JPH04363012A - セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｐｂ（Ｚｎ１／３　Ｎ
ｂ２／３　）Ｏ３　を主体とした誘電率温度係数（Ｔ．
Ｃ．Ｃ．）温度変化の小さい高誘電率磁器組成物を誘電
体層として用いたセラミックコンデンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】誘電体材料として要求される電気的特性
としては、誘電率，誘電率温度係数，誘電損失，誘電率
バイアス電界依存性、容量抵抗積等があげられる。

【０００３】特に容量抵抗積（ＣＲ値）は、十分高い値
を取る必要があり、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会）の
電子機器用積層磁器コンデンサ（チップ型）規格ＲＣ−
３６９８Ｂに常温で　５００ＭΩ・μＦ以上と規定され
ている。 さらにより厳しい条件でも使用できるように、高温（例
えば米国防省規格ＭＩＬ−Ｃ　５５６８１Ｂでは、　１
２５℃でのＣＲ値が定められている。）でも高いＣＲ値
を維持することが要求される。

【０００４】また、誘電率温度係数の小さいことが要求
されるが、一般に誘電率（Ｋ）の大きい材料では、Ｔ．
Ｃ．Ｃ．が大きい傾向がありＫ／Ｔ．Ｃ．Ｃ．が大きい
こと、すなわち、誘電率の変化の相対値の小さいことが
要求される。

【０００５】さらに積層タイプの素子を考えた場合、電
極層と誘電体層とは一体的に焼成されるため、電極材料
としては誘電体材料の焼成温度でも安定なものを用いる
必要がある。従って誘電体材料の焼成温度が高いと白金
（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）等の高価な材料を用いな
ければならず、銀（Ａｇ）等の安価な材料を使用できる
ように、１１００℃以下程度の低温での焼成が可能であ
ることが要求される。

【０００６】従来から知られている高誘電率磁器組成物
としてチタン酸バリウムをベ―スとして、これに錫酸塩
，ジルコン酸塩，チタン酸塩等を固溶したものがある。 確かに誘電率の高いものを得ることはできるが、誘電率
が高くなるとＴ．Ｃ．Ｃ．が大きくなり、また、バイア
ス電界依存性も大きくなってしまうという問題があった
。さらに、チタン酸バリウム系の材料の焼成温度は１３
００〜１４００℃程度と高温であり、電極材料として必
然的に白金，パラジウム等の高温で耐えうる高価な材料
を用いなければならず、コスト高の原因となる。

【０００７】このチタン酸バリウム系の問題点を解消す
べく、各種組成物の研究がなされている。例えば鉄ニオ
ブ酸鉛を主体としたもの（特開昭５７−５７２０４号）
，マグネシウム・ニオブ酸鉛を主体としたもの（特開昭
５５−５１７５８号），マグネシウム・タングステン酸
鉛を主体としたもの（特開昭５２−２１６９９号）等が
ある。鉄ニオブ酸鉛を主体としたものは、ＣＲ値の焼成
温度による変化が大きく、特に高温におけるＣＲ値の低
下が大きいという問題点がある。マグネシウム・ニオブ
酸鉛を主体としたものは焼成温度が比較的高く、また、
マグネシウム・タングステン酸鉛を主体としたものは、
ＣＲ値が大きいと誘電率が小さく、誘電率が大きいとＣ
Ｒ値が小さいという問題点が有った。さらにこれらの材
料のＴ．Ｃ．Ｃ．はチタン酸バリウム系より優れてはい
るものの十分ではない。

【０００８】さらに、マグネシウムニオブ酸鉛とチタン
酸鉛との固溶体で必要に応じ鉛の一部をバリウム，スト
ロンチウム，カルシウムで置換した材料についても研究
されている（特開昭　５５−１２１９５９号）。しかし
ながらこの材料のＴ．Ｃ．Ｃ．は−２５〜８５℃で最良
のものでも−５９．８％であり、十分とは言えない。さ
らに、コンデンサ材料として最も重要なＣＲ値について
は述べられておらず、コンデンサ材料としての有用性は
明らかではない。

【０００９】また、特開昭５７−２５６０７号にはマグ
ネシウム・ニオブ酸鉛と亜鉛ニオブ酸鉛との固溶体の材
料についても研究されている。しかしながらＣＲ値、及
びＴ．Ｃ．Ｃ．については述べられておらず、コンデン
サ材料としての有用性は明らかではない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の点を考
慮してなされたもので、誘電率が大きく、かつその温度
係数の小さい高誘電率磁器組成物を誘電体層として用い
たセラミックコンデンサを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、一般
式 ｘＰｂ（Ｚｎ１／３　Ｎｂ２／３　）Ｏ３　−ｙＰｂ（
Ｍｇ１／３　Ｎｂ２／３　）Ｏ３　−ｚＰｂＴｉＯ３　
で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の
ａ（ｘ＝　０．５０　，ｙ＝　０．００　，ｚ＝　０．
５０　）ｂ（ｘ＝　１．００　，ｙ＝　０．００　，ｚ
＝　０．００　）ｃ（ｘ＝　０．２０　，ｙ＝　０．８
０　，ｚ＝　０．００　）ｄ（ｘ＝　０．０５　，ｙ＝
　０．９０　，ｚ＝　０．０５　）で示される各点を結
ぶ線内の組成（ただし、ａｂを結ぶ線分上は除く）のＰ
ｂの一部を１〜３５　ｍｏｌ％のＢａ及びＳｒの少なく
とも一種で置換した高誘電率磁器組成物を誘電体層とし
て用い、この誘電体層を介して一対の電極が形成された
セラミックコンデンサであり、さらに前記高誘電率磁器
組成物がＭｎ及びＣｏの少なくとも一種を　０．５ｗｔ
％以下含有するセラミックコンデンサである。

【００１２】従来から誘電体材料として各種のペロブス
カイト型の磁器材料が検討されているが、亜鉛・ニオブ
酸鉛（Ｐｂ（Ｚｎ１／３　Ｎｂ２／３　）Ｏ３　）は磁
器とした場合、ペロブスカイト構造を取りにくく、誘電
体材料としては適さないと考えられていた（ＮＥＣ　Ｒ
ｅｓｅａｒｃｈ　　＆　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　Ｎｏ
．　２９　　Ａｐｒｉｌ　１９７３　　ｐ．１５〜２１
参照）。本発明者等の研究によれば、Ｐｂ（Ｚｎ１／３
　Ｎｂ２／３　）Ｏ３　のＰｂサイトをＢａまたはＳｒ
で適量置換することにより、磁器で安定なペロブスカイ
ト構造を形成できることがわかった。さらに、この様な
磁器組成物は、非常に高い誘電率および絶縁抵抗を示し
、かつ、その温度特性も極めて良好であることがわかっ
た。また、機械的強度も優れたものであることがわかっ
た。さらに研究を進めた結果、この亜鉛ニオブ酸鉛にマ
グネシウム・ニオブ酸鉛およびチタン酸鉛とを組合せる
ことにより、さらに高い誘電率と絶縁抵抗を合せ持つ高
誘電率磁器組成物が得られることを見出したのである。

【００１３】以下に本発明組成物の組成範囲について説
明する。

【００１４】Ｍｅ＝Ｂａ，Ｓｒは上記した一般式のペロ
ブスカイト構造を形成するために必要な元素であり、１
　ｍｏｌ％以下だと、パイロクロア構造が混在し、高い
誘電率および高い絶縁抵抗を示さない。３５　ｍｏｌ％
以上では誘電率が１０００程度以下と小さくなってしま
ったり、焼成温度が１１００℃以上と高くなったりして
しまう。よって、Ｍｅ成分での置換量は、（Ｐｂ１−α
Ｍｅα）と表したとき０．０１　＜α＜　０．３５ とする。

【００１５】誘電体材料においては常温における容量を
高くするため、キュリ―温度が常温付近（０〜３０℃）
にくるようにする。本発明のＭｅ成分は上述したように
ペロブスカイト構造を形成するための必須成分であるが
、また、本発明磁器組成物のキュリ―温度を下げるシフ
タ―の働きがある。さらに、絶縁抵抗を著しく増加させ
、機械的強度も向上させる。

【００１６】Ｍｅ成分によるＰｂの置換量はキュリ―温
度等を考慮して適宜設定することが可能であるが、亜鉛
ニオブ酸鉛およびチタン酸鉛の多い領域（ｘ＞０．５，
ｚ＞　０．１）では、１０　ｍｏｌ％以上が好ましく、
マグネシウム・ニオブ酸鉛の多い領域（ｙ＞　０．６，
ｚ＜　０．０５　）では、１　ｍｏｌ％以上で十分その
置換の効果を発揮する。

【００１７】図１に本発明磁器組成物の組成範囲を示す
。

【００１８】線分ａｄの外側では焼成温度が１１００℃
以上と高くなってしまい、また絶縁抵抗も低下し高いＣ
Ｒ値を得ることができない。

【００１９】また、線分ｃｄの外側では、キュリ―温度
がもともと常温付近にあるため、Ｍｅ成分による置換で
キュリ―点が大幅に低温側に移動して、常温における誘
電率が大幅に低下してしまう。また、ｄ１　（ｘ＝　０
．１０，ｙ＝　０．８０　，ｚ＝　０．１０　）とした
とき、線分ｃｄ１　の内側がより好ましい。

【００２０】またマグネシウム・ニオブ酸鉛は少量の添
加・含有でその効果を発揮するが実用上は１　ｍｏｌ％
以上含有することが望ましい。

【００２１】また、ＣＲ値を考慮すると、亜鉛・ニオブ
酸鉛を１５　ｍｏｌ％以上含有することが好ましく、さ
らには、２０　ｍｏｌ％以上含有することがより好まし
い。２０　ｍｏｌ％以上含有する時は、誘電損失も特に
小さい。

【００２２】またｃ１　（ｘ＝　０．４０　，ｙ＝　０
．６０　，ｚ＝　０．００　），ｄ２　（ｘ＝　０．１
５　，ｙ＝０．７０　，ｚ＝　０．１５　），ｄ３　（
ｘ＝　０．２０　，ｙ＝　０．６０　，ｚ＝　０．２０
　），ｃ２　（ｘ＝　０．４５　，ｙ＝　０．５５　，
ｚ＝　０．００　）としたとき、線分ｃ１　ｄ１　の外
側では、緻密な磁器を得るのが比較的困難である。

【００２３】このように、ＣＲ値，Ｔ．Ｃ．Ｃ．，焼結
性等を考慮すると線分ｃ１　ｄ２　の内側、特に線分ｃ
２　ｄ２　，さらには線分ｃ２　ｄ３　の内側が好まし
い。しかしながら誘電率等を考慮した場合には、この様
な線分で区切られた組成系でも十分な特性を有している
。

【００２４】図２は亜鉛・ニオブ酸鉛５０　ｍｏｌ％，
マグネシウム・ニオブ酸鉛５０　ｍｏｌ％の組成系での
Ｍｅ量によるＣＲ値と誘電率の変化を示したものである
。同図から明らかなように、少量のＭｅ成分の添加含有
によって、大幅に特性が向上していることが分る。特に
ＣＲ値における効果は顕著であり、セラミックコンデン
サとしての信頼性に優れている。

【００２５】本発明は、前記一般式で表わされるものを
主体とするものであるが、多少化学量論比がずれても構
わない。この組成物を酸化物に換算すると、ＰｂＯ　　
　　　　４６．１３　〜６９．０９　ｗｔ％ＢａＯ　　
　　　　　０．００　〜１８．１０　ｗｔ％ＳｒＯ　　
　　　　　０．００　〜１２．９９　ｗｔ％ＺｎＯ　　
　　　　　０．４２　〜　９．１３　ｗｔ％Ｎｂ２　Ｏ
５　　　１５．１５　〜２７．１３　ｗｔ％ＴｉＯ２　
　　　　　０．００　〜１４．３１　ｗｔ％ＭｇＯ　　
　　　　　０．０４　〜　３．７３　ｗｔ％（ただし、
ＢａＯとＳｒＯとの合計で　０．３２　〜１８．１０　
ｗｔ％） となる。

【００２６】また、本発明の効果を損わない範囲での不
純物，添加物，置換物等の含有も構わない。例えば、Ｍ
ｎＯ２　，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＭｇＯ，Ｓｂ２　Ｏ３　，
ＺｒＯ２　，Ｌａ２　Ｏ３　等の遷移金属やランタニド
元素があげられる。これらの添加物の含有量は、多くて
も１ｗｔ％程度である。特にＭｎ，Ｃｏは有効であり、
　０．０１　〜　０．５ｗｔ％程度の少量の添加が効果
的である。

【００２７】次に本発明組成物の製造方法について説明
する。

【００２８】出発原料としてＰｂ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，
Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｇの酸化物もしくは焼成により酸化物に
なる炭酸塩，しゅう酸塩等の塩類，水酸化物，有機化合
物等を所定の割合で秤量し、十分混合した後に仮焼する
。この仮焼は　７００℃〜　８５０℃程度で行う。余り
仮焼温度が低いと焼結密度が低下し、また、余り高いと
、やはり焼結密度が低下し、絶縁抵抗が低下する。次い
で仮焼物を粉砕し原料粉末を製造する。平均粒径は　０
．８〜２μｍ程度が好ましく、余り大きいと焼結体中に
ポア―が増加し、小さいと成型性が低下する。この様な
原料粉末を用い所望の形状に成型した後、焼成すること
により、高誘電率セラミックを得る。本発明の組成物を
用いることにより焼成は１１００℃以下、　９８０〜１
０８０℃程度と比較的低温で行うことができる。

【００２９】積層タイプの素子を製造する場合は、前述
の原料粉末にバインダ―，溶剤等を加えスラリ―化して
、グリ―ンシ―トを形成しこのグリ―ンシ―ト上に内部
電極を印刷した後、所定の枚数を積層・圧着し、焼成す
ることにより製造する。この時、本発明の誘電体材料は
低温で焼結ができるため、内部電極材料として例えばＡ
ｇ主体の安価な材料を用いることができる。

【００３０】また、このように低温で焼成が可能である
ことから、回路基板上等に印刷・焼成する厚膜誘電体ペ
―ストの材料としても有効である。

【００３１】この様な本発明磁器組成物は、高誘電率か
つ、そのＴ．Ｃ．Ｃ．が良好である。また、ＣＲ値も大
きく、特に高温でも十分な値を有し、高温での信頼性に
優れている。

【００３２】Ｔ．Ｃ．Ｃ．の小さいことは本発明の大き
な特徴であり、これは、Ｋ≧　１００００のごとくの大
きな誘電率の場合特に顕著である。この様に誘電率の大
きい場合には、（誘電率）／（温度変化率の絶対値）の
大きいことが要求される。本発明ではこの点に関しても
非常に優れている。

【００３３】さらに、誘電率バイアス電界依存性も従来
のチタン酸バリウム系の材料と比較して優れており、誘
電率の変化率が４ｋＶ／ｍｍでも１０％以下程度の材料
を得ることもできる。したがって、高圧用の材料として
有効である。また誘電損失が小さく、交流用，高周波用
としても有効である。

【００３４】さらに、焼成時のグレインサイズも１〜３
μｍと均一化されるため耐圧性にも優れている。

【００３５】以上電気的特性について述べたが、機械的
強度も十分に優れたものである。

【００３６】

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。

【００３７】出発原料としてＰｂ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，
Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｇの酸化物，炭酸化物等の出発原料を表
１及び表２に示す配合比にてボ―ルミル等で混合し、　
７００〜８５０℃で仮焼する。次いでこの仮焼体をボ―
ルミル等で粉砕し乾燥の後、バインダ―を加え造粒し、
プレスして直径１７ｍｍ，厚さ約２ｍｍの円板状素体を
形成した。混合，粉砕用のボ―ルは、不純物の混入を防
止するため、部分安定化ジルコニアボ―ル等の硬度が大
きく、かつ靭性の高いボ―ルを用いることが好ましい。

【００３８】この素体を空気中　９８０〜１０８０℃，
２時間の条件で焼結し、両主面に銀電極を焼付け各特性
を測定した。誘電損失、容量は、１ｋＨｚ　，１Ｖｒｍ
ｓ，２５℃の条件でのデジタルＬＣＲメ―タ―による測
定値であり、この値から誘電率を算出した。また、絶縁
抵抗は、　１００Ｖの電圧を２分間印加した後、絶縁抵
抗計を用いて測定した値から算出した。なお、Ｔ．Ｃ．
Ｃ．は、２５℃の値を基準とし、−２５℃，８５℃での
変化率で表わした。容量抵抗積は、２５℃および　１２
５℃での（誘電率）×（絶縁抵抗）×（真空の誘電率）
から求めた。絶縁抵抗の測定は、空気中の湿気の効果を
除くためシリコ―ンオイル中で行った。その結果を表３
及び表４に示す。

【００３９】

【表１】

【００４０】

【表２】

【００４１】

【表３】

【００４２】

【表４】 表３から明らかなように、本発明磁器組成物は、高誘電
率（Ｋ＝２２００以上）かつ、温度特性が良好（−２５
〜８５℃で−５３％以内）である。ＣＲ値も１９００Ｍ
Ω・μＦ（２５℃）以上と大きく、特に、　１２５℃で
も、　３５０ＭΩ・μＦ以上であり、高温での信頼性に
優れている。また、Ｔ．Ｃ．Ｃ．の小さいことはＫ≧　
１００００のごとくの大きな誘電率の場合特に顕著であ
る。この様に誘電率の大きい場合には、（誘電率）／（
温度変化率の絶対値）の大きいことが要求される。本発
明実施例では、Ｋ≧　１００００のときこの値が　２２
０以上となり、非常に優れている。さらに誘電率バイア
ス電界依存性も１ｋＶ／ｍｍで４５％以内と優れている
。また誘電損失が２５℃，１ｋＨｚ　で　３．５％以下
と小さい。

【００４３】さらに、亜鉛・ニオブ酸鉛を１５　ｍｏｌ
％以上含有する組成では、ＣＲ値が２０００ＭΩ・μＦ
以上となり、また、２０　ｍｏｌ％以上では３０００Ｍ
Ω・μＦ以上と極めて優れた値を取る。また、２０　ｍ
ｏｌ％以上では誘電損失も２％以下と非常に小さい値を
示す。

【００４４】表４の参考例は本発明組成の範囲外のもの
である。

【００４５】Ｍｅ成分を含まないものは（参考例１〜７
）、誘電率が小さく、またＣＲ値も極めて小さく、誘電
損失が大きく、さらに、Ｔ．Ｃ．Ｃ．も大きくなってし
まう。また、参考例８はＭｅ成分を過剰に加えたもので
あるが、誘電率が小さく、その温度変化も極めて大きい
。

【００４６】図３に誘電率の温度特性を示す。比較のた
め、市販の積層コンデンサ用のチタン酸バリウム系の材
料の特性を合せて示した（参考例９，１０）。参考例９
は２５℃で　１２０００程度の大きい誘電率を示すもの
の−２５℃および８５℃では−８０％以上のＴ．Ｃ．Ｃ
．を示す。これに対し本発明では、Ｋ＝　１１０００（
２５℃）のものでも（実施例８）わずか−４１％以内で
あり、Ｋ＝６５００（２５℃）のものでは（実施例３）
−２０％以内と極めて小さい。このＴ．Ｃ．Ｃ．は、常
温での値に対する負の変化より正の変化のほうが重視さ
れ、＋３０％以上の変化を示す材料はＥＩＡ，ＥＩＡＪ
およびＪＩＳのコンデンサのどの規格も満足せず、コン
デンサ材料としては全く実用性がない。たとえば、参考
例１，２，３，６，７，８等ではコンデンサ材料として
全く実用的ではない。

【００４７】図４は直流バイアス電界依存性を示す図で
ある。一般に誘電率はバイアス電界が高くなるにつれ低
下する傾向があり、この傾向は誘電率が高いほど顕著に
なる。参考例９は、誘電率が　１２０００程度であるが
、１ｋＶ／ｍｍで−８０％，２ｋＶ／ｍｍで−９３％と
非常に大きな低下の傾向を示している。これに対し実施
例８は誘電率が　１１０００とほぼ同等の大きさである
にもかかわらず１ｋＶ／ｍｍで−４５％と極めて小さく
、２ｋＶ／ｍｍでも−６４％程度に過ぎない。

【００４８】さらにチタン酸バリウム（参考例１０）は
実施例２４と同程度の誘電率を示すが、４ｋＶ／ｍｍで
−５０％の変化を示すのに対し、実施例２４では−１０
％と極めて小さい。このように直流バイアス電界依存性
の小さい本発明組成物は高圧用のコンデンサ材料として
有効である。また、積層コンデンサを考えた場合、同一
形状で大容量化を考えた場合、誘電体層一層当たりの厚
みを薄くする必要があるが、この場合、一層あたりの印
加電界が高くなることになる。しかしながら本発明の組
成物はバイアス特性に優れているため、この様な素子に
応用した場合でも特性が低下することがない。また実施
例２４の試料では誘電損失が　０．０１　％と極めて小
さいため、交流用としても適している。

【００４９】図５は実施例８のＸ線ディフラクションパ
タ―ン図であるが、ほぼ完全なペロブスカイト相となっ
ている。従って誘電率が　１１０００，ＣＲ値　３４０
００ＭΩ・μＦ（２５℃），６０００ＭΩ・μＦ（　１
２５℃）と優れた値を示している。これに対しＰｂサイ
トのＢａによる置換のない参考例３の場合は、図６に示
したように多量のパイロクロ―ル相が見られる。従って
、誘電率が４５００と小さく、ＣＲ値も　６２０ＭΩ・
μＦ（２５℃）と極めて小さく、全く実用的ではない。

【００５０】次いで実施例８の組成を用いて積層セラミ
ックコンデンサを作成した実施例を説明する。まず、こ
の様な組成を有する焙焼粉にバインダ―，有機溶剤を加
えてスラリ―化した後ドクタ―ブレイド型キャスタ―を
用いて３０μｍのグリ―ンシ―トを作成した。このグリ
―ンシ―ト上に８０Ａｇ／２０Ｐｄの電極ペ―ストを所
定のパタ―ンで印刷し、この様な電極パタ―ンを有する
シ―トを２０層積層圧着した。その後、所定の形状に切
断し、脱脂を行い１０２０℃，２Ｈの条件で焼成を行っ
た。焼結後、外部電極としてＡｇペ―ストを焼付け、積
層セラミックコンデンサを製造した。その電気的特性を
表５に示す。

【００５１】

【表５】 得られた積層セラミックコンデンサの誘電率は約　１１
０００であり、各特性が十分に優れていることがわかる
。特にＴ．Ｃ．Ｃ．は−２５〜８５℃で±５０％以内で
あり、ＪＩＳのＥ特性およびＥＩＡのＺ５Ｕ特性を満足
するものである。

【００５２】前述の如く、本発明の効果を損なわない範
囲、１ｗｔ％以下程度、好ましくは　０．５ｗｔ％以下
のＭｎ，Ｃｏ等を添加しても良い。この様な添加物は、
耐圧の向上、Ｔ．Ｃ．Ｃ．の改良、誘電損失の低減等の
効果を得ることもでき、少量、　０．０１ｗｔ％程度で
その効果は現れる。表６にＭｎＯ、ＣｏＯを添加した場
合の諸特性を示す。

【００５３】

【表６】 また表５と同様に実施例８の組成に　０．１　ｍｏｌ％
のＭｎＯ及びＣｏＯを添加したものを用い、同様に積層
セラミックコンデンサを製造した。その結果を表７に示
す。

【００５４】

【表７】 このように本発明のセラミックコンデンサは、Ｔ．Ｃ．
Ｃ．等の各種特性に優れており、特に積層セラミックコ
ンデンサとして有効である。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高誘電率でかつ温度特性、バイアス特性に優れたセラミ
ックコンデンサを得ることができる。特に、この様な各
種特性に優れた磁器を低温焼成で得ることができるため
、積層セラミックコンデンサへの応用に適している。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明で用いられる高誘電率磁器組成物の
組成範囲を示す組成図。

【図２】　　Ｍｅ量による特性の変化を示す特性図。

【図３】　　誘電率の温度特性曲線図。

【図４】　　誘電率の直流バイアス電界特性曲線図。

【図５】　　本発明組成の高誘電率磁器組成物のＸ線デ
ィフラクションパタ―ン図。

【図６】　　本発明組成の範囲外の高誘電率磁器組成物
のＸ線ディフラクションパタ―ン図。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式 ｘＰｂ（Ｚｎ１／３　Ｎｂ２／３　）Ｏ３　−ｙＰｂ（
   Ｍｇ１／３　Ｎｂ２／３　）Ｏ３　−ｚＰｂＴｉＯ３　
   で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の
   ａ（ｘ＝　０．５０　，ｙ＝　０．００　，ｚ＝　０．
   ５０　）ｂ（ｘ＝　１．００　，ｙ＝　０．００　，ｚ
   ＝　０．００　）ｃ（ｘ＝　０．２０　，ｙ＝　０．８
   ０　，ｚ＝　０．００　）ｄ（ｘ＝　０．０５　，ｙ＝
   　０．９０　，ｚ＝　０．０５　）で示される各点を結
   ぶ線内の組成（ただし、ａｂを結ぶ線分上は除く）のＰ
   ｂの一部を１〜３５　ｍｏｌ％のＢａ及びＳｒの少なく
   とも一種で置換した高誘電率磁器組成物を誘電体層とし
   て用い、この誘電体層を介して一対の電極が形成された
   ことを特徴とするセラミックコンデンサ。
2. 【請求項２】高誘電率磁器組成物がＭｎ及びＣｏの少な
   くとも一種を　０．５ｗｔ％以下含有することを特徴と
   する請求項１記載のセラミックコンデンサ。