JPH04369884A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH04369884A JPH04369884A JP3146232A JP14623291A JPH04369884A JP H04369884 A JPH04369884 A JP H04369884A JP 3146232 A JP3146232 A JP 3146232A JP 14623291 A JP14623291 A JP 14623291A JP H04369884 A JPH04369884 A JP H04369884A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、情報の光通信または
光消去・記憶・再生などに用いることのできるＡｌＧａ
Ａｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザに係わり、特
に２回以上の結晶成長工程を必要とする横モード制御型
の半導体レーザおよびその製造方法に関するものである
。
光消去・記憶・再生などに用いることのできるＡｌＧａ
Ａｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザに係わり、特
に２回以上の結晶成長工程を必要とする横モード制御型
の半導体レーザおよびその製造方法に関するものである
。
【０００２】
【従来の説明】レーザプリンタおよび光ディスク等の情
報処理装置用光源として、ＡｌＧａＡｓ系やＡｌＧａＩ
ｎＰ系の短波長半導体レーザの開発が活発に行なわれて
いる。従来の横モード制御型の半導体レーザは図４に示
すような断面構造であった。また、この従来の半導体レ
ーザの製造方法は図５（ａ） 〜（ｄ） に示される。
報処理装置用光源として、ＡｌＧａＡｓ系やＡｌＧａＩ
ｎＰ系の短波長半導体レーザの開発が活発に行なわれて
いる。従来の横モード制御型の半導体レーザは図４に示
すような断面構造であった。また、この従来の半導体レ
ーザの製造方法は図５（ａ） 〜（ｄ） に示される。
【０００３】図４において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２
はｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層（ｘ＝０．
４）、３はＧａＡｓ活性層、４０はｐ−ＡｌＸ Ｇａ１
−Ｘ Ａｓクラッド層（ｘ＝０．４）、６０はｎ−Ａｌ
Ｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭窄層（ｘ＝０．６）、７０
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、１００および１０１は電
極である。このように構成された従来の半導体レーザの
製造方法を図５（ａ）〜（ｄ） を参照しながら説明す
る。
はｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層（ｘ＝０．
４）、３はＧａＡｓ活性層、４０はｐ−ＡｌＸ Ｇａ１
−Ｘ Ａｓクラッド層（ｘ＝０．４）、６０はｎ−Ａｌ
Ｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭窄層（ｘ＝０．６）、７０
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、１００および１０１は電
極である。このように構成された従来の半導体レーザの
製造方法を図５（ａ）〜（ｄ） を参照しながら説明す
る。
【０００４】半導体レーザはＭＯＶＰＥ法により形成さ
れる。先ず、図５（ａ） に示す第１の結晶成長工程で
は、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓクラッド層２，ＧａＡｓ活性層３およびｐ−Ａｌ
ｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４０が順次積層される
。次に、図５（ｂ） に示すように、ＳｉＯ２ マスク
５０を用いてｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層
４０にエッチングを施すことにより、＜１１０＞方向の
メサストライプ５１（断面がメサ形のストライプ状部）
が形成される。
れる。先ず、図５（ａ） に示す第１の結晶成長工程で
は、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓクラッド層２，ＧａＡｓ活性層３およびｐ−Ａｌ
ｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４０が順次積層される
。次に、図５（ｂ） に示すように、ＳｉＯ２ マスク
５０を用いてｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層
４０にエッチングを施すことにより、＜１１０＞方向の
メサストライプ５１（断面がメサ形のストライプ状部）
が形成される。
【０００５】次に、図５（ｃ） に示す第２の結晶成長
工程では、ＳｉＯ２ マスク５０を用いて、メサストラ
イプ４０ａの両側に選択的にｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓ電流狭窄層６０が埋め込まれる。次に、ＳｉＯ２
マスク５０を除去した後、図５（ｄ） に示す第３の結
晶成長工程では、全面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層７０
が積層される。そして、最後にｐ側に電極１００および
ｎ側に電極１０１が形成される。
工程では、ＳｉＯ２ マスク５０を用いて、メサストラ
イプ４０ａの両側に選択的にｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓ電流狭窄層６０が埋め込まれる。次に、ＳｉＯ２
マスク５０を除去した後、図５（ｄ） に示す第３の結
晶成長工程では、全面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層７０
が積層される。そして、最後にｐ側に電極１００および
ｎ側に電極１０１が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体レーザの製造方法では、ＭＯＶＰＥ法
によるｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ層６０の選択的な
埋め込み成長は容易ではない。すなわち、図５（ｃ）に
示すように、メサストライプ４０ａの側面に選択的にｎ
−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭窄層６０を埋め込む
際、ＳｉＯ２ マスク５０上に多結晶（図示せず）が堆
積し易く、しかも、この多結晶はＳｉＯ２ マスク５０
を除去しても完全に除去することができない。これによ
り、図５（ｄ） に示す第３の結晶成長工程の際に、ピ
ンホール等の欠陥が発生するという問題があった。上記
多結晶は、特に、ｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭
窄層６０のＡｌＡｓ組成Ｘが大きいほどＳｉＯ２マスク
５０上に堆積し易く、したがって、多結晶の堆積を低減
するためには、ＡｌＡｓ組成Ｘの小さなｎ−Ａｌｘ Ｇ
ａ１−Ｘ Ａｓ電流狭窄層６０を埋め込むことが好まし
い。
うな従来の半導体レーザの製造方法では、ＭＯＶＰＥ法
によるｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ層６０の選択的な
埋め込み成長は容易ではない。すなわち、図５（ｃ）に
示すように、メサストライプ４０ａの側面に選択的にｎ
−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭窄層６０を埋め込む
際、ＳｉＯ２ マスク５０上に多結晶（図示せず）が堆
積し易く、しかも、この多結晶はＳｉＯ２ マスク５０
を除去しても完全に除去することができない。これによ
り、図５（ｄ） に示す第３の結晶成長工程の際に、ピ
ンホール等の欠陥が発生するという問題があった。上記
多結晶は、特に、ｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭
窄層６０のＡｌＡｓ組成Ｘが大きいほどＳｉＯ２マスク
５０上に堆積し易く、したがって、多結晶の堆積を低減
するためには、ＡｌＡｓ組成Ｘの小さなｎ−Ａｌｘ Ｇ
ａ１−Ｘ Ａｓ電流狭窄層６０を埋め込むことが好まし
い。
【０００７】しかし、屈折率導波による横モード制御構
造の半導体レーザを形成するためには、ｐ−Ａｌｘ Ｇ
ａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４０よりＡｌＡｓ組成Ｘの大
きなｎ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層６０をｐ−ＡｌｘＧａ
１−Ｘ Ａｓクラッド層４の表面に選択的に埋込み成長
させる必要がある。したがって、前述多結晶の堆積を低
減しようとして、ｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭
窄層６０のＡｌＡｓ組成Ｘを小さくするには限界がある
。
造の半導体レーザを形成するためには、ｐ−Ａｌｘ Ｇ
ａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４０よりＡｌＡｓ組成Ｘの大
きなｎ−ＡｌＧａＡｓ電流狭窄層６０をｐ−ＡｌｘＧａ
１−Ｘ Ａｓクラッド層４の表面に選択的に埋込み成長
させる必要がある。したがって、前述多結晶の堆積を低
減しようとして、ｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭
窄層６０のＡｌＡｓ組成Ｘを小さくするには限界がある
。
【０００８】その結果、メサストライプ４０ａを有する
ｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４０の両側に
、ｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭窄層６０を埋め
込む際に生じる多結晶の堆積を完全になくすことはでき
ず、このような欠陥は半導体レーザの長寿命化の障害と
なっていた。 この発明の目的は、上記問題点に鑑み、クラッド層の有
するメサ構造の両側に電流狭窄層を埋め込む際に生じる
多結晶の堆積をなくし、長寿命化を実現した横モード制
御型の半導体レーザおよびその製造方法を提供すること
である。
ｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４０の両側に
、ｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ電流狭窄層６０を埋め
込む際に生じる多結晶の堆積を完全になくすことはでき
ず、このような欠陥は半導体レーザの長寿命化の障害と
なっていた。 この発明の目的は、上記問題点に鑑み、クラッド層の有
するメサ構造の両側に電流狭窄層を埋め込む際に生じる
多結晶の堆積をなくし、長寿命化を実現した横モード制
御型の半導体レーザおよびその製造方法を提供すること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体レ
ーザは、化合物半導体基板上に形成した第１導電型の第
１クラッド層と、この第１クラッド層上に形成した活性
層と、この活性層上に形成した断面がメサ形のストライ
プ状部を有する第２導電型の第２クラッド層と、このス
トライプ状部上に形成した断面が三角形状であり表面が
非成長面となった第２導電型のコンタクト層と、ストラ
イプ状部の両側に埋め込んだ第１導電型の第１埋め込み
層と、この第１埋め込み層上およびコンタクト層上に形
成した表面が略平坦である第２導電型の第２埋め込み層
とを備えたものである。そして、第１クラッド層，活性
層，第２クラッド層，コンタクト層，第１埋め込み層お
よび第２埋め込み層は格子整合のとれたものである。
ーザは、化合物半導体基板上に形成した第１導電型の第
１クラッド層と、この第１クラッド層上に形成した活性
層と、この活性層上に形成した断面がメサ形のストライ
プ状部を有する第２導電型の第２クラッド層と、このス
トライプ状部上に形成した断面が三角形状であり表面が
非成長面となった第２導電型のコンタクト層と、ストラ
イプ状部の両側に埋め込んだ第１導電型の第１埋め込み
層と、この第１埋め込み層上およびコンタクト層上に形
成した表面が略平坦である第２導電型の第２埋め込み層
とを備えたものである。そして、第１クラッド層，活性
層，第２クラッド層，コンタクト層，第１埋め込み層お
よび第２埋め込み層は格子整合のとれたものである。
【００１０】請求項２記載の半導体レーザの製造方法は
、次のようにする。化合物半導体基板上に格子整合のと
れた第１導電型の第１クラッド層，活性層および第２導
電型の第２クラッド層を少なくとも順次積層してなる半
導体層を形成する。この半導体層の表面にストライプ窓
を有する選択成長用マスクを形成する。この選択成長用
マスクを用いてストライプ窓上に断面が三角形状であり
表面が非成長面となった第２導電型のコンタクト層を選
択的に形成する。この断面が三角形状である第２導電型
のコンタクト層を選択エッチングマスクとして用いて、
第２導電型の第２クラッド層を所望の厚みを残して選択
エッチングすることにより断面がメサ形のストライプ状
部を形成する。そして、このストライプ状部の両側に第
１導電型の第１埋込み層を形成し、この第１の埋め込み
層上に第２導電型の第２埋込み層を形成する。
、次のようにする。化合物半導体基板上に格子整合のと
れた第１導電型の第１クラッド層，活性層および第２導
電型の第２クラッド層を少なくとも順次積層してなる半
導体層を形成する。この半導体層の表面にストライプ窓
を有する選択成長用マスクを形成する。この選択成長用
マスクを用いてストライプ窓上に断面が三角形状であり
表面が非成長面となった第２導電型のコンタクト層を選
択的に形成する。この断面が三角形状である第２導電型
のコンタクト層を選択エッチングマスクとして用いて、
第２導電型の第２クラッド層を所望の厚みを残して選択
エッチングすることにより断面がメサ形のストライプ状
部を形成する。そして、このストライプ状部の両側に第
１導電型の第１埋込み層を形成し、この第１の埋め込み
層上に第２導電型の第２埋込み層を形成する。
【００１１】請求項３記載の半導体レーザの製造方法は
、次のようにする。化合物半導体基板上に格子整合のと
れた第１導電型の第１クラッド層，活性層，第２導電型
の第２クラッド層および第２導電型のコンタクト層を少
なくとも順次積層してなる半導体層を形成する。コンタ
クト層をエッチングすることにより断面が三角形状であ
り表面が非成長面となったコンタクト層を形成する。 この断面が三角形状であるコンタクト層を選択エッチン
グマスクとして用いて、第２クラッド層を所望の厚さを
残して選択エッチングして断面がメサ形のストライプ状
部を形成する。そして、このストライプ状部の両側に第
１導電型の第１埋込み層を形成し、この第１の埋め込み
層上に第２導電型の第２埋込み層を形成する。
、次のようにする。化合物半導体基板上に格子整合のと
れた第１導電型の第１クラッド層，活性層，第２導電型
の第２クラッド層および第２導電型のコンタクト層を少
なくとも順次積層してなる半導体層を形成する。コンタ
クト層をエッチングすることにより断面が三角形状であ
り表面が非成長面となったコンタクト層を形成する。 この断面が三角形状であるコンタクト層を選択エッチン
グマスクとして用いて、第２クラッド層を所望の厚さを
残して選択エッチングして断面がメサ形のストライプ状
部を形成する。そして、このストライプ状部の両側に第
１導電型の第１埋込み層を形成し、この第１の埋め込み
層上に第２導電型の第２埋込み層を形成する。
【００１２】
【作用】請求項１記載の構成によれば、第２クラッド層
のストライプ状部上に形成した断面が三角形状のコンタ
クト層は表面が非成長面であるため、第２クラッド層の
ストライプ状部の両側に第１埋め込み層を形成する際に
、従来の酸化膜からなるマスクの代用とすることができ
る。これにより、多結晶の堆積を完全になくすことがで
きる。
のストライプ状部上に形成した断面が三角形状のコンタ
クト層は表面が非成長面であるため、第２クラッド層の
ストライプ状部の両側に第１埋め込み層を形成する際に
、従来の酸化膜からなるマスクの代用とすることができ
る。これにより、多結晶の堆積を完全になくすことがで
きる。
【００１３】また、断面がメサ形のストライプ状部の両
側に形成した第１埋め込み層は電流狭窄層となる。これ
により、電流狭窄および光の閉じ込めが容易となり、低
しきい値電流で横モードを安定させて信頼性を高めるこ
とができる。また、第２埋め込み層は、断面が三角形状
のコンタクト層の表面に直接接触しており、この第２埋
め込み層の表面は略平坦である。したがって、断面が三
角形状のコンタクト層および第２埋め込み層からなる素
子表面は一様にコンタクト層として働き、表面は略平坦
であるので、電極との密着は良好となり接触抵抗を十分
に小さくでき、熱抵抗を低減することができる。
側に形成した第１埋め込み層は電流狭窄層となる。これ
により、電流狭窄および光の閉じ込めが容易となり、低
しきい値電流で横モードを安定させて信頼性を高めるこ
とができる。また、第２埋め込み層は、断面が三角形状
のコンタクト層の表面に直接接触しており、この第２埋
め込み層の表面は略平坦である。したがって、断面が三
角形状のコンタクト層および第２埋め込み層からなる素
子表面は一様にコンタクト層として働き、表面は略平坦
であるので、電極との密着は良好となり接触抵抗を十分
に小さくでき、熱抵抗を低減することができる。
【００１４】請求項２記載の構成によれば、ストライプ
窓上に断面が三角形状であり表面が非成長面となったコ
ンタクト層を選択的に形成する。これにより、第２クラ
ッド層が有するストライプ状部の両側に第１埋め込み層
を形成する際、第１埋め込み層はコンタクト層上に成長
することがなく、ストライプ状部の両側のみに成長する
。そして、第１埋め込み層によりストライプ状部の両側
を埋め込んだ後に、第１埋め込み層上に第２埋め込み層
を形成することにより、断面が三角形状のコンタクト層
の表面に第２埋め込み層を直接接触させる。
窓上に断面が三角形状であり表面が非成長面となったコ
ンタクト層を選択的に形成する。これにより、第２クラ
ッド層が有するストライプ状部の両側に第１埋め込み層
を形成する際、第１埋め込み層はコンタクト層上に成長
することがなく、ストライプ状部の両側のみに成長する
。そして、第１埋め込み層によりストライプ状部の両側
を埋め込んだ後に、第１埋め込み層上に第２埋め込み層
を形成することにより、断面が三角形状のコンタクト層
の表面に第２埋め込み層を直接接触させる。
【００１５】すなわち、断面が三角形状であり表面が非
成長面となったコンタクト層を形成することにより、従
来のように酸化膜をマスクとして用いることがなく、ス
トライプ状部の両側のみに、電流狭窄層となる任意の組
成の第１埋め込み層を埋め込むことができる。したがっ
て、従来においてクラッド層の有するメサ構造の両側に
電流狭窄層を埋め込む際に生じていた多結晶の堆積を完
全になくすことができ、これにより、ピンホール等の欠
陥の発生をなくすことができる。また、断面が三角形状
のコンタクト層の表面に第２埋め込み層を直接接触させ
ることにより、素子表面を一様なコンタクト層として動
作させることができる。
成長面となったコンタクト層を形成することにより、従
来のように酸化膜をマスクとして用いることがなく、ス
トライプ状部の両側のみに、電流狭窄層となる任意の組
成の第１埋め込み層を埋め込むことができる。したがっ
て、従来においてクラッド層の有するメサ構造の両側に
電流狭窄層を埋め込む際に生じていた多結晶の堆積を完
全になくすことができ、これにより、ピンホール等の欠
陥の発生をなくすことができる。また、断面が三角形状
のコンタクト層の表面に第２埋め込み層を直接接触させ
ることにより、素子表面を一様なコンタクト層として動
作させることができる。
【００１６】請求項３記載の構成によれば、第２クラッ
ド層上に積層したコンタクト層を断面が三角形状のスト
ライプにエッチングすることにより、表面が非成長面と
なった三角形状のコンタクト層を形成する。これにより
、第２クラッド層が有するストライプ状部の両側に第１
埋め込み層を形成する際、第１埋め込み層はコンタクト
層上に成長することがなく、ストライプ状部の両側のみ
に成長する。そして、第１埋め込み層によりストライプ
状部の両側を埋め込んだ後に、第１埋め込み層上に第２
埋め込み層を形成することにより、コンタクト層の表面
に第２埋め込み層を直接接触させることができる。
ド層上に積層したコンタクト層を断面が三角形状のスト
ライプにエッチングすることにより、表面が非成長面と
なった三角形状のコンタクト層を形成する。これにより
、第２クラッド層が有するストライプ状部の両側に第１
埋め込み層を形成する際、第１埋め込み層はコンタクト
層上に成長することがなく、ストライプ状部の両側のみ
に成長する。そして、第１埋め込み層によりストライプ
状部の両側を埋め込んだ後に、第１埋め込み層上に第２
埋め込み層を形成することにより、コンタクト層の表面
に第２埋め込み層を直接接触させることができる。
【００１７】すなわち、断面が三角形状であり表面が非
成長面となったコンタクト層を形成することにより、従
来のように酸化膜をマスクとして用いることがなく、ス
トライプ状部の両側のみに、電流狭窄層となる任意の組
成の第１埋め込み層を埋め込むことができる。したがっ
て、従来においてクラッド層の有するメサ構造の両側に
電流狭窄層を埋め込む際に生じていた多結晶の堆積を完
全になくすことができ、これにより、ピンホール等の欠
陥の発生をなくすことができる。また、断面が三角形状
のコンタクト層の表面に第２埋め込み層を直接接触させ
ることにより、素子表面を一様なコンタクト層として動
作させることができる。
成長面となったコンタクト層を形成することにより、従
来のように酸化膜をマスクとして用いることがなく、ス
トライプ状部の両側のみに、電流狭窄層となる任意の組
成の第１埋め込み層を埋め込むことができる。したがっ
て、従来においてクラッド層の有するメサ構造の両側に
電流狭窄層を埋め込む際に生じていた多結晶の堆積を完
全になくすことができ、これにより、ピンホール等の欠
陥の発生をなくすことができる。また、断面が三角形状
のコンタクト層の表面に第２埋め込み層を直接接触させ
ることにより、素子表面を一様なコンタクト層として動
作させることができる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の一実施例の半導体レーザお
よびその製造方法を図面を参照しながら説明する。図１
はこの発明の一実施例の半導体レーザの構成を示す断面
図である。図１において、１は化合物半導体基板である
ｎ−ＧａＡｓ基板、２は第１導電型の第１クラッド層と
なるｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−ＸＡｓクラッド層（ｘ＝０．
４）、３はＧａＡｓ活性層、４は第２導電型の第２クラ
ッド層となるｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層
（ｘ＝０．６）、８は第１導電型の第１埋め込み層とな
るｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋め込み層（ｘ＝０．
４）であり、電流狭窄層となる。また、９は第２導電型
のコンタクト層となるｐ−ＧａＡｓコンタクト層であり
、断面が三角形状であり、表面は非成長面である。１０
は第２導電型の第２埋め込み層となるｐ−ＧａＡｓ埋め
込み層である。
よびその製造方法を図面を参照しながら説明する。図１
はこの発明の一実施例の半導体レーザの構成を示す断面
図である。図１において、１は化合物半導体基板である
ｎ−ＧａＡｓ基板、２は第１導電型の第１クラッド層と
なるｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−ＸＡｓクラッド層（ｘ＝０．
４）、３はＧａＡｓ活性層、４は第２導電型の第２クラ
ッド層となるｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層
（ｘ＝０．６）、８は第１導電型の第１埋め込み層とな
るｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋め込み層（ｘ＝０．
４）であり、電流狭窄層となる。また、９は第２導電型
のコンタクト層となるｐ−ＧａＡｓコンタクト層であり
、断面が三角形状であり、表面は非成長面である。１０
は第２導電型の第２埋め込み層となるｐ−ＧａＡｓ埋め
込み層である。
【００１９】第１図に示すように、半導体レーザは、ｎ
−ＧａＡｓ基板１上に形成したｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓクラッド層２と、このｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓクラッド層２に形成したＧａＡｓ活性層３と、この
ＧａＡｓ活性層３上に形成した断面がメサ形のストライ
プ状部４ａを有するｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラ
ッド層４と、このストライプ状部４ａ上に形成した断面
が三角形状であり表面が非成長面となったｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層９と、ストライプ状部４ａの両側に埋め込
んだｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋め込み層８と、こ
のｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋め込み層８上および
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９上に形成した表面が略平坦
であるｐ−ＧａＡｓ埋め込み層１０とを備えたものであ
る。
−ＧａＡｓ基板１上に形成したｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓクラッド層２と、このｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ
Ａｓクラッド層２に形成したＧａＡｓ活性層３と、この
ＧａＡｓ活性層３上に形成した断面がメサ形のストライ
プ状部４ａを有するｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラ
ッド層４と、このストライプ状部４ａ上に形成した断面
が三角形状であり表面が非成長面となったｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層９と、ストライプ状部４ａの両側に埋め込
んだｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋め込み層８と、こ
のｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋め込み層８上および
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９上に形成した表面が略平坦
であるｐ−ＧａＡｓ埋め込み層１０とを備えたものであ
る。
【００２０】このように構成した半導体レーザでは、ｎ
−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋込み層８は電流狭窄層と
して働き、光導波は、ストライプ状にメサ加工されたｐ
−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４により行なわ
れる。また、ｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０は、三角形状の
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９に接触しているため、素子
表面全体がコンタクト層として働く。さらに、ｐ−Ｇａ
Ａｓ埋込み層１０および三角形状のｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層９の上面は、ほぼ平坦に形成されているため、電
極１０１との密着は良好となり、これにより、接触抵抗
および熱抵抗の低減、かつ容易にｐサイドダウンにマウ
ントすることが可能となる。
−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋込み層８は電流狭窄層と
して働き、光導波は、ストライプ状にメサ加工されたｐ
−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４により行なわ
れる。また、ｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０は、三角形状の
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９に接触しているため、素子
表面全体がコンタクト層として働く。さらに、ｐ−Ｇａ
Ａｓ埋込み層１０および三角形状のｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層９の上面は、ほぼ平坦に形成されているため、電
極１０１との密着は良好となり、これにより、接触抵抗
および熱抵抗の低減、かつ容易にｐサイドダウンにマウ
ントすることが可能となる。
【００２１】また、ストライプ状部４ａ上に形成した断
面が三角形状のｐ−ＧａＡｓコンタクト層９は表面が非
成長面であるため、ストライプ状部４ａの両側に電流狭
窄層となるｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋め込み層８
を形成する際に従来の酸化膜からなるマスクの代用とす
ることができる。これにより、多結晶の堆積を完全にな
くすことができる。
面が三角形状のｐ−ＧａＡｓコンタクト層９は表面が非
成長面であるため、ストライプ状部４ａの両側に電流狭
窄層となるｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓ埋め込み層８
を形成する際に従来の酸化膜からなるマスクの代用とす
ることができる。これにより、多結晶の堆積を完全にな
くすことができる。
【００２２】以下、上述の半導体レーザの製造方法につ
いて説明する。図２はこの発明の第１の実施例の半導体
レーザの製造方法を示す工程順断面図である。なお、図
１と同様の部分には同符号を付した。結晶成長は減圧Ｍ
ＯＶＰＥ法であり、３つのステップを歩む。第１、第２
および第３のＭＯＶＰＥ成長は、成長温度７５０〔°Ｃ
〕、原料ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウム），Ｔ
ＭＡ（トリメチルアルミニウム），ＡｓＨ３ （アルシ
ン）、ＰＨ３ （ホスフィン）、ドーパントガスとして
Ｈ２ Ｓｅ（セレン化水素）、ＤＭＺ（ジメチル亜鉛）
を用い、５０Ｔｏｒｒの減圧下で行なう。
いて説明する。図２はこの発明の第１の実施例の半導体
レーザの製造方法を示す工程順断面図である。なお、図
１と同様の部分には同符号を付した。結晶成長は減圧Ｍ
ＯＶＰＥ法であり、３つのステップを歩む。第１、第２
および第３のＭＯＶＰＥ成長は、成長温度７５０〔°Ｃ
〕、原料ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウム），Ｔ
ＭＡ（トリメチルアルミニウム），ＡｓＨ３ （アルシ
ン）、ＰＨ３ （ホスフィン）、ドーパントガスとして
Ｈ２ Ｓｅ（セレン化水素）、ＤＭＺ（ジメチル亜鉛）
を用い、５０Ｔｏｒｒの減圧下で行なう。
【００２３】先ず、図２（ａ） に示すように、第１回
目のＭＯＶＰＥ成長により、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、
膜厚１．５〔μｍ〕のｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓク
ラッド層２（ｘ＝０．４），膜厚０．０８〔μｍ〕のＧ
ａＡｓ活性層３および膜厚１．５〔μｍ〕のｐ−Ａｌｘ
Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４（ｘ＝０．４）を順次
エピタキシャル成長させる。
目のＭＯＶＰＥ成長により、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、
膜厚１．５〔μｍ〕のｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓク
ラッド層２（ｘ＝０．４），膜厚０．０８〔μｍ〕のＧ
ａＡｓ活性層３および膜厚１．５〔μｍ〕のｐ−Ａｌｘ
Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４（ｘ＝０．４）を順次
エピタキシャル成長させる。
【００２４】次に、図２（ｂ）に示すように、ｐ−Ａｌ
ｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４上に選択成長用マス
クとなるＳｉＯ２ マスク１１を被着し、２〔μｍ〕幅
の＜１１０＞方向のストライプ窓Ｘを形成した後、第２
回目のＭＯＶＰＥ成長により、ストライプ窓上Ｘに選択
的にｐ−ＧａＡｓコンタクト層９をエピタキシャル成長
させる。 この際、成長させる材料がＧａＡｓであるため、ＳｉＯ
２ マスク１１上には、従来のような多結晶の堆積は見
られず、ストライプ窓部Ｘのみに（１１１）Ｂ面を表面
とするｐ−ＧａＡｓコンタクト層９がピラミッド状に成
長する。このｐ−ＧａＡｓコンタクト層９の断面は三角
形状となる。（１１１）Ｂ面上にはＧａＡｓの成長が起
こらないためピラミッド状の成長が終わった後は、その
ままの形状が保存される。したがって、ストライプ窓部
Ｘの幅を定めてやれば、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９の
高さは一義的に定まり、このことは多少成長時間が狂っ
ても形状保存されるため再現性が良い。
ｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層４上に選択成長用マス
クとなるＳｉＯ２ マスク１１を被着し、２〔μｍ〕幅
の＜１１０＞方向のストライプ窓Ｘを形成した後、第２
回目のＭＯＶＰＥ成長により、ストライプ窓上Ｘに選択
的にｐ−ＧａＡｓコンタクト層９をエピタキシャル成長
させる。 この際、成長させる材料がＧａＡｓであるため、ＳｉＯ
２ マスク１１上には、従来のような多結晶の堆積は見
られず、ストライプ窓部Ｘのみに（１１１）Ｂ面を表面
とするｐ−ＧａＡｓコンタクト層９がピラミッド状に成
長する。このｐ−ＧａＡｓコンタクト層９の断面は三角
形状となる。（１１１）Ｂ面上にはＧａＡｓの成長が起
こらないためピラミッド状の成長が終わった後は、その
ままの形状が保存される。したがって、ストライプ窓部
Ｘの幅を定めてやれば、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９の
高さは一義的に定まり、このことは多少成長時間が狂っ
ても形状保存されるため再現性が良い。
【００２５】次に、ＳｉＯ２ マスク１１を除去した後
、図２（ｃ）に示すように、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
９をマスクとして用いて、選択的にｐ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層４を所望の厚み（例えば１．３〔μｍ〕）にエ
ッチングすることにより、断面がメサ形のストライプ状
部４ａを有するｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４を形成す
る。
、図２（ｃ）に示すように、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
９をマスクとして用いて、選択的にｐ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層４を所望の厚み（例えば１．３〔μｍ〕）にエ
ッチングすることにより、断面がメサ形のストライプ状
部４ａを有するｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４を形成す
る。
【００２６】次に、図２（ｄ）に示すように、第３回目
のＭＯＶＰＥ成長により、ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋込み層８
（ｘ＝０．６）およびｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０を連続
的にエピタキシャル成長させる。ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋込
み層８によりｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４が埋め込ま
れるまでは、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９の（１１１）
Ｂ面上には成長が起こらないので、例えばｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ埋込み層８の厚みを１〔μｍ〕とすると、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層９はｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０の成長
中に埋込まれることになる。したがって、成長膜厚を制
御することにより、表面が略平坦なｐ−ＧａＡｓ埋め込
み層１０を得ることができ、全面がコンタクト層として
働くこととなる。
のＭＯＶＰＥ成長により、ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋込み層８
（ｘ＝０．６）およびｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０を連続
的にエピタキシャル成長させる。ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋込
み層８によりｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４が埋め込ま
れるまでは、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９の（１１１）
Ｂ面上には成長が起こらないので、例えばｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ埋込み層８の厚みを１〔μｍ〕とすると、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層９はｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０の成長
中に埋込まれることになる。したがって、成長膜厚を制
御することにより、表面が略平坦なｐ−ＧａＡｓ埋め込
み層１０を得ることができ、全面がコンタクト層として
働くこととなる。
【００２７】その後、表面のｐ側の電極１０１およびｎ
側の電極１００を被着すると、図１に示した半導体レー
ザが得られる。以上のようにして形成した半導体レーザ
は低しきい値電流て安定な単一横モード発振を達成でき
るとともに、ピンホールのような欠陥が発生せず長寿命
化を図れた。
側の電極１００を被着すると、図１に示した半導体レー
ザが得られる。以上のようにして形成した半導体レーザ
は低しきい値電流て安定な単一横モード発振を達成でき
るとともに、ピンホールのような欠陥が発生せず長寿命
化を図れた。
【００２８】図３はこの発明の第２の実施例の半導体レ
ーザの製造方法を示す工程順断面図である。なお、図１
と同様の部分には同符号を付した。結晶成長は上述第１
の実施例と同様の減圧ＭＯＶＰＥ法であり、２つのステ
ップを歩む。先ず、図３（ａ） に示すように、第１回
目のＭＯＶＰＥ成長により、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、
膜厚１．５〔μｍ〕のｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓク
ラッド層２（ｘ＝０．４），膜厚０．０８〔μｍ〕のＧ
ａＡｓ活性層３，膜厚１．５〔μｍ〕のｐ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層４（ｘ＝０．４）および膜厚４．０〔μｍ
〕のｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２を順次エピタキシャ
ル成長させる。
ーザの製造方法を示す工程順断面図である。なお、図１
と同様の部分には同符号を付した。結晶成長は上述第１
の実施例と同様の減圧ＭＯＶＰＥ法であり、２つのステ
ップを歩む。先ず、図３（ａ） に示すように、第１回
目のＭＯＶＰＥ成長により、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、
膜厚１．５〔μｍ〕のｎ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓク
ラッド層２（ｘ＝０．４），膜厚０．０８〔μｍ〕のＧ
ａＡｓ活性層３，膜厚１．５〔μｍ〕のｐ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層４（ｘ＝０．４）および膜厚４．０〔μｍ
〕のｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２を順次エピタキシャ
ル成長させる。
【００２９】次に、図３（ｂ）に示すように、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層１２上にＳｉＯ２ マスク１３を被着
し、２〔μｍ〕幅の＜１１０＞方向のストライプを形成
した後、これをエッチングマスクとして燐酸系エッチャ
ントでｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２をエッチングする
ことにより、表面が（１１１）Ｂ面であり、断面が三角
形状のｐ−ＧａＡｓコンタクト層９を形成する。
Ａｓコンタクト層１２上にＳｉＯ２ マスク１３を被着
し、２〔μｍ〕幅の＜１１０＞方向のストライプを形成
した後、これをエッチングマスクとして燐酸系エッチャ
ントでｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２をエッチングする
ことにより、表面が（１１１）Ｂ面であり、断面が三角
形状のｐ−ＧａＡｓコンタクト層９を形成する。
【００３０】次に、ＳｉＯ２ マスク１３を除去した後
、図３（ｃ）に示すように、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
９をマスクとして、選択的にｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層４を所望の厚み（例えば１．３〔μｍ〕）エッチング
することにより、断面がメサ形のストライプ状部４ａを
有するｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４を形成する。次に
、図３（ｄ） に示すように、第２回目のＭＯＶＰＥ成
長により、ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋込み層８（ｘ＝０．６）
およびｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０を連続的に成長させる
。ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４が埋め込まれるまでは
、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９の表面である（１１１）
Ｂ面上には成長が起こらないので、例えばｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ埋込み層８の厚みを１〔μｍ〕とすると、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層９はｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０の成長
中に埋込まれることになる。したがって、成長膜厚を制
御することにより、表面が略平坦なｐ−ＧａＡｓ埋め込
み層１０を得ることができ、全面がコンタクト層として
働くこととなる。
、図３（ｃ）に示すように、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
９をマスクとして、選択的にｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層４を所望の厚み（例えば１．３〔μｍ〕）エッチング
することにより、断面がメサ形のストライプ状部４ａを
有するｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４を形成する。次に
、図３（ｄ） に示すように、第２回目のＭＯＶＰＥ成
長により、ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋込み層８（ｘ＝０．６）
およびｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０を連続的に成長させる
。ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４が埋め込まれるまでは
、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９の表面である（１１１）
Ｂ面上には成長が起こらないので、例えばｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ埋込み層８の厚みを１〔μｍ〕とすると、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層９はｐ−ＧａＡｓ埋込み層１０の成長
中に埋込まれることになる。したがって、成長膜厚を制
御することにより、表面が略平坦なｐ−ＧａＡｓ埋め込
み層１０を得ることができ、全面がコンタクト層として
働くこととなる。
【００３１】その後、表面のｐ側の電極１０１およびｎ
側の電極１００を被着すると、図１に示した半導体レー
ザが得られる。以上のようにして形成した半導体レーザ
は、低しきい値電流で安定な単一横モード発振を達成で
きるとともに、ピンホールのような欠陥が発生せず長寿
命化を図れた。
側の電極１００を被着すると、図１に示した半導体レー
ザが得られる。以上のようにして形成した半導体レーザ
は、低しきい値電流で安定な単一横モード発振を達成で
きるとともに、ピンホールのような欠陥が発生せず長寿
命化を図れた。
【００３２】このように、第１および第２の実施例の半
導体レーザの製造方法によれば、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層４の有する断面がメサ形のストライプ状部４ａ上
に、断面が三角形状であり表面が非成長面となったｐ−
ＧａＡｓコンタクト層９を形成することにより、従来の
ように酸化膜をマスクとして用いることがなく、ストラ
イプ状部４ａの両側のみに、電流狭窄層となるｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ埋込み層８を埋め込むことができる。また、ｐ
−ＧａＡｓコンタクト層９およびｐ−ＧａＡｓ埋込み層
１０は直接接触しているため、素子表面は一様なコンタ
クト層として動作することとなる。したがって、従来に
おいてクラッド層の有するメサ構造の両側に電流狭窄層
を埋め込む際に生じていた多結晶の堆積を完全になくす
ことができ、これにより、ピンホール等の欠陥の発生を
なくすことができる。
導体レーザの製造方法によれば、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層４の有する断面がメサ形のストライプ状部４ａ上
に、断面が三角形状であり表面が非成長面となったｐ−
ＧａＡｓコンタクト層９を形成することにより、従来の
ように酸化膜をマスクとして用いることがなく、ストラ
イプ状部４ａの両側のみに、電流狭窄層となるｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ埋込み層８を埋め込むことができる。また、ｐ
−ＧａＡｓコンタクト層９およびｐ−ＧａＡｓ埋込み層
１０は直接接触しているため、素子表面は一様なコンタ
クト層として動作することとなる。したがって、従来に
おいてクラッド層の有するメサ構造の両側に電流狭窄層
を埋め込む際に生じていた多結晶の堆積を完全になくす
ことができ、これにより、ピンホール等の欠陥の発生を
なくすことができる。
【００３３】なお、上述各実施例では、活性層としてＧ
ａＡｓを用い、また、第１クラッド層および第２クラッ
ド層としてＡｌＧａＡｓを用いたが、組成や材料は他の
ものでも良く、例えばＡｌＧａＩｎＰ系材料でも適用で
きる。また、電流狭窄層としてｎ−ＡｌＧａＡｓを用い
たがＧａＡｓやＡｌＧａＩｎＰを用いることも可能であ
る。また、エピタキシャル成長法はＭＯＶＰＥ法に限ら
ない。
ａＡｓを用い、また、第１クラッド層および第２クラッ
ド層としてＡｌＧａＡｓを用いたが、組成や材料は他の
ものでも良く、例えばＡｌＧａＩｎＰ系材料でも適用で
きる。また、電流狭窄層としてｎ−ＡｌＧａＡｓを用い
たがＧａＡｓやＡｌＧａＩｎＰを用いることも可能であ
る。また、エピタキシャル成長法はＭＯＶＰＥ法に限ら
ない。
【００３４】
【発明の効果】請求項１記載の半導体レーザによれば、
第２クラッド層のストライプ状部上に形成した断面が三
角形状のコンタクト層は表面が非成長面であるため、例
えば、第２クラッド層のストライプ状部の両側に第１埋
め込み層を形成する際に従来の酸化膜からなるマスクの
代用とすることができる。これにより、多結晶の堆積を
完全になくすことができる。
第２クラッド層のストライプ状部上に形成した断面が三
角形状のコンタクト層は表面が非成長面であるため、例
えば、第２クラッド層のストライプ状部の両側に第１埋
め込み層を形成する際に従来の酸化膜からなるマスクの
代用とすることができる。これにより、多結晶の堆積を
完全になくすことができる。
【００３５】また、断面がメサ形のストライプ状部の両
側に形成した第１埋め込み層は電流狭窄層となる。これ
により、電流狭窄および光の閉じ込めが容易となり、低
しきい値電流で横モードを安定させて信頼性を高めるこ
とができる。また、第２埋め込み層は、断面が三角形状
のコンタクト層の表面に直接接触しており、この第２埋
め込み層の表面は略平坦である。したがって、断面が三
角形状のコンタクト層および第２埋め込み層からなる素
子表面は一様にコンタクト層として働き、略平坦の表面
と電極との密着は良好となるため、接触抵抗を十分に小
さくでき、熱抵抗を低減することができる。
側に形成した第１埋め込み層は電流狭窄層となる。これ
により、電流狭窄および光の閉じ込めが容易となり、低
しきい値電流で横モードを安定させて信頼性を高めるこ
とができる。また、第２埋め込み層は、断面が三角形状
のコンタクト層の表面に直接接触しており、この第２埋
め込み層の表面は略平坦である。したがって、断面が三
角形状のコンタクト層および第２埋め込み層からなる素
子表面は一様にコンタクト層として働き、略平坦の表面
と電極との密着は良好となるため、接触抵抗を十分に小
さくでき、熱抵抗を低減することができる。
【００３６】その結果、低しきい値電流で横モードの安
定した高信頼性および長寿命の横モード制御型の半導体
レーザを得ることができる。請求項２または請求項３記
載の半導体レーザの製造方法によれば、第２クラッド層
を構成する断面がメサ形のストライプ状部上に、断面が
三角形状であり表面が非成長面となったコンタクト層を
形成することにより、従来のように酸化膜をマスクとし
て用いることがなく、ストライプ状部の両側のみに、電
流狭窄層となる任意の組成の第１埋め込み層を埋め込む
ことができる。また、三角形状のコンタクト層および第
２埋め込み層は直接接触しているため、素子表面は一様
なコンタクト層として動作することとなる。したがって
、従来においてクラッド層の有するメサ構造の両側に電
流狭窄層を埋め込む際に生じていた多結晶の堆積を完全
になくすことができ、これにより、ピンホール等の欠陥
の発生をなくすことができる。
定した高信頼性および長寿命の横モード制御型の半導体
レーザを得ることができる。請求項２または請求項３記
載の半導体レーザの製造方法によれば、第２クラッド層
を構成する断面がメサ形のストライプ状部上に、断面が
三角形状であり表面が非成長面となったコンタクト層を
形成することにより、従来のように酸化膜をマスクとし
て用いることがなく、ストライプ状部の両側のみに、電
流狭窄層となる任意の組成の第１埋め込み層を埋め込む
ことができる。また、三角形状のコンタクト層および第
２埋め込み層は直接接触しているため、素子表面は一様
なコンタクト層として動作することとなる。したがって
、従来においてクラッド層の有するメサ構造の両側に電
流狭窄層を埋め込む際に生じていた多結晶の堆積を完全
になくすことができ、これにより、ピンホール等の欠陥
の発生をなくすことができる。
【００３７】その結果、容易に長寿命化を実現でき、低
しきい値電流で横モードが安定するの高信頼性の横モー
ド制御型の半導体レーザを得ることができる。
しきい値電流で横モードが安定するの高信頼性の横モー
ド制御型の半導体レーザを得ることができる。
【図１】この発明の一実施例の半導体レーザの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施例の半導体レーザの製造
方法を示す工程順断面図である。
方法を示す工程順断面図である。
【図３】この発明の第２の実施例の半導体レーザの製造
方法を示す工程順断面図である。
方法を示す工程順断面図である。
【図４】従来の半導体レーザの構成を示す断面図である
。
。
【図５】従来の半導体レーザの製造方法を示す工程順断
面図である。
面図である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板（化合物半導体基板）２ ｎ
−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層（第１クラッド
層） ３ ＧａＡｓ活性層 ４ ｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層（第２
クラッド層） ４ａ ストライプ状部 ９ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（コンタクト層）８
ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋込み層（第１埋め込み層）１０
ｐ−ＧａＡｓ埋込み層（第２埋め込み層）１１ Ｓ
ｉＯ２ マスク（選択成長用マスク）Ｘ ストライプ
窓
−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層（第１クラッド
層） ３ ＧａＡｓ活性層 ４ ｐ−Ａｌｘ Ｇａ１−Ｘ Ａｓクラッド層（第２
クラッド層） ４ａ ストライプ状部 ９ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（コンタクト層）８
ｎ−ＡｌＧａＡｓ埋込み層（第１埋め込み層）１０
ｐ−ＧａＡｓ埋込み層（第２埋め込み層）１１ Ｓ
ｉＯ２ マスク（選択成長用マスク）Ｘ ストライプ
窓
Claims (3)
- 【請求項１】 化合物半導体基板上に形成した第１導
電型の第１クラッド層と、この第１クラッド層上に形成
した活性層と、この活性層上に形成した断面がメサ形の
ストライプ状部を有する第２導電型の第２クラッド層と
、このストライプ状部上に形成した断面が三角形状であ
り表面が非成長面となった第２導電型のコンタクト層と
、前記ストライプ状部の両側に埋め込んだ第１導電型の
第１埋め込み層と、この第１埋め込み層上および前記コ
ンタクト層上に形成した表面が略平坦である第２導電型
の第２埋め込み層とを備えた半導体レーザ。 - 【請求項２】 化合物半導体基板上に格子整合のとれ
た第１導電型の第１クラッド層，活性層および第２導電
型の第２クラッド層を少なくとも順次積層してなる半導
体層を形成する第１の結晶成長工程と、この半導体層の
表面にストライプ窓を有する選択成長用マスクを形成す
る工程と、この選択成長用マスクを用いて前記ストライ
プ窓上に断面が三角形状であり表面が非成長面となった
第２導電型のコンタクト層を選択的に形成する第２の結
晶成長工程と、この断面が三角形状である第２導電型の
コンタクト層を選択エッチングマスクとして用いて、前
記第２導電型の第２クラッド層を所望の厚みを残して選
択エッチングすることにより断面がメサ形のストライプ
状部を形成する工程と、このストライプ状部の両側に第
１導電型の第１埋込み層を形成し、この第１の埋め込み
層上に第２導電型の第２埋込み層を形成する第３の結晶
成長工程とを含む半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 化合物半導体基板上に格子整合のとれ
た第１導電型の第１クラッド層，活性層，第２導電型の
第２クラッド層および第２導電型のコンタクト層を少な
くとも順次積層してなる半導体層を形成する第１の結晶
成長工程と、前記コンタクト層をエッチングすることに
より断面が三角形状であり表面が非成長面となったコン
タクト層を形成する工程と、この断面が三角形状である
コンタクト層を選択エッチングマスクとして用いて、前
記第２クラッド層を所望の厚さを残して選択エッチング
して断面がメサ形のストライプ状部を形成する工程と、
このストライプ状部の両側に第１導電型の第１埋込み層
を形成し、この第１の埋め込み層上に第２導電型の第２
埋込み層を形成する第２の結晶成長工程とを含む半導体
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146232A JPH04369884A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146232A JPH04369884A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369884A true JPH04369884A (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15403099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3146232A Pending JPH04369884A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04369884A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582911A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
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1991
- 1991-06-18 JP JP3146232A patent/JPH04369884A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582911A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
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