JPH04365863A - 金属細管内壁の被覆方法 - Google Patents

金属細管内壁の被覆方法

Info

Publication number
JPH04365863A
JPH04365863A JP14348291A JP14348291A JPH04365863A JP H04365863 A JPH04365863 A JP H04365863A JP 14348291 A JP14348291 A JP 14348291A JP 14348291 A JP14348291 A JP 14348291A JP H04365863 A JPH04365863 A JP H04365863A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
wall
inside wall
film
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14348291A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Fujiyama
寛 藤山
Kazuyuki Watanabe
渡邉 一行
Jinichiro Yamaguchi
山口 甚一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOUTSUU KK
Original Assignee
TOUTSUU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TOUTSUU KK filed Critical TOUTSUU KK
Priority to JP14348291A priority Critical patent/JPH04365863A/ja
Publication of JPH04365863A publication Critical patent/JPH04365863A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、広い分野にわたり構
造材料として利用されている金属細管に対し、耐食性,
耐摩耗性等の向上を目的とした保護膜を同管内壁に、密
着性よく被覆する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の管内壁の被覆方法としては、例え
ば図2に示すような方法がある。(特開昭62−180
069号公報参照)図2において、図中21が内壁を被
覆される管、22が棒状ターゲット、23が磁場発生用
コイル、24が同管21と棒状ターゲット22との間に
電界を付与するための電源である。
【0003】この方法は、良好な膜を得るための圧力条
件を10−2Torr台として、放電電界に垂直な方向
に磁界を印加した状態で、管内の棒状ターゲットと管の
内壁との間(放電空間)にグロー放電を発生させてスパ
ッタリングにより管内壁を被覆する方法(同軸マグネト
ロンスパッタリング)である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この方法を用いて細管
(例えば内径20mm以下)の内壁を被覆する場合、棒
状ターゲットの直径にもよるが、放電空間が非常にせま
くなってしまう。このせまい放電空間で、安定したグロ
ー放電を持続させるためには、放電電圧にもよるが1〜
10−1Torr程度の真空度が必要となる。しかしこ
の真空度では、イオン及びスパッタ粒子がガス分子に衝
突してエネルギーを失い良好なスパッタリング成膜はで
きない。
【0005】また良好なスパッタリング成膜のために圧
力条件を10−2Torr台の高真空領域とした場合に
は、放電のための初期電子が、管の内壁へロスするため
グロー放電を安定に持続させることはできない。
【0006】従って、従来の方法では放電空間のせまい
細管内壁のスパッタリングによる被覆はできないという
問題があった。
【0007】この発明は、このような従来の問題点に着
目してなされたもので、10−2Torr台の高真空領
域で細管内部の非常にせまい放電空間中に安定したグロ
ー放電を維持させ、細管内壁のスパッタリングによる被
覆を可能にすることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は金属細管内壁の被覆方法では、放電電界に
垂直な方向に磁界を印加した状態で、細管内部の中心軸
より等距離でしかも互いに等間隔の軸上に配置した数本
の円筒状ターゲットに、直流(DC)を印加していわゆ
るホロー陰極放電を実現するものである。
【0009】
【作用】以上のような構成としたこの発明の金属細管内
壁の被覆方法にあっては、磁場
【外1】 性ガス分子との衝突回数を増加させ、中性ガス分子の電
離を促進させる効果が得られる。(マグネトロン効果)
【0010】また、数本の円筒状ターゲット(陰極)を
管の中心軸より等距離でしかも互いに等間隔の軸上に配
置することにより、陰極の表面に形成されるシース電界
により電子を反射させ、陰極近傍に電子を閉じこめるこ
とができる。この結果、電子と中性ガスとの衝突回数と
放電電流を増加させる効果が得られる。(ホロー陰極放
電効果)
【0011】したがって、この両方の効果を同時に実現
する本発明では、高真空下(10−2Torr台)で、
非常に放電空間のせまい細管内部に、安定したグロー放
電で高密度プラズマを維持することができる。
【0012】
【実施例】以下、この発明を図面に基づいて説明する。 図1は、この発明の一実施例を示す図である。1は真空
容器、2は複数の円筒状ターゲット、3は内面を被覆す
るための管状基板、4は同管3と複数の円筒状ターゲッ
ト2との間に電界を付与するための電源、5は磁場発生
コイル、6は磁場用電源、7はガス導入口、8は真空計
、9は排気口、10は真空ポンプである。
【0013】この実施例では、直径4mmのチタン円筒
を円筒状ターゲット2として管状基板3の中心軸上より
等距離でしかも互いに等間隔の軸上に4本配置した。管
状基板3は、直径20mm、長さ200mmの金属管を
使用した。なお、この際の各円筒状ターゲット2と管状
基板3の内壁との最短距離は4mmとした。このような
電極の構成で、管状基板3の内壁に窒化チタン(TiN
)の成膜を行った。
【0014】はじめに、真空容器1を排気口9より真空
ポンプ10を駆動させ十分排気を行った。次に、ガス導
入口7より図示しないガスボンベよりアルゴンと窒素の
混合ガスを導入し、真空容器1の中の真空度を5×10
−2Torrとした。なお、その際の真空度は、真空計
8にて計測した。磁場用電源6より磁場発生コイル5に
電力を供給して、放電電界に垂直な方向に磁界を発生さ
せた。 その際の磁界の強さは、300ガウス程度とした。
【0015】その状態で、電源4より数本の円筒状ター
ゲット2と管状基板3との間に直流電圧を印加したとこ
ろ、管状基板3との放電空間内に非常に高密度のプラズ
マを発生させることができた。この時の放電電流を計測
したところ放電を終了させるまで、高い値で安定してい
た。
【0016】その結果、細管の内壁には、黄金色を呈し
た窒化チタンの膜を被覆することができた。更に、マグ
ネトロン効果とホロー陰極放電効果との相乗効果により
成膜圧力を高真空領域としたために密着性の良好な膜で
あった。また、成膜中の放電電流も高い値を示すため、
100オングストローム/秒の非常に早い速度の成膜が
可能であった。
【0017】すなわち、本方法において高真空下で放電
空間のせまい細管の内壁に、安定かつ大電流のグロー放
電を発生させてスパッタリングによる成膜を可能とした
【0018】
【発明の効果】以上説明した通り、この発明によれば、
広い分野で気体及び液体の輸送等の構造材料として、使
用されている金属細管に対し、その内壁へ耐食性や耐摩
耗性といった機能をもつ保護膜を、高速かつ強固に被覆
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】  本発明方法を実施する装置の一実施例を示
す概略説明図。
【図2】  従来の方法を用いる装置の概略を示す説明
図。
【符号の説明】
2    円筒状ターゲット 3    管状基板(金属細管)
【外2】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  グロー放電プラズマを用いて、スパッ
    タリングにより金属細管内壁を被覆する方法において、
    高真空中に設置した上記細管内部に、その中心軸から等
    距離でしかも互いに等間隔の軸上に配置してホロー陰極
    を構成する数本の円筒状ターゲットを設け、放電電界に
    垂直な方向に磁場を印加することを特徴とする金属細管
    内壁の被覆方法。
JP14348291A 1991-06-14 1991-06-14 金属細管内壁の被覆方法 Pending JPH04365863A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14348291A JPH04365863A (ja) 1991-06-14 1991-06-14 金属細管内壁の被覆方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14348291A JPH04365863A (ja) 1991-06-14 1991-06-14 金属細管内壁の被覆方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04365863A true JPH04365863A (ja) 1992-12-17

Family

ID=15339733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14348291A Pending JPH04365863A (ja) 1991-06-14 1991-06-14 金属細管内壁の被覆方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04365863A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103090562A (zh) * 2013-02-06 2013-05-08 济南道生一新能源科技有限公司 平板热管太阳能集热器
CN114921762A (zh) * 2022-05-20 2022-08-19 北京佳锐恒盛新材料科技有限公司 一种长细金属管内电弧合金粉末溅射冶金熔融镀膜方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5340646A (en) * 1976-05-08 1978-04-13 Nippon Ionon Kk Method of arranging articles to be treated by high voltage glow discharge
JPS6037188A (ja) * 1983-08-10 1985-02-26 Agency Of Ind Science & Technol ガスレ−ザ発振器
JPS62180069A (ja) * 1986-02-05 1987-08-07 Kobe Steel Ltd 管内面の被覆方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5340646A (en) * 1976-05-08 1978-04-13 Nippon Ionon Kk Method of arranging articles to be treated by high voltage glow discharge
JPS6037188A (ja) * 1983-08-10 1985-02-26 Agency Of Ind Science & Technol ガスレ−ザ発振器
JPS62180069A (ja) * 1986-02-05 1987-08-07 Kobe Steel Ltd 管内面の被覆方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103090562A (zh) * 2013-02-06 2013-05-08 济南道生一新能源科技有限公司 平板热管太阳能集热器
CN114921762A (zh) * 2022-05-20 2022-08-19 北京佳锐恒盛新材料科技有限公司 一种长细金属管内电弧合金粉末溅射冶金熔融镀膜方法
CN114921762B (zh) * 2022-05-20 2024-06-07 北京佳锐鸿科技发展有限责任公司 一种长细金属管内电弧合金粉末溅射冶金熔融镀膜方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU664995B2 (en) Method and apparatus for linear magnetron sputtering
US7327089B2 (en) Beam plasma source
JPH05263223A (ja) 内側部を有する被コーティング体のコーティング方法及び装置
US6337001B1 (en) Process for sputter coating, a sputter coating source, and sputter coating apparatus with at least one such source
JP5306198B2 (ja) 電気絶縁皮膜の堆積方法
US6171454B1 (en) Method for coating surfaces using a facility having sputter electrodes
EP1640474B1 (en) Thin film forming device
JPS6028689Y2 (ja) スパツタリング装置
WO2001077402A2 (en) Method and apparatus for magnetron sputtering
JP2002206167A (ja) プラズマコーティング装置及びプラズマコーティング方法
JPS62180069A (ja) 管内面の被覆方法
Fujiyama Inner coating of long-narrow tube by plasma sputtering
US3728246A (en) Device for applying thin films to articles
US4243505A (en) Magnetic field generator for use in sputtering apparatus
Glocker et al. Recent developments in inverted cylindrical magnetron sputtering
RU2173911C2 (ru) Получение электродуговой плазмы в криволинейном плазмоводе и нанесение покрытия на подложку
KR101696838B1 (ko) 나노 구조 형성용 스퍼터링 장치
US6223686B1 (en) Apparatus for forming a thin film by plasma chemical vapor deposition
US6060131A (en) Method of forming a thin film by plasma chemical vapor deposition
Seiki Sugimoto et al. Extended anode effect in coaxial magnetron pulsed plasmas for coating the inside surface of narrow tubes
JPS59226175A (ja) 電気グロ−放電によつて円筒内壁を処理する装置及び方法
JPH06136544A (ja) プラズマ処理装置
JPH0477074B2 (ja)
Teppei Nagano et al. Characteristics of Scanning Mirror-type Magnetic Field Coaxial Electron Cyclotron Resonance Plasma for Inner Coating of Slender Glass Tubes
JPH0616461U (ja) カソードスパッタリング装置用ターゲット