JPH04363699A - Ｘ線ミラーの製造方法 - Google Patents
Ｘ線ミラーの製造方法Info
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- JPH04363699A JPH04363699A JP3107691A JP3107691A JPH04363699A JP H04363699 A JPH04363699 A JP H04363699A JP 3107691 A JP3107691 A JP 3107691A JP 3107691 A JP3107691 A JP 3107691A JP H04363699 A JPH04363699 A JP H04363699A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線ミラーの製造方
法に関するものである。さらに詳しくは、この発明は、
基板形状にかかわらず、均一で原子層単位の堆積制御が
可能な薄膜を多層構成することができる高精度なＸ線ミ
ラーの製造方法に関するものである。
法に関するものである。さらに詳しくは、この発明は、
基板形状にかかわらず、均一で原子層単位の堆積制御が
可能な薄膜を多層構成することができる高精度なＸ線ミ
ラーの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】光技術の急速な進歩と発展に
よって、様々な分野における光技術の利用は、紫外光か
らＸ線の波長領域にまで達しはじめている。このＸ線は
、次世代の超高精度なオプトエレクトロニクスにとって
欠かせないものとして考えられている。このＸ線の利用
については、これまでにも多様な観点からの検討が進め
られてきているが、その際の重要な課題としてＸ線ミラ
ーの開発が挙げられている。
よって、様々な分野における光技術の利用は、紫外光か
らＸ線の波長領域にまで達しはじめている。このＸ線は
、次世代の超高精度なオプトエレクトロニクスにとって
欠かせないものとして考えられている。このＸ線の利用
については、これまでにも多様な観点からの検討が進め
られてきているが、その際の重要な課題としてＸ線ミラ
ーの開発が挙げられている。
【０００３】このようなＸ線ミラーについては、Ｘ線の
反射をその波長に対応した膜厚の薄膜形成によって高度
に効率化し、しかも均一に、信頼性を高めようとする検
討が精力的に進められており、たとえばこれまでにも、
超高真空電子ビーム蒸着、化学気相成長、スパッタリン
グ、レーザーフラッシュ等の方法によってＸ線ミラーを
製造する方法が提案されてもいる。
反射をその波長に対応した膜厚の薄膜形成によって高度
に効率化し、しかも均一に、信頼性を高めようとする検
討が精力的に進められており、たとえばこれまでにも、
超高真空電子ビーム蒸着、化学気相成長、スパッタリン
グ、レーザーフラッシュ等の方法によってＸ線ミラーを
製造する方法が提案されてもいる。
【０００４】超高真空電子ビーム蒸着法では、１０−１
０Ｔｏｒｒの超高真空の条件下においてＮｉとＣ（炭素
）とを蒸着し、Ｎｉ／Ｃの多層膜のＸ線ミラーを製造し
、ＮｉとＣの膜厚を各々１２Åと２３Åとし、層間の粒
子の拡散を防ぐために液体窒素で基板を冷却しながら３
０層に堆積している。また、化学気相成長法でも、トリ
クロルメチルシランを原料化合物としてＳｉＣの薄膜を
成長させたり、下地の黒鉛基材にＳｉＯガスを直接反応
させてＳｉＣを堆積してＸ線ミラーとすることが報告さ
れている。
０Ｔｏｒｒの超高真空の条件下においてＮｉとＣ（炭素
）とを蒸着し、Ｎｉ／Ｃの多層膜のＸ線ミラーを製造し
、ＮｉとＣの膜厚を各々１２Åと２３Åとし、層間の粒
子の拡散を防ぐために液体窒素で基板を冷却しながら３
０層に堆積している。また、化学気相成長法でも、トリ
クロルメチルシランを原料化合物としてＳｉＣの薄膜を
成長させたり、下地の黒鉛基材にＳｉＯガスを直接反応
させてＳｉＣを堆積してＸ線ミラーとすることが報告さ
れている。
【０００５】さらに、スパッタリング法により、Ａｒイ
オンをターゲットに照射してＭｏ／Ｓｉの多層構造を形
成することや、真空中においたターゲットに高出力レー
ザー（ＱスイッチＮｄガラスレーザー）を照射して薄膜
形成するレーザーフラッシュ法による方法も報告されて
いる。しかしながら、これらの従来の方法によっては、
高精度な均一膜構造が得られないなどの欠点があり、依
然として解決すべき大きな課題が残されていた。
オンをターゲットに照射してＭｏ／Ｓｉの多層構造を形
成することや、真空中においたターゲットに高出力レー
ザー（ＱスイッチＮｄガラスレーザー）を照射して薄膜
形成するレーザーフラッシュ法による方法も報告されて
いる。しかしながら、これらの従来の方法によっては、
高精度な均一膜構造が得られないなどの欠点があり、依
然として解決すべき大きな課題が残されていた。
【０００６】すなわち、たとえば、超高真空電子ビーム
蒸着、あるいはＭＢＥ（分子線エピタキシー）による場
合には、膜厚やその性能の均一化や精密制御性にまだ不
充分であって、しかもＭＢＥの場合には高融点で蒸気圧
の低い材料の場合には成長速度が遅いという問題がある
。化学気相成長の場合にも成長速度が遅く、スパッタリ
ング法とともに、膜厚の精密な制御が困難であった。
蒸着、あるいはＭＢＥ（分子線エピタキシー）による場
合には、膜厚やその性能の均一化や精密制御性にまだ不
充分であって、しかもＭＢＥの場合には高融点で蒸気圧
の低い材料の場合には成長速度が遅いという問題がある
。化学気相成長の場合にも成長速度が遅く、スパッタリ
ング法とともに、膜厚の精密な制御が困難であった。
【０００７】レーザーフラッシュ法の場合にも、均一膜
厚とすることは難しく、どうしても品質、性能を向上さ
せることが困難であった。このように、従来のいかなる
方法においても、Ｘ線ミラー形成のための薄膜の成長と
多層化において、これを均一な性能と膜厚、さらには速
い成長速度で実現することは困難であるのが実情であっ
た。しかもまた、従来の方法においては、基板の形状が
曲線や、非平坦表面の場合には優れた品質のＸ線ミラー
を製造することは全く期待できなかった。
厚とすることは難しく、どうしても品質、性能を向上さ
せることが困難であった。このように、従来のいかなる
方法においても、Ｘ線ミラー形成のための薄膜の成長と
多層化において、これを均一な性能と膜厚、さらには速
い成長速度で実現することは困難であるのが実情であっ
た。しかもまた、従来の方法においては、基板の形状が
曲線や、非平坦表面の場合には優れた品質のＸ線ミラー
を製造することは全く期待できなかった。
【０００８】この発明は、以上の通りの事情に鑑みてな
されたものであり、従来方法の欠点を解消し、性能、膜
厚ともに、基板形状にかかわらずに均一に高精度に制御
形成することのできる、多層構造Ｘ線ミラーの新しい製
造方法を提供することを目的としている。
されたものであり、従来方法の欠点を解消し、性能、膜
厚ともに、基板形状にかかわらずに均一に高精度に制御
形成することのできる、多層構造Ｘ線ミラーの新しい製
造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、Ｘ線ミラーの製造において、（
ａ） パルス状に供給して分子層で飽和吸着させた第
１原料化合物をレーザー照射または加熱して分解し、（
ｂ） 他種の化合物を供給して反応させるか、または
反応させることなく単原子層膜を形成し、この操作を繰
り返して所要の原子層堆積厚みの薄膜とし、（ｃ）
前記の第１原料化合物と異なる第２原料化合物を供給し
て（ａ）（ｂ）の操作を行い単原子層を形成し、この操
作を繰り返して所要の原子層堆積厚みの薄膜とし、（ｄ
） この（ａ）（ｂ）（ｃ）の操作を所定の複数回繰
り返して、多層の前記化合物からの原子層堆積からなる
多層構造を形成する、ことを特徴とするＸ線ミラーの製
造方法を提供する。
を解決するものとして、Ｘ線ミラーの製造において、（
ａ） パルス状に供給して分子層で飽和吸着させた第
１原料化合物をレーザー照射または加熱して分解し、（
ｂ） 他種の化合物を供給して反応させるか、または
反応させることなく単原子層膜を形成し、この操作を繰
り返して所要の原子層堆積厚みの薄膜とし、（ｃ）
前記の第１原料化合物と異なる第２原料化合物を供給し
て（ａ）（ｂ）の操作を行い単原子層を形成し、この操
作を繰り返して所要の原子層堆積厚みの薄膜とし、（ｄ
） この（ａ）（ｂ）（ｃ）の操作を所定の複数回繰
り返して、多層の前記化合物からの原子層堆積からなる
多層構造を形成する、ことを特徴とするＸ線ミラーの製
造方法を提供する。
【００１０】すなわち、この発明は、多層構造のＸ線ミ
ラーを、原子層レベルでの堆積制御によって製造するこ
とを最も本質的な特徴としている。そしてこの場合の多
層構造は、たとえば、Ｎｉ／Ｃ，Ｗ／Ｃ，さらには、Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ，その他元素の
原子多層構造であってもよく、あるいはＧａＡｓ／Ａｌ
Ａｓ等の化合物多層構造であってもよい。
ラーを、原子層レベルでの堆積制御によって製造するこ
とを最も本質的な特徴としている。そしてこの場合の多
層構造は、たとえば、Ｎｉ／Ｃ，Ｗ／Ｃ，さらには、Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ，その他元素の
原子多層構造であってもよく、あるいはＧａＡｓ／Ａｌ
Ａｓ等の化合物多層構造であってもよい。
【００１１】さらにまた、前記（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ
）の所定の操作段階において、第３原料化合物以上の他
種化合物による原子層堆積厚みの薄膜を形成する方法を
もこの発明は包含している。供給する原料化合物の種類
については特に限定はないが、設計されたＸ線ミラーの
構成に対応して、Ｘ線の波長に沿った反射性能を実現す
ることのできる原子または分子の組合わせと、所要の膜
厚とすればよい。この場合、原料化合物としてはガス状
で供給することができるものとし、また、レーザー照射
、加熱等の条件によって分解するものから選択するのが
好ましい。
）の所定の操作段階において、第３原料化合物以上の他
種化合物による原子層堆積厚みの薄膜を形成する方法を
もこの発明は包含している。供給する原料化合物の種類
については特に限定はないが、設計されたＸ線ミラーの
構成に対応して、Ｘ線の波長に沿った反射性能を実現す
ることのできる原子または分子の組合わせと、所要の膜
厚とすればよい。この場合、原料化合物としてはガス状
で供給することができるものとし、また、レーザー照射
、加熱等の条件によって分解するものから選択するのが
好ましい。
【００１２】たとえば、このような化合物としては、水
素化合物、アルキル化合物、ハロゲン化合物、カルボニ
ル化合物等の無機または有機金属化合物、炭素の場合に
は炭化水素等を例示することができる。Ｘ線ミラー製造
の精度の点からは、レーザー照射による方法が最も好適
である。しかしながら、基板の加熱による分解、反応の
方法を適宜採用してもよい。
素化合物、アルキル化合物、ハロゲン化合物、カルボニ
ル化合物等の無機または有機金属化合物、炭素の場合に
は炭化水素等を例示することができる。Ｘ線ミラー製造
の精度の点からは、レーザー照射による方法が最も好適
である。しかしながら、基板の加熱による分解、反応の
方法を適宜採用してもよい。
【００１３】Ｘ線ミラーの多層構造を形成する基板につ
いても特にその種類に限定はない。たとえば、Ｓｉ，Ｇ
ａＡｓ，ＩｎＰ，その他の適宜なものであってよい。反
応装置についても同様である。そこで以下に、添加した
図面に沿ってこの発明の実施例を示し、さらに詳しくこ
の発明について説明する。
いても特にその種類に限定はない。たとえば、Ｓｉ，Ｇ
ａＡｓ，ＩｎＰ，その他の適宜なものであってよい。反
応装置についても同様である。そこで以下に、添加した
図面に沿ってこの発明の実施例を示し、さらに詳しくこ
の発明について説明する。
【００１４】
実施例１
添付した図１の装置を用いて、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓの多
層構造Ｘ線ミラーを製造する。図１の製造装置において
は、水素ガス（１）、トリエチルガリウム（２）、トリ
エチルアルミニウム（３）、およびアルシン（４）をバ
ルブ（６）を介して反応炉（７）内に供給するガスノズ
ル（１１）と、レーザー光（５）をＧａＡｓ基板（８）
に照射するためのレーザー照射窓（１０）、さらに排気
系へと連結する排気口（１２）とを備え、かつＧｓＡｓ
基板（８）を加熱するためのヒーター（９）を設けても
いる。
層構造Ｘ線ミラーを製造する。図１の製造装置において
は、水素ガス（１）、トリエチルガリウム（２）、トリ
エチルアルミニウム（３）、およびアルシン（４）をバ
ルブ（６）を介して反応炉（７）内に供給するガスノズ
ル（１１）と、レーザー光（５）をＧａＡｓ基板（８）
に照射するためのレーザー照射窓（１０）、さらに排気
系へと連結する排気口（１２）とを備え、かつＧｓＡｓ
基板（８）を加熱するためのヒーター（９）を設けても
いる。
【００１５】この製造装置においては、トリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ）を第１原料化合物とし、トリエチルアル
ミニウム（ＴＥＡ）を第２原料化合物として、アルゴン
レーザー光を照射することによってＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
多層構造Ｘ線ミラーを製造する。この製造のための操作
としては、まず反応炉（７）内のヒーター（９）の上に
ＧａＡｓ基板を置き３５０℃の温度に加熱する。水素ガ
ス（１）を３ｌ／分の速度で流し、反応炉（７）内を１
００ｍｂａｌの一定圧力に保つ。原料供給量の一例とし
ては、 ・トリエチルガリウム（ＴＥＧ）
約２×１０−７モル／サイクル ・ト
リエチルアルミニウム（ＴＥＡ） 約１×１０−
７モル／サイクル ・アルシン（ＡｓＨ３ ）
約３×１０−５モル／
サイクルとする。
ウム（ＴＥＧ）を第１原料化合物とし、トリエチルアル
ミニウム（ＴＥＡ）を第２原料化合物として、アルゴン
レーザー光を照射することによってＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
多層構造Ｘ線ミラーを製造する。この製造のための操作
としては、まず反応炉（７）内のヒーター（９）の上に
ＧａＡｓ基板を置き３５０℃の温度に加熱する。水素ガ
ス（１）を３ｌ／分の速度で流し、反応炉（７）内を１
００ｍｂａｌの一定圧力に保つ。原料供給量の一例とし
ては、 ・トリエチルガリウム（ＴＥＧ）
約２×１０−７モル／サイクル ・ト
リエチルアルミニウム（ＴＥＡ） 約１×１０−
７モル／サイクル ・アルシン（ＡｓＨ３ ）
約３×１０−５モル／
サイクルとする。
【００１６】もちろん、この加熱温度や原料化合物ガス
等の供給速度については適宜に変更することができる。 これらのガスの供給について時系列として示したものが
図２である。トリエチルガリウム（ＴＥＧ）を１秒間供
給し、基板表面に飽和吸着させる。この供給に同期して
アルゴンレーザー光を基板に照射してこのトリエチルガ
リウム（ＴＥＧ）を分解する。続いてアルシン（ＡｓＨ
３）を１秒間供給してＧａＡｓの１分子層を形成し、１
秒間のパージ時間を置いて１サイクルの成長を終了する
。
等の供給速度については適宜に変更することができる。 これらのガスの供給について時系列として示したものが
図２である。トリエチルガリウム（ＴＥＧ）を１秒間供
給し、基板表面に飽和吸着させる。この供給に同期して
アルゴンレーザー光を基板に照射してこのトリエチルガ
リウム（ＴＥＧ）を分解する。続いてアルシン（ＡｓＨ
３）を１秒間供給してＧａＡｓの１分子層を形成し、１
秒間のパージ時間を置いて１サイクルの成長を終了する
。
【００１７】この操作をｍ回繰り返し、ｍ層の分子層か
らなる原子層堆積厚みのＧａＡｓ層を形成する。同様に
して、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）を１秒間供給
し、１秒間パージする。トリエチルアルミニウム（ＴＥ
Ａ）に同期してアルゴンレーザー光を照射し、分解する
。
らなる原子層堆積厚みのＧａＡｓ層を形成する。同様に
して、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）を１秒間供給
し、１秒間パージする。トリエチルアルミニウム（ＴＥ
Ａ）に同期してアルゴンレーザー光を照射し、分解する
。
【００１８】続いてアルシン（ＡｓＨ３）を１秒間供給
しＡｌＡｓの１分子層を形成する。１秒間のパージ時間
を置いて１サイクルの成長を終了する。この操作をｎ回
繰り返して、ｎ層の分子層からなる原子堆積厚みのＡｌ
Ａｓ層を形成する。以上の操作をＮ回繰り返し、Ｎ層の
ＧａＡｓ／ＡｌＡｓの多層構造からなるＸ線ミラーを製
造する。
しＡｌＡｓの１分子層を形成する。１秒間のパージ時間
を置いて１サイクルの成長を終了する。この操作をｎ回
繰り返して、ｎ層の分子層からなる原子堆積厚みのＡｌ
Ａｓ層を形成する。以上の操作をＮ回繰り返し、Ｎ層の
ＧａＡｓ／ＡｌＡｓの多層構造からなるＸ線ミラーを製
造する。
【００１９】ＧａＡｓ，ＡｌＡｓ層の膜厚は各々の１分
子層の固有な厚みに成長サイクル数を乗じた値であるた
めに、膜厚はサイクル数によって正確に制御できる。レ
ーザー光照射によるこの方法によって、たとえ基板が曲
面状であっても、その形状にかかわらず一様均一な多層
膜構造が形成される。また、原料ガスの供給パルス幅の
短縮化によって成長速度を速くすることができる。界面
の急峻性と平坦性が１原子層レベルで厳密に行うことが
できる。
子層の固有な厚みに成長サイクル数を乗じた値であるた
めに、膜厚はサイクル数によって正確に制御できる。レ
ーザー光照射によるこの方法によって、たとえ基板が曲
面状であっても、その形状にかかわらず一様均一な多層
膜構造が形成される。また、原料ガスの供給パルス幅の
短縮化によって成長速度を速くすることができる。界面
の急峻性と平坦性が１原子層レベルで厳密に行うことが
できる。
【００２０】実際、上記の操作によって成長サイクルを
１００サイクルとしてＧａＡｓ／ＡｌＡｓを１００層ず
つ堆積し、厚み２８０Åの多層構造を形成し、その膜厚
を評価したところ、一様均一であり、また、Ｘ線ミラー
としての特性については、ロッキングカーブによって反
射膜としての有用性を確認した。 実施例２ 実施例１と同様にして、Ｓｉ基板表面に、Ｎｉ／Ｃ，Ｗ
／Ｃの各々の原子層堆積多層構造を形成する。
１００サイクルとしてＧａＡｓ／ＡｌＡｓを１００層ず
つ堆積し、厚み２８０Åの多層構造を形成し、その膜厚
を評価したところ、一様均一であり、また、Ｘ線ミラー
としての特性については、ロッキングカーブによって反
射膜としての有用性を確認した。 実施例２ 実施例１と同様にして、Ｓｉ基板表面に、Ｎｉ／Ｃ，Ｗ
／Ｃの各々の原子層堆積多層構造を形成する。
【００２１】原料ガスとしては、Ｎｉ，Ｗのカルボニル
化合物、メタン、エタン、アセチレン等の炭化水素ガス
を用いる。たとえばＷ／Ｃ多層膜については、各々、１
．０ｎｍの原子層堆積厚みの層とし、これを５０回形成
してＸ線ミラー多層構造とする。ロッキングカーブによ
ってその有効性を確認することができる。
化合物、メタン、エタン、アセチレン等の炭化水素ガス
を用いる。たとえばＷ／Ｃ多層膜については、各々、１
．０ｎｍの原子層堆積厚みの層とし、これを５０回形成
してＸ線ミラー多層構造とする。ロッキングカーブによ
ってその有効性を確認することができる。
【００２２】もちろんこの発明は以上の例によって限定
されるものではない。その細部については様々な態様が
可能である。
されるものではない。その細部については様々な態様が
可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、以下の通りの優れた特徴を有する多層構造Ｘ線ミ
ラーが実現される。 （１） 膜厚が基板の形状によらず一様均一になる。 （２） 膜厚の制御が１原子層単位で精密にできる。
って、以下の通りの優れた特徴を有する多層構造Ｘ線ミ
ラーが実現される。 （１） 膜厚が基板の形状によらず一様均一になる。 （２） 膜厚の制御が１原子層単位で精密にできる。
【００２４】（３） 原料ガスの供給パルス幅を短く
すれば成長速度が速くなる。 （４） 界面の急峻性と平坦性は１原子層で厳密に行
える。
すれば成長速度が速くなる。 （４） 界面の急峻性と平坦性は１原子層で厳密に行
える。
【図１】この発明の方法に用いる製造装置の一例を示し
た構成図である。
た構成図である。
【図２】原料ガス供給を時系列で示した概念図である。
１ 水素ガス
２ トリエチルガリウム
３ トリエチルアルミニウム
４ アルシン
５ アルゴンレーザー光
６ ガスバルブ
７ 反応炉
８ ＧａＡｓ基板
９ ヒーター
１０ 窓
１１ ガスノズル
１２ 排気口
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｘ線ミラーの製造において、（ａ）
パルス状に供給して分子層で飽和吸着させた第１原料
化合物をレーザー照射または加熱により分解し、（ｂ）
他種の原料化合物を供給して反応させるか、または
反応させることなく、単原子層膜を形成し、この操作を
繰り返して所要の原子層堆積厚みの薄膜とし、（ｃ）
前記の第１原料化合物と異なる第２原料化合物を供給
して（ａ）（ｂ）の操作を行い単原子層膜を形成し、こ
の操作を繰り返して所要の原子層堆積厚みの薄膜とし、
（ｄ） この（ａ）（ｂ）（ｃ）の操作を所定の複数
回繰り返して、多層の前記化合物からの原子層堆積から
なる多層構造を形成する、ことを特徴とするＸ線ミラー
の製造方法。 - 【請求項２】 原子多層構造を形成することを特徴と
する請求項１のＸ線ミラーの製造方法。 - 【請求項３】 化合物多層構造を形成することを特徴
とする請求項１のＸ線ミラーの製造方法。 - 【請求項４】 所定の段階で、さらに第３原料化合物
以上の他種化合物による原子層堆積厚みの薄膜を形成す
る請求項１，２または３のＸ線ミラーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107691A JP2509760B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | Ｘ線ミラ―の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107691A JP2509760B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | Ｘ線ミラ―の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363699A true JPH04363699A (ja) | 1992-12-16 |
| JP2509760B2 JP2509760B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=12321346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3107691A Expired - Fee Related JP2509760B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | Ｘ線ミラ―の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2509760B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012037440A (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Tokyo Metropolitan Univ | Ｘ線光学系 |
| JP2015007647A (ja) * | 2014-09-03 | 2015-01-15 | 公立大学法人首都大学東京 | Ｘ線光学系 |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP3107691A patent/JP2509760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012037440A (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Tokyo Metropolitan Univ | Ｘ線光学系 |
| JP2015007647A (ja) * | 2014-09-03 | 2015-01-15 | 公立大学法人首都大学東京 | Ｘ線光学系 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2509760B2 (ja) | 1996-06-26 |
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