JPS58100412A - 軟質磁性材料の製法 - Google Patents
軟質磁性材料の製法Info
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- JPS58100412A JPS58100412A JP19881681A JP19881681A JPS58100412A JP S58100412 A JPS58100412 A JP S58100412A JP 19881681 A JP19881681 A JP 19881681A JP 19881681 A JP19881681 A JP 19881681A JP S58100412 A JPS58100412 A JP S58100412A
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- Japan
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- magnetic material
- sputtering
- film
- magnetic
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ヘッド等に使用されるＦｅ−Ａｔ−８ｉ
系合金軟質磁性材料の製法に係わる。
系合金軟質磁性材料の製法に係わる。
金属磁性材料（軟質磁性材料）は、磁気ヘッドに適用し
た場合、フェライトに比べ飽和磁束密度Ｂｓが大きく高
抗磁力テープの特徴を充分生かすことが出来るが、比抵
抗が小さいために渦電流損が大きくなり、特に高周波に
おいては薄くする必要がある。その点、バルク材に比べ
てスパッタリング等によって形成された薄膜は有利であ
る。磁気ヘッドにおいて、このような薄膜を用いる場合
、μ特性のみならず、帯磁などの問題を避けるためには
、抗磁力Ｈｃが小さいことが望まれる。従来、このよう
な磁性膜としてパーマロイ膜があるが、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｍ
ｏ＝７９：１７：４ （重量％）組成ｔｌ） Ｍｏパー
マロイの場合、飽和磁束密度Ｂｓは高々９０００ガウス
程度であり不充分であった。
た場合、フェライトに比べ飽和磁束密度Ｂｓが大きく高
抗磁力テープの特徴を充分生かすことが出来るが、比抵
抗が小さいために渦電流損が大きくなり、特に高周波に
おいては薄くする必要がある。その点、バルク材に比べ
てスパッタリング等によって形成された薄膜は有利であ
る。磁気ヘッドにおいて、このような薄膜を用いる場合
、μ特性のみならず、帯磁などの問題を避けるためには
、抗磁力Ｈｃが小さいことが望まれる。従来、このよう
な磁性膜としてパーマロイ膜があるが、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｍ
ｏ＝７９：１７：４ （重量％）組成ｔｌ） Ｍｏパー
マロイの場合、飽和磁束密度Ｂｓは高々９０００ガウス
程度であり不充分であった。
本発明は、上述の点に鑑みＦｅ−８ｉ−ＡＬ系合金のス
パッタリングによって高飽和磁束密度Ｂｓ、高透磁率声
及び低抗磁力Ｈｃの軟質磁性材料を得るようにした軟質
磁性材料の製法を提供するものである。
パッタリングによって高飽和磁束密度Ｂｓ、高透磁率声
及び低抗磁力Ｈｃの軟質磁性材料を得るようにした軟質
磁性材料の製法を提供するものである。
本発明においては、スパッタリングによってＦｅ−Ａｊ
−８ｉ系合金軟質磁性材料（所謂センダスト膜）を形成
するに際して、その磁性材料が被着される表板に熱膨張
係数９０Ｘ１Ｇ”’〜１５０ Ｘ １０−’の非磁性材
を用い、磁性材料をスパッタリングで形成した後４５０
℃〜６００℃でアニール処理することを％黴とするもの
である。かかる製法によれば、低抗磁力Ｈｃ （０，５
エルステツド以下）で、高飽和磁束密度Ｂｓ （１００
００ガウス以上）及び高透磁率声を有する磁気ヘッド用
に良好な軟質磁性膜が得られる。
−８ｉ系合金軟質磁性材料（所謂センダスト膜）を形成
するに際して、その磁性材料が被着される表板に熱膨張
係数９０Ｘ１Ｇ”’〜１５０ Ｘ １０−’の非磁性材
を用い、磁性材料をスパッタリングで形成した後４５０
℃〜６００℃でアニール処理することを％黴とするもの
である。かかる製法によれば、低抗磁力Ｈｃ （０，５
エルステツド以下）で、高飽和磁束密度Ｂｓ （１００
００ガウス以上）及び高透磁率声を有する磁気ヘッド用
に良好な軟質磁性膜が得られる。
以下、実施例を参照し【本発明を詳述する。
夷−例（１）
マグネトロンスパッタリング装置（マグネットを入れた
カソード電極からなる装置）を用い下記のスパッタ条件
にて各組成のセンダス）Ｊ［（Ｆ’ｅ−Ａｊ −Ｓ ｌ
系合金軟質磁性膜）を形成した。
カソード電極からなる装置）を用い下記のスパッタ条件
にて各組成のセンダス）Ｊ［（Ｆ’ｅ−Ａｊ −Ｓ ｌ
系合金軟質磁性膜）を形成した。
カソード電極・・・・・・・・・直径１５〇−ターゲッ
ト ・・・開・厚さ２１１１のＦｅ−紅−Ｓｔ、ターゲ
ットはＣｕ＠＠に低融点材に てボンディング 基 板 ・・・・・−・・ガラスセラミック板（商
品名ホトセラム、鏡面仕上げ） ターゲット−基板・・・・・・・・Ｓｏ■（一定）間距
離 アルゴンガス圧・叩・・・・５×１０″″” ｔｏｒｒ
（５％Ｈｚｍ合のＡｒガス） 高周波電力 ・叩・・・・ｓｏｏｗ（一定）上１１１ｅ
ｌＦ）スパッタ条件で膜厚５ｐｍのセンダス）ＩＩを形
成後、真空中で５００℃の熱処理を施して後磁気特性を
測定した。結果は次の通りである。センダクトの組成は
スパッタ後の膜組成である。
ト ・・・開・厚さ２１１１のＦｅ−紅−Ｓｔ、ターゲ
ットはＣｕ＠＠に低融点材に てボンディング 基 板 ・・・・・−・・ガラスセラミック板（商
品名ホトセラム、鏡面仕上げ） ターゲット−基板・・・・・・・・Ｓｏ■（一定）間距
離 アルゴンガス圧・叩・・・・５×１０″″” ｔｏｒｒ
（５％Ｈｚｍ合のＡｒガス） 高周波電力 ・叩・・・・ｓｏｏｗ（一定）上１１１ｅ
ｌＦ）スパッタ条件で膜厚５ｐｍのセンダス）ＩＩを形
成後、真空中で５００℃の熱処理を施して後磁気特性を
測定した。結果は次の通りである。センダクトの組成は
スパッタ後の膜組成である。
表（１）
この結果、 Ｆｅが多い組成になると自然飽和磁束密度
Ｂｅは高（なるが、抗磁力Ｈｃも高くなる。一方、あま
りＦｅが少くなる（ Ａｊが多くなる）と抗磁力Ｈｃが
また大きくなる。従って、七ンダスト展の組成（即ちス
パッタ後の膜組成）としては、抗磁力Ｈｃ≦０．５エル
ステッドで且つ飽和磁束密度Ｂｓ≧１００００ガウスの
膜を得るためには、Ｆｅ：８５．５〜８９重量％、Ｓｉ
：ｇ、５〜１０．３重量％及びＡＡ：２．５〜４．２重
量％の範囲が好ましい。
Ｂｅは高（なるが、抗磁力Ｈｃも高くなる。一方、あま
りＦｅが少くなる（ Ａｊが多くなる）と抗磁力Ｈｃが
また大きくなる。従って、七ンダスト展の組成（即ちス
パッタ後の膜組成）としては、抗磁力Ｈｃ≦０．５エル
ステッドで且つ飽和磁束密度Ｂｓ≧１００００ガウスの
膜を得るためには、Ｆｅ：８５．５〜８９重量％、Ｓｉ
：ｇ、５〜１０．３重量％及びＡＡ：２．５〜４．２重
量％の範囲が好ましい。
次に、上記試料１４の組成のスパッタ膜を膜厚５声ｍで
４層に積層しく各スパッタ膜間には５ｉｆｔ膜を介在さ
せる）、ビデオヘッドを作成してそのヘッド出力特性を
測定した。ヘッド出力特性としては、自己録再特性（試
料／ｉ６４のセンダストヘッドで記録し、再生した特性
）と、フェライトヘッド記録特性（フェライトヘッドで
記録し、試料層４めセンダストヘッドで再生した特性）
を示す。
４層に積層しく各スパッタ膜間には５ｉｆｔ膜を介在さ
せる）、ビデオヘッドを作成してそのヘッド出力特性を
測定した。ヘッド出力特性としては、自己録再特性（試
料／ｉ６４のセンダストヘッドで記録し、再生した特性
）と、フェライトヘッド記録特性（フェライトヘッドで
記録し、試料層４めセンダストヘッドで再生した特性）
を示す。
測定周波数はＩ ＭＨｚと５ ＭＨｚである。
測定条件
ヘッド−テープ相対速度・・・・・−・・７ ｍ ／
１１３０磁 気 テープ・・−・・・・・抗磁力６００
００ｅの酸化物系テープ ヘッドキャブ長・・・・・・・・・０．４層ｍ一一一 表（２） 表（２）より明らかなよ５に、本発明のスパッタ族を用
いたヘッドによれば、自己録再特性及びフェライトヘッ
ド記録特性とも、同じヘッド出方が得られ、且つフェラ
イトヘッド以上のヘッド出力が得られる。尚、抗磁力Ｈ
ｃが０．５０ｅ以下の本発明スパッタ膜を用いて薄膜ヘ
ッドを作成したところ、記録効率が７エライトヘツドと
同等以上になるを認めた。
１１３０磁 気 テープ・・−・・・・・抗磁力６００
００ｅの酸化物系テープ ヘッドキャブ長・・・・・・・・・０．４層ｍ一一一 表（２） 表（２）より明らかなよ５に、本発明のスパッタ族を用
いたヘッドによれば、自己録再特性及びフェライトヘッ
ド記録特性とも、同じヘッド出方が得られ、且つフェラ
イトヘッド以上のヘッド出力が得られる。尚、抗磁力Ｈ
ｃが０．５０ｅ以下の本発明スパッタ膜を用いて薄膜ヘ
ッドを作成したところ、記録効率が７エライトヘツドと
同等以上になるを認めた。
実施例（２）
実施例（１）の試料／１６４の組成によるスパッタ膜を
用い、そのスパッタ膜が皺着される非磁性基板を変えた
場合、及びスパッタ膜形成後の熱処理温度を変えた場合
のスパッタ膜の抗磁力Ｈｃの変化を調べた。下記表１３
）及び第１図、第２図に夫々示す。
用い、そのスパッタ膜が皺着される非磁性基板を変えた
場合、及びスパッタ膜形成後の熱処理温度を変えた場合
のスパッタ膜の抗磁力Ｈｃの変化を調べた。下記表１３
）及び第１図、第２図に夫々示す。
表（３）
又、第１図は非磁性基板としてガラスセラミック基板（
商品名：ホトセラムα＝ １００ Ｘ １０−’ ）を
用いたときの熱処理温度と抗磁力Ｈｅとの関係を示す特
性図、＠２ｖＡは非磁性基板としてホットプレスによる
Ｚａ ７ ｚライト基板（α＝ １０５ Ｘ １０−’
）を用いた同様の特性図である。
商品名：ホトセラムα＝ １００ Ｘ １０−’ ）を
用いたときの熱処理温度と抗磁力Ｈｅとの関係を示す特
性図、＠２ｖＡは非磁性基板としてホットプレスによる
Ｚａ ７ ｚライト基板（α＝ １０５ Ｘ １０−’
）を用いた同様の特性図である。
真（３）及び第１図、第２図において、熱処理温度が低
温になると抗磁力）１ｃが大きくなるのは膜内部の応力
が十分とりきれないためである。又高温になると抗磁力
Ｈｃが大きくなるのは基板とスパッタ績の熱膨張係ａ差
による熱応力が顕著になってくるためであり、特にＺｎ
フェライト基板で、はそれ以外にＺａミツエライトらセ
ンダスト膜への酸素拡散の影響が生じる。従って、セン
ダスト膜をスパッタリングで形成した後の熱処理温度と
しては４５０℃〜６００℃が適切な範囲である。又非磁
性基板としては抗磁力ＨｃがＯ，ＳＯ・以下の膜を得る
ためｋは、熱膨張係数αが９０Ｘ１Ｇ”’〜１５０ Ｘ
１Ｇ−’の非磁性基板を用いるのがよい。
温になると抗磁力）１ｃが大きくなるのは膜内部の応力
が十分とりきれないためである。又高温になると抗磁力
Ｈｃが大きくなるのは基板とスパッタ績の熱膨張係ａ差
による熱応力が顕著になってくるためであり、特にＺｎ
フェライト基板で、はそれ以外にＺａミツエライトらセ
ンダスト膜への酸素拡散の影響が生じる。従って、セン
ダスト膜をスパッタリングで形成した後の熱処理温度と
しては４５０℃〜６００℃が適切な範囲である。又非磁
性基板としては抗磁力ＨｃがＯ，ＳＯ・以下の膜を得る
ためｋは、熱膨張係数αが９０Ｘ１Ｇ”’〜１５０ Ｘ
１Ｇ−’の非磁性基板を用いるのがよい。
かかる熱処理及び基板の熱膨張係数の選択によって低抗
磁力化が出来るので、磁気ヘッドに適用した場合、ヘッ
ド帯磁による減磁作用をなくし、自己録再特性及びフェ
ライトヘッド記録特性のいずれにおいてもフェライトヘ
ッド以上のヘッド出力が得られる。
磁力化が出来るので、磁気ヘッドに適用した場合、ヘッ
ド帯磁による減磁作用をなくし、自己録再特性及びフェ
ライトヘッド記録特性のいずれにおいてもフェライトヘ
ッド以上のヘッド出力が得られる。
上述せるように本発明によれば、スパッタリングによる
Ｆｅ−人Ｚ−Ｓｔ系合金軟質磁性膜において、その飽和
磁束密度Ｂｓが１００００ガウス以上で抗磁力ＨｃがＯ
０ｓエルステッド以下の軟質磁性膜が得られるのであり
、例えば積層ビデオヘッドあるいは薄膜ヘッド等に適用
して好適ならしめるものである。
Ｆｅ−人Ｚ−Ｓｔ系合金軟質磁性膜において、その飽和
磁束密度Ｂｓが１００００ガウス以上で抗磁力ＨｃがＯ
０ｓエルステッド以下の軟質磁性膜が得られるのであり
、例えば積層ビデオヘッドあるいは薄膜ヘッド等に適用
して好適ならしめるものである。
第１図及び第２図は夫々本発明の説明に供するスパッタ
膜形成後の熱処理温度と抗磁力Ｈｅの関係を示した特性
図である。 ４゛ 第１図 第２図 ！！！幻、 ｆｆ ＥＪＡ （Ｃす
膜形成後の熱処理温度と抗磁力Ｈｅの関係を示した特性
図である。 ４゛ 第１図 第２図 ！！！幻、 ｆｆ ＥＪＡ （Ｃす
Claims (1)
- スパッタリングでＦｅ−Ａｊ−８ｉ系合金軟質磁性材料
を形成するに当り、上記磁性材料な被着させる基板に熱
膨張係数９０ Ｘ １０−’〜１５０Ｘ１０−’の非磁
性材を用い、上記磁性材料をスパッタリングで形成した
後４１１）”０〜６００℃でアニール処理することを４
１１１とする軟質磁性材料の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19881681A JPS58100412A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 軟質磁性材料の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19881681A JPS58100412A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 軟質磁性材料の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100412A true JPS58100412A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16397384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19881681A Pending JPS58100412A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 軟質磁性材料の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100412A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142700A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | 富士通株式会社 | 音声合成誤り検出処理方式 |
| JPS62252122A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Canon Electronics Inc | 磁性薄膜の製造方法 |
| JPS6374112A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63140509A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Tdk Corp | 軟磁性膜の製造法 |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP19881681A patent/JPS58100412A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142700A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | 富士通株式会社 | 音声合成誤り検出処理方式 |
| JPS62252122A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Canon Electronics Inc | 磁性薄膜の製造方法 |
| JPS6374112A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63140509A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Tdk Corp | 軟磁性膜の製造法 |
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