JPH04368104A - 軟磁性膜 - Google Patents
軟磁性膜Info
- Publication number
- JPH04368104A JPH04368104A JP16936591A JP16936591A JPH04368104A JP H04368104 A JPH04368104 A JP H04368104A JP 16936591 A JP16936591 A JP 16936591A JP 16936591 A JP16936591 A JP 16936591A JP H04368104 A JPH04368104 A JP H04368104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soft magnetic
- film
- flux density
- nitrogen
- magnetic film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/133—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals
- H01F10/135—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドのコア材等
として使用される軟磁性膜に関する。
として使用される軟磁性膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）
等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上させる
ために記録信号の高密度化が進められており、これに対
応して磁性粉にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属の粉末
を用いた所謂メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着等
の手法により直接ベースフィルム上に被着した所謂蒸着
テープ等の高抗磁力媒体の開発が進められている。
等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上させる
ために記録信号の高密度化が進められており、これに対
応して磁性粉にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属の粉末
を用いた所謂メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着等
の手法により直接ベースフィルム上に被着した所謂蒸着
テープ等の高抗磁力媒体の開発が進められている。
【０００３】ところで、磁気記録媒体の高抗磁力化が進
むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料
に高飽和磁束密度化が要求される。例えば、従来ヘッド
材料として多用されているフェライト材では、飽和磁束
密度が低く、媒体の高抗磁力化に十分に対処することは
難しい。
むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料
に高飽和磁束密度化が要求される。例えば、従来ヘッド
材料として多用されているフェライト材では、飽和磁束
密度が低く、媒体の高抗磁力化に十分に対処することは
難しい。
【０００４】このような状況から、磁気ヘッドを構成す
る磁気コアをフェライトやセラミクス等と高飽和磁束密
度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁性膜同士を
突き合わせて磁気ギャップを構成するようにした複合型
磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術により
形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜磁
気ヘッドが開発されている。
る磁気コアをフェライトやセラミクス等と高飽和磁束密
度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁性膜同士を
突き合わせて磁気ギャップを構成するようにした複合型
磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術により
形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜磁
気ヘッドが開発されている。
【０００５】これらの磁気ヘッドに使用される軟磁性材
料としては、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（所謂センダ
スト合金）やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系等の非晶質軟磁性膜等
が知られており、これら軟磁性材料は１０ｋガウス以上
の高飽和磁束密度を有する。
料としては、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（所謂センダ
スト合金）やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系等の非晶質軟磁性膜等
が知られており、これら軟磁性材料は１０ｋガウス以上
の高飽和磁束密度を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（所謂センダスト合金）やＣｏ−
Ｎｂ−Ｚｒ系等の非晶質軟磁性膜等において、最も軟磁
気特性に優れ、且つ十分な熱的安定性が得られる組成で
は飽和磁束密度は高々１０ｋガウス程度であり、高密度
磁気記録化を図るためには、さらに優れた飽和磁束密度
が達成されることが望まれている。
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（所謂センダスト合金）やＣｏ−
Ｎｂ−Ｚｒ系等の非晶質軟磁性膜等において、最も軟磁
気特性に優れ、且つ十分な熱的安定性が得られる組成で
は飽和磁束密度は高々１０ｋガウス程度であり、高密度
磁気記録化を図るためには、さらに優れた飽和磁束密度
が達成されることが望まれている。
【０００７】これに対して、ＣｏとＳｍ，Ｎｄ，Ｄｙ等
の希土類金属との合金系においては、の組成比が多い組
成領域で非晶質状態が実現することが知られている。し
かし、このような非晶質合金系では、磁歪が非常に大き
く、良好な軟磁気特性を得ることができないという欠点
がある。そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑みて
提案されたものであって、飽和磁束密度が大きく、優れ
た軟磁気特性を有する軟磁性膜を提供することを目的と
する。
の希土類金属との合金系においては、の組成比が多い組
成領域で非晶質状態が実現することが知られている。し
かし、このような非晶質合金系では、磁歪が非常に大き
く、良好な軟磁気特性を得ることができないという欠点
がある。そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑みて
提案されたものであって、飽和磁束密度が大きく、優れ
た軟磁気特性を有する軟磁性膜を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前述の目
的を達成せんものと鋭意研究を重ねた結果、Ｃｏ，Ｆｅ
，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種と希土類金属を主体とす
る非晶質材料に窒素を添加すれば、優れた軟磁気特性を
確保しつつ、高い飽和磁束密度が得られることを見出す
に至った。
的を達成せんものと鋭意研究を重ねた結果、Ｃｏ，Ｆｅ
，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種と希土類金属を主体とす
る非晶質材料に窒素を添加すれば、優れた軟磁気特性を
確保しつつ、高い飽和磁束密度が得られることを見出す
に至った。
【０００９】本発明はかかる知見にもとずいて完成され
たものであって、本願第１の発明にかかる軟磁性膜は、
Ｍａ Ｌｂ Ｎｘ （但し、式中ＭはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ
，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ＬはＬａ，Ｓｍ，Ｄｙ
，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｂの少なくとも１
種を表す。また、ａ，ｂ，ｘはそれぞれ各元素の割合を
原子％で表す。）なる一般式で表され、その組成範囲が
７０＜ａ＜９７ ２＜ｂ＜２０ １＜ｘ＜２０ であることを特徴とするものである。
たものであって、本願第１の発明にかかる軟磁性膜は、
Ｍａ Ｌｂ Ｎｘ （但し、式中ＭはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ
，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ＬはＬａ，Ｓｍ，Ｄｙ
，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｂの少なくとも１
種を表す。また、ａ，ｂ，ｘはそれぞれ各元素の割合を
原子％で表す。）なる一般式で表され、その組成範囲が
７０＜ａ＜９７ ２＜ｂ＜２０ １＜ｘ＜２０ であることを特徴とするものである。
【００１０】また、本願第２の発明にかかる軟磁性膜は
、Ｍａ Ｌｂ ＪＣ ＮＸ （但し、式中ＭはＣｏ，Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ＬはＬａ，Ｓ
ｍ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｂの少な
くとも１種を表し、ＪはＹ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ，Ｓｉ，Ａｌの少なくとも１種を表
す。また、ａ，ｂ，ｃ，ｘはそれぞれ各元素の割合を原
子％で表す。）なる一般式で表され、その組成範囲が７
０＜ａ＜９７ １＜ｂ＜１５ １＜ｃ＜１５ １＜ｘ＜２０ であることを特徴とするものである。
、Ｍａ Ｌｂ ＪＣ ＮＸ （但し、式中ＭはＣｏ，Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ＬはＬａ，Ｓ
ｍ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｂの少な
くとも１種を表し、ＪはＹ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ，Ｓｉ，Ａｌの少なくとも１種を表
す。また、ａ，ｂ，ｃ，ｘはそれぞれ各元素の割合を原
子％で表す。）なる一般式で表され、その組成範囲が７
０＜ａ＜９７ １＜ｂ＜１５ １＜ｃ＜１５ １＜ｘ＜２０ であることを特徴とするものである。
【００１１】本願第１の発明の軟磁性膜においては、強
磁性金属元素であるＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくと
も１種と、希土類金属、とりわけＬａ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅ
ｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｂの少なくとも１種と
によって構成される薄膜において非晶質もしくはそれに
類する状態が得られる。上記遷移金属Ｍの膜中の組成比
ａは７０＜ａ＜９７原子％とされ、希土類金属Ｌの膜中
の組成比ｂは２＜ｂ＜２０原子％とされる。
磁性金属元素であるＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくと
も１種と、希土類金属、とりわけＬａ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅ
ｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｂの少なくとも１種と
によって構成される薄膜において非晶質もしくはそれに
類する状態が得られる。上記遷移金属Ｍの膜中の組成比
ａは７０＜ａ＜９７原子％とされ、希土類金属Ｌの膜中
の組成比ｂは２＜ｂ＜２０原子％とされる。
【００１２】この軟磁性膜に窒素を添加すると、軟磁気
特性が改善される。窒素の添加量は、膜中の窒素原子の
組成比ｘが１＜ｘ＜２０原子％となる範囲とされる。窒
素の添加量が少なすぎても、逆に多すぎても軟磁気特性
の改善が期待できない。
特性が改善される。窒素の添加量は、膜中の窒素原子の
組成比ｘが１＜ｘ＜２０原子％となる範囲とされる。窒
素の添加量が少なすぎても、逆に多すぎても軟磁気特性
の改善が期待できない。
【００１３】また、本願第２の発明の軟磁性膜では、上
記遷移金属Ｍと希土類金属Ｌ及び窒素からなる薄膜に他
の添加元素ＪとしてＹ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，
Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ，Ｓｉ，Ａｌの少なくとも１種が添加さ
れる。これら添加元素Ｊを添加することにより、軟磁気
特性が向上するとともに、ターゲットを作製する際に、
ヒビ割れや鬆が入りにくくなる。
記遷移金属Ｍと希土類金属Ｌ及び窒素からなる薄膜に他
の添加元素ＪとしてＹ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，
Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ，Ｓｉ，Ａｌの少なくとも１種が添加さ
れる。これら添加元素Ｊを添加することにより、軟磁気
特性が向上するとともに、ターゲットを作製する際に、
ヒビ割れや鬆が入りにくくなる。
【００１４】これら添加元素Ｊは、上記希土類金属Ｌの
組成比ｂの一部を上記添加元素Ｊに置換したかたちで添
加される。即ち、上記添加元素Ｊの添加量は、膜中にお
ける上記添加元素Ｊの組成比の合計ｃが１＜ｃ＜１５原
子％となる範囲とされ、この時上記希土類金属Ｌの組成
比ｂは１＜ｂ＜５原子％とされる。上記添加元素Ｊの添
加量が多すぎると、飽和磁束密度が低下する傾向にある
。
組成比ｂの一部を上記添加元素Ｊに置換したかたちで添
加される。即ち、上記添加元素Ｊの添加量は、膜中にお
ける上記添加元素Ｊの組成比の合計ｃが１＜ｃ＜１５原
子％となる範囲とされ、この時上記希土類金属Ｌの組成
比ｂは１＜ｂ＜５原子％とされる。上記添加元素Ｊの添
加量が多すぎると、飽和磁束密度が低下する傾向にある
。
【００１５】本発明の軟磁性膜は、スパッタリング等の
所謂気相メッキ技術によって製造される。スパッタリン
グは、所望の組成比となるように調整された合金ターゲ
ットを用いて行っても良いし、各原子のターゲットを個
別に用意し、その面積や印加出力等を調整して組成をコ
ントロールするようにして行ってもよい。特に前者の方
法を採用した場合、膜組成はターゲット組成によってほ
ぼ一意に決まるので、例えば大量生産するうえで好適で
ある。
所謂気相メッキ技術によって製造される。スパッタリン
グは、所望の組成比となるように調整された合金ターゲ
ットを用いて行っても良いし、各原子のターゲットを個
別に用意し、その面積や印加出力等を調整して組成をコ
ントロールするようにして行ってもよい。特に前者の方
法を採用した場合、膜組成はターゲット組成によってほ
ぼ一意に決まるので、例えば大量生産するうえで好適で
ある。
【００１６】窒素を添加する方法としては、雰囲気中に
窒素ガスを導入してスパッタを行う方法等が考えられる
。
窒素ガスを導入してスパッタを行う方法等が考えられる
。
【００１７】また、本発明を適用した軟磁性膜は、単層
膜であってもよく、パーマロイ等の磁性金属や、Ａｇ，
Ｃｕ等の非磁性金属、さらにはＳｉ３ Ｎ４ ，ＳｉＯ
２ 等のセラミクス材料等で分断して積層構造とした多
層膜であってもよい。
膜であってもよく、パーマロイ等の磁性金属や、Ａｇ，
Ｃｕ等の非磁性金属、さらにはＳｉ３ Ｎ４ ，ＳｉＯ
２ 等のセラミクス材料等で分断して積層構造とした多
層膜であってもよい。
【００１８】
【作用】遷移金属のＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくと
も１種と、Ｌａ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ
，Ｅｕ，Ｔｂ等の希土類金属からなる非晶質材料に、窒
素を添加すると、高い飽和磁束密度が得られるとともに
、優れた軟磁気特性が確保される。
も１種と、Ｌａ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ
，Ｅｕ，Ｔｂ等の希土類金属からなる非晶質材料に、窒
素を添加すると、高い飽和磁束密度が得られるとともに
、優れた軟磁気特性が確保される。
【００１９】更に、上記非晶質材料にＹ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ，Ｓｉ，Ａｌから選ば
れた少なくとも１種を添加することにより、軟磁気特性
の安定性が向上する。
Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ，Ｓｉ，Ａｌから選ば
れた少なくとも１種を添加することにより、軟磁気特性
の安定性が向上する。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例により説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものではないこ
とは言うまでもない。 実験例１〜４ 本実施例は、遷移金属であるＣｏと、Ｓｍ，Ｈｏ，Ｌａ
，Ｄｙの希土類金属のうちより選ばれた１種とから構成
される非晶質材料に窒素が添加された軟磁性膜の例であ
る。
るが、本発明がこの実施例に限定されるものではないこ
とは言うまでもない。 実験例１〜４ 本実施例は、遷移金属であるＣｏと、Ｓｍ，Ｈｏ，Ｌａ
，Ｄｙの希土類金属のうちより選ばれた１種とから構成
される非晶質材料に窒素が添加された軟磁性膜の例であ
る。
【００２１】先ず、ターゲットとして下記の表１に示す
組成を有する各種合金（直径１００ｍｍ）を用いて、ス
パッタガス中にＡｒガスとＮ２ ガスの混合ガスを導入
しながらＲＦマグネトロンスパッタ法により成膜を行っ
た。この時、Ａｒガス圧を０．１Ｐａとし、到達真空度
を２×１０−４Ｐａとした。また、投入電力は３００Ｗ
とした。
組成を有する各種合金（直径１００ｍｍ）を用いて、ス
パッタガス中にＡｒガスとＮ２ ガスの混合ガスを導入
しながらＲＦマグネトロンスパッタ法により成膜を行っ
た。この時、Ａｒガス圧を０．１Ｐａとし、到達真空度
を２×１０−４Ｐａとした。また、投入電力は３００Ｗ
とした。
【００２２】このようなスパッタリングによって得られ
た軟磁性膜は、それぞれ膜厚が３μｍであり、膜中にお
ける窒素の含有率は０．２〜２０原子量％であった。こ
れら軟磁性膜の保磁力ＨＣ 及び飽和磁束密度ＢＳ を
調べたところ、表１に示すような結果が得られた。なお
、比較用としてＣｏ９３Ｓｍ７ をターゲットとして用
い、Ｎ２ ガスを導入せずに成膜を行った場合（比較例
１）についても同様にして調べ、この結果を表１に併せ
て記した。 また、保磁力ＨＣ はＢ−Ｈループトレーサーにより測
定し、飽和磁束密度ＢＳ は試料振動型磁力計により測
定した。
た軟磁性膜は、それぞれ膜厚が３μｍであり、膜中にお
ける窒素の含有率は０．２〜２０原子量％であった。こ
れら軟磁性膜の保磁力ＨＣ 及び飽和磁束密度ＢＳ を
調べたところ、表１に示すような結果が得られた。なお
、比較用としてＣｏ９３Ｓｍ７ をターゲットとして用
い、Ｎ２ ガスを導入せずに成膜を行った場合（比較例
１）についても同様にして調べ、この結果を表１に併せ
て記した。 また、保磁力ＨＣ はＢ−Ｈループトレーサーにより測
定し、飽和磁束密度ＢＳ は試料振動型磁力計により測
定した。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１に示すように、同じ組成を有するター
ゲットを用いた場合でも、スパッタガス中にＮ２ ガス
を導入せずに成膜した比較例１では、保磁力ＨＣ が大
きく、軟磁気特性を示さなかったのに対して、Ｎ２ ガ
スを導入した実施例１では、高飽和磁束密度ＢＳ が確
保されるとともに、保磁力ＨＣ が非常に小さな値を示
した。また、希土類金属としてＨｏやＬａ、Ｄｙを選ん
だ場合にも、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｎ軟磁性膜と同様に良好な軟
磁気特性が得られることが判った。
ゲットを用いた場合でも、スパッタガス中にＮ２ ガス
を導入せずに成膜した比較例１では、保磁力ＨＣ が大
きく、軟磁気特性を示さなかったのに対して、Ｎ２ ガ
スを導入した実施例１では、高飽和磁束密度ＢＳ が確
保されるとともに、保磁力ＨＣ が非常に小さな値を示
した。また、希土類金属としてＨｏやＬａ、Ｄｙを選ん
だ場合にも、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｎ軟磁性膜と同様に良好な軟
磁気特性が得られることが判った。
【００２５】次に、上述のようにＣｏ等の遷移金属と希
土類金属から構成される非晶質材料に各種添加元素を添
加した場合において窒素の効果を検討した。 実験例５〜９ ターゲットとして表２に示す組成を有する各種合金を用
いて、上述の各実施例と同様の手法によりスパッタリン
グを行った。
土類金属から構成される非晶質材料に各種添加元素を添
加した場合において窒素の効果を検討した。 実験例５〜９ ターゲットとして表２に示す組成を有する各種合金を用
いて、上述の各実施例と同様の手法によりスパッタリン
グを行った。
【００２６】得られた各軟磁性膜について、保磁力Ｈｃ
及び飽和磁束密度ＢＳ をそれぞれ測定した。この結果
を表２に示す。
及び飽和磁束密度ＢＳ をそれぞれ測定した。この結果
を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２から明らかなように、膜中に窒素が添
加された軟磁性膜では、何れの組成においても極めて良
好な軟磁気特性を示すことが判った。また、強磁性材料
である遷移金属と、Ｓｍ，Ｌａ，Ｔｂ，Ｅｒ等の希土類
金属Ｌの少なくとも１種からなる非晶質材料及び窒素の
他に、例えばＣｒ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ等の各種添
加元素を添加することにより、保磁力Ｈｃが一層低下す
る傾向にあることが判った。
加された軟磁性膜では、何れの組成においても極めて良
好な軟磁気特性を示すことが判った。また、強磁性材料
である遷移金属と、Ｓｍ，Ｌａ，Ｔｂ，Ｅｒ等の希土類
金属Ｌの少なくとも１種からなる非晶質材料及び窒素の
他に、例えばＣｒ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ等の各種添
加元素を添加することにより、保磁力Ｈｃが一層低下す
る傾向にあることが判った。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の軟磁性膜では、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくと
も１種と、例えばＳｍやＬａ等の希土類金属を主体とす
る非晶質材料に窒素が添加されているので、高い飽和磁
束密度を確保することができ、優れた軟磁気特性を有す
る軟磁性膜を提供することができる。
明の軟磁性膜では、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくと
も１種と、例えばＳｍやＬａ等の希土類金属を主体とす
る非晶質材料に窒素が添加されているので、高い飽和磁
束密度を確保することができ、優れた軟磁気特性を有す
る軟磁性膜を提供することができる。
【００３０】また、本発明の軟磁性膜は、上述の非晶質
材料にＹ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，
Ｖ，Ｓｉ，Ａｌ等の添加元素が添加されているので、タ
ーゲットの作製が容易にされるとともに、磁気特性の制
御性を向上させることができる。従って、実用性に優れ
た軟磁性膜を提供することができる。
材料にＹ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，
Ｖ，Ｓｉ，Ａｌ等の添加元素が添加されているので、タ
ーゲットの作製が容易にされるとともに、磁気特性の制
御性を向上させることができる。従って、実用性に優れ
た軟磁性膜を提供することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｍａ Ｌｂ Ｎｘ （但し、式中Ｍは
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、Ｌは
Ｌａ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔ
ｂの少なくとも１種を表す。また、ａ，ｂ，ｘはそれぞ
れ各元素の割合を原子％で表す。）なる一般式で表され
、その組成範囲が ７０＜ａ＜９７ ２＜ｂ＜２０ １＜ｘ＜２０ であることを特徴とする軟磁性膜。 - 【請求項２】 Ｍａ Ｌｂ ＪＣ ＮＸ （但し、式
中ＭはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し
、ＬはＬａ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅ
ｕ，Ｔｂの少なくとも１種を表し、ＪはＹ，Ｚｒ，Ｎｂ
，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ，Ｓｉ，Ａｌの少な
くとも１種を表す。また、ａ，ｂ，ｃ，ｘはそれぞれ各
元素の割合を原子％で表す。）なる一般式で表され、そ
の組成範囲が ７０＜ａ＜９７ １＜ｂ＜１５ １＜ｃ＜１５ １＜ｘ＜２０ であることを特徴とする軟磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16936591A JPH04368104A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 軟磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16936591A JPH04368104A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 軟磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04368104A true JPH04368104A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15885235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16936591A Withdrawn JPH04368104A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 軟磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04368104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020125508A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリングターゲットおよび電極膜 |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP16936591A patent/JPH04368104A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020125508A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリングターゲットおよび電極膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63119209A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| US5432645A (en) | Magnetic head-forming thin film | |
| JP2963003B2 (ja) | 軟磁性合金薄膜及びその製造方法 | |
| JP2698814B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2508489B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2635422B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS60132305A (ja) | 鉄−窒素系積層磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘツド | |
| US4615748A (en) | Amorphous soft magnetic thin film | |
| JPH04368104A (ja) | 軟磁性膜 | |
| JP2570337B2 (ja) | 軟磁性積層膜 | |
| JP2775770B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| JPH0484403A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2979557B2 (ja) | 軟磁性膜 | |
| JP2698813B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH0917632A (ja) | 軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH05251236A (ja) | 軟磁性膜 | |
| JPS58100412A (ja) | 軟質磁性材料の製法 | |
| JP2508462B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2551008B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2657710B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| JPS63126208A (ja) | 組織変調軟磁性積層膜 | |
| JP2584687B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| KR0136419B1 (ko) | 연자성 합금 박막재료 | |
| JPH0555036A (ja) | 軟磁性薄膜およびその製造方法、軟磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気ヘツド | |
| JPH0645146A (ja) | 軟磁性膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |