JPH0436998A - Top tape film - Google Patents

Top tape film

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JPH0436998A
JPH0436998A JP14197990A JP14197990A JPH0436998A JP H0436998 A JPH0436998 A JP H0436998A JP 14197990 A JP14197990 A JP 14197990A JP 14197990 A JP14197990 A JP 14197990A JP H0436998 A JPH0436998 A JP H0436998A
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complex
film
tcnq
iso
quinolinium
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修身 林
Akio Nakamura
昭雄 中村
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Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To form a top tape film equipped with a long life of its coating liquid and with a large degree of freedom by composing a complex crystal from at least two types of crystalline complex bodies, and specifying at least one of the complex bodies. CONSTITUTION:A top tape film 1 to be used as a carrier tape is so constructed that a heat seal type adhesive layer 3 containing 7,7,8,8-tetracyanoxydimethane complex crystal is formed on one side of a base film 2, wherein the complex crystal consists of at least two types of crystalline complex bodies, and at least one of the complex bodies is alkyl radical substituted 7,7,8,8- tetracyanoxydimethane complex body. This 7,7,8,8-tetracyanoxydimethane complex body as at least of one the TCNQ complex bodies having different crystal forms, which presents good dissolutiveness in a versatile solvent and a larger hydrophobic property than TCNQ complex body, widens the degree of freedom in solvent design when used as a coating liquid and largely prolongs the lifetime of coating liquid compared with where a TCNQ complex body not substituted with alkyl radical.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種電子部品、精密部品などの微細な表面実
装部品の収納、搬送に使用されるプラスチック製キャリ
アテープ用のトップテープフィルムに関するものである
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a top tape film for a plastic carrier tape used for storing and transporting minute surface-mounted parts such as various electronic parts and precision parts. It is.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、キャリアテープ用のトップテープフィルムは、
厚さ10〜50μmのポリエステルフィルムまたはポリ
エステル/ポリオレフィン2層とも押し出しフィルムを
ベースフィルムとし、スチレン−ブタジエンースチレン
ブロソク共重合樹脂エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂な
どから成る厚さ10〜30μmのヒートシール性接着剤
層をフィルム積層法か、コーティング法によって設けた
ものが広く利用されている。
Generally, the top tape film for carrier tape is
The base film is a polyester film with a thickness of 10 to 50 μm or an extruded film with both polyester/polyolefin layers, and a heat seal with a thickness of 10 to 30 μm is made of styrene-butadiene-styrene broxol copolymer resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, etc. Those in which the adhesive layer is provided by a film lamination method or a coating method are widely used.

このトップテープフィルムは、キャリアテープのキャビ
ティに部品を収納後、蓋をかふせるようにのせて該フィ
ルムの両端をキャリアテープにヒ−トシール接着するも
ので、収納、搬送時には部品の脱落を防止し、チップマ
ウンターなどの自動実装機による部品実装時にはキャリ
アテープから剥離除去されて使用されるものである。
With this top tape film, after parts are stored in the cavities of the carrier tape, the lid is placed on top and both ends of the film are heat-sealed to the carrier tape to prevent parts from falling off during storage and transport. When mounting components using an automatic mounting machine such as a chip mounter, it is used after being peeled off from the carrier tape.

このトップテープフィルムは、製造工程、使用工程で巻
出し、巻取りが数回行われるため摩擦・接触によって静
電気を帯びやすく、このフィルムが帯電した場合には、
ギヤリアテープからトップテープフィルムを剥離する時
、収納部品がトップテープフィルム側に静電付着してキ
ャリアテープのキャビティより脱落する不具合があり、
また相補型MO3−1c、TTL (1−ランジスタ・
トランジスタ・ロジック)、MOS−FE′F(電界効
果型トランジスタ)、バイポーラトランジスタ、シ3、
/ t・キダイオード等の静電気に弱い半導体素子は、
このl・ツブテープフィルムに接触した場合、放電によ
って静電破壊してしまうことから、このトップテープフ
ィルムは、従来では界面活性剤系帯電防止剤をピー1−
シール性接着剤層に練り込んだり、フィルム表面にコー
ティングして用いられている。
This top tape film is unwound and wound up several times during the manufacturing and usage processes, so it is easily charged with static electricity due to friction and contact.
When peeling the top tape film from the gear rear tape, there is a problem where the stored parts electrostatically adhere to the top tape film side and fall off from the carrier tape cavity.
In addition, complementary MO3-1c, TTL (1-transistor
transistor logic), MOS-FE'F (field effect transistor), bipolar transistor,
/ Semiconductor elements that are sensitive to static electricity, such as T-kidiodes,
If the top tape film comes into contact with the top tape film, it will be damaged by static electricity due to discharge, so conventionally, the top tape film is coated with a surfactant-based antistatic agent.
It is used by kneading it into a sealing adhesive layer or coating it on the surface of a film.

また、I・ノブテープフィル!、の帯電防止効果を得ら
れるための表面抵抗は、フィルム剥離時の部品脱落防止
のためには、中−位面積当たり109Ω以下、望ましく
は107Ω以下が必要であると言われている。
Also, I Knob Tape Fill! In order to obtain the antistatic effect of , it is said that the surface resistance needs to be 10 9 Ω or less per medium area, preferably 10 7 Ω or less, in order to prevent parts from falling off when the film is peeled off.

このような帯電防止効果を与えるのに有効な手段として
、接着剤層にカーボンブランクや金属微粉等の導電性粉
末を加える方法があるが、)・ツブテープフィルムは、
該フィルム面を通して部品のマーキング文字を確認した
り、目視検査する必要があるため透明性が要求されるの
で実用的に採用できない。そのため、I・ツブテープフ
ィルム表面の導電性を高める方法として、透明もしくは
半透明な界面活性剤を用いる帯電防止法、すなわちアニ
オン系活性剤、カチオン系活性剤2非イオン性活性剤2
両性活性剤などの界面活性剤をフィルムの接着剤層に練
り込んだり、フィルム表面にコーティングすることによ
って、l・ツブテープフィルム表面に親水性とイオン性
を与える方法が一般に行われている。
An effective way to provide such an antistatic effect is to add conductive powder such as carbon blank or fine metal powder to the adhesive layer.
Since it is necessary to check or visually inspect the marking characters on the parts through the film surface, transparency is required, so it cannot be practically adopted. Therefore, as a method to increase the conductivity of the surface of the I-Tsubu tape film, there is an antistatic method using a transparent or translucent surfactant, i.e., an anionic surfactant, a cationic surfactant, a nonionic surfactant, and a nonionic surfactant.
A commonly used method is to impart hydrophilicity and ionicity to the surface of an L-tube tape film by incorporating a surfactant such as an amphoteric active agent into the adhesive layer of the film or coating the surface of the film.

そのような帯電防止剤に用いる界面活性剤としては、脂
肪族第4級アンモニウム塩型カチオン系界面活性剤、カ
ルボキシベタイン型両性界面活性剤、高級アルコールリ
ン酸エステル・ナトリウム塩などのアニオン系界面活性
剤、ポリオキシエチレンソルヒタン脂肪酸エステル、ポ
リオキシエヂレンアルキルアミンなどの非イオン性界面
活性剤が用いられているが、この帯電防止剤は、粉末状
Surfactants used in such antistatic agents include aliphatic quaternary ammonium salt type cationic surfactants, carboxybetaine type amphoteric surfactants, and anionic surfactants such as higher alcohol phosphate ester sodium salts. Nonionic surfactants such as antistatic agents, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, and polyoxyethylene alkyl amines are used, but these antistatic agents are in powder form.

水溶液状、油溶液状として市販されており、ヒートシー
ル性接着剤層に練り込むか、該フィルムの裏面にコーテ
ィングして用いられる。
It is commercially available in the form of an aqueous solution or an oil solution, and is used by kneading it into the heat-sealing adhesive layer or coating it on the back side of the film.

しかし、一般に一1界面活性剤はフィルム面において、
 C00−M’、  −O3(h−M”、 (以上のM
ばIt、 Na。
However, in general, 11 surfactants, on the film surface,
C00-M', -O3(h-M", (the above M
baIt, Na.

Kなどの元素原子)、 CN(CH3)2  ) ”X
−(XはC1,Br等のハロゲン元素原子)、  OL
   (CH2CHzO)、などの親水基を大気中に向
けて配列させ、その吸湿性によって電気抵抗を低下させ
るものであることから、大気中の湿度に左右されやすく
、また、常温常温(5〜35°C145〜85%RH)
において表面抵抗が単位面積あたり109Ω以上であり
、半導体素子の静電破壊防止には役立たないこと、また
、接着剤層に練り込む場合には、接着剤樹脂と帯電防止
剤との相溶性が問題となり、相溶性が不良の場合には接
着剤層表面にブリードして、ヒートシール接着性能を劣
化させる場合があることやフィルム表面へコーティング
したものは、湿気中に溶は出して帯電防止効果が失われ
やすい等の問題点があり、満足な帯電防止能と透明性を
合わせ持つ1〜ツブテープフイルムの出現が望まれてい
る。
element atoms such as K), CN(CH3)2) "X
-(X is a halogen element atom such as C1 or Br), OL
Hydrophilic groups such as (CH2CHzO) are arranged toward the atmosphere, and their hygroscopicity lowers electrical resistance. C145~85%RH)
The surface resistance is 109 Ω or more per unit area, and it is not useful for preventing electrostatic damage of semiconductor elements, and the compatibility of the adhesive resin and antistatic agent is a problem when kneaded into the adhesive layer. Therefore, if the compatibility is poor, it may bleed onto the surface of the adhesive layer and deteriorate the heat-sealing performance. Also, if the film surface is coated, it may dissolve in moisture and lose its antistatic effect. There are problems such as easy loss, and it has been desired to develop a 1 to 3.5 mm tape film that has both satisfactory antistatic ability and transparency.

最近帯電防止能と透明性を合わせ持つI・ツブテープフ
ィルムとして、例えば実開平1−1.12599号公報
のように、7,7,8.8−テトラシアノキシジメタン
錯体(以下、TCNQ錯体と略記する)を用いたものが
提案されている。このTCNQ錯体を用いたものは、そ
の導電機構が針状結晶の析出による網目状の導電経路に
よるものであるため、その表面抵抗が大気中の湿度等に
影響されることがなく、比較的高い導電性と光線透過率
80%以上の透明性を有するトップテープフィルムが得
られるという利点がある。
Recently, 7,7,8,8-tetracyanoxydimethane complex (hereinafter referred to as TCNQ complex) has been developed as an I-tube tape film that has both antistatic ability and transparency, for example, as disclosed in Japanese Unexamined Utility Model Publication No. 1-1.12599. ) has been proposed. Products using this TCNQ complex have a conductive mechanism based on a network conductive path created by the precipitation of needle-like crystals, so their surface resistance is not affected by atmospheric humidity, etc., and is relatively high. There is an advantage that a top tape film having conductivity and transparency with a light transmittance of 80% or more can be obtained.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、このTCNQ錯体を用いた従来のトップテー
プフィルムでは、該網目状の導電経路は析出した針状結
晶の接触によるものであるため、この結晶成長の状態が
溶剤の揮発速度や乾燥時の温度分布に影響を受は易く、
よってm位面積中の導電経路数が不均一・となることか
ら表面抵抗のばらつきが大きいと同時に均一な表面抵抗
が得られないし、しかも、この1−ノブテープフィルム
ヤリアテープに熱接着する際には130〜170°Cの
高温で0.2〜1.0秒間ヒートシールすることから耐
熱性が要求されるが、高温(たとえば140°Cの加熱
)または高温高温条件(例えば、60°C95%R. 
H )の条件下において、該針状結晶の接合点が劣化し
、その導電経路が著しく減少して導電性が大幅に低ドす
るという問題があった。
However, in the conventional top tape film using this TCNQ complex, the network-like conductive path is due to the contact of precipitated needle-like crystals, so the state of crystal growth depends on the volatilization rate of the solvent and the temperature during drying. distribution is easily affected;
Therefore, the number of conductive paths in an area of about m is non-uniform, which results in large variations in surface resistance and makes it impossible to obtain a uniform surface resistance. Heat sealing is required for 0.2 to 1.0 seconds at a high temperature of 130 to 170°C, so heat resistance is required. %R.
There was a problem in that under the conditions of (H), the junction points of the needle-shaped crystals deteriorated, the conductive paths were significantly reduced, and the conductivity was significantly lowered.

ずなわち、TCNQ錯体として、例えばN−nブヂルイ
ソキノリニウムTCNQ錯体を単独で用い、高分子7ト
リソクスの溶媒溶液中に該高分子マトリックスの固形分
100重量部に対して3〜100重量部溶解して、透明
基材の面上にグビアコーター,ロールコータ−、または
スピンコーターなどを用いて薄膜を形成させると、該薄
膜内にT C N Q錯体が微細な針状結晶として析出
し、第5図のように網目状の連鎖である導電経路が成長
じて導電性が得られる。しかし、この場合、結晶成長の
状態が溶剤の揮発速度や乾燥時の温度分布の影響を受け
るため、単位面積あたりの導電経路数が不均一となって
表面抵抗のバラツキが大きくなるとともに、網目状連鎖
である導電経路の結晶の結合点が高温高湿条件下におい
て劣化を受け、著しく抵抗が上昇するという問題点が認
められた。
That is, as the TCNQ complex, for example, N-n butylysoquinolinium TCNQ complex is used alone, and in a solvent solution of polymer 7 trisox, 3 to 100 parts by weight of the solid content of the polymer matrix is added. When part by weight is dissolved and a thin film is formed on the surface of a transparent substrate using a guvia coater, roll coater, or spin coater, the T C N Q complex is precipitated as fine needle-like crystals within the thin film. , as shown in FIG. 5, a conductive path in the form of a network chain grows to provide conductivity. However, in this case, the state of crystal growth is affected by the volatilization rate of the solvent and the temperature distribution during drying, so the number of conductive paths per unit area becomes uneven, resulting in large variations in surface resistance, and the formation of a network. It was found that the bonding points of the crystals in the conductive path, which is a chain, deteriorated under high temperature and high humidity conditions, resulting in a significant increase in resistance.

前記TCNQ錯体は、N.Nニジメヂルボルムアミド,
ジメチルスルホキシドおよびシクロヘキザノンなどの強
極性プロトン溶剤以外の殆どの溶剤に対し、常温で不溶
乃至は難溶であり、実際の加工において塗工液とする場
合にはこれらの強極性プロトン溶剤を使用せざるをえず
、その塗工液の設計における自由度が著しく小さいもの
であると同時に、これらの強極性プロトン溶剤が一般に
汎用溶剤に比較して高価であることから、得られるトッ
プテープフィルムのコスI・が高くつくという問題点が
あった。さらにはこれら強極性プロトン溶剤がその極性
から吸水性が高く、溶剤が吸水することにより、この水
分がTCNQ錯体の解難を促進する触媒の機能を有する
ことから、塗工液の寿命か短く、塗工液を長期に渡って
保存した場合に表面抵抗か著しく」二昇してしまうとい
う問題点があった。
The TCNQ complex has N. N rainbow medylborumamide,
It is insoluble or sparingly soluble in most solvents other than strong polar proton solvents such as dimethyl sulfoxide and cyclohexanone at room temperature, and these strong polar proton solvents should not be used when used as a coating fluid in actual processing. Naturally, the degree of freedom in designing the coating solution is extremely small, and at the same time, these strong polar proton solvents are generally more expensive than general-purpose solvents, so the cost of the resulting top tape film is low. There was a problem that I. was expensive. Furthermore, these strong polar proton solvents have high water absorption properties due to their polarity, and when the solvent absorbs water, this water has the function of a catalyst that promotes the disintegration of the TCNQ complex. There was a problem in that when the solution was stored for a long period of time, the surface resistance increased significantly.

本発明はこれら従来の問題点を解決しようとするもので
表面抵抗のばらつきが小さく、かつ高温および高温高温
条件下においても導電性低下が少ないと同時に、塗工液
の寿命も長く、溶剤選択の自由度も大きく、より低コス
トのトップテープフィルムを提供することを目的とした
ものである。
The present invention aims to solve these conventional problems, and has a small variation in surface resistance, a small decrease in conductivity even under high temperature and high temperature conditions, a long life of the coating solution, and a flexible selection of solvents. The objective is to provide a top tape film that has a greater degree of freedom and is lower in cost.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は、ベースフィルムの一面に、7,7,8.8テ
トラシアノキシジメタン錯体結晶を含有するし− 1−
ソール性接着剤層を形成したキャリアテープ用トップテ
ープフィルムであって、該錯体結晶が、少なくとも2種
の結晶形錯体から成り、該錯体の少なくとも1種がアル
キル基置換7,7,8.8−テトラシアノキシジメタン
錯体であることを特徴とするトップテープフィルムであ
る。
The present invention contains 7,7,8.8 tetracyanoxydimethane complex crystals on one side of the base film.-1-
A top tape film for carrier tapes having a sole adhesive layer formed thereon, wherein the complex crystals are composed of at least two types of crystalline complexes, and at least one type of the complexes is an alkyl group-substituted 7,7,8,8 - A top tape film characterized by being a tetracyanoxydimethane complex.

また、本発明ではベースフィルムの一面に、7。Further, in the present invention, 7 is provided on one side of the base film.

7、8.8−テトラシアノキシジメタン錯体を含有する
透明導電性高分子皮膜を形成したキャリアテープ用1〜
ツブテープフイルムであって、該錯体結晶が、少なくと
も2種の結晶形錯体から成り、該錯体の少なくとも1種
がアルキル基置換7.7,8.8−テトラシアノキシジ
メタン錯体であり、前記ベースフィルムの他面にヒート
シール性接着剤層を備えたことを特徴とするトップテー
プフィルムである。
7, 8. For carrier tapes 1 to 1 formed with transparent conductive polymer film containing 8-tetracyanoxydimethane complex
A tube tape film, wherein the complex crystal is composed of at least two types of crystalline complexes, at least one of the complexes is an alkyl group-substituted 7,7,8,8-tetracyanoxydimethane complex, This is a top tape film characterized by having a heat-sealable adhesive layer on the other side of the base film.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の実施例を図面を用いて説明すると、優れた帯電
防止能を有するトップテープフィルム1とするために第
1図に示すようにベースフィルム2の一面に、7,7,
8.8−テトラシアノキシジメタン錯体(以下TCNQ
錯体と略記する)結晶を含有するヒートシール性接着剤
層を形成したキャリアテープ用トップテープフィルムで
あって、該錯体結晶が、少なくとも2種の結晶形錯体か
ら成り、該錯体の少なくとも1種がアルキル基置換7,
7.88テトラシアノキシジメタン錯体とされているか
、またはヘースフィルム1の一面にヒートシール接着剤
3を有し、該接着剤層3の反対面となるヘースフィルム
の他面にTCNQ錯体を含有する透明導電性高分子膜2
を形成したI・ツブテープフィルム1であって、該錯体
結晶が、少なくとも2種の結晶形錯体から成り、該錯体
の少なくとも1種がアルキル基置換TCNQ錯体である
ことを特徴とし、キャビティ6のあるキャリアテープ5
のフランジ状の周縁部51に接着して用いられうるl・
ノブテープフィルムとしである。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In order to obtain a top tape film 1 having excellent antistatic ability, as shown in FIG.
8.8-Tetracyanoxydimethane complex (hereinafter referred to as TCNQ)
A top tape film for a carrier tape having a heat-sealable adhesive layer containing crystals (abbreviated as "complex"), wherein the complex crystals are composed of at least two types of crystalline complexes, and at least one of the complexes is Alkyl group substitution 7,
7.88 tetracyanoxydimethane complex, or has a heat seal adhesive 3 on one side of the heath film 1, and a TCNQ complex on the other side of the heath film opposite to the adhesive layer 3. Transparent conductive polymer film 2 containing
The I-tube tape film 1 is characterized in that the complex crystal is composed of at least two types of crystalline complexes, and at least one of the complexes is an alkyl group-substituted TCNQ complex, A certain carrier tape 5
L. which can be used by adhering to the flange-like peripheral edge 51 of
This is a knob tape film.

即ぢ、使用するTCNQ錯体の結晶形やその組み合わせ
、置換基の種類などを鋭意検討した結果、例えば接着剤
などの高分子7トリソクス中に針状板状など2種以−ヒ
の結晶形の異なるTCNQ錯体を配合することによって
、該高分子膜マトリックス中に、前記結晶形状とは異な
る形状の結晶が密に析出し、従来知られている結晶形が
針状形のみであるTCNQ錯体を使用した場合と比較し
て、単位面積中における結晶相互の接触点が増大し、導
電性高分子膜の体積固有抵抗および表面抵抗を低(する
ことができ、前記接触点数の増大により、表面抵抗のハ
ラツギが小さくなり、さらには高温または高温高温条件
下における抵抗値の上昇も少なくなることとともに、そ
の結晶形の異なるTCNQ錯体の少なくとも1種を汎用
溶剤への溶解性がよく、TCNQ錯体に比較して疎水性
の大きいアルギル基置換7,7,8.8−テトラシアノ
キシジメタン錯体く以下R−TCNQと略記する)とす
ることにより、塗工液とした場合の溶剤設計の自由度が
広がり、アルキル基未置換のTCNQ錯体を使用した場
合に比較して塗工液の寿命を著しく長くすることができ
た。
As a result of careful consideration of the crystal forms of the TCNQ complexes used, their combinations, and the types of substituents, we found that, for example, two or more types of crystal forms, such as needle-like and plate-like forms, can be found in polymeric 7-trisox, such as adhesives. By blending different TCNQ complexes, crystals with a shape different from the crystal shape described above are densely precipitated in the polymer membrane matrix, and a TCNQ complex whose conventionally known crystal shape is only needle-shaped is used. The number of contact points between the crystals in a unit area increases compared to the case where the crystals contact each other within a unit area, and the volume resistivity and surface resistance of the conductive polymer film can be lowered. In addition to reducing the resistance value and reducing the increase in resistance under high temperature or high temperature conditions, at least one of the TCNQ complexes with different crystal forms has good solubility in general-purpose solvents, and compared to the TCNQ complex. By using argyl group-substituted 7,7,8.8-tetracyanoxydimethane complex (hereinafter abbreviated as R-TCNQ) with high hydrophobicity, the degree of freedom in solvent design when used as a coating liquid is increased. , the life of the coating liquid could be significantly extended compared to the case where an alkyl group-unsubstituted TCNQ complex was used.

本発明に用いるR  T CN Qtu体はアルキル基
置換7,7,8.8−テトラシアノキシジメタン(R−
TCNQ’)と適当なるドナー(D゛)の種類によって
体積固有抵抗が10″″〜10゛6Ω・cmの広い範囲
にわたることが知られている。ここで、アルキル基とは
炭素数1〜3の低級アルキル基を意味し、具体的にはメ
チル−T CN Q’、エチル−T CN Q’。
The R T CN Qtu body used in the present invention is alkyl group-substituted 7,7,8.8-tetracyanoxydimethane (R-
It is known that the volume resistivity can vary over a wide range from 10'' to 106 Ω·cm depending on the type of TCNQ') and a suitable donor (D'). Here, the alkyl group means a lower alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, specifically methyl-T CN Q' and ethyl-T CN Q'.

n−プロピル−1”CN Q’、イソ−プロピル−TC
NQ’である。これらアルキル基が炭素数が4以上の高
級アルキル基であるR−TCNQ錯体では、その疎水性
および汎用溶剤への溶解性が向上する反面、アルキル基
の分子構造が嵩高くなることにより錯体の結晶性が悪く
、フィルム」−に塗工した際の結晶が起こりにくくなり
、)H電性が低下してしまうことから好ましくない。
n-propyl-1"CN Q', iso-propyl-TC
It is NQ'. In R-TCNQ complexes in which these alkyl groups are higher alkyl groups having 4 or more carbon atoms, their hydrophobicity and solubility in general-purpose solvents are improved, but on the other hand, the molecular structure of the alkyl groups becomes bulky, resulting in crystallization of the complex. This is not preferable because it has poor properties and crystallization is less likely to occur when applied to a film, resulting in a decrease in H conductivity.

また同様に、アルキル基以外の疎水性官能基としてパー
フロロアルキル基やオルガノシリル基が考えられるが、
これらの官能基を導入することは非常に難しく、よって
得られる[−TCNQ錯体が非常に高価なものとともに
、分子の嵩高さの理由から、その導電性が低下すること
からあまり好ましくない。
Similarly, perfluoroalkyl groups and organosilyl groups can be considered as hydrophobic functional groups other than alkyl groups.
It is very difficult to introduce these functional groups, and therefore the resulting [-TCNQ complexes are not only very expensive, but also less preferred because of the bulkiness of the molecule, which reduces its conductivity.

本発明の1゛ナー(D゛)は、テトラチアフルバレンに
代表される化合物が数多く知られているが、熱安定性お
よび導電性の優れたギノリン、イソキノリン、ナフトキ
ノリン、2,2−ビピリジル、4.4ビピリジル、また
はそのN位を炭素数1〜8のアルキル基で置換した化合
物が好ましく、更にはキノリン、イソキノリンのN位を
炭素数1〜8のアルキル基で置換した化合物が好ましい
Many compounds such as tetrathiafulvalene are known as the 1-ener (D) of the present invention, including gynoline, isoquinoline, naphthoquinoline, 2,2-bipyridyl, .4 bipyridyl or a compound in which the N-position thereof is substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is preferable, and a compound in which the N-position of quinoline or isoquinoline is substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is more preferable.

本発明に用いるR−TCNQ錯体としては、Nメチル(
イソ)キノリニウム−メチル−TCNQ錯体、N−メチ
ル(イソ)ギノリニウムーエチルーTCNQ錯体、N−
メチル(イソ)キノリニウム−n−プロピル−TCNQ
錯体、N−エチル〈イソ)キノリニウム−エチル−TC
NQ錯体N錯体子ル(イソ)キノリニウム−エチル−T
CN Q tu体、N−エチル(イソ)キノリニウム−
nプロピル−TCNQ錯体、N−n−プロピル(イソ)
キノリニウム−メチル−TCNQ錯体N錯体子プロピル
(イソ)キノリニウム−エチルTCNQ錯体、N−n−
プロピル(イソ)キノリニウム−n−プロピル−TCN
Q錯体、N−イソーブ1コビル(イソ)キノリニウム−
メチル−TCN Q t?f体、N−イソ−プロピル(
イソ)キノリニウム−エチル−TCNQ錯体、N−イソ
−プロピル(イソ)キノリニウム−n−プロピル−TC
NQ錯体、N−n−ブチル(イソ)キノリニウムメチル
−T CN Q錯体、N−n−ブチル(イソ)キノリニ
ウム−エチル−T CN Q錯体、N−nブチル(イソ
)キノリニウム−n−プロピル−TCNQ錯体、N−n
−ブチル(イソ)キノリニウム−イソ−プロピル−TC
NQ錯体、N−イソブチル(イソ)キノリニウム−メチ
ル−TCNQ錯体、N−イソ−ブチル(イソ)キノリニ
ウムエチル−TCNQ錯体、N−イソ−ブチル(イソ)
キノリニウム−n−プロピル−TCNQ錯体、Nイソ−
ブチル(イソ)キノリニウム−イソ−プロピル−TCN
Q錯体、N−n−アミノ (イソ)キノリニウム−メチ
ル−TCNQ錯体、N−nアミノ (イソ)キノリニウ
ム−エチル−TCNQ錯体、N−n−アミノ (イソ)
キノリニウム−nプロピル−T CN Q錯体、N−n
−アミノ (イソ)キノリニウム−イソ−プロピル−T
CNQ錯体、N−イソ−アミル(イソ)キノリニウム−
メチル−TCNQ錯体、N−イソ−アミル(イソ)キノ
リニウム−エチル−TCNQ錯体、N−イソアミル(イ
ソ)キノリニラl、n−プロピルTCNQ錯体、N−イ
ソ−アミル(イソ)キノリニウム−イソ〜プロピルーT
CNQ錯体、N−nオクチル(イソ)キノリニウム−メ
チル−TCNQ錯体、N−n−オクチル(イソ)キノリ
ニウム−エチル−TCNQ錯体、N−n−オクチル(イ
ソ)キノリニウム−n−プロピル−TCNQIH体、N
−オクチル(イソ)キノリニウム−イソプロピル−TC
NQ錯体、などから選んで用いられ、さらには必要に応
じアルキル(イソ)キノリニウム系R−TCNQ錯体の
アルキル(イソ)キノリニウムをアルキルモルポリニウ
ムおよびアルキル−α−ピコリニウムの各ドナーに置き
換えたアルキルモルホリニウム系R−TCNQ錯体、や
アルキル−α−ピコリニウム系R−TCNQ錯体も用い
られる。なお、R−TCNQ錯体は電子供与体であるド
ナー(D“)と電子受容体であるR−TCNQ’のモル
比1:1と1:2のものがあり、(イソ)キノリン系化
合物を電子受容体とするR−TCNQ錯体は1:2錯体
がより導電性が大きいことから好ましい。この場合、前
記例示中で(イソ)キノリンはキノリンおよびイソキノ
リンを意味する。2モルのR−TCNQ錯体ばRTCN
Qアニオンラジカル1モルと電気的に中性のR−TCN
Q1モルから成っている。本発明において、より導電性
を安定させるためには中性分子のR−TCNQoを0.
1〜10重景%過剰に添加するのが好ましい。
The R-TCNQ complex used in the present invention includes N-methyl (
iso)quinolinium-methyl-TCNQ complex, N-methyl(iso)quinolinium-ethyl-TCNQ complex, N-
Methyl(iso)quinolinium-n-propyl-TCNQ
Complex, N-ethyl(iso)quinolinium-ethyl-TC
NQ complex N complex (iso)quinolinium-ethyl-T
CN Q tu body, N-ethyl(iso)quinolinium-
n-propyl-TCNQ complex, N-n-propyl (iso)
Quinolinium-methyl-TCNQ complex N-complex Child propyl(iso)quinolinium-ethyl TCNQ complex, N-n-
Propyl(iso)quinolinium-n-propyl-TCN
Q complex, N-isobe 1 cobyl(iso)quinolinium-
Methyl-TCN Q t? f-isomer, N-iso-propyl (
iso)quinolinium-ethyl-TCNQ complex, N-iso-propyl(iso)quinolinium-n-propyl-TC
NQ complex, N-n-butyl(iso)quinolinium methyl-T CN Q complex, N-n-butyl(iso)quinolinium-ethyl-T CN Q complex, N-n-butyl(iso)quinolinium-n-propyl -TCNQ complex, N-n
-Butyl(iso)quinolinium-iso-propyl-TC
NQ complex, N-isobutyl(iso)quinolinium-methyl-TCNQ complex, N-iso-butyl(iso)quinolinium ethyl-TCNQ complex, N-iso-butyl(iso)
Quinolinium-n-propyl-TCNQ complex, N-iso-
Butyl(iso)quinolinium-iso-propyl-TCN
Q complex, N-n-amino (iso)quinolinium-methyl-TCNQ complex, N-n-amino (iso)quinolinium-ethyl-TCNQ complex, N-n-amino (iso)
Quinolinium-n-propyl-T CN Q complex, N-n
-amino (iso)quinolinium-iso-propyl-T
CNQ complex, N-iso-amyl(iso)quinolinium-
Methyl-TCNQ complex, N-iso-amyl(iso)quinolinium-ethyl-TCNQ complex, N-isoamyl(iso)quinolinyl, n-propyl TCNQ complex, N-iso-amyl(iso)quinolinium-iso~propyl-T
CNQ complex, N-n octyl (iso) quinolinium-methyl-TCNQ complex, N-n-octyl (iso) quinolinium-ethyl-TCNQ complex, N-n-octyl (iso) quinolinium-n-propyl-TCNQIH body, N
-Octyl(iso)quinolinium-isopropyl-TC
NQ complex, etc., and if necessary, an alkyl mole in which the alkyl (iso) quinolinium of the alkyl (iso) quinolinium-based R-TCNQ complex is replaced with each donor of alkyl moporinium and alkyl-α-picolinium. A phorinium-based R-TCNQ complex and an alkyl-α-picolinium-based R-TCNQ complex are also used. There are two types of R-TCNQ complexes, the molar ratio of the electron donor (D") and the electron acceptor R-TCNQ': 1:1 and 1:2. The R-TCNQ complex used as a receptor is preferably a 1:2 complex because it has higher conductivity. In this case, (iso)quinoline in the above examples means quinoline and isoquinoline. RTCN
1 mole of Q anion radical and electrically neutral R-TCN
It consists of 1 mole of Q. In the present invention, in order to further stabilize the conductivity, the R-TCNQo of the neutral molecule is set to 0.
It is preferable to add 1 to 10% in excess.

本発明に使用する錯体は、前記錯体をはじめとする結晶
形の異なる2種以上の錯体を混合して用いることにより
その効果を得ることが出来るが、これら結晶形の異なる
該錯体の組み合わせの具体例としては、 (1)  前記例示錯体におけるアルキル(イソ)キリ
ニウム系R−TCNQ錯体の少なくとも1種と、アルキ
ルモルホリニウム系R−TCNQ錯体の少なくとも1種
とから成る混合錯体、 (2)前記例示錯体におけるアルキル(イソ)キリニウ
ム系R−TCNQ錯体の少なくとも1種と、アルキル−
α−ピコリニウム系R−TCNQ錯体の少なくとも1種
とから成る混合錯体、(3)前記例示錯体におけるアル
キルモルポリニウム系R−TCNQ錯体の少なくとも1
種と、アルキル−α−ピコリニウム系R−TCNQ錯体
の少なくとも1種とから成る混合錯体、(4)前記例示
(1)〜(3)ニ示された2種のrl−TCNQ錯体の
各組み合わせにおいて、そのどちらが一方がアルキル基
未置換のTCNQ錯体である混合錯体、 が例示される。ここに、用いられるTCNQ錯体は、前
記例示のR−TCNQ錯体においてそのアルキル基を未
置換としたものを用いれば良い。また、上記した同一系
列のR−TCNQ錯体のなかにおいても、結晶形の異な
るものがあることがら、これらを組み合わせても良い。
The effect of the complex used in the present invention can be obtained by mixing two or more types of complexes with different crystal forms, including the above-mentioned complexes. Examples include (1) a mixed complex comprising at least one alkyl(iso)quirinium-based R-TCNQ complex in the exemplary complex and at least one alkylmorpholinium-based R-TCNQ complex; (2) the above-mentioned complex; At least one alkyl(iso)quirinium-based R-TCNQ complex in the exemplary complex and an alkyl-
(3) a mixed complex comprising at least one α-picolinium-based R-TCNQ complex; (3) at least one of the alkylmorporinium-based R-TCNQ complexes in the exemplary complex;
and (4) each combination of the two types of rl-TCNQ complexes shown in Examples (1) to (3) above. , a mixed complex in which one of the complexes is a TCNQ complex in which one is unsubstituted with an alkyl group. The TCNQ complex used here may be the R-TCNQ complex exemplified above in which the alkyl group is unsubstituted. Further, even among the above-mentioned R-TCNQ complexes of the same series, there are ones with different crystal forms, so these may be combined.

さらに、その具体的な組み合わせとしては、 (i)N−n−ブチル(イソ)キノリニウム−メチル−
TCNQCN上、N−n−ブチル−Nメチルモルホリニ
カムーメチルーT CN O,錯体との混合錯体、 (ii)N−n−ブチル(イソ)キノリニウム−メチル
−TCNQtV体と、N−n−フ゛チル−αピコリニウ
ム−メチル−TCNQCN上の混合<Hg体、 (iii)Nn−ブチル−N−メチルモルホリニウム−
メチル−TCNQCN上、N−n−ブチルα−ビニlリ
ニウム−メヂルーTCNQ錯体との混合錯体、 (iv)N−n−−ブチル(イソ)キノリニウム〜メチ
ルーTCNQ錯体と、N−n−オクチル(イソ)キノリ
ニウム−メチル−TCNQCN上の混合錯体、 (v)N−n−ブチル(イソ)キノリニウムTCNQ錯
体と、N−n−ブチル−N−メチルモルホリニウム−メ
チル−TCNQCN上の混合錯体、 (vi)N−n−ブチル(イソ)キノリニウム−メチ月
バー′rCNQ錯体と、N−n−ブチル−Nメチルモル
ホリニウムTCNQ錯体との混合錯体、 などが挙げられ、これらの例以外の結晶形の異なる3種
以上のR−TCNQおよびTCNQCN上組み合わせて
も良い。また、前記R−T CN Q 1!体は、その
導電性がア月バ1;ル基未置換のTCNQCN上比較し
て低下する傾向があるために、必要な導電性を満足する
ことが出来ない場合などにおいては、前記(i)〜(v
l)の各組み合わせに未置換のTCNQCN上例えば導
電性が高く、比較的安価であるN−n−ブチル(イソ)
キノリニウムTCNQ錯体を添加することによって目的
とする導電性を得れば良く。さらには前記例示の(■)
Furthermore, specific combinations include (i) N-n-butyl(iso)quinolinium-methyl-
On TCNQCN, mixed complex with N-n-butyl-N-methylmorpholinium-methyl-TCNO, complex, (ii) N-n-butyl(iso)quinolinium-methyl-TCNQtV body, and N-n- Phyl-α-picolinium-methyl-mixture on TCNQCN<Hg form, (iii) Nn-butyl-N-methylmorpholinium-
Mixed complex of N-n-butyl α-vinylinium-medy-TCNQ complex on methyl-TCNQCN, (iv) Mixed complex of N-n-butyl (iso)quinolinium ~ methyl-TCNQ complex and N-n-octyl (iso) ) mixed complex on quinolinium-methyl-TCNQCN, (v) mixed complex on N-n-butyl(iso)quinolinium TCNQ complex and N-n-butyl-N-methylmorpholinium-methyl-TCNQCN, (vi ) A mixed complex of N-n-butyl(iso)quinolinium-methoxybar'rCNQ complex and N-n-butyl-Nmethylmorpholinium TCNQ complex, etc., and crystal forms other than these examples include Three or more different types of R-TCNQ and TCNQCN may be combined. Also, the RT CN Q 1! In cases where the required conductivity cannot be satisfied because the conductivity of the body tends to be lower than that of unsubstituted TCNQCN, the above (i) ~(v
For each combination of l), on unsubstituted TCNQCN, for example, N-n-butyl (iso) which has high conductivity and is relatively inexpensive.
The desired conductivity may be obtained by adding a quinolinium TCNQ complex. Furthermore, the above example (■)
.

(vi)のように用いるR−TCNQCN上組み合わせ
の一方を結晶形の異なるアルキル基未置換のTCNQC
N上しても臭い。次に、結晶形の異なるR−TCNQお
よびTCNQCN上組み合わせる時のこれらの配合比率
の効果について説明する。
One of the above combinations of R-TCNQCN used as in (vi) is an unsubstituted alkyl group TCNQC with a different crystal form.
Even if I go up to N, it still stinks. Next, the effect of the blending ratio when R-TCNQ and TCNQCN, which have different crystal forms, are combined will be explained.

高分子マトリックスへのR−TCNQおよびTCNQ錯
体混合物の配合割合を、例えば高分子マトリックス10
0重量部に対してR−TCNQ錯体混合物80重量部と
一定にして、N−n−ブチル(イソ)キノリニウム−メ
チル−T CN Q 89体とN−n−ブチル−N−メ
チルモルポリニウム−メチル−TCNQCN上およびN
−n−ブチル(イソ)キノリニウム−メチル−TCNQ
CN上Nn−ブチル−N−メチルモルポリニウムT C
N Q錯体と各組み合わせにおいて、その配合比率を変
化させたものをそれぞれ基板上にコーティングして塗工
膜厚0.1μmの高分子膜を形成させたとき、2種のR
−TCNQCN上よびR−TCNQCN上TCNQCN
上配合比率と、得られた基板の表面抵抗との関係は第1
a図および第1b図に示すとおりである。これら結晶形
の異なるR−TCNQCN上よびR−TCN Q錯体と
TCNQCN上配合比率は、混合によって最も低い表面
抵抗が得られるよ・)に選定すればよい。本発明者らの
実験結果によれば、結晶形の異なる2種のR−TCNQ
およびR−TCNQCN上配合比率は重量比で1、 +
 9〜9:1の範囲、好ましくは2:8〜8:2の範囲
である。
The blending ratio of R-TCNQ and TCNQ complex mixture to the polymer matrix is, for example, 10
N-butyl(iso)quinolinium-methyl-TCNQ 89 body and N-butyl-N-methylmorporinium- Methyl-TCNQCN and N
-n-butyl(iso)quinolinium-methyl-TCNQ
Nn-butyl-N-methylmorporinium on CN T C
When a polymer film with a coating thickness of 0.1 μm was formed by coating a substrate with each combination of NQ complex and its blending ratio changed, two types of R
- TCNQCN on TCNQCN and R-TCNQCN on TCNQCN
The relationship between the above compounding ratio and the surface resistance of the obtained substrate is the first
As shown in Figure a and Figure 1b. The blending ratios of R-TCNQCN and R-TCN Q complex and TCNQCN having different crystal forms may be selected so that the lowest surface resistance can be obtained by mixing. According to the experimental results of the present inventors, two types of R-TCNQ with different crystal forms
And R-TCNQCN upper compounding ratio is 1, +
It is in the range of 9 to 9:1, preferably in the range of 2:8 to 8:2.

本発明において前記錯体は、これを高分子マトリックス
中に配合することによって使用されるが、これら高分子
マトリックスとしては、使用される基材との密着性およ
び、透明性が高いことが必要であり、さらに該接着剤層
および透明高分子膜を形成する手法はコーティングによ
り形成されることが好ましいことから、該高分子7トソ
ツクスは汎用溶剤に溶解するものである必要がある。こ
のような高分子マトリックスとしては、ポリメタクリル
酸メチル(PMMA)等のアクリル樹脂、エポキシ樹脂
(B P)、フェノール樹脂(P F)、飽和共重合ポ
リエステル、アルキド樹脂、ナイロン11および]2.
ポリビニルブチラール(PVB)、ポリウレタン(PU
)、ポリカーボネ−1−(PC)、シリコーン樹脂(S
R)、ポリ塩化ビニル(P V C)ポリスチレン(P
S)、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール(PVA
)、1.2−ポリブタジェン(12−PB)、スチレン
−ブタジェン−スチレン共重合(S −13−3)、ス
チレン−イソプレン−スチレン共重合(S−I−3)、
スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合樹脂(
S−EB−3)、エチレン−アクリル酸エチル共重合樹
脂(EEA)。
In the present invention, the complex is used by blending it into a polymer matrix, but these polymer matrices need to have high adhesion to the substrate used and high transparency. Furthermore, since it is preferable that the adhesive layer and the transparent polymer film be formed by coating, the polymer 7 socks must be soluble in a general-purpose solvent. Examples of such polymer matrices include acrylic resins such as polymethyl methacrylate (PMMA), epoxy resins (BP), phenolic resins (PF), saturated copolymerized polyesters, alkyd resins, nylon 11, and ]2.
Polyvinyl butyral (PVB), polyurethane (PU
), polycarbonate-1-(PC), silicone resin (S
R), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (P
S), polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol (PVA
), 1.2-polybutadiene (12-PB), styrene-butadiene-styrene copolymerization (S-13-3), styrene-isoprene-styrene copolymerization (S-I-3),
Styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer resin (
S-EB-3), ethylene-ethyl acrylate copolymer resin (EEA).

エチIノンー酢酸ビニル共重合樹脂(E V A)、ア
イオノマー樹脂等が例示されるが、トソブデーブをキャ
リアデーブにヒートシールする時に、接着剤層は瞬時に
溶融または軟化してキ中リアテープに接着することが要
求されるのに対し、接着剤層と反対面の透明導電高分子
膜層ではヒートシーラーの圧着によって熱溶融してしま
うとヒートシーラーの熱圧着ヘットにトップテープフィ
ルムが接着するスティッキング現象を起こし、作業に支
障を来すため耐熱性が要求されるので、接着剤層に使用
される高分子マトリックスと該透明導電高分子膜層に使
用される高分子マトリックスとは別々に考える必要があ
る。
Examples include ethyl-non-vinyl acetate copolymer resin (EV A), ionomer resin, etc., but when heat-sealing Tosobudave to carrier Dave, the adhesive layer instantly melts or softens and adheres to the rear tape in the middle. On the other hand, if the transparent conductive polymer film layer on the opposite side of the adhesive layer is melted by the pressure bonding of the heat sealer, it will cause a sticking phenomenon in which the top tape film adheres to the thermocompression head of the heat sealer. Since heat resistance is required to prevent the adhesive layer from rising and hindering work, it is necessary to consider the polymer matrix used for the adhesive layer and the polymer matrix used for the transparent conductive polymer film layer separately. .

すなわち、接着剤層に使用する樹脂としては、飽和共重
合ポリエステル、PVB、PVC,EVA、EEA、ポ
リ酢酸ヒニル、Lm−PB  アイオノマー樹脂、 5
−B−3,5−I−3S、−EB −3、ナイロン■1
および12などの単体もしくは2種以上の混合物が適当
であり、該透明導電高分子膜層に使用する樹脂としては
、熱硬化性ポリウレタンや高ガラス転移点の飽和共重合
ポリエステル、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、PMM
A、、PC,シリコーン樹脂などの単体もしくは2種以
上の混合物の使用が好ましく、これらの樹脂中にその耐
熱性を向上させる目的で、イソシアネト、酸無水物、ア
ミン化合物等の硬化剤を適宜配合することば任意である
とともに、イソシアネ−l−系の硬化剤を使用した場合
、その硬化促進のために60°C×72時間の加温エイ
ジングにおいて、得られるトップテープフィルム同士が
ブロツキングしないように、パーフロロアルキル基を含
有するブロック共重合体等のブロッキング防止剤を添加
することも配慮される。
That is, the resins used for the adhesive layer include saturated copolymerized polyester, PVB, PVC, EVA, EEA, polyhinyl acetate, Lm-PB ionomer resin, 5
-B-3,5-I-3S, -EB-3, nylon ■1
A single substance or a mixture of two or more of 12 and 12 are suitable.Resins used for the transparent conductive polymer film layer include thermosetting polyurethane, saturated copolymer polyester with a high glass transition point, epoxy resin, and phenol resin. , PMM
A. It is preferable to use a single substance or a mixture of two or more of PC, silicone resin, etc., and a curing agent such as isocyanate, acid anhydride, amine compound, etc. is appropriately blended into these resins for the purpose of improving their heat resistance. In addition, when an isocyanate-l-based curing agent is used, in order to accelerate the curing, heat aging at 60°C for 72 hours is performed to prevent the resulting top tape films from blocking each other. It is also contemplated to add an antiblocking agent such as a block copolymer containing perfluoroalkyl groups.

上記高分子マトリックスと該混合錯体とを溶解して溶液
を得るための溶剤は、ジメチルポルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ブロビレンカーボ不−1・、γ−ブチロ
ラクI・ン、ジメチルスルフオキシド、スルボラン、フ
ォルムアマイド、N−メチル−2−ピロリドン、アセF
・ニトリル、プロピオニトリル、シクロヘキザノン、メ
チルエチルケトンナトに加えて、汎用溶剤であるベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの芳香族系炭化水素溶剤塩
化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素溶剤、メタノール、エタノールなどのアル
コール系溶剤、テトラヒドロフラン、1,4 ジオーV
サンなどのエーテル系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、
酢酸アミルなどのエステル系溶剤等の単一または混合溶
剤として、コーティング成膜時の揮発性などを考慮して
選択すればよく、更には錯体の安定性の面から、脱水・
蒸溜し精製したものを使用するのが望ましい。
The solvent for dissolving the polymer matrix and the mixed complex to obtain a solution includes dimethylpolamide, dimethylacetamide, brobylenecarbofluorine, γ-butyrolactone, dimethylsulfoxide, sulborane, and formamide. , N-methyl-2-pyrrolidone, aceF
・In addition to nitrile, propionitrile, cyclohexanone, and methyl ethyl ketona, general-purpose solvents include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene, halogenated hydrocarbon solvents such as methylene chloride, chloroform, and dichloroethane, methanol, and ethanol. Alcohol-based solvents such as tetrahydrofuran, 1,4 diol V
Ether solvents such as San, ethyl acetate, butyl acetate,
Single or mixed solvents such as ester solvents such as amyl acetate may be selected taking into consideration volatility during coating film formation, and from the viewpoint of stability of the complex, dehydration and
It is preferable to use distilled and purified products.

前記高分子マトリックスを前記溶剤に溶解し、高分子マ
トリックス100重量部に対して、結晶形の責なる2種
以トのR−TCNQ錯体またはRTCNQ錯体とTCN
Q錯体の錯体混合物(以下、TCNQ混合錯体と称ず)
2〜200重量部、好ましくは5〜100重量部を分散
溶解させる。
The polymer matrix is dissolved in the solvent, and based on 100 parts by weight of the polymer matrix, two or more R-TCNQ complexes or RTCNQ complexes and TCN that are responsible for the crystal form are added.
Complex mixture of Q complex (hereinafter referred to as TCNQ mixed complex)
2 to 200 parts by weight, preferably 5 to 100 parts by weight, are dispersed and dissolved.

この際、スパイラルミキリー一、プラネタリーミキザー
、ディスパーサ−、ハイブリノドミキ→ノ“−などのブ
レード型攪拌混練装置が好適に用いられる。
At this time, blade-type stirring and kneading devices such as a spiral mixer, a planetary mixer, a disperser, and a hybrid mixer are preferably used.

なお、この後更にボールミル、振動ミル、ザンドミルな
どのボール型混練装置を用いて分散溶解を徹底化するの
が望ましい。
Note that after this, it is desirable to thoroughly disperse and dissolve the mixture using a ball-type kneading device such as a ball mill, vibration mill, or sand mill.

これら混練装置は、もしこれが鋼鉄製または調合金製な
どの場合には該錯体がギレートを形成して変質し、表面
抵抗が著しく高くなる虞れがあるので、クロムめっき製
またはステンレス鋼製の装置を使用することが望ましい
。この高分子マトリックス−溶剤−該TCNQ混合錯体
の混合溶液(以下TQ塗工液と呼ぶ)は、グラビアコー
ターなどを使用し、ベースフィルムにコーティングする
ことができるが、この塗工機のコーティングヘッドも上
と同様の理由でクロムめっき製とするのがよい。TQ塗
工液を後述する厚さにコーティングするには、その粘度
を100cP以下、望ましくは1〜1.00cP、固形
分量1〜20重量%の範囲に設定しておくことか望まし
い。
If these kneading devices are made of steel or prepared alloys, there is a risk that the complex will form gyrate and deteriorate, resulting in a significantly high surface resistance. It is preferable to use This mixed solution of polymer matrix, solvent, and the TCNQ mixed complex (hereinafter referred to as TQ coating liquid) can be coated on a base film using a gravure coater or the like, but the coating head of this coating machine also For the same reason as above, it is better to use chrome plating. In order to coat the TQ coating liquid to the thickness described below, it is desirable to set the viscosity to 100 cP or less, preferably 1 to 1.00 cP, and the solid content to a range of 1 to 20% by weight.

前記TQ塗]−液を塗工するヘースフィルムとしては透
明性の高い汎用のプラスチックフィルム例えばポリエチ
レンフィルl1.ポリ塩化ビニルフィルム、ポリプロピ
レンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリスチレンフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカ
ーボネートフィルム、ポリアリLノー1−フィルム、ポ
リフッ化ビニリデンフィルム、ポリアミドフィルムなど
が用いられる。これらプラスチックフィルムは、少なく
ともをの一面に透明導電性接着剤層または透明導電性高
分子膜を形成するため、該接着剤および高分子膜の密着
性を向トさせる目的で該表面をコロナ放電処理またはプ
ラズマ処理を行うことか好ましい。
Said TQ Coating] - As a base film for coating the liquid, a highly transparent general-purpose plastic film such as polyethylene film 11. Polyvinyl chloride film, polypropylene film, polystyrene film, polystyrene film, polyethylene terephthalate film, polycarbonate film, polyaryl L No. 1 film, polyvinylidene fluoride film, polyamide film, etc. are used. In order to form a transparent conductive adhesive layer or a transparent conductive polymer film on at least one surface of these plastic films, the surface is subjected to corona discharge treatment in order to improve the adhesion of the adhesive and polymer film. Alternatively, it is preferable to perform plasma treatment.

また、TQ塗工液によって形成される透明導電性接着剤
層および透明導電性高分子膜は、その厚さが大きいと得
られるl・ノブテープフィルムの透明性が低下するので
、なるべく薄いことが好ましく、該透明導電性高分子膜
の場合はザブミクロンから10μmの範囲、好ましくは
0.1〜2pmの範囲とするのが良いが、該透明導電接
着剤層の場合はこの厚さが接着強さに影響を与えること
から、膜厚0.5μm以上が必要とされるが、接着強度
との関係で膜厚が3μm以十必要な場合には、使用する
R−TCNQ錯体およびTCNQ錯体が比較的高価であ
るとともに、得られるトップテープフィルムの透明性が
低ドすることから該錯体を含まない接着剤層を第−層に
設け、該錯体を含有する接着剤層を第二層(膜厚ザブミ
クロンから2μm)に設けるのがよい。
In addition, the transparent conductive adhesive layer and the transparent conductive polymer film formed by the TQ coating liquid should be as thin as possible, since the transparency of the resulting L-knob tape film will decrease if the thickness is too large. Preferably, in the case of the transparent conductive polymer film, the thickness is in the range from Zabumicron to 10 μm, preferably in the range of 0.1 to 2 pm, but in the case of the transparent conductive adhesive layer, this thickness is the adhesive strength. However, if a film thickness of 3 μm or more is required due to the adhesive strength, the R-TCNQ complex and TCNQ complex to be used should be relatively thick. Since it is expensive and the transparency of the resulting top tape film is low, an adhesive layer that does not contain the complex is provided as the first layer, and an adhesive layer containing the complex is provided as the second layer (thickness of submicron). 2 μm).

以下、本発明の実施例および比較例との対比において、
具体的に説明する。
Hereinafter, in comparison with examples and comparative examples of the present invention,
I will explain in detail.

〔実施例−1〕 透明基材として厚さ25μmのポリエステルフィルム「
ルミラー・Tタイプ」 (東しく株製商品名)をヘース
フィルムとして使用した。接着剤として、ガラス転移点
2℃、環球法軟化点115℃の飽和共重合ポリエステル
[エリ−チル・tJ E−3221J(ユニチカfil
製商品名)を使用し、この「エリ−チル・tJ E−3
221J 100重量部をトルエン/メチルエチルケト
ン(50150)の混合溶剤233.3重量部に高速デ
ィスパーサ−を用いて溶解し、粘度1.50cPのコー
ティング?容ン(WAを8周整した。次いで、「エリ−
チル・U E−3221−1100重量部を、シクロヘ
キサノン/1−ルエン(70/30)の混合溶剤500
重量部に高速ディスパーザ−を用いて溶解し、この中に
N−n−ブチルイソキノリニウムメチル−TCNQ錯体
(日東化学工業■製、試作品)5.3重量部と、N−n
−ブチル−N−メチルモルホリニウム−メチル−TCN
Q錯体(日東化学工業0ル製、試作品)2.7重量部と
を添加し、ディスパーザ−を用いて攪拌溶解後、サンド
ミル処理を行い、さらに濾紙(ワットマンフィルターペ
ーパー阻3)によって濾過を行って粘度20cPのコー
ティング?容ン夜Bを8周整した。ごの両?容ン夜AB
の各塗工液を、線数180メツシユ、深度35μmのグ
ラビア版を2色グラビアコーターに設置し、前記ポリエ
ステルフィルムの一面にA、 −Bの順にコーティング
・乾燥を実施した。得られた乾燥塗膜の厚さはコーティ
ング液入が3μmでコーチインゲン夜Bが0.1μmで
あった。得られたト・ノブテープフィルムにDCloo
Vを印加して表面抵抗を測定したところ、単位面積当た
り平均値2.2×】06Ω、最大値2.8 X 1. 
O’Ω、最小値1.7×10″Ωであって非常に安定し
ており、その光線透過率は86%、ヘイズば10以下で
あり、幅1關のヒーI・シールヘッドによってポリ塩化
ビニル製キャリアテープに接着剤温度が140℃になる
ような条件で1秒間圧着したところ、その剥離接着強度
は38 g f / i++であり、使用上なんら問題
のないものであった。
[Example-1] A polyester film with a thickness of 25 μm was used as a transparent base material.
Lumirror T Type" (trade name, manufactured by Toshiku Co., Ltd.) was used as the hair film. As an adhesive, a saturated copolymer polyester [Erythyl tJ E-3221J (Unitika fil
Product name)
100 parts by weight of 221J was dissolved in 233.3 parts by weight of a mixed solvent of toluene/methyl ethyl ketone (50150) using a high-speed disperser to form a coating with a viscosity of 1.50 cP. Yon (I completed 8 laps of WA. Next, ``Ellie''
Chill U E-3221-1100 parts by weight was mixed with 500 parts by weight of a mixed solvent of cyclohexanone/1-luene (70/30).
5.3 parts by weight of N-butylisoquinolinium methyl-TCNQ complex (manufactured by Nitto Kagaku Kogyo ■, prototype) and N-n were dissolved using a high-speed disperser.
-Butyl-N-methylmorpholinium-methyl-TCN
2.7 parts by weight of Q complex (manufactured by Nitto Kagaku Kogyo 0L, prototype) was added, stirred and dissolved using a disperser, sand milled, and further filtered using filter paper (Whatman Filter Paper 3). Is it a coating with a viscosity of 20cP? Finished 8 laps of Yongya B. The two of you? Yoonya AB
A gravure plate with a line count of 180 meshes and a depth of 35 μm was installed in a two-color gravure coater, and one side of the polyester film was coated and dried in the order of A and -B with each coating solution. The thickness of the dried coating film obtained was 3 μm for the coating solution and 0.1 μm for the coating film B. DCloo on the resulting Tonobu tape film.
When V was applied and the surface resistance was measured, the average value per unit area was 2.2×]06Ω, and the maximum value was 2.8×1.
O'Ω, minimum value 1.7 x 10''Ω, very stable, its light transmittance is 86%, haze is less than 10, polychlorinated by the 1-width heat seal head. When it was pressure-bonded to a vinyl carrier tape for 1 second at an adhesive temperature of 140° C., its peel adhesion strength was 38 g f /i++, which caused no problems in use.

〔実施例−2〕 透明基材として厚さ25μmのポリエステルフィルム「
ルミラー・Tタイプ」 (東し■型面品名)をヘースフ
ィルムとして使用した。高分子7トリソクスとして、ガ
ラス転移点90°C1環球法軟化点185°Cの飽和共
重合ポリエステル「エリ・−チル・IJE−3690j
  (ユニチカ(11製商品名>10重置部ヲ、シクロ
ヘキザノン/トルエン(70/30)の混合溶剤500
重量部に高速ディスパーサ−を用いて)容解し、この中
にN−n−ブチルイソキノリニ・″ノムーメーy−ルー
T CN Q 錯体(日東化学工業0噂製、試作品)5
.3重量部と、l’J −+iミーブチルN−メチルモ
ルホリニウムメチル−TCNQ錯体(11東化学工業f
jl製、試作品)2.7重量部とを添加し、ディスパー
サーを用いて攪拌溶解後、ザンドミル処理を行い、さら
に濾紙(ワy l・マンフィルターペーパー陽3)によ
って濾過を行った。
[Example-2] A polyester film with a thickness of 25 μm was used as a transparent base material.
"Lumirror T Type" (Toshi ■ type surface product name) was used as a hair film. Polymer 7 Trisox is a saturated copolymerized polyester with a glass transition point of 90°C and a ring and ball softening point of 185°C.
(Unitika (product name manufactured by 11) > 10 overlapping parts, mixed solvent of cyclohexanone/toluene (70/30) 500
(by weight using a high-speed disperser), and in this, N-n-butyl isoquinolini・'nomumey-ru-T CN Q complex (manufactured by Nitto Kagaku Kogyo 0 Rumor, prototype) 5
.. 3 parts by weight and l'J −+i mebutyl N-methylmorpholinium methyl-TCNQ complex (11 Higashi Kagaku Kogyo f
After stirring and dissolving using a disperser, 2.7 parts by weight of 2.7 parts by weight (manufactured by JL Co., Ltd., prototype) were added, and after stirring and dissolving using a disperser, sand milling was performed, and further filtration was performed using a filter paper (WYL/Mann Filter Paper YO 3).

得られた液100重量部にI−IJ l/ンジイソシア
不−I・−トリメチルプロバンアダクI・プレポリマー
「二1[]ネー1id(日本ポリウレタン工業(株制商
品名)0.25重量部とブロッキング防止剤「モディパ
ーF−1(日本油脂(11製商品名)0.1重量部を添
加した後、再度ディスパーサ−で攪拌し、粘度20cP
のコーティング溶液Cを調整した。この溶液Cでの透明
導電性膜中に析出したR−TCNQ錯体の結晶構造は第
2図示のようになっている。
To 100 parts by weight of the obtained liquid was added 0.25 parts by weight of I-IJ l/n-diisocyanin-I-trimethylproban adduct I prepolymer "21[]ne1id" (trade name of Nippon Polyurethane Industries Co., Ltd.). After adding 0.1 part by weight of the anti-blocking agent "Modipar F-1" (trade name manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd. (11)), it was stirred again with a disperser to obtain a viscosity of 20 cP.
A coating solution C was prepared. The crystal structure of the R-TCNQ complex deposited in the transparent conductive film in solution C is as shown in the second diagram.

まず、実施例−1で使用した塗Tt&Aを線数180メ
ソシュ、深度35μmのグラビア版下をグラビアコータ
ーに設置し、前記ポリエステルフィルムの一面にコーテ
ィング・乾燥を実施したのち、該接着剤層の反対面に前
記塗工液Cを塗「液Aと同様にしてコーティング・乾燥
を実施した。得られた乾燥塗膜の厚さはコーチインク′
?夜Aが3μrnでコーテイング液Cが0.1μmであ
った。ここで得られたl・ツブテープフィルムの透明導
電性膜にDClooVを印加して表面抵抗を測定したと
ころ、単位面積当たり平均値2.5X]O’”Ω、最大
値3.0X10’“Ω、最小値2゜0XIO’Ωであっ
て非常に安定しており、その光線透過率は87%ヘイズ
は10以下であり、幅1龍のヒートシールヘッドによっ
てポリ塩化ビニル製キャリアテープに接着剤温度力月4
0℃になるような条件で1秒間圧着したところ、その剥
離接着強度は37gf/ miであり、使用上なんら問
題のないものであった。
First, a gravure plate with a coating Tt&A used in Example 1 having a line count of 180 meshes and a depth of 35 μm was installed in a gravure coater, and one side of the polyester film was coated and dried, and then the other side of the adhesive layer was coated and dried. Coating liquid C was applied to the surface and coating and drying were carried out in the same manner as liquid A. The thickness of the obtained dry coating film was
? Night A was 3 μrn, and coating liquid C was 0.1 μrn. When DClooV was applied to the transparent conductive film of the l-tube tape film obtained here and the surface resistance was measured, the average value per unit area was 2.5X]O'"Ω, and the maximum value was 3.0X10'"Ω , the minimum value is 2゜0XIO'Ω, which is very stable, and its light transmittance is 87%, and the haze is less than 10. Chizuki 4
When pressure bonded for 1 second at 0°C, the peel adhesion strength was 37 gf/mi, which caused no problems in use.

〔実施例−3〕 実施例−2で用いた飽和共重合ポリエステル10重量部
に対し、コーテイング液Cで用いた2種類のR−TCN
Q錯体のうち、N−n−プチルイソキノリニウJ、−メ
チル−T CN Q tf)体をアルキル基未置換のN
−n−ブチルイソキノリニウムTCNQ錯体とし、その
他は実施例−1と同様にして処理した。ここで得られた
トップテープフィルムを実施例−1と同様にして測定し
たところ、その表面抵抗は単位面積当り平均値7.7X
10’Ω最犬埴8.71X10’ Ω、最小値7.5X
1.05Ωてあった。
[Example-3] Two types of R-TCN used in coating liquid C were added to 10 parts by weight of the saturated copolymerized polyester used in Example-2.
Among the Q complexes, the N-n-butylisoquinolinium J, -methyl-T CN Q tf) is substituted with an alkyl group
-n-butylisoquinolinium TCNQ complex was used, and otherwise the treatment was carried out in the same manner as in Example-1. When the top tape film obtained here was measured in the same manner as in Example-1, its surface resistance was 7.7X on average per unit area.
10'Ω Most Inuhani 8.71X10' Ω, minimum value 7.5X
It was 1.05Ω.

〔比較例−1〕 実施例−2で用いた飽和共重合ポリエステル10重量部
に対し、N−n−ブチルイソキノリニウムメチル−TC
NQ錯体(日東化学工業■製、試作品)単独を8.0重
量部を添加し、使用溶剤としてシクIコヘキザノン/ト
ルエン(70/30)の混合溶剤として、その他の条件
は実施例2と同様とした。ここで得られたトップテープ
フィルムを実施例−1と同様にして測定したところ、そ
の表面抵抗は単位面積当たり平均値1.4X1.0’ 
Ω、最大値2.5X107Ω、最小値0.9X107Ω
であった。
[Comparative Example-1] N-n-butylisoquinolinium methyl-TC was added to 10 parts by weight of the saturated copolymerized polyester used in Example-2.
8.0 parts by weight of NQ complex (manufactured by Nitto Kagaku Kogyo ■, prototype) alone was added, and the solvent used was a mixed solvent of cyclohexanone/toluene (70/30), other conditions were the same as in Example 2. And so. When the top tape film obtained here was measured in the same manner as in Example-1, its surface resistance was an average value of 1.4 x 1.0' per unit area.
Ω, maximum value 2.5X107Ω, minimum value 0.9X107Ω
Met.

〔比較例−2〕 実施例−2で用いた飽和共重合ポリエステル10重量部
に対し、コーテイング液Cで用いた2種類のR−TCN
Q錯体に代えてアルキル基未置換のN−n−ブチルイソ
キノリニウムTCNQ錯体(日東化学工業(株制、試作
品)5.3重量部とNn−ブチルーN−メチルモルポリ
ニウムTCNQ錯体(日東化学工業(株制、試作品)2
.7重量部とを添加し、使用溶剤としてシクロへキザノ
ン/メチルエチルケトン(80/20)の混合溶剤とし
て、その他の条件は実施例2と同様として乾燥皮膜の厚
さが0.1μmの透明導電性膜を形成させた。ここで得
られたトップテープフィルムを実施例−1と同様にして
測定したところ、その表面抵抗は単位面積当たり平均値
4.8X105Ω、最大値5.0×105Ω、最小値4
.7X]、O19であった。
[Comparative Example-2] Two types of R-TCN used in coating liquid C were added to 10 parts by weight of the saturated copolymerized polyester used in Example-2.
In place of the Q complex, 5.3 parts by weight of an unsubstituted N-n-butylisoquinolinium TCNQ complex (Nitto Kagaku Kogyo Co., Ltd., prototype) and an Nn-butyl-N-methylmorporinium TCNQ complex ( Nitto Chemical Industry (stock system, prototype) 2
.. 7 parts by weight, a mixed solvent of cyclohexanone/methyl ethyl ketone (80/20) was used, and the other conditions were the same as in Example 2. A transparent conductive film with a dry film thickness of 0.1 μm was prepared. formed. When the top tape film obtained here was measured in the same manner as in Example-1, its surface resistance per unit area was an average value of 4.8 x 105 Ω, a maximum value of 5.0 x 10 5 Ω, and a minimum value of 4.
.. 7X], O19.

前記実施例−2と比較例−1で得られたトップテープフ
ィルムを、65℃、95%の高温高湿の雰囲気中に保持
してその表面抵抗の変化を測定しプこ。
The top tape films obtained in Example 2 and Comparative Example 1 were held in a high temperature, high humidity atmosphere of 95% at 65° C., and changes in surface resistance were measured.

その結果は、第4図に示すように実施例−2で得られた
トップテープフィルムはその表面抵抗の上昇が少なく、
実用上の帯電防止に必要な単位面積当たり109Ωの表
面抵抗を120時間経過しても維持していたのに対し、
比較例−1で得られたトップテープフィルムでは、48
時間経過した時点でずでに単位面積あたりの抵抗値が1
0”以」二に増大し、導電性が大幅に低下した。
As shown in Figure 4, the results showed that the top tape film obtained in Example 2 had a small increase in surface resistance;
While the surface resistance of 109 Ω per unit area, which is necessary for practical static prevention, was maintained even after 120 hours.
In the top tape film obtained in Comparative Example-1, 48
Once the time has passed, the resistance value per unit area will be 1.
The conductivity increased to more than 0" and the conductivity decreased significantly.

次いで、」二層実施例−2と実施例−3および比較例2
で得られた各塗工液を25°C155%RHの雰囲気中
に投入し、所定の時間ごとに各塗工液を前記方法と同様
の方法にて塗工し、0.1μm透明導電性皮膜を形成し
て、その表面抵抗の変化を測定した結果を第3図に示す
。その結果、実施例−3ではその抵抗上昇が少なく、1
5日経過しても実用上の帯電防止に十分な単位面積当た
り107Ωの表面抵抗を維持しており、さらに実施例−
2では30日経過しても単位面積当たり107の表面抵
抗を維持いたのに対し、比較例−2では10日経過時に
単位面積当たり107Ω以トであり、15日経過時には
単位面積当たり109Ω以上の表面抵抗であった。
Next, "Two-layer Example-2 and Example-3 and Comparative Example 2
Each coating solution obtained in step 1 was put into an atmosphere at 25°C and 155% RH, and each coating solution was applied at predetermined intervals in the same manner as above to form a 0.1 μm transparent conductive film. FIG. 3 shows the results of measuring the change in surface resistance. As a result, in Example-3, the resistance increase was small and 1
Even after 5 days, the surface resistance of 107 Ω per unit area, which is sufficient for practical antistatic prevention, was maintained, and in addition, the surface resistance of Example-
Comparative Example 2 maintained a surface resistance of 107 Ω per unit area even after 30 days, while Comparative Example 2 maintained a surface resistance of 107 Ω or more per unit area after 10 days, and 109 Ω or more per unit area after 15 days. It was surface resistance.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は、異なる結晶形を有する少なくとも2種以上の
錯体を用いることによって、従来のTCNQ錯体単独を
用いていた場合に比較して、より表面抵抗が低く、バラ
ツキが少なく、該表面抵抗の高温および高温高温での安
定性に優れているとともに、該結晶形の異なる錯体の少
なくとも1種をアルキル基置換TCNQ錯体とすること
によって、その溶液での保存安定性が格段に向卜し、汎
用溶剤を使用できることから、より低コストでの製造が
可能となったことから、実用的に優れたl・ツブテープ
フィルムとすることができる。
By using at least two or more types of complexes having different crystal forms, the present invention provides lower surface resistance, less variation, and higher temperature resistance than when a conventional TCNQ complex is used alone. In addition to being excellent in stability at high temperatures and high temperatures, by using at least one of the complexes with different crystal forms as an alkyl group-substituted TCNQ complex, its storage stability in solution is greatly improved, and it can be used as a general-purpose solvent. Because it can be used, it can be manufactured at a lower cost, making it possible to produce a practically excellent l-tube tape film.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明のトップテープフィルムの使用時におけ
る拡大縦断面図、第1a図は高分子マトリックスに対す
るR−TCNQ錯体による混合相体の配合部数を一定と
して、結晶形の異なる2種の錯体の混合比率と表面抵抗
との関係を示す。第11)図ば高分子マI・リソクスに
対するR−TCNQとTCNQ錯体による混合錯体の配
合部数を一定として、結晶形の異なる2種の錯体の混合
比率と表面抵抗との関係を示す。第2図は本発明の実施
例−2で得られた透明導電性膜中に析出したRTCNQ
錯体の結晶構造を示す偏向顕微鏡写真(倍率:200倍
)である。第3図は実施例−2と実施例−3および比較
例−2の各塗工液の25°C55%RHおける表面抵抗
の変化を示す。第4図は実施例−2と比較例=1で得ら
れたトップテープフィルムの高温高温中における表面抵
抗の経時変化を示したものである。第5図はN−n−プ
チルイソキノリニウ、A T CN Q錯体を単独で用
いた場合の透明導電性膜中に析出したTCNQ錯体の結
晶構造を示す偏向顕微鏡写真(倍率=200倍)である
。 1・・・トップテープフィルム、2・・・ベースフィル
ム、3・・・ヒートシール接着剤層、4・・・透明導電
膜層、5・・・キャリアテープ、5 ・・キャリアテープの周 縁部、 6・・・キャビティ。
Figure 1 is an enlarged vertical cross-sectional view of the top tape film of the present invention when it is used, and Figure 1a is a composite of two types of complexes with different crystal forms, with the number of mixed phases of R-TCNQ complexes added to the polymer matrix constant. The relationship between the mixing ratio and surface resistance is shown. 11) For example, the relationship between the mixing ratio of two types of complexes with different crystal forms and the surface resistance is shown, assuming that the number of mixed complexes of R-TCNQ and TCNQ complexes mixed with respect to the polymer MaI litox is constant. Figure 2 shows RTCNQ deposited in the transparent conductive film obtained in Example-2 of the present invention.
It is a polarized micrograph (magnification: 200 times) showing the crystal structure of the complex. FIG. 3 shows changes in surface resistance of each coating solution of Example-2, Example-3, and Comparative Example-2 at 25°C and 55%RH. FIG. 4 shows the change over time in the surface resistance of the top tape films obtained in Example 2 and Comparative Example 1 at high temperatures. Figure 5 is a polarized micrograph (magnification = 200x) showing the crystal structure of the TCNQ complex deposited in the transparent conductive film when the Nn-butylisoquinolinium, ATCNQ complex is used alone. be. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Top tape film, 2...Base film, 3...Heat seal adhesive layer, 4...Transparent conductive film layer, 5...Carrier tape, 5...Periphery of carrier tape, 6...Cavity.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ベースフィルムの一面に、7,7,8,8−テト
ラシアノキシジメタン錯体結晶を含有するヒートシール
性接着剤層を形成したキャリアテープ用トップテープフ
ィルムであって、該錯体結晶が、少なくとも2種の結晶
形錯体から成り、該錯体の少なくとも1種がアルキル基
置換7,7,8,8−テトラシアノキシジメタン錯体で
あることを特徴とするトップテープフィルム。
(1) A top tape film for a carrier tape in which a heat-sealable adhesive layer containing 7,7,8,8-tetracyanoxydimethane complex crystals is formed on one side of the base film, the complex crystals being A top tape film comprising at least two crystalline complexes, at least one of which is an alkyl group-substituted 7,7,8,8-tetracyanoxydimethane complex.
(2)ベースフィルムの一面に、7,7,8,8−テト
ラシアノキシジメタン錯体を含有する透明導電性高分子
皮膜を形成したキャリアテープ用トップテープフィルム
であって、該錯体結晶が、少なくとも2種の結晶形錯体
から成り、該錯体の少なくとも1種がアルキル基置換7
,7,8,8−テトラシアノキシジメタン錯体であり、
前記ベースフィルムの他面にヒートシール性接着剤層を
備えたことを特徴とするトップテープフィルム。
(2) A top tape film for a carrier tape in which a transparent conductive polymer film containing a 7,7,8,8-tetracyanoxydimethane complex is formed on one side of the base film, the complex crystals comprising: consisting of at least two crystalline complexes, at least one of which is alkyl-substituted 7
, 7,8,8-tetracyanoxydimethane complex,
A top tape film comprising a heat-sealable adhesive layer on the other side of the base film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS636792A (en) * 1986-06-27 1988-01-12 キヤノン株式会社 Antistatic layer and antistatic method
JPH01112599U (en) * 1988-01-26 1989-07-28

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