JPH0350533A - 光波長変換素子およびその製造方法 - Google Patents
光波長変換素子およびその製造方法Info
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- JPH0350533A JPH0350533A JP1186416A JP18641689A JPH0350533A JP H0350533 A JPH0350533 A JP H0350533A JP 1186416 A JP1186416 A JP 1186416A JP 18641689 A JP18641689 A JP 18641689A JP H0350533 A JPH0350533 A JP H0350533A
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- optical wavelength
- conversion element
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（表 コヒーレント光を利用する光情報処理分！
Ｆ、あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換
素子およびその製造方法に関するものであも 従来の技術 第４図に従来の光波長変換素子の構戒図を示す。
Ｆ、あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換
素子およびその製造方法に関するものであも 従来の技術 第４図に従来の光波長変換素子の構戒図を示す。
以下１．０６μｍの波長の基本波に対する高調波発生（
波長０．５３μｍ）について図を用いて詳しく述べる。
波長０．５３μｍ）について図を用いて詳しく述べる。
［Ｅ．Ｊ，Ｌｉｍ， Ｍ．Ｍ，Ｆｅｊｅｒ，
Ｒ，Ｌ．Ｂｙｅｒ， セコント１ 八−マニアク
シ゛エネレーシ３ン オ７′ ７′ルー アンド ク１
リーン ライト イン ヘ゜リ才デ゛イカリーホ゜−ル
ト１ ７゜ラナー リチウチ ナイオへ２イト ウエイ
フゞカ′イト゛（”Ｓｅｃｏｎｄｈａｒｍｏｎｉｃ ｇ
ｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｂｌｕｅ ａｎｄ ｇｒｅ
ｅｎ ｌｉｇｈｔ ｉｎ ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ−
ｐｏｌｅｄ ｐｌａｎａｒ ｌｉｔｈｉｕｍ ｎｉｏｂ
ａｔｅ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ’，） Ｉ ＧＷ０，
１９８８％参照］。第４図に示されるようにＬｉＮｂＯ
ｓ基板１に光導波路２が形威され さらに光導波路２に
は周期的に分極の反転した層３０ （分極反転層）が形
成されていも 基本波と発生する高調波の伝搬定数の不
整合を分極反転層３０の周期構造で補償することにより
高効率に高調波を出すことができも光導波路２の入射面
ＩＯに基本波Ｐ１を入射すると、光導波路２から高調波
Ｐ２が効率良く発生され 光波長変換素子として動作す
ム このような従来の光波長変換素子は分極反転構造を基本
構戒要素としていｆ， この素子の製造方法について
第５図を用いて説明すも 同図（ａ）で強誘電体基板で
あるＬｉＮｂＯｓ基板１にＴｉ３１のパターンをリフト
オフと蒸着により幅数μｍの周期で形成してい九 次に
同図（ｂ）で１１００℃程度の温度で熱処理を行いＬｉ
ＮｂＯｓ基板１と分極が反対向きに反転した分極反転層
３０を形成した 次に同図（ｃ）のように安息香酸（２
００℃）中で３０分熱処理を行った後３５０℃でアニー
ルを行い光導波路２を形威すも 上記安息香酸処理に
より作製される光波長変換素子は波長１．０６μｍの基
本波ＰＬに対して、導波路の長さを１ｍｍ，基本波Ｐ１
のパワーを１ｍＷにしたとき高調波Ｐ２のパワー０．５
ｎＷが得られていた この場合の変換効率は５％／Ｗ−
ｃｍであも 発明が解決しようとする課題 上記のような分極反転層を基本とした光波長変換素子で
は分極反転層作製の時に横方向拡散が生じるため微細体
周期構造を形成することができ衣そのため周期長が３倍
の３次の周期構造を採らなければならず変換効率はｌ次
の周期構造に比べ９分のｌに落ちム 又 ３次の周期構
造においても横方向拡散のため理論値に比べて効率良く
変換することが困難であった 又 分極反転層と分極反
転されない層で屈折率変化を生じ これが伝搬損失にな
っていた 課題を解決するための手段 本発明｛友 上記問題点を解決するため光導波路を基本
とした光波長変換素子の構造に新たな工夫を加えること
により大幅な変換効率の向上を可能とするものであム
つまり、本発明は非線形光学結晶中に形成された光導波
路が基本波に対して非線形層および線形層からなる周期
構造を持つという手段を有するものであも 作用 上記手段により、本発明の光波長変換素子は非線形光学
結晶中に形成された光導波路を伝搬する基本波が非線形
層と線形層からなる周期構造により位相の不整合を補償
することで疑似的に位相整合され高調波へと変換されも
これにより高効率な光波長変換素子を得ることができ
る。
Ｒ，Ｌ．Ｂｙｅｒ， セコント１ 八−マニアク
シ゛エネレーシ３ン オ７′ ７′ルー アンド ク１
リーン ライト イン ヘ゜リ才デ゛イカリーホ゜−ル
ト１ ７゜ラナー リチウチ ナイオへ２イト ウエイ
フゞカ′イト゛（”Ｓｅｃｏｎｄｈａｒｍｏｎｉｃ ｇ
ｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｂｌｕｅ ａｎｄ ｇｒｅ
ｅｎ ｌｉｇｈｔ ｉｎ ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ−
ｐｏｌｅｄ ｐｌａｎａｒ ｌｉｔｈｉｕｍ ｎｉｏｂ
ａｔｅ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ’，） Ｉ ＧＷ０，
１９８８％参照］。第４図に示されるようにＬｉＮｂＯ
ｓ基板１に光導波路２が形威され さらに光導波路２に
は周期的に分極の反転した層３０ （分極反転層）が形
成されていも 基本波と発生する高調波の伝搬定数の不
整合を分極反転層３０の周期構造で補償することにより
高効率に高調波を出すことができも光導波路２の入射面
ＩＯに基本波Ｐ１を入射すると、光導波路２から高調波
Ｐ２が効率良く発生され 光波長変換素子として動作す
ム このような従来の光波長変換素子は分極反転構造を基本
構戒要素としていｆ， この素子の製造方法について
第５図を用いて説明すも 同図（ａ）で強誘電体基板で
あるＬｉＮｂＯｓ基板１にＴｉ３１のパターンをリフト
オフと蒸着により幅数μｍの周期で形成してい九 次に
同図（ｂ）で１１００℃程度の温度で熱処理を行いＬｉ
ＮｂＯｓ基板１と分極が反対向きに反転した分極反転層
３０を形成した 次に同図（ｃ）のように安息香酸（２
００℃）中で３０分熱処理を行った後３５０℃でアニー
ルを行い光導波路２を形威すも 上記安息香酸処理に
より作製される光波長変換素子は波長１．０６μｍの基
本波ＰＬに対して、導波路の長さを１ｍｍ，基本波Ｐ１
のパワーを１ｍＷにしたとき高調波Ｐ２のパワー０．５
ｎＷが得られていた この場合の変換効率は５％／Ｗ−
ｃｍであも 発明が解決しようとする課題 上記のような分極反転層を基本とした光波長変換素子で
は分極反転層作製の時に横方向拡散が生じるため微細体
周期構造を形成することができ衣そのため周期長が３倍
の３次の周期構造を採らなければならず変換効率はｌ次
の周期構造に比べ９分のｌに落ちム 又 ３次の周期構
造においても横方向拡散のため理論値に比べて効率良く
変換することが困難であった 又 分極反転層と分極反
転されない層で屈折率変化を生じ これが伝搬損失にな
っていた 課題を解決するための手段 本発明｛友 上記問題点を解決するため光導波路を基本
とした光波長変換素子の構造に新たな工夫を加えること
により大幅な変換効率の向上を可能とするものであム
つまり、本発明は非線形光学結晶中に形成された光導波
路が基本波に対して非線形層および線形層からなる周期
構造を持つという手段を有するものであも 作用 上記手段により、本発明の光波長変換素子は非線形光学
結晶中に形成された光導波路を伝搬する基本波が非線形
層と線形層からなる周期構造により位相の不整合を補償
することで疑似的に位相整合され高調波へと変換されも
これにより高効率な光波長変換素子を得ることができ
る。
実施例
実施例の一つとして光波長変換素子を図を用いて説明す
も 本発明の光波長変換素子の第１の実施例の構造図を
第ｌ図に示す。この実施例では光波長変換素子としてＬ
ｉＮｂＯｓ基板１中にイオン注入を用いて作製した光導
波路を用いたもので、第ｌ図（ａ）は光波長変換素子の
斜視Ｅｌ （ｂ）は光導波路に平行な面で切った断面
図であも 第１図でＩは＋Ｚ板（Ｚ軸と垂直に切り出さ
れた基板の十側）のＬｉＮｂＯｓ基楓 ２は形威された
光導波ＩＩ １０は基本波Ｐ１の入射臥 １２は高調
波Ｐ２の出射部であも この光導波路２には線形層３お
よび非線形層４による周期構造が形成されていも 基本
波Ｐ１に対し線形層３は歪のないつまり線形の分極波を
生じ これに対し非線形層４は基本波Ｐｉに対し非線形
の分極波を発生すも又 光導波路２はイオン注入により
形成されたクラッド２ｂとコア２ａより戒っていも 同
図（ｂ）で光導波路２に入った基本波Ｐ１は位相整合長
Ｌの長さを持った非線形層４で高調波Ｐ２に変換され
次の同じくＬの長さを持った線形層３で高調波パワーは
保持されさらに次の非線形層４で高調波パワーは増す事
になん このようにして光導波路２内でパワーを増した
高調波Ｐ２は出射部ｌ２より放射されも 次にこの光波長変換素子の製造方法について図を使って
説明すも 第２図に本発明の光波長変換素子の製造工程
図を示す。まず同図（ａ）でＬｉＮｂＯ３基板１上にＴ
ａをスバッタにより蒸着した眞フォトエッチングにより
Ｔａマスク５の周期パターンを形威すも 次に同図（ｂ
）で燐酸の一種であるビロ燐酸中で２３０ｔ， １２
分間熱処理（．プロトン交換処理）を行い厚み０．５μ
ｍの線形層３を形威すも このプロトン交換により屈折
率がＬｉＮｂ０３基板１に対して０． １程度上昇す
も 又 線形層３の長さＬは２．８μｍであも 次に上
記線形層３中に通常のイオン注入を用いて加速エネルギ
ー０． ５ＭｅＶ， ドーズ量ｌ×１０目ｉｏｎｓ
／ｃｍ”にてＨｅを注入すも これにより線形層の屈折
率は再び低下し非線形層４とほぼ同じになん 次に同図
（ｃ）で保護マスク５を除去した さらに今度は２ ０
０ ０ＡのＳ１０２を光導波路用マスクとしてストラ
イブ状にバターニングを行った眞 同図（ｄ）において
Ｓｉｎｓマスクに幅３． Ｏμへ 長さ８ｍｍのスリ
ットが形成されたものに１．５Ｍｅ■のエネルギーで、
ドーズ量Ｉ Ｘ １ ０ ”ｉｏｎｓ／ｃｍ”のＨｅ
をイオン注入し１， 最後にマスクを除去した後２０
０℃でｌ時間アニールを行っｆ， アニール処理によ
りＨｅイオンが均一化されロスが城少すも イオン注入
を行った領域は屈折率がＯ．■程度低下しクラッド２ｂ
となん 光はイオンが注入されていない領域２ａ（コア
部）を伝搬すも保護マスクのスリット直下が光導波路と
なん上記のような工程により光導波路が製造され１，こ
の光導波路はクラッド部２ｂの厚みは０． ５μ八
コア部２ａの厚みｄは０．６μｍであも この光導波路
２の非線形層４と線形層３の屈折率変化は０．００１と
非常に小さく、光が導波する場合の伝搬損失は小さも〜
光導波路２に垂直な面を光学研磨し入射部１０および
出射部１２を形成した このようにして第１図に示され
る光波長変換素子が製造できも また この素子の長さ
は６ｍｍであム 第１図（ｂ）で基本波ＰＩとして半導
体レーザ光〈波長０． ８４μｍ）を入射部１０より導
波させたところシングルモード伝搬レ 波長０． ４２
μｍの高調波Ｐ２が出射部ｌ２より基板外部に取り出さ
れた 光導波路２の伝搬損失はｌｄＢ／ｃｍと小さく高
調波Ｐ２が有効に取り出された基本波４０ｍＷの入力で
２ｍＷの高調波（波長０６ ４２μｍ）を得ｔも こ
の場合の変換効率は５％であも 変換効率は従来の埋め
込み型光導波路を用いた光波長変換素子に比べて大幅に
向上しｆ，また 伝搬損失は埋め込み型光導波路とほぼ
同程度のものが得られｆ， また 光の閉じ込めも大
きく変換効率向上の一要素となっていも なお基本波
に対してマルチモード伝搬では高調波の出力が不安定で
実用的ではなし１ なｋｏ．６５〜１． ６μｍの波長の基本波を用いて
本光波長変換素子による高調波発生を確認しｔも なおマスクにＴａをもちいたがＷ等でもプロトン交換処
理およびイオン注入が同時にでき有効であも 次に本発明の光波長変換素子の第２の実施例を説明すも
光波長変換素子の構或は実施例１と同様であん 本実
施例ではＬｉＮｂＯｓ基板に対して光損傷に強いＭｇＯ
ドーブのＬｉＮｂＯ＊、Ｈｅイオンの代わりにＨイオン
を用いてイオン注入しｔも 又 光導波路にはプロト
ン交換光導波路を用いｆ， Ｈイオンは１００〜２０
０ＫｅＶの低加速エネルギーで注入でき装置も簡易とな
るという特徴を持１この実施例での変換効率は４０ｍＷ
入力で４、％であった 次に第３の実施例として本発明の光波長変換素子を光デ
ィスクの読み取りに応用した例について説明すも 第３
図にその構戒を示九 半導体レーザＩ６から出た基本波
Ｐ１はコリメータレンズ１７で平行光にされた眞 フォ
ー力シングレンズｌ８を用いて光波長変換素子ｌ５に結
合される。この基本波Ｐ１は光波長変換素子ｌ５で高調
波Ｐ２に変換され基板外に放射されも この高調波Ｐ２
をコリメータレンズ１９により平行先になるようにビー
ム整形を行う。この平行先にされた高調波Ｐ２は偏光ビ
ームスブリッタ２ｏを通過後、フォー力シングレンズ２
１で集光され光ディスク２２上に０． ６μｍのスポ
ットを結嵐 この反射信号は再び偏光ビームスブリッタ
２０を通過後、受光器２３に入射する。波長０． ８４
μ凪 出力６０ｍＷの半導体レーザ１６を用い基本波Ｐ
ｉとして４０ｍＷを光波長変換素子１５へ結合させｔも
これにより２ｍＷの高調波Ｐ２が放射され１，この
ように本発明の光波長変換素子を用いることで従来使用
していた０． ８μｍ帯の半導体レーザを用いた光デ
ィスクの読み取り系に比べて半分のスポットに絞ること
ができ光ディスクの記録密度を４倍に向上することがで
きも また本発明では高調波を光導波路から出射するこ
とにより簡単に非点収差のないスポットを得ることがで
きもなお実施例では非線形光学結晶としてＬｉＮｂＯａ
を用いたがＬｉＴａ０３等これに限ることばなへ発明の
効果 以上説明したように本発明の光波長変換素子によれば
基本波に対して非線形層および線形層を周期的に配置し
位相の不整合を補償することで高効率な光波長変換素子
を得ることができる。
も 本発明の光波長変換素子の第１の実施例の構造図を
第ｌ図に示す。この実施例では光波長変換素子としてＬ
ｉＮｂＯｓ基板１中にイオン注入を用いて作製した光導
波路を用いたもので、第ｌ図（ａ）は光波長変換素子の
斜視Ｅｌ （ｂ）は光導波路に平行な面で切った断面
図であも 第１図でＩは＋Ｚ板（Ｚ軸と垂直に切り出さ
れた基板の十側）のＬｉＮｂＯｓ基楓 ２は形威された
光導波ＩＩ １０は基本波Ｐ１の入射臥 １２は高調
波Ｐ２の出射部であも この光導波路２には線形層３お
よび非線形層４による周期構造が形成されていも 基本
波Ｐ１に対し線形層３は歪のないつまり線形の分極波を
生じ これに対し非線形層４は基本波Ｐｉに対し非線形
の分極波を発生すも又 光導波路２はイオン注入により
形成されたクラッド２ｂとコア２ａより戒っていも 同
図（ｂ）で光導波路２に入った基本波Ｐ１は位相整合長
Ｌの長さを持った非線形層４で高調波Ｐ２に変換され
次の同じくＬの長さを持った線形層３で高調波パワーは
保持されさらに次の非線形層４で高調波パワーは増す事
になん このようにして光導波路２内でパワーを増した
高調波Ｐ２は出射部ｌ２より放射されも 次にこの光波長変換素子の製造方法について図を使って
説明すも 第２図に本発明の光波長変換素子の製造工程
図を示す。まず同図（ａ）でＬｉＮｂＯ３基板１上にＴ
ａをスバッタにより蒸着した眞フォトエッチングにより
Ｔａマスク５の周期パターンを形威すも 次に同図（ｂ
）で燐酸の一種であるビロ燐酸中で２３０ｔ， １２
分間熱処理（．プロトン交換処理）を行い厚み０．５μ
ｍの線形層３を形威すも このプロトン交換により屈折
率がＬｉＮｂ０３基板１に対して０． １程度上昇す
も 又 線形層３の長さＬは２．８μｍであも 次に上
記線形層３中に通常のイオン注入を用いて加速エネルギ
ー０． ５ＭｅＶ， ドーズ量ｌ×１０目ｉｏｎｓ
／ｃｍ”にてＨｅを注入すも これにより線形層の屈折
率は再び低下し非線形層４とほぼ同じになん 次に同図
（ｃ）で保護マスク５を除去した さらに今度は２ ０
０ ０ＡのＳ１０２を光導波路用マスクとしてストラ
イブ状にバターニングを行った眞 同図（ｄ）において
Ｓｉｎｓマスクに幅３． Ｏμへ 長さ８ｍｍのスリ
ットが形成されたものに１．５Ｍｅ■のエネルギーで、
ドーズ量Ｉ Ｘ １ ０ ”ｉｏｎｓ／ｃｍ”のＨｅ
をイオン注入し１， 最後にマスクを除去した後２０
０℃でｌ時間アニールを行っｆ， アニール処理によ
りＨｅイオンが均一化されロスが城少すも イオン注入
を行った領域は屈折率がＯ．■程度低下しクラッド２ｂ
となん 光はイオンが注入されていない領域２ａ（コア
部）を伝搬すも保護マスクのスリット直下が光導波路と
なん上記のような工程により光導波路が製造され１，こ
の光導波路はクラッド部２ｂの厚みは０． ５μ八
コア部２ａの厚みｄは０．６μｍであも この光導波路
２の非線形層４と線形層３の屈折率変化は０．００１と
非常に小さく、光が導波する場合の伝搬損失は小さも〜
光導波路２に垂直な面を光学研磨し入射部１０および
出射部１２を形成した このようにして第１図に示され
る光波長変換素子が製造できも また この素子の長さ
は６ｍｍであム 第１図（ｂ）で基本波ＰＩとして半導
体レーザ光〈波長０． ８４μｍ）を入射部１０より導
波させたところシングルモード伝搬レ 波長０． ４２
μｍの高調波Ｐ２が出射部ｌ２より基板外部に取り出さ
れた 光導波路２の伝搬損失はｌｄＢ／ｃｍと小さく高
調波Ｐ２が有効に取り出された基本波４０ｍＷの入力で
２ｍＷの高調波（波長０６ ４２μｍ）を得ｔも こ
の場合の変換効率は５％であも 変換効率は従来の埋め
込み型光導波路を用いた光波長変換素子に比べて大幅に
向上しｆ，また 伝搬損失は埋め込み型光導波路とほぼ
同程度のものが得られｆ， また 光の閉じ込めも大
きく変換効率向上の一要素となっていも なお基本波
に対してマルチモード伝搬では高調波の出力が不安定で
実用的ではなし１ なｋｏ．６５〜１． ６μｍの波長の基本波を用いて
本光波長変換素子による高調波発生を確認しｔも なおマスクにＴａをもちいたがＷ等でもプロトン交換処
理およびイオン注入が同時にでき有効であも 次に本発明の光波長変換素子の第２の実施例を説明すも
光波長変換素子の構或は実施例１と同様であん 本実
施例ではＬｉＮｂＯｓ基板に対して光損傷に強いＭｇＯ
ドーブのＬｉＮｂＯ＊、Ｈｅイオンの代わりにＨイオン
を用いてイオン注入しｔも 又 光導波路にはプロト
ン交換光導波路を用いｆ， Ｈイオンは１００〜２０
０ＫｅＶの低加速エネルギーで注入でき装置も簡易とな
るという特徴を持１この実施例での変換効率は４０ｍＷ
入力で４、％であった 次に第３の実施例として本発明の光波長変換素子を光デ
ィスクの読み取りに応用した例について説明すも 第３
図にその構戒を示九 半導体レーザＩ６から出た基本波
Ｐ１はコリメータレンズ１７で平行光にされた眞 フォ
ー力シングレンズｌ８を用いて光波長変換素子ｌ５に結
合される。この基本波Ｐ１は光波長変換素子ｌ５で高調
波Ｐ２に変換され基板外に放射されも この高調波Ｐ２
をコリメータレンズ１９により平行先になるようにビー
ム整形を行う。この平行先にされた高調波Ｐ２は偏光ビ
ームスブリッタ２ｏを通過後、フォー力シングレンズ２
１で集光され光ディスク２２上に０． ６μｍのスポ
ットを結嵐 この反射信号は再び偏光ビームスブリッタ
２０を通過後、受光器２３に入射する。波長０． ８４
μ凪 出力６０ｍＷの半導体レーザ１６を用い基本波Ｐ
ｉとして４０ｍＷを光波長変換素子１５へ結合させｔも
これにより２ｍＷの高調波Ｐ２が放射され１，この
ように本発明の光波長変換素子を用いることで従来使用
していた０． ８μｍ帯の半導体レーザを用いた光デ
ィスクの読み取り系に比べて半分のスポットに絞ること
ができ光ディスクの記録密度を４倍に向上することがで
きも また本発明では高調波を光導波路から出射するこ
とにより簡単に非点収差のないスポットを得ることがで
きもなお実施例では非線形光学結晶としてＬｉＮｂＯａ
を用いたがＬｉＴａ０３等これに限ることばなへ発明の
効果 以上説明したように本発明の光波長変換素子によれば
基本波に対して非線形層および線形層を周期的に配置し
位相の不整合を補償することで高効率な光波長変換素子
を得ることができる。
また 高調波を光導波路から取り出すことができ簡単に
非点収差のないスポットを得ることができ、その実用的
効果は極めて犬き鶏
非点収差のないスポットを得ることができ、その実用的
効果は極めて犬き鶏
第Ｉ図は本発明の光波長変換素子の構或は 第２図は本
発明の光波長変換素子の製造方法を用いた第１の実施例
の工程図 第３図は光波長変換素子の第３の実施例の構
或は 第４図は従来の光波長変換素子の構或は 第５図
は従来の光波長変換素子の製造工程図であも
発明の光波長変換素子の製造方法を用いた第１の実施例
の工程図 第３図は光波長変換素子の第３の実施例の構
或は 第４図は従来の光波長変換素子の構或は 第５図
は従来の光波長変換素子の製造工程図であも
Claims (6)
- （１）非線形光学結晶中に形成された光導波路が非線形
層と線形層からなる周期構造を持つことを特徴とする光
波長変換素子。 - （２）非線形光学結晶中に線形層をプロトン交換処理お
よびイオン注入により形成する工程と前記非線形光学結
晶中に光導波路を形成する工程を含むことを特徴とする
光波長変換素子の製造方法。 - （３）非線形光学結晶がＬｉＮｂ＿ＸＴａ＿１＿−＿Ｘ
Ｏ＿３（０≦Ｘ≦１）基板であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光波長変換素子又は同第２項記
載の光波長変換素子の製造方法。 - （４）非線形光学結晶がＭｇＯドープのＬｉＮｂ＿ＸＴ
ａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０≦Ｘ≦１）基板であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換素子
又は同第２項記載の光波長変換素子の製造方法。 - （５）光導波路がプロトン交換光導波路であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換素子又
は同第２項記載の光波長変換素子の製造方法。 - （６）光導波路がイオン注入により形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換素
子又は同第２項記載の光波長変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186416A JPH0350533A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 光波長変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186416A JPH0350533A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 光波長変換素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350533A true JPH0350533A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16188042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186416A Pending JPH0350533A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 光波長変換素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350533A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252490A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Hitachi Ltd | 光半導体素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3842289A (en) * | 1973-05-18 | 1974-10-15 | California Inst Of Techn | Thin film waveguide with a periodically modulated nonlinear optical coefficient |
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1989
- 1989-07-19 JP JP1186416A patent/JPH0350533A/ja active Pending
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