JPH04368921A - 波長変換素子およびその製造方法 - Google Patents
波長変換素子およびその製造方法Info
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- JPH04368921A JPH04368921A JP3146231A JP14623191A JPH04368921A JP H04368921 A JPH04368921 A JP H04368921A JP 3146231 A JP3146231 A JP 3146231A JP 14623191 A JP14623191 A JP 14623191A JP H04368921 A JPH04368921 A JP H04368921A
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- Japan
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- polarization inversion
- wavelength conversion
- substrate
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コヒーレント光源を
応用した、光情報処理，光応用計測制御分野等に使用さ
れる波長変換素子およびその製造方法に関するものであ
る。
応用した、光情報処理，光応用計測制御分野等に使用さ
れる波長変換素子およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】誘電体の分極を強制的に反転させる分極
反転は、誘電体に周期的な分極反転層を形成することに
より、表面弾性波を利用した光周波数変調器や非線形分
極の分極反転を利用した波長変換素子などに利用される
。特に非線形光学物質の非線形分極を周期的に反転する
ことが可能になれば非常に変換効率の高い第二高調波発
生素子を作製することができる。これによって半導体レ
ーザなどの光を変換すると小型の短波長光源が実現でき
、印刷，光情報処理，光応用計測制御分野などに応用で
きるため盛んに研究が行われている。
反転は、誘電体に周期的な分極反転層を形成することに
より、表面弾性波を利用した光周波数変調器や非線形分
極の分極反転を利用した波長変換素子などに利用される
。特に非線形光学物質の非線形分極を周期的に反転する
ことが可能になれば非常に変換効率の高い第二高調波発
生素子を作製することができる。これによって半導体レ
ーザなどの光を変換すると小型の短波長光源が実現でき
、印刷，光情報処理，光応用計測制御分野などに応用で
きるため盛んに研究が行われている。
【０００３】このような分極反転を利用した従来の波長
変換素子としては、例えば、アプライドフィジックスレ
ター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）１９９０年５７号 Ｐ２０７４のＣ． Ｊ．ｖａｎ
ｄｅｒ Ｐｏｅｌ氏らによる分極反転型の波長変換素
子がある。これはＫＴｉＯＰＯ４ 結晶（以下「ＫＴＰ
」と略す）基板表面に周期的にＲｂをイオン交換するこ
とにより、ＫＴＰ基板に周期的な分極反転層を形成して
波長変換素子を構成するものである。
変換素子としては、例えば、アプライドフィジックスレ
ター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）１９９０年５７号 Ｐ２０７４のＣ． Ｊ．ｖａｎ
ｄｅｒ Ｐｏｅｌ氏らによる分極反転型の波長変換素
子がある。これはＫＴｉＯＰＯ４ 結晶（以下「ＫＴＰ
」と略す）基板表面に周期的にＲｂをイオン交換するこ
とにより、ＫＴＰ基板に周期的な分極反転層を形成して
波長変換素子を構成するものである。
【０００４】この従来の波長変換素子の構成を図４に示
す。図４において、２１はＫＴＰ基板、２２は分極反転
層、２３は基本波、２４は第二高調波（以下「ＳＨＧ光
」と略す）である。分極反転層２２の１次の周期Λは、
基本波（波長をλとする）２３に対する実効屈折率Ｎ１
とＳＨＧ光（波長をλ／２とする）２４に対する実効
屈折率Ｎ２ に対して、Λ＝λ／２（Ｎ２ −Ｎ１ ）
の関係を満たしている。周期的に形成された分極反転層
２２によって導波路内を伝播する基本波２３はＳＨＧ光
２４に変換される。素子長１ｍｍのとき、ＳＨＧ変換効
率は８０％／Ｗ／ｃｍ２ と報告されている。
す。図４において、２１はＫＴＰ基板、２２は分極反転
層、２３は基本波、２４は第二高調波（以下「ＳＨＧ光
」と略す）である。分極反転層２２の１次の周期Λは、
基本波（波長をλとする）２３に対する実効屈折率Ｎ１
とＳＨＧ光（波長をλ／２とする）２４に対する実効
屈折率Ｎ２ に対して、Λ＝λ／２（Ｎ２ −Ｎ１ ）
の関係を満たしている。周期的に形成された分極反転層
２２によって導波路内を伝播する基本波２３はＳＨＧ光
２４に変換される。素子長１ｍｍのとき、ＳＨＧ変換効
率は８０％／Ｗ／ｃｍ２ と報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＫＴＰを用いた
波長変換素子には以下の問題がある。この波長変換素子
は、周期的にイオン交換された部分のみが基本波２３に
対してＫＴＰ基板よりも高い屈折率を持っており、その
部分（光導波路）が１００μｍ２ （１０μｍ×１０μ
ｍ）の断面積を持っていることから、基本波２３のパワ
ー密度は少ない。ＳＨＧ光２４は基本波２３に対して２
乗に比例しているから、ＳＨＧ光２４への変換効率は少
ないという問題がある。また、ＳＨＧ光２４も基板内で
放射モードとして存在するために、素子の出射部でのニ
アフィールドパターンも放射形となっており、ＳＨＧ光
２４を回折限界まで集光することが困難であり、光情報
システムへの応用が難しいという問題もある。
波長変換素子には以下の問題がある。この波長変換素子
は、周期的にイオン交換された部分のみが基本波２３に
対してＫＴＰ基板よりも高い屈折率を持っており、その
部分（光導波路）が１００μｍ２ （１０μｍ×１０μ
ｍ）の断面積を持っていることから、基本波２３のパワ
ー密度は少ない。ＳＨＧ光２４は基本波２３に対して２
乗に比例しているから、ＳＨＧ光２４への変換効率は少
ないという問題がある。また、ＳＨＧ光２４も基板内で
放射モードとして存在するために、素子の出射部でのニ
アフィールドパターンも放射形となっており、ＳＨＧ光
２４を回折限界まで集光することが困難であり、光情報
システムへの応用が難しいという問題もある。
【０００６】この発明の目的は、上記問題点に鑑み、基
板内の基本波のパワー密度を向上させ、高効率で波長変
換を行うことを可能にするとともに、出射したＳＨＧ光
の回折限界までの集光を可能とする波長変換素子および
その製造方法を提供することである。
板内の基本波のパワー密度を向上させ、高効率で波長変
換を行うことを可能にするとともに、出射したＳＨＧ光
の回折限界までの集光を可能とする波長変換素子および
その製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の波長変換
素子は、誘電体の基板と、この基板内に形成した低屈折
率領域と、この低屈折率領域上に周期Λで周期的に非線
形分極が反転している分極反転層を有する光導波路とを
備えている。そして、分極反転層の周期Λが、光導波路
を導波する波長がλの基本光に対する実効屈折率Ｎ１
と光導波路を導波する波長がλ／２の高調波に対する実
効屈折率Ｎ２ に対して、Λ＝λ／２（Ｎ２ −Ｎ１
）の関係を満足し、かつ、分極反転層の間隔Ｗが（Λ／
２）＜Ｗ＜Λの関係を満足するようにしている。
素子は、誘電体の基板と、この基板内に形成した低屈折
率領域と、この低屈折率領域上に周期Λで周期的に非線
形分極が反転している分極反転層を有する光導波路とを
備えている。そして、分極反転層の周期Λが、光導波路
を導波する波長がλの基本光に対する実効屈折率Ｎ１
と光導波路を導波する波長がλ／２の高調波に対する実
効屈折率Ｎ２ に対して、Λ＝λ／２（Ｎ２ −Ｎ１
）の関係を満足し、かつ、分極反転層の間隔Ｗが（Λ／
２）＜Ｗ＜Λの関係を満足するようにしている。
【０００８】請求項２記載の波長変換素子の製造方法は
、結晶のＣ軸に垂直な面で切り出した誘電体の基板内に
イオン注入により低屈折率領域を形成する工程と、誘電
体の基板表面にストライプ状のマスクを形成する工程と
、誘電体の基板表面の非マスク部分から誘電体の基板内
をイオン交換する工程と、誘電体の基板を熱処理し分極
反転層を形成する工程とを含んでいる。
、結晶のＣ軸に垂直な面で切り出した誘電体の基板内に
イオン注入により低屈折率領域を形成する工程と、誘電
体の基板表面にストライプ状のマスクを形成する工程と
、誘電体の基板表面の非マスク部分から誘電体の基板内
をイオン交換する工程と、誘電体の基板を熱処理し分極
反転層を形成する工程とを含んでいる。
【０００９】
【作用】この発明によれば、誘電体の基板内に低屈折率
領域を形成して光導波路を設けたことにより、基本波が
基板内で導波モードとして閉じ込められる。光導波路の
断面積を小さくでき、基本波の閉じ込めが非常に良くな
り、光導波路内でのパワー密度が伝播するにつれて減衰
しないため、非常に高効率の波長変換が得られる。また
、イオン注入により基板内部に低屈折率領域を形成する
ことにより、その低屈折率領域と基板表面（空気）の間
で高屈折率領域が形成され、基本波および高調波（ＳＨ
Ｇ光）が単一モード状態で存在する。
領域を形成して光導波路を設けたことにより、基本波が
基板内で導波モードとして閉じ込められる。光導波路の
断面積を小さくでき、基本波の閉じ込めが非常に良くな
り、光導波路内でのパワー密度が伝播するにつれて減衰
しないため、非常に高効率の波長変換が得られる。また
、イオン注入により基板内部に低屈折率領域を形成する
ことにより、その低屈折率領域と基板表面（空気）の間
で高屈折率領域が形成され、基本波および高調波（ＳＨ
Ｇ光）が単一モード状態で存在する。
【００１０】
【実施例】図１にこの発明の一実施例の波長変換素子の
構成図を示す。図１において、１はＫＴＰ基板、４は分
極反転層、５はイオン注入により形成した低屈折率領域
、６は波長８００ｎｍの基本波、７は波長４００ｎｍの
第二高調波（ＳＨＧ光）である。
構成図を示す。図１において、１はＫＴＰ基板、４は分
極反転層、５はイオン注入により形成した低屈折率領域
、６は波長８００ｎｍの基本波、７は波長４００ｎｍの
第二高調波（ＳＨＧ光）である。
【００１１】分極反転層４は、ＫＴＰ基板１に対し、分
極の方向が逆転している。この分極反転層４の１次の周
期Λは基本波（波長をλとする）６に対する実効屈折率
Ｎ１ と光導波路を導波するＳＨＧ光（波長をλ／２と
する）７に対する実効屈折率Ｎ２ に対して、Λ＝λ／
２（Ｎ２ −Ｎ１ ）の関係を満たしている。実効屈折
率とは光が実際に感じる屈折率のことである。基本波６
と位相整合のとれるＳＨＧ光７が発生するのは、分極反
転層４の周期が一次の分極反転周期Λの整数倍に一致し
たときのみである。また、分極反転層４の間隔Ｗは（Λ
／２）＜Ｗ＜Λを満足している（図２（ｂ） 参照）。
極の方向が逆転している。この分極反転層４の１次の周
期Λは基本波（波長をλとする）６に対する実効屈折率
Ｎ１ と光導波路を導波するＳＨＧ光（波長をλ／２と
する）７に対する実効屈折率Ｎ２ に対して、Λ＝λ／
２（Ｎ２ −Ｎ１ ）の関係を満たしている。実効屈折
率とは光が実際に感じる屈折率のことである。基本波６
と位相整合のとれるＳＨＧ光７が発生するのは、分極反
転層４の周期が一次の分極反転周期Λの整数倍に一致し
たときのみである。また、分極反転層４の間隔Ｗは（Λ
／２）＜Ｗ＜Λを満足している（図２（ｂ） 参照）。
【００１２】以上のように構成されたこの実施例の波長
変換素子の製造方法について、図２を参照しながら説明
する。図２はこの実施例の波長変換素子の製造方法を示
す工程断面図である。まず、図２（ａ） に示すように
、結晶のＣ軸に垂直な面で切り出したＣ板のＫＴＰ基板
１上にタンデム加速器によりエネルギー３ＭｅＶのＯ＋
イオン２を電流１μＡ、ドーズ量５×１０１６イオン
／ｃｍ２ でイオン注入を行う。すると表面より１μｍ
の深さに幅１．２μｍの低屈折率領域５（ＫＴＰ基板１
の屈折率より０．１低い）が形成され、表面から１μｍ
までの領域が光導波路となる。
変換素子の製造方法について、図２を参照しながら説明
する。図２はこの実施例の波長変換素子の製造方法を示
す工程断面図である。まず、図２（ａ） に示すように
、結晶のＣ軸に垂直な面で切り出したＣ板のＫＴＰ基板
１上にタンデム加速器によりエネルギー３ＭｅＶのＯ＋
イオン２を電流１μＡ、ドーズ量５×１０１６イオン
／ｃｍ２ でイオン注入を行う。すると表面より１μｍ
の深さに幅１．２μｍの低屈折率領域５（ＫＴＰ基板１
の屈折率より０．１低い）が形成され、表面から１μｍ
までの領域が光導波路となる。
【００１３】つぎに、図２（ｂ） に示すように、ＫＴ
Ｐ基板１上にスパッタリング法でＴｉ膜を１０００Å形
成した後、通常のフォトリソグラフィー法により周期Λ
ごとに幅Ｗ（分極反転層４の間隔となる）のストライプ
を１０μｍに渡ってＫＴＰ基板１のＹ伝播方向に形成し
てＴｉマスク３とする。その後、Ｒｂ／Ｔｌ／Ｂａを含
むＢａ（ＮＯ３ ）２ の溶液８の中にいれて３６０℃
で９０ｍｉｎ熱処理を行う。この熱処理とは、ＫＴＰ基
板１を構成するＫＴｉＯＰＯ４ 結晶（ＫＴＰ）をキュ
リー温度近くまで温度を上げて、一定方向にそろってい
る結晶の分極を部分的に反転させる処理である。この分
極反転のメカニズムとして考えられるのは、まず、イオ
ン交換によってＲｂイオンと交換され、イオン交換層の
Ｋ濃度が低減する。これによって、イオン交換層のキュ
リー点が低下する。つぎに、ＫＴＰ基板１をＫＴｉＯＰ
Ｏ４ 結晶のキュリー点とイオン交換層のＫＸ Ｒｂ１
−Ｘ ＴＯＰＯ４ のキュリー点の間で熱処理するとイ
オン交換部分のみキュリー状態にすることができる。さ
らにイオン交換層内のイオンとＫＴＰ基板１内のイオン
の間で発生する電界によってキュリー状態にあるプロト
ン交換層の分極反転が逆転し、分極反転層４が形成され
る。
Ｐ基板１上にスパッタリング法でＴｉ膜を１０００Å形
成した後、通常のフォトリソグラフィー法により周期Λ
ごとに幅Ｗ（分極反転層４の間隔となる）のストライプ
を１０μｍに渡ってＫＴＰ基板１のＹ伝播方向に形成し
てＴｉマスク３とする。その後、Ｒｂ／Ｔｌ／Ｂａを含
むＢａ（ＮＯ３ ）２ の溶液８の中にいれて３６０℃
で９０ｍｉｎ熱処理を行う。この熱処理とは、ＫＴＰ基
板１を構成するＫＴｉＯＰＯ４ 結晶（ＫＴＰ）をキュ
リー温度近くまで温度を上げて、一定方向にそろってい
る結晶の分極を部分的に反転させる処理である。この分
極反転のメカニズムとして考えられるのは、まず、イオ
ン交換によってＲｂイオンと交換され、イオン交換層の
Ｋ濃度が低減する。これによって、イオン交換層のキュ
リー点が低下する。つぎに、ＫＴＰ基板１をＫＴｉＯＰ
Ｏ４ 結晶のキュリー点とイオン交換層のＫＸ Ｒｂ１
−Ｘ ＴＯＰＯ４ のキュリー点の間で熱処理するとイ
オン交換部分のみキュリー状態にすることができる。さ
らにイオン交換層内のイオンとＫＴＰ基板１内のイオン
の間で発生する電界によってキュリー状態にあるプロト
ン交換層の分極反転が逆転し、分極反転層４が形成され
る。
【００１４】その後、Ｔｉマスク３を酸により除去し、
導波路の両端面を光学研磨し波長変換素子を形成した。 上記のようにして製造された波長変換素子の動作につい
て説明する。光導波路に入射された基本波６は分極反転
層４において第二高調波に変換され、波長８００ｎｍの
基本波６を入射すると波長４００ｎｍの青色のＳＨＧ光
７を発生することができる。
導波路の両端面を光学研磨し波長変換素子を形成した。 上記のようにして製造された波長変換素子の動作につい
て説明する。光導波路に入射された基本波６は分極反転
層４において第二高調波に変換され、波長８００ｎｍの
基本波６を入射すると波長４００ｎｍの青色のＳＨＧ光
７を発生することができる。
【００１５】この波長変換素子の分極反転層４の深さが
１μｍ，光導波路の深さが１μｍと、基本波６の電磁界
のＴＭモードの深さ分布とを考えれば、十分にオーバー
ラップすることにより、高効率の波長変換が行われる。 実際に、波長８００ｎｍ，出力４０ｍＷの半導体レーザ
の光を集光光学系により集光した基本波６を作製した波
長変換素子に入射した。導波路より、出射される基本波
６およびＳＨＧ光７をレンズでコリメートしパワーメー
タで測定した。その結果を図３に示す。図３は基本波６
の入力とＳＨＧ光７の出力との関係を示したものであり
、横軸は基本波入力の２乗、縦軸はＳＨＧ光出力である
。１次の分極反転周期の波長変換素子にウけるＳＨＧ光
７の出力は１ｍＷであり、このときの変換効率は２５０
％／Ｗ・ｃｍ２ という非常に高効率の波長変換が行わ
れた。また出射されたＳＨＧ光７をレンズ（ＮＡ＝０．
８）で集光すると、スポットサイズ０．４５μｍの回折
限界まで絞ることができた。
１μｍ，光導波路の深さが１μｍと、基本波６の電磁界
のＴＭモードの深さ分布とを考えれば、十分にオーバー
ラップすることにより、高効率の波長変換が行われる。 実際に、波長８００ｎｍ，出力４０ｍＷの半導体レーザ
の光を集光光学系により集光した基本波６を作製した波
長変換素子に入射した。導波路より、出射される基本波
６およびＳＨＧ光７をレンズでコリメートしパワーメー
タで測定した。その結果を図３に示す。図３は基本波６
の入力とＳＨＧ光７の出力との関係を示したものであり
、横軸は基本波入力の２乗、縦軸はＳＨＧ光出力である
。１次の分極反転周期の波長変換素子にウけるＳＨＧ光
７の出力は１ｍＷであり、このときの変換効率は２５０
％／Ｗ・ｃｍ２ という非常に高効率の波長変換が行わ
れた。また出射されたＳＨＧ光７をレンズ（ＮＡ＝０．
８）で集光すると、スポットサイズ０．４５μｍの回折
限界まで絞ることができた。
【００１６】以上のようにこの実施例によれば、ＫＴＰ
基板１内にイオン注入法で光導波路を形成することによ
り、基本波６が基板内で導波モードとして閉じ込められ
る。光導波路の断面積が１μｍ×１０μｍと従来例の１
／１０であるため、基本波のパワー密度が１０倍に向上
する。その基本波６は低ロスで分極反転層を伝播するた
め高効率の波長変換が得られる。ＫＴＰ基板１内に光導
波路の作製は前例未報告のもので、高速イオン注入によ
り低ロス光導波路が実現可能となった。
基板１内にイオン注入法で光導波路を形成することによ
り、基本波６が基板内で導波モードとして閉じ込められ
る。光導波路の断面積が１μｍ×１０μｍと従来例の１
／１０であるため、基本波のパワー密度が１０倍に向上
する。その基本波６は低ロスで分極反転層を伝播するた
め高効率の波長変換が得られる。ＫＴＰ基板１内に光導
波路の作製は前例未報告のもので、高速イオン注入によ
り低ロス光導波路が実現可能となった。
【００１７】さらに、イオン注入によりＫＴＰ基板１表
面より１μｍ以上の深さに低屈折率領域５を形成するこ
とにより、その低屈折率領域５と表面（空気）の間で高
屈折率が形成され、光導波路は低ロス，単一モード伝播
でＳＨＧ光７が出射されるので、ＳＨＧ光７を回折限界
まで集光することも容易となった。なお、この実施例で
は、基板としてＫＴｉＯＰＯ４ 結晶（ＫＴＰ）基板１
を用いたが、基板としてＣ板（結晶のＣ軸に垂直な面）
のＫＸ Ｒｂ１−Ｘ ＴｉＯＰＯ４ （０≦ｘ≦１）結
晶であってもよい。
面より１μｍ以上の深さに低屈折率領域５を形成するこ
とにより、その低屈折率領域５と表面（空気）の間で高
屈折率が形成され、光導波路は低ロス，単一モード伝播
でＳＨＧ光７が出射されるので、ＳＨＧ光７を回折限界
まで集光することも容易となった。なお、この実施例で
は、基板としてＫＴｉＯＰＯ４ 結晶（ＫＴＰ）基板１
を用いたが、基板としてＣ板（結晶のＣ軸に垂直な面）
のＫＸ Ｒｂ１−Ｘ ＴｉＯＰＯ４ （０≦ｘ≦１）結
晶であってもよい。
【００１８】
【発明の効果】この発明の波長変換素子およびその製造
方法は、基板内に低屈折率領域を形成して光導波路を設
けたことにより、基本波の閉じ込めが非常に良くなり、
光導波路内でのパワー密度が伝播するにつれて減衰しな
いため、非常に高効率の波長変換が得られる。また、イ
オン注入法により形成された光導波路は低ロス、単一モ
ード伝播でＳＨＧ光（高調波）が出射されるので、ＳＨ
Ｇ光を回折限界まで集光することも容易となる。
方法は、基板内に低屈折率領域を形成して光導波路を設
けたことにより、基本波の閉じ込めが非常に良くなり、
光導波路内でのパワー密度が伝播するにつれて減衰しな
いため、非常に高効率の波長変換が得られる。また、イ
オン注入法により形成された光導波路は低ロス、単一モ
ード伝播でＳＨＧ光（高調波）が出射されるので、ＳＨ
Ｇ光を回折限界まで集光することも容易となる。
【図１】この発明の一実施例の波長変換素子の構成図で
ある。
ある。
【図２】同実施例の波長変換素子の製造方法を示す工程
断面図である。
断面図である。
【図３】同実施例の波長変換素子の出力特性を示した図
である。
である。
【図４】従来の波長変換素子の構成図である。
１ ＫＴＰ基板
２ Ｏ＋ イオン
３ Ｔｉマスク
４ 分極反転層
５ 低屈折率領域
６ 基本波
７ 第二高調波（ＳＨＧ光）
Ｗ 分極反転層の間隔
Λ 周期
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体の基板と、この基板内に形成し
た低屈折率領域と、この低屈折率領域上に周期Λで周期
的に非線形分極が反転している分極反転層を有する光導
波路とを備え、前記分極反転層の周期Λが、前記光導波
路を導波する波長がλの基本光に対する実効屈折率Ｎ１
と前記光導波路を導波する波長がλ／２の高調波に対
する実効屈折率Ｎ２ に対して、Λ＝λ／２（Ｎ２ −
Ｎ１ ）の関係を満足し、かつ、前記分極反転層の間隔
Ｗが（Λ／２）＜Ｗ＜Λの関係を満足する波長変換素子
。 - 【請求項２】 結晶のＣ軸に垂直な面で切り出した誘
電体の基板内にイオン注入により低屈折率領域を形成す
る工程と、前記誘電体の基板表面にストライプ状のマス
クを形成する工程と、前記誘電体の基板表面の非マスク
部分から前記誘電体の基板内をイオン交換する工程と、
前記誘電体の基板を熱処理し分極反転層を形成する工程
とを含む波長変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146231A JPH04368921A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 波長変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146231A JPH04368921A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 波長変換素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04368921A true JPH04368921A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15403077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3146231A Pending JPH04368921A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 波長変換素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04368921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002525648A (ja) * | 1998-09-14 | 2002-08-13 | イギリス国 | 光導波路の製造 |
-
1991
- 1991-06-18 JP JP3146231A patent/JPH04368921A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002525648A (ja) * | 1998-09-14 | 2002-08-13 | イギリス国 | 光導波路の製造 |
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