn,
Nb,Ti,Mgの酸化物,炭酸化物等の出発原料を表
1及び表2に示す配合比にてボ―ルミル等で混合し、 
700〜850℃で仮焼する。次いでこの仮焼体をボ―
ルミル等で粉砕し乾燥の後、バインダ―を加え造粒し、
プレスして直径17mm,厚さ約2mmの円板状素体を
形成した。混合,粉砕用のボ―ルは、不純物の混入を防
止するため、部分安定化ジルコニアボ―ル等の硬度が大
きく、かつ靭性の高いボ―ルを用いることが好ましい。
[0037] As starting materials, Pb, Ba, Sr, Zn,
Starting materials such as oxides and carbonates of Nb, Ti, and Mg are mixed in a ball mill etc. at the compounding ratio shown in Tables 1 and 2,
Calcinate at 700-850°C. Next, this calcined body is
After pulverizing with Lumil etc. and drying, add a binder and granulate.
This was pressed to form a disc-shaped element having a diameter of 17 mm and a thickness of about 2 mm. As the balls for mixing and grinding, it is preferable to use balls with high hardness and high toughness, such as partially stabilized zirconia balls, in order to prevent the mixing of impurities.

【0038】この素体を空気中 980〜1080℃,
2時間の条件で焼結し、両主面に銀電極を焼付け各特性
を測定した。誘電損失、容量は、1kHz ,1Vrm
s,25℃の条件でのデジタルLCRメ―タ―による測
定値であり、この値から誘電率を算出した。また、絶縁
抵抗は、 100Vの電圧を2分間印加した後、絶縁抵
抗計を用いて測定した値から算出した。なお、T.C.
C.は、25℃の値を基準とし、−25℃,85℃での
変化率で表わした。容量抵抗積は、25℃および 12
5℃での(誘電率)×(絶縁抵抗)×(真空の誘電率)
から求めた。絶縁抵抗の測定は、空気中の湿気の効果を
除くためシリコ―ンオイル中で行った。その結果を表3
及び表4に示す。
[0038] This element body was heated to 980 to 1080°C in air.
It was sintered for 2 hours, silver electrodes were baked on both main surfaces, and each characteristic was measured. Dielectric loss and capacity are 1kHz, 1Vrm
The dielectric constant was calculated from this value, which was measured using a digital LCR meter under conditions of 25° C. Moreover, the insulation resistance was calculated from the value measured using an insulation resistance meter after applying a voltage of 100 V for 2 minutes. In addition, T. C.
C. is expressed as a rate of change at -25°C and 85°C with the value at 25°C as a reference. The capacitance-resistance product is 25℃ and 12
(Dielectric constant) x (insulation resistance) x (vacuum permittivity) at 5℃
I asked for it from Insulation resistance measurements were performed in silicone oil to eliminate the effect of atmospheric moisture. Table 3 shows the results.
and shown in Table 4.

【0039】[0039]

【表1】[Table 1]

【0040】[0040]

【表2】[Table 2]

【0041】[0041]

【表3】[Table 3]

【0042】[0042]

【表4】 表3から明らかなように、本発明磁器組成物は、高誘電
率(K=2200以上)かつ、温度特性が良好(−25
〜85℃で−53%以内)である。CR値も1900M
Ω・μF(25℃)以上と大きく、特に、 125℃で
も、 350MΩ・μF以上であり、高温での信頼性に
優れている。また、T.C.C.の小さいことはK≧ 
10000のごとくの大きな誘電率の場合特に顕著であ
る。この様に誘電率の大きい場合には、(誘電率)/(
温度変化率の絶対値)の大きいことが要求される。本発
明実施例では、K≧ 10000のときこの値が 22
0以上となり、非常に優れている。さらに誘電率バイア
ス電界依存性も1kV/mmで45%以内と優れている
。また誘電損失が25℃,1kHz で 3.5%以下
と小さい。
[Table 4] As is clear from Table 3, the ceramic composition of the present invention has a high dielectric constant (K=2200 or more) and good temperature characteristics (-25
-53% at ~85°C). CR value is also 1900M
It has a high resistance of Ω·μF (at 25°C) or more, and in particular, it has a resistance of 350MΩ·μF or more even at 125°C, and has excellent reliability at high temperatures. Also, T. C. C. The smallness of is K≧
This is especially true for large dielectric constants such as 10,000. When the dielectric constant is large like this, (permittivity)/(
(absolute value of temperature change rate) is required to be large. In the embodiment of the present invention, when K≧10000, this value is 22
It is 0 or more, which is very excellent. Furthermore, the dielectric constant bias electric field dependence is excellent, being within 45% at 1 kV/mm. Furthermore, the dielectric loss is low at 3.5% or less at 25°C and 1kHz.

【0043】さらに、亜鉛・ニオブ酸鉛を15 mol
%以上含有する組成では、CR値が2000MΩ・μF
以上となり、また、20 mol%以上では3000M
Ω・μF以上と極めて優れた値を取る。また、20 m
ol%以上では誘電損失も2%以下と非常に小さい値を
示す。
[0043] Furthermore, 15 mol of zinc/lead niobate
% or more, the CR value is 2000MΩ・μF
and more than 20 mol%, 3000M
It takes an extremely excellent value of Ω・μF or more. Also, 20 m
At ol% or more, the dielectric loss also shows a very small value of 2% or less.

【0044】表4の参考例は本発明組成の範囲外のもの
である。
The reference examples in Table 4 are outside the scope of the composition of the present invention.

【0045】Me成分を含まないものは(参考例1〜7
)、誘電率が小さく、またCR値も極めて小さく、誘電
損失が大きく、さらに、T.C.C.も大きくなってし
まう。また、参考例8はMe成分を過剰に加えたもので
あるが、誘電率が小さく、その温度変化も極めて大きい
Those containing no Me component (Reference Examples 1 to 7)
), the dielectric constant is small, the CR value is also extremely small, the dielectric loss is large, and furthermore, T. C. C. It also gets bigger. Further, in Reference Example 8, an excessive amount of Me component was added, but the dielectric constant was small and the temperature change thereof was also extremely large.

【0046】図3に誘電率の温度特性を示す。比較のた
め、市販の積層コンデンサ用のチタン酸バリウム系の材
料の特性を合せて示した(参考例9,10)。参考例9
は25℃で 12000程度の大きい誘電率を示すもの
の−25℃および85℃では−80%以上のT.C.C
.を示す。これに対し本発明では、K= 11000(
25℃)のものでも(実施例8)わずか−41%以内で
あり、K=6500(25℃)のものでは(実施例3)
−20%以内と極めて小さい。このT.C.C.は、常
温での値に対する負の変化より正の変化のほうが重視さ
れ、+30%以上の変化を示す材料はEIA,EIAJ
およびJISのコンデンサのどの規格も満足せず、コン
デンサ材料としては全く実用性がない。たとえば、参考
例1,2,3,6,7,8等ではコンデンサ材料として
全く実用的ではない。
FIG. 3 shows the temperature characteristics of the dielectric constant. For comparison, the characteristics of commercially available barium titanate materials for multilayer capacitors are also shown (Reference Examples 9 and 10). Reference example 9
exhibits a large dielectric constant of about 12,000 at 25°C, but a T. of more than -80% at -25°C and 85°C. C. C
.. shows. On the other hand, in the present invention, K=11000(
Even when K = 6500 (25°C) (Example 8) it is within -41%, and when K = 6500 (25°C) (Example 3)
It is extremely small, within -20%. This T. C. C. Positive changes are more important than negative changes relative to the value at room temperature, and materials that show a change of +30% or more are EIA, EIAJ.
Also, it does not satisfy any of the JIS capacitor standards, and is completely impractical as a capacitor material. For example, Reference Examples 1, 2, 3, 6, 7, 8, etc. are not practical at all as capacitor materials.

【0047】図4は直流バイアス電界依存性を示す図で
ある。一般に誘電率はバイアス電界が高くなるにつれ低
下する傾向があり、この傾向は誘電率が高いほど顕著に
なる。参考例9は、誘電率が 12000程度であるが
、1kV/mmで−80%,2kV/mmで−93%と
非常に大きな低下の傾向を示している。これに対し実施
例8は誘電率が 11000とほぼ同等の大きさである
にもかかわらず1kV/mmで−45%と極めて小さく
、2kV/mmでも−64%程度に過ぎない。
FIG. 4 is a diagram showing the dependence on the DC bias electric field. Generally, the dielectric constant tends to decrease as the bias electric field increases, and this tendency becomes more pronounced as the dielectric constant increases. Reference Example 9 has a dielectric constant of about 12,000, but shows a very large tendency to decrease by -80% at 1 kV/mm and -93% at 2 kV/mm. On the other hand, in Example 8, although the dielectric constant is approximately the same as 11000, it is extremely small at -45% at 1 kV/mm, and only about -64% at 2 kV/mm.

【0048】さらにチタン酸バリウム(参考例10)は
実施例24と同程度の誘電率を示すが、4kV/mmで
−50%の変化を示すのに対し、実施例24では−10
%と極めて小さい。このように直流バイアス電界依存性
の小さい本発明組成物は高圧用のコンデンサ材料として
有効である。また、積層コンデンサを考えた場合、同一
形状で大容量化を考えた場合、誘電体層一層当たりの厚
みを薄くする必要があるが、この場合、一層あたりの印
加電界が高くなることになる。しかしながら本発明の組
成物はバイアス特性に優れているため、この様な素子に
応用した場合でも特性が低下することがない。また実施
例24の試料では誘電損失が 0.01 %と極めて小
さいため、交流用としても適している。
Furthermore, barium titanate (Reference Example 10) shows a dielectric constant similar to that of Example 24, but shows a -50% change at 4 kV/mm, whereas Example 24 shows a -10% change in dielectric constant.
%, which is extremely small. As described above, the composition of the present invention having a small dependence on a DC bias electric field is effective as a material for a high-voltage capacitor. In addition, when considering a multilayer capacitor, in order to increase the capacitance with the same shape, it is necessary to reduce the thickness of each dielectric layer, but in this case, the applied electric field per layer increases. However, since the composition of the present invention has excellent bias characteristics, the characteristics will not deteriorate even when applied to such devices. Further, the sample of Example 24 has an extremely small dielectric loss of 0.01%, so it is suitable for AC use.

【0049】図5は実施例8のX線ディフラクションパ
タ―ン図であるが、ほぼ完全なペロブスカイト相となっ
ている。従って誘電率が 11000,CR値 340
00MΩ・μF(25℃),6000MΩ・μF( 1
25℃)と優れた値を示している。これに対しPbサイ
トのBaによる置換のない参考例3の場合は、図6に示
したように多量のパイロクロ―ル相が見られる。従って
、誘電率が4500と小さく、CR値も 620MΩ・
μF(25℃)と極めて小さく、全く実用的ではない。
FIG. 5 is an X-ray diffraction pattern diagram of Example 8, which shows an almost perfect perovskite phase. Therefore, the dielectric constant is 11000, and the CR value is 340.
00MΩ・μF (25℃), 6000MΩ・μF (1
25°C), which is an excellent value. On the other hand, in the case of Reference Example 3 in which the Pb site was not replaced by Ba, a large amount of pyrochlore phase was observed as shown in FIG. Therefore, the dielectric constant is as low as 4500, and the CR value is 620MΩ・
It is extremely small at μF (25°C) and is not practical at all.

【0050】次いで実施例8の組成を用いて積層セラミ
ックコンデンサを作成した実施例を説明する。まず、こ
の様な組成を有する焙焼粉にバインダ―,有機溶剤を加
えてスラリ―化した後ドクタ―ブレイド型キャスタ―を
用いて30μmのグリ―ンシ―トを作成した。このグリ
―ンシ―ト上に80Ag/20Pdの電極ペ―ストを所
定のパタ―ンで印刷し、この様な電極パタ―ンを有する
シ―トを20層積層圧着した。その後、所定の形状に切
断し、脱脂を行い1020℃,2Hの条件で焼成を行っ
た。焼結後、外部電極としてAgペ―ストを焼付け、積
層セラミックコンデンサを製造した。その電気的特性を
表5に示す。
Next, an example in which a multilayer ceramic capacitor was manufactured using the composition of Example 8 will be described. First, a binder and an organic solvent were added to roasted powder having such a composition to form a slurry, and then a 30 μm green sheet was prepared using a doctor blade type caster. An 80Ag/20Pd electrode paste was printed in a predetermined pattern on this green sheet, and 20 sheets having such an electrode pattern were laminated and pressure-bonded. Thereafter, it was cut into a predetermined shape, degreased, and fired at 1020° C. for 2 hours. After sintering, Ag paste was baked as an external electrode to produce a multilayer ceramic capacitor. Its electrical characteristics are shown in Table 5.

【0051】[0051]

【表5】 得られた積層セラミックコンデンサの誘電率は約 11
000であり、各特性が十分に優れていることがわかる
。特にT.C.C.は−25〜85℃で±50%以内で
あり、JISのE特性およびEIAのZ5U特性を満足
するものである。
[Table 5] The dielectric constant of the obtained multilayer ceramic capacitor is approximately 11
000, and it can be seen that each characteristic is sufficiently excellent. Especially T. C. C. is within ±50% at -25 to 85°C, satisfying JIS E characteristics and EIA Z5U characteristics.

【0052】前述の如く、本発明の効果を損なわない範
囲、1wt%以下程度、好ましくは 0.5wt%以下
のMn,Co等を添加しても良い。この様な添加物は、
耐圧の向上、T.C.C.の改良、誘電損失の低減等の
効果を得ることもでき、少量、 0.01wt%程度で
その効果は現れる。表6にMnO、CoOを添加した場
合の諸特性を示す。
As described above, Mn, Co, etc. may be added in an amount of about 1 wt % or less, preferably 0.5 wt % or less, within a range that does not impair the effects of the present invention. Such additives are
Improved pressure resistance, T. C. C. It is also possible to obtain effects such as improvement of dielectric loss and reduction of dielectric loss, and these effects appear with a small amount of about 0.01 wt%. Table 6 shows various properties when MnO and CoO are added.

【0053】[0053]

【表6】 また表5と同様に実施例8の組成に 0.1 mol%
のMnO及びCoOを添加したものを用い、同様に積層
セラミックコンデンサを製造した。その結果を表7に示
す。
[Table 6] Similarly to Table 5, 0.1 mol% was added to the composition of Example 8.
A multilayer ceramic capacitor was manufactured in the same manner using a capacitor to which MnO and CoO were added. The results are shown in Table 7.

【0054】[0054]

【表7】 このように本発明のセラミックコンデンサは、T.C.
C.等の各種特性に優れており、特に積層セラミックコ
ンデンサとして有効である。
[Table 7] As described above, the ceramic capacitor of the present invention has T. C.
C. It has excellent properties such as, and is particularly effective as a multilayer ceramic capacitor.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高誘電率でかつ温度特性、バイアス特性に優れたセラミ
ックコンデンサを得ることができる。特に、この様な各
種特性に優れた磁器を低温焼成で得ることができるため
、積層セラミックコンデンサへの応用に適している。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention,
A ceramic capacitor with a high dielectric constant and excellent temperature characteristics and bias characteristics can be obtained. In particular, since porcelain with such excellent properties can be obtained by firing at low temperatures, it is suitable for application to multilayer ceramic capacitors.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】  本発明で用いられる高誘電率磁器組成物の
組成範囲を示す組成図。
FIG. 1 is a composition diagram showing the composition range of a high dielectric constant ceramic composition used in the present invention.

【図2】  Me量による特性の変化を示す特性図。FIG. 2 is a characteristic diagram showing changes in characteristics depending on the amount of Me.

【図3】  誘電率の温度特性曲線図。[Figure 3] Temperature characteristic curve diagram of permittivity.

【図4】  誘電率の直流バイアス電界特性曲線図。[Figure 4] DC bias electric field characteristic curve diagram of dielectric constant.

【図5】  本発明組成の高誘電率磁器組成物のX線デ
ィフラクションパタ―ン図。
FIG. 5 is an X-ray diffraction pattern diagram of a high dielectric constant ceramic composition according to the present invention.

【図6】  本発明組成の範囲外の高誘電率磁器組成物
のX線ディフラクションパタ―ン図。
FIG. 6 is an X-ray diffraction pattern diagram of a high dielectric constant ceramic composition outside the composition range of the present invention.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式 xPb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 −yPb(
Mg1/3 Nb2/3 )O3 −zPbTiO3 
で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の
a(x= 0.50 ,y= 0.00 ,z= 0.
50 )b(x= 1.00 ,y= 0.00 ,z
= 0.00 )c(x= 0.20 ,y= 0.8
0 ,z= 0.00 )d(x= 0.05 ,y=
 0.90 ,z= 0.05 )で示される各点を結
ぶ線内の組成(ただし、abを結ぶ線分上は除く)のP
bの一部を1〜35 mol%のBa及びSrの少なく
とも一種で置換した高誘電率磁器組成物を誘電体層とし
て用い、この誘電体層を介して一対の電極が形成された
ことを特徴とするセラミックコンデンサ。
Claim 1: General formula xPb(Zn1/3 Nb2/3)O3 -yPb(
Mg1/3 Nb2/3 )O3 -zPbTiO3
When expressed as a (x= 0.50, y= 0.00, z= 0.
50) b(x= 1.00, y= 0.00, z
= 0.00)c(x=0.20,y=0.8
0, z= 0.00) d(x= 0.05, y=
0.90, z = 0.05) of the composition within the line connecting each point (excluding the line segment connecting ab)
A high dielectric constant ceramic composition in which part of b is replaced with 1 to 35 mol% of at least one of Ba and Sr is used as a dielectric layer, and a pair of electrodes are formed through this dielectric layer. ceramic capacitor.
【請求項2】高誘電率磁器組成物がMn及びCoの少な
くとも一種を 0.5wt%以下含有することを特徴と
する請求項1記載のセラミックコンデンサ。
2. The ceramic capacitor according to claim 1, wherein the high dielectric constant ceramic composition contains at least 0.5 wt % of at least one of Mn and Co.
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JP2014036022A (en) * 2012-08-07 2014-02-24 Nagoya Institute Of Technology Tunable capacitor

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