JPH04367250A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents
半導体チップの製造方法Info
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- JPH04367250A JPH04367250A JP14308291A JP14308291A JPH04367250A JP H04367250 A JPH04367250 A JP H04367250A JP 14308291 A JP14308291 A JP 14308291A JP 14308291 A JP14308291 A JP 14308291A JP H04367250 A JPH04367250 A JP H04367250A
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- Japan
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- wafer
- chip
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は半導体チップの製造
方法に関し、特にパターン形成されたウェハを切断し、
半導体チップを製造する方法に関する。
方法に関し、特にパターン形成されたウェハを切断し、
半導体チップを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 従来より行われている方法を以下に
説明する。図４および図５は従来における半導体チップ
を製造方法を説明する図である。ウェハ表面パターン２
１が形成されたウェハ２０表面に、接着剤２２ａを介し
てベースフィルム２３ａを貼り付ける。このベースフィ
ルム２３ａによりウェハ表面パターン２１は保護される
〔図４（ａ） 〕。
説明する。図４および図５は従来における半導体チップ
を製造方法を説明する図である。ウェハ表面パターン２
１が形成されたウェハ２０表面に、接着剤２２ａを介し
てベースフィルム２３ａを貼り付ける。このベースフィ
ルム２３ａによりウェハ表面パターン２１は保護される
〔図４（ａ） 〕。
【０００３】次に、ウェハ２０の裏面側より、一定の厚
さｘ削り裏面を研磨する。その後、ウェハ２０に付着し
ている汚れおよび水を除去する〔図４（ｂ） 〕。次に
、ウェハ２０の表面に貼られているベースフィルム２３
ａを取り除いた後、ウェハ２０の特性のチェックを行う
〔図４（ｃ） 〕。次に、ウェハ２０の裏面に接着材２
２ｂを介してベースフィルム２３ｂを貼り付け、また、
ウェハ２０側の接着材２２ｂ上に固定治具２４を接着す
る。この工程により、ダイシング時にチップが不安定に
ならないよう固定される〔図４（ｄ）〕。
さｘ削り裏面を研磨する。その後、ウェハ２０に付着し
ている汚れおよび水を除去する〔図４（ｂ） 〕。次に
、ウェハ２０の表面に貼られているベースフィルム２３
ａを取り除いた後、ウェハ２０の特性のチェックを行う
〔図４（ｃ） 〕。次に、ウェハ２０の裏面に接着材２
２ｂを介してベースフィルム２３ｂを貼り付け、また、
ウェハ２０側の接着材２２ｂ上に固定治具２４を接着す
る。この工程により、ダイシング時にチップが不安定に
ならないよう固定される〔図４（ｄ）〕。
【０００４】次に、ウェハ表面パターン２１を認識し、
位置決めしてウェハ表面２０の所定位置を刃物２５によ
り切断し、個々のチップ３０を形成する。その後、ウェ
ハ２０に付着している汚れおよび水を除去する〔図４（
ｅ） 〕。次に、ベースフィルム２３ｂ側から突き上げ
治具２７によりチップ３０をベースフィルム２３ｂから
剥がすと同時に、チップ３０表面から吸着治具２６でそ
のチップ３０を保持する〔図５（ａ） 〕。
位置決めしてウェハ表面２０の所定位置を刃物２５によ
り切断し、個々のチップ３０を形成する。その後、ウェ
ハ２０に付着している汚れおよび水を除去する〔図４（
ｅ） 〕。次に、ベースフィルム２３ｂ側から突き上げ
治具２７によりチップ３０をベースフィルム２３ｂから
剥がすと同時に、チップ３０表面から吸着治具２６でそ
のチップ３０を保持する〔図５（ａ） 〕。
【０００５】次に、剥がしたチップ３０をそのまま吸着
治具２６でダイパット２９側へ移送し、ダイパット２９
にそのチップ３０を接合材料２８を介して接合する〔図
５（ｂ） 〕。
治具２６でダイパット２９側へ移送し、ダイパット２９
にそのチップ３０を接合材料２８を介して接合する〔図
５（ｂ） 〕。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】 ところで、従来の
方法によれば以下の問題点がある。 （１） ウェハサイズが大きくなるにつれ、裏面研磨さ
れたウェハを取扱う時にストレスが生じるため、クラッ
ク、ワレ等が発生する。 （２） ウェハ表面を露出させた状態での工程であるか
ら、Ａ．ウェハ表面の酸化を防止するための保管設備お
よび条件設定が必要である。 Ｂ．ダイシングに発生するＳｉクズがチップ表面に付着
し、洗浄しても汚れが完全に除去できない為、汚れ不良
となる。 Ｃ．ウェハのダイシング中に刃物が破損すると、チップ
の表面側にワレ、カケが発生し、不良となる。 Ｄ．ダイシングに残ったＳｉクズがダイボンドの際にチ
ップ表面および吸着治具に付着し、チップ表面を引っ掻
き、不良とする。 Ｅ．ダイボンドミスにより、チップ表面にダメージを与
える。 （３） 吸着治具をチップサイズ毎に必要とするため、
切り換え頻度が高くなり、稼働率が低下する。 （４） １枚のウェハに対して２枚のテープを使用する
必要がある。 （５） チップ表面検出時に、表面状態のばらつきによ
り検出エラーが発生する。 （６） ダイシング時の刃物でチップを完全にカットす
る場合、べースフィルムを少し切る必要があるため、刃
物の寿命が短くなり、コストアップとなる。一方、一部
切り残す場合でも、刃物の寿命を長くすることができ、
安定にカットできるが、後処理としてブレイクする工程
が必要があり、Ｓｉクズが飛散する。
方法によれば以下の問題点がある。 （１） ウェハサイズが大きくなるにつれ、裏面研磨さ
れたウェハを取扱う時にストレスが生じるため、クラッ
ク、ワレ等が発生する。 （２） ウェハ表面を露出させた状態での工程であるか
ら、Ａ．ウェハ表面の酸化を防止するための保管設備お
よび条件設定が必要である。 Ｂ．ダイシングに発生するＳｉクズがチップ表面に付着
し、洗浄しても汚れが完全に除去できない為、汚れ不良
となる。 Ｃ．ウェハのダイシング中に刃物が破損すると、チップ
の表面側にワレ、カケが発生し、不良となる。 Ｄ．ダイシングに残ったＳｉクズがダイボンドの際にチ
ップ表面および吸着治具に付着し、チップ表面を引っ掻
き、不良とする。 Ｅ．ダイボンドミスにより、チップ表面にダメージを与
える。 （３） 吸着治具をチップサイズ毎に必要とするため、
切り換え頻度が高くなり、稼働率が低下する。 （４） １枚のウェハに対して２枚のテープを使用する
必要がある。 （５） チップ表面検出時に、表面状態のばらつきによ
り検出エラーが発生する。 （６） ダイシング時の刃物でチップを完全にカットす
る場合、べースフィルムを少し切る必要があるため、刃
物の寿命が短くなり、コストアップとなる。一方、一部
切り残す場合でも、刃物の寿命を長くすることができ、
安定にカットできるが、後処理としてブレイクする工程
が必要があり、Ｓｉクズが飛散する。
【０００７】本発明は、以上の問題点を解決すべくなさ
れたもので、半導体チップの製造方法を合理化し、不良
率低減をはかることのできる半導体チップの製造方法を
提供することを目的とする。
れたもので、半導体チップの製造方法を合理化し、不良
率低減をはかることのできる半導体チップの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】 本発明は以上の問題
点を解決すべくなされたものであり、請求項１および請
求項２に対応する発明を以下、それぞれ発明１，発明２
とする。発明１は、表面パターンが形成されたウェハを
個々のチップに切断し、それぞれのチップをダイパット
に接着する工程において、上記ウェハにその表面パター
ン側から所定の深さに切り込みを入れ、その後そのウェ
ハの表面パターン側にベースフィルムを接着した後、そ
のウェハの裏面を研磨することにより、個々のチップに
分割し、その後それらのチップを各々ダイパット上の接
着材料に、上記ベースフィルムの裏面側から突き上げる
ことにより、上記ベースフィルムから分離し、上記ダイ
パットに接着させることを特徴としている。
点を解決すべくなされたものであり、請求項１および請
求項２に対応する発明を以下、それぞれ発明１，発明２
とする。発明１は、表面パターンが形成されたウェハを
個々のチップに切断し、それぞれのチップをダイパット
に接着する工程において、上記ウェハにその表面パター
ン側から所定の深さに切り込みを入れ、その後そのウェ
ハの表面パターン側にベースフィルムを接着した後、そ
のウェハの裏面を研磨することにより、個々のチップに
分割し、その後それらのチップを各々ダイパット上の接
着材料に、上記ベースフィルムの裏面側から突き上げる
ことにより、上記ベースフィルムから分離し、上記ダイ
パットに接着させることを特徴としている。
【０００９】また発明２は、表面パターンが形成された
ウェハを個々のチップに切断し、それぞれのチップをダ
イパットに接着する工程において、上記ウェハの表面パ
ターン側にベースフィルムを接着した後、そのウェハの
裏面を研磨し、その後そのウェハの裏面側から所定位置
を切断することにより、個々のチップに分割し、その後
それらのチップを各々ダイパット上の接着材料に、上記
ベースフィルムの裏面側から突き上げることにより、上
記ベースフィルムから分離し、上記ダイパットに接着さ
せることを特徴としている。
ウェハを個々のチップに切断し、それぞれのチップをダ
イパットに接着する工程において、上記ウェハの表面パ
ターン側にベースフィルムを接着した後、そのウェハの
裏面を研磨し、その後そのウェハの裏面側から所定位置
を切断することにより、個々のチップに分割し、その後
それらのチップを各々ダイパット上の接着材料に、上記
ベースフィルムの裏面側から突き上げることにより、上
記ベースフィルムから分離し、上記ダイパットに接着さ
せることを特徴としている。
【００１０】
【作用】 発明１では、ウェハのカット深さがベース
フィルムまで達する必要がなく、ウェハをカットした後
の工程はウェハの表面はベースフィルムが密着している
ので、その表面はダメージを受けない。発明２では、全
工程においてウェハの表面はベースフィルムが密着した
状態で行われるので、その表面はダメージを受けない。
フィルムまで達する必要がなく、ウェハをカットした後
の工程はウェハの表面はベースフィルムが密着している
ので、その表面はダメージを受けない。発明２では、全
工程においてウェハの表面はベースフィルムが密着した
状態で行われるので、その表面はダメージを受けない。
【００１１】また、発明１および発明２に共通する作用
として、各チップはベースフィルムの裏面側から突き上
げ、ダイパット上の接着剤に接着する工程を設けたから
、各チップをベースフィルムから分離し、ダイパットに
接着させる。
として、各チップはベースフィルムの裏面側から突き上
げ、ダイパット上の接着剤に接着する工程を設けたから
、各チップをベースフィルムから分離し、ダイパットに
接着させる。
【００１２】
【実施例】 図１は本発明１に対応する実施例（以下
実施例１という）を示す経時的断面図である。以下、図
面に基づいて詳細に説明する。まず、ウェハ表面パター
ンが形成されているウェハＷの特性のチェックをする〔
図１（ａ） 〕。次に、図に示すように刃物２によりウ
ェハＷを半分程度ｘを切り残した状態で、個々のチップ
形状にカットする。したがって、全チップはばらばらに
ならず、つながった状態である。その後、ウェハＷに付
着している汚れと水を除去する〔図１（ｂ） 〕。
実施例１という）を示す経時的断面図である。以下、図
面に基づいて詳細に説明する。まず、ウェハ表面パター
ンが形成されているウェハＷの特性のチェックをする〔
図１（ａ） 〕。次に、図に示すように刃物２によりウ
ェハＷを半分程度ｘを切り残した状態で、個々のチップ
形状にカットする。したがって、全チップはばらばらに
ならず、つながった状態である。その後、ウェハＷに付
着している汚れと水を除去する〔図１（ｂ） 〕。
【００１３】次に、次工程で行われる裏面研磨を行う際
にチップを固定するために、ウェハＷの表面側に接着剤
３を介して、ベースフィルム４を貼付する。またウェハ
Ｗの周囲に固定治具５を設けておく〔図１（ｃ） 〕。 次に、ウェハＷの裏面側から、一定量ウェハＷを削り個
々のチップＣにする。その後、ウェハＷに付着している
汚れと水を除去する〔図１（ｄ） 〕。
にチップを固定するために、ウェハＷの表面側に接着剤
３を介して、ベースフィルム４を貼付する。またウェハ
Ｗの周囲に固定治具５を設けておく〔図１（ｃ） 〕。 次に、ウェハＷの裏面側から、一定量ウェハＷを削り個
々のチップＣにする。その後、ウェハＷに付着している
汚れと水を除去する〔図１（ｄ） 〕。
【００１４】次に、ベースフィルム４上に接着されてい
るチップＣの裏面を検出し、チップＣをベースフィルム
４側から突上げ治具８により突上げることにより、矢附
の方向に移動するダイパット７に付着している接合材料
６に付着させ、その接合材料６の接着力でチップＣをベ
ースフィルム４から剥がし、チップＣはダイパット７に
付着した状態で移送される〔図１（ｅ） 〕。
るチップＣの裏面を検出し、チップＣをベースフィルム
４側から突上げ治具８により突上げることにより、矢附
の方向に移動するダイパット７に付着している接合材料
６に付着させ、その接合材料６の接着力でチップＣをベ
ースフィルム４から剥がし、チップＣはダイパット７に
付着した状態で移送される〔図１（ｅ） 〕。
【００１５】図２および図３は本発明２に対応する実施
例（以下実施例２という）を示す経時的断面図である。 以下、図面に基づいて詳細に説明する。まず、ウェハ表
面パターンが形成されているウェハＷの特性のチェック
をする〔図２（ａ） 〕。次に、次工程で行われる裏面
研磨およびダイシングを行う際にチップを固定するため
に、ウェハＷと固定治具５とに接着剤３を介し、パター
ン９にしたがって位置決めした状態でベースフィルム４
を貼付する。次に、ウェハＷ裏面側から、一定量ウェハ
Ｗを削る〔図２（ｂ）−１，２ 〕。
例（以下実施例２という）を示す経時的断面図である。 以下、図面に基づいて詳細に説明する。まず、ウェハ表
面パターンが形成されているウェハＷの特性のチェック
をする〔図２（ａ） 〕。次に、次工程で行われる裏面
研磨およびダイシングを行う際にチップを固定するため
に、ウェハＷと固定治具５とに接着剤３を介し、パター
ン９にしたがって位置決めした状態でベースフィルム４
を貼付する。次に、ウェハＷ裏面側から、一定量ウェハ
Ｗを削る〔図２（ｂ）−１，２ 〕。
【００１６】次に、固定治具５側のパターン９を認識す
ることにより、位置決めして所定位置を刃物２により切
断し、個々のチップＣにする。その後、ウェハＷに付着
している汚れと水を除去する〔図２（ｃ） 〕。次に、
ベースフィルム４上に接着されているチップＣの裏面を
検出し、チップＣをベースフィルム４側から突上げ治具
８により突上げることにより、矢附の方向に移動するダ
イパット７に付着している接合材料６に付着させ、その
接合材料６の接着力でチップＣをベースフィルム４から
剥がし、チップＣはダイパット７に付着した状態で移送
される〔図３〕。
ることにより、位置決めして所定位置を刃物２により切
断し、個々のチップＣにする。その後、ウェハＷに付着
している汚れと水を除去する〔図２（ｃ） 〕。次に、
ベースフィルム４上に接着されているチップＣの裏面を
検出し、チップＣをベースフィルム４側から突上げ治具
８により突上げることにより、矢附の方向に移動するダ
イパット７に付着している接合材料６に付着させ、その
接合材料６の接着力でチップＣをベースフィルム４から
剥がし、チップＣはダイパット７に付着した状態で移送
される〔図３〕。
【００１７】以上述べた実施例１および実施例２は、先
に上げた問題点に対し、従来と比較しての効果を表１に
示す。
に上げた問題点に対し、従来と比較しての効果を表１に
示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１に示すように、特に実施例１ではウェ
ハを半分程度切り残した状態でテープを貼り付け、ウェ
ハを研磨する工程であるから、刃物は従来に比べ長持ち
する点を顕著な効果としてあげることができる。また、
実施例２では最終工程のダイボンドンディングまでチッ
プ表面にベースフィルムが密着し、その表面が保護され
ているから、ウェハにワレ、クラックが発生せず、また
ウェハ表面が酸化されたり、汚染されたりせず、ダイボ
ンド中のトラブルによるワレ、カケ不良が起きない点を
顕著な効果としてあげることができる。
ハを半分程度切り残した状態でテープを貼り付け、ウェ
ハを研磨する工程であるから、刃物は従来に比べ長持ち
する点を顕著な効果としてあげることができる。また、
実施例２では最終工程のダイボンドンディングまでチッ
プ表面にベースフィルムが密着し、その表面が保護され
ているから、ウェハにワレ、クラックが発生せず、また
ウェハ表面が酸化されたり、汚染されたりせず、ダイボ
ンド中のトラブルによるワレ、カケ不良が起きない点を
顕著な効果としてあげることができる。
【００２０】また、実施例１および実施例２の共通した
効果として、チップの大きさ毎の専用の吸着治具および
部品が不要となることから、治具切り換え頻度は低下し
、また稼働率は上昇する点、また、チップ表面がベース
フィルムと密着している為、移載中にダメージを受けな
いことからダイボンド中のＳｉクズ付着等によるヒッカ
キ不良が起こらない点をあげることができる。
効果として、チップの大きさ毎の専用の吸着治具および
部品が不要となることから、治具切り換え頻度は低下し
、また稼働率は上昇する点、また、チップ表面がベース
フィルムと密着している為、移載中にダメージを受けな
いことからダイボンド中のＳｉクズ付着等によるヒッカ
キ不良が起こらない点をあげることができる。
【００２１】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明によれ
ばウェハ表面にベースフィルムを貼った状態で各々の工
程を行うから、ウェハ表面の酸化，汚染を防ぎまた、各
工程中に発生する不良を低減することができる。また、
ベースフィルムは１枚で済み、特に発明１では、ウェハ
をカットする刃物の寿命を長くできる等、その製造工程
を合理化することができるとともに、コストを低減する
ことができる。
ばウェハ表面にベースフィルムを貼った状態で各々の工
程を行うから、ウェハ表面の酸化，汚染を防ぎまた、各
工程中に発生する不良を低減することができる。また、
ベースフィルムは１枚で済み、特に発明１では、ウェハ
をカットする刃物の寿命を長くできる等、その製造工程
を合理化することができるとともに、コストを低減する
ことができる。
【図１】 本発明実施例１を説明する図。
【図２】 本発明実施例２を説明する図
【図３】
本発明実施例２を説明する図
本発明実施例２を説明する図
【図４】 従来例を説明
する図
する図
【図５】 従来例を説明する図
１・・・・ウェハ表面パターン
２・・・・刃物
３・・・・接着剤
４・・・・ベースフィルム
５・・・・固定治具
６・・・・接合材料
７・・・・ダイパット
８・・・・突上げ治具
９・・・・パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 表面パターンが形成されたウェハを個
々のチップに切断し、それぞれのチップをダイパットに
接着する工程において、上記ウェハにその表面パターン
側から所定の深さに切り込みを入れ、その後そのウェハ
の表面パターン側にベースフィルムを接着した後、その
ウェハの裏面を研磨することにより、個々のチップに分
割し、その後それらのチップを各々ダイパット上の接着
材料に、上記ベースフィルムの裏面側から突き上げるこ
とにより、上記ベースフィルムから分離し、上記ダイパ
ットに接着させることを特徴とする半導体チップの製造
方法。 - 【請求項２】 表面パターンが形成されたウェハを個
々のチップに切断し、それぞれのチップをダイパットに
接着する工程において、上記ウェハの表面パターン側に
ベースフィルムを接着した後、そのウェハの裏面を研磨
し、その後そのウェハの裏面側から所定位置を切断する
ことにより、個々のチップに分割し、その後それらのチ
ップを各々ダイパット上の接着材料に、上記ベースフィ
ルムの裏面側から突き上げることにより、上記ベースフ
ィルムから分離し、上記ダイパットに接着させることを
特徴とする半導体チップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143082A JP2737859B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 半導体チップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143082A JP2737859B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 半導体チップの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04367250A true JPH04367250A (ja) | 1992-12-18 |
| JP2737859B2 JP2737859B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=15330498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3143082A Expired - Lifetime JP2737859B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 半導体チップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737859B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184109B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| US6294439B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| US6337258B1 (en) | 1999-07-22 | 2002-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer |
| KR100452661B1 (ko) * | 1999-02-03 | 2004-10-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 웨이퍼의 분할 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2009170455A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010056213A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Denso Corp | 半導体装置の実装方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3447602B2 (ja) | 1999-02-05 | 2003-09-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS53100765A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-02 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS5552235A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Fastening of semiconductor wafer on substrate |
| JPS618938A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Toshiba Corp | 半導体素子の製造方法 |
| JPS63261851A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3143082A patent/JP2737859B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6337258B1 (en) | 1999-07-22 | 2002-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer |
| KR100383206B1 (ko) * | 1999-07-22 | 2003-05-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 웨이퍼의 분할 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737859B2 (ja) | 1998-04-08 |
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