JPH0436998A - トップテープフィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種電子部品、精密部品などの微細な表面実
装部品の収納、搬送に使用されるプラスチック製キャリ
アテープ用のトップテープフィルムに関するものである
。

〔従来の技術〕

一般に、キャリアテープ用のトップテープフィルムは、
厚さ１０〜５０μｍのポリエステルフィルムまたはポリ
エステル／ポリオレフィン２層とも押し出しフィルムを
ベースフィルムとし、スチレン−ブタジエンースチレン
ブロソク共重合樹脂エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂な
どから成る厚さ１０〜３０μｍのヒートシール性接着剤
層をフィルム積層法か、コーティング法によって設けた
ものが広く利用されている。

このトップテープフィルムは、キャリアテープのキャビ
ティに部品を収納後、蓋をかふせるようにのせて該フィ
ルムの両端をキャリアテープにヒ−トシール接着するも
ので、収納、搬送時には部品の脱落を防止し、チップマ
ウンターなどの自動実装機による部品実装時にはキャリ
アテープから剥離除去されて使用されるものである。

このトップテープフィルムは、製造工程、使用工程で巻
出し、巻取りが数回行われるため摩擦・接触によって静
電気を帯びやすく、このフィルムが帯電した場合には、
ギヤリアテープからトップテープフィルムを剥離する時
、収納部品がトップテープフィルム側に静電付着してキ
ャリアテープのキャビティより脱落する不具合があり、
また相補型ＭＯ３−１ｃ、ＴＴＬ　（１−ランジスタ・
トランジスタ・ロジック）、ＭＯＳ−ＦＥ′Ｆ（電界効
果型トランジスタ）、バイポーラトランジスタ、シ３、
／　ｔ・キダイオード等の静電気に弱い半導体素子は、
このｌ・ツブテープフィルムに接触した場合、放電によ
って静電破壊してしまうことから、このトップテープフ
ィルムは、従来では界面活性剤系帯電防止剤をピー１−
シール性接着剤層に練り込んだり、フィルム表面にコー
ティングして用いられている。

また、Ｉ・ノブテープフィル！、の帯電防止効果を得ら
れるための表面抵抗は、フィルム剥離時の部品脱落防止
のためには、中−位面積当たり１０９Ω以下、望ましく
は１０７Ω以下が必要であると言われている。

このような帯電防止効果を与えるのに有効な手段として
、接着剤層にカーボンブランクや金属微粉等の導電性粉
末を加える方法があるが、）・ツブテープフィルムは、
該フィルム面を通して部品のマーキング文字を確認した
り、目視検査する必要があるため透明性が要求されるの
で実用的に採用できない。そのため、Ｉ・ツブテープフ
ィルム表面の導電性を高める方法として、透明もしくは
半透明な界面活性剤を用いる帯電防止法、すなわちアニ
オン系活性剤、カチオン系活性剤２非イオン性活性剤２
両性活性剤などの界面活性剤をフィルムの接着剤層に練
り込んだり、フィルム表面にコーティングすることによ
って、ｌ・ツブテープフィルム表面に親水性とイオン性
を与える方法が一般に行われている。

そのような帯電防止剤に用いる界面活性剤としては、脂
肪族第４級アンモニウム塩型カチオン系界面活性剤、カ
ルボキシベタイン型両性界面活性剤、高級アルコールリ
ン酸エステル・ナトリウム塩などのアニオン系界面活性
剤、ポリオキシエチレンソルヒタン脂肪酸エステル、ポ
リオキシエヂレンアルキルアミンなどの非イオン性界面
活性剤が用いられているが、この帯電防止剤は、粉末状
。

水溶液状、油溶液状として市販されており、ヒートシー
ル性接着剤層に練り込むか、該フィルムの裏面にコーテ
ィングして用いられる。

しかし、一般に一１界面活性剤はフィルム面において、
　Ｃ００−Ｍ’、　　−Ｏ３（ｈ−Ｍ”、　（以上のＭ
ばＩｔ、　Ｎａ。

Ｋなどの元素原子）、　ＣＮ（ＣＨ３）２　　）　”Ｘ
−（ＸはＣ１，Ｂｒ等のハロゲン元素原子）、　　ＯＬ
　　　（ＣＨ２ＣＨｚＯ）、などの親水基を大気中に向
けて配列させ、その吸湿性によって電気抵抗を低下させ
るものであることから、大気中の湿度に左右されやすく
、また、常温常温（５〜３５°Ｃ１４５〜８５％ＲＨ）
において表面抵抗が単位面積あたり１０９Ω以上であり
、半導体素子の静電破壊防止には役立たないこと、また
、接着剤層に練り込む場合には、接着剤樹脂と帯電防止
剤との相溶性が問題となり、相溶性が不良の場合には接
着剤層表面にブリードして、ヒートシール接着性能を劣
化させる場合があることやフィルム表面へコーティング
したものは、湿気中に溶は出して帯電防止効果が失われ
やすい等の問題点があり、満足な帯電防止能と透明性を
合わせ持つ１〜ツブテープフイルムの出現が望まれてい
る。

最近帯電防止能と透明性を合わせ持つＩ・ツブテープフ
ィルムとして、例えば実開平１−１．１２５９９号公報
のように、７，７，８．８−テトラシアノキシジメタン
錯体（以下、ＴＣＮＱ錯体と略記する）を用いたものが
提案されている。このＴＣＮＱ錯体を用いたものは、そ
の導電機構が針状結晶の析出による網目状の導電経路に
よるものであるため、その表面抵抗が大気中の湿度等に
影響されることがなく、比較的高い導電性と光線透過率
８０％以上の透明性を有するトップテープフィルムが得
られるという利点がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、このＴＣＮＱ錯体を用いた従来のトップテー
プフィルムでは、該網目状の導電経路は析出した針状結
晶の接触によるものであるため、この結晶成長の状態が
溶剤の揮発速度や乾燥時の温度分布に影響を受は易く、
よってｍ位面積中の導電経路数が不均一・となることか
ら表面抵抗のばらつきが大きいと同時に均一な表面抵抗
が得られないし、しかも、この１−ノブテープフィルム
ヤリアテープに熱接着する際には１３０〜１７０°Ｃの
高温で０．２〜１．０秒間ヒートシールすることから耐
熱性が要求されるが、高温（たとえば１４０°Ｃの加熱
）または高温高温条件（例えば、６０°Ｃ９５％Ｒ．　
Ｈ　）の条件下において、該針状結晶の接合点が劣化し
、その導電経路が著しく減少して導電性が大幅に低ドす
るという問題があった。

ずなわち、ＴＣＮＱ錯体として、例えばＮ−ｎブヂルイ
ソキノリニウムＴＣＮＱ錯体を単独で用い、高分子７ト
リソクスの溶媒溶液中に該高分子マトリックスの固形分
１００重量部に対して３〜１００重量部溶解して、透明
基材の面上にグビアコーター，ロールコータ−、または
スピンコーターなどを用いて薄膜を形成させると、該薄
膜内にＴ　Ｃ　Ｎ　Ｑ錯体が微細な針状結晶として析出
し、第５図のように網目状の連鎖である導電経路が成長
じて導電性が得られる。しかし、この場合、結晶成長の
状態が溶剤の揮発速度や乾燥時の温度分布の影響を受け
るため、単位面積あたりの導電経路数が不均一となって
表面抵抗のバラツキが大きくなるとともに、網目状連鎖
である導電経路の結晶の結合点が高温高湿条件下におい
て劣化を受け、著しく抵抗が上昇するという問題点が認
められた。

前記ＴＣＮＱ錯体は、Ｎ．Ｎニジメヂルボルムアミド，
ジメチルスルホキシドおよびシクロヘキザノンなどの強
極性プロトン溶剤以外の殆どの溶剤に対し、常温で不溶
乃至は難溶であり、実際の加工において塗工液とする場
合にはこれらの強極性プロトン溶剤を使用せざるをえず
、その塗工液の設計における自由度が著しく小さいもの
であると同時に、これらの強極性プロトン溶剤が一般に
汎用溶剤に比較して高価であることから、得られるトッ
プテープフィルムのコスＩ・が高くつくという問題点が
あった。さらにはこれら強極性プロトン溶剤がその極性
から吸水性が高く、溶剤が吸水することにより、この水
分がＴＣＮＱ錯体の解難を促進する触媒の機能を有する
ことから、塗工液の寿命か短く、塗工液を長期に渡って
保存した場合に表面抵抗か著しく」二昇してしまうとい
う問題点があった。

本発明はこれら従来の問題点を解決しようとするもので
表面抵抗のばらつきが小さく、かつ高温および高温高温
条件下においても導電性低下が少ないと同時に、塗工液
の寿命も長く、溶剤選択の自由度も大きく、より低コス
トのトップテープフィルムを提供することを目的とした
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、ベースフィルムの一面に、７，７，８．８テ
トラシアノキシジメタン錯体結晶を含有するし−　１−
ソール性接着剤層を形成したキャリアテープ用トップテ
ープフィルムであって、該錯体結晶が、少なくとも２種
の結晶形錯体から成り、該錯体の少なくとも１種がアル
キル基置換７，７，８．８−テトラシアノキシジメタン
錯体であることを特徴とするトップテープフィルムであ
る。

また、本発明ではベースフィルムの一面に、７。

７、８．８−テトラシアノキシジメタン錯体を含有する
透明導電性高分子皮膜を形成したキャリアテープ用１〜
ツブテープフイルムであって、該錯体結晶が、少なくと
も２種の結晶形錯体から成り、該錯体の少なくとも１種
がアルキル基置換７．７，８．８−テトラシアノキシジ
メタン錯体であり、前記ベースフィルムの他面にヒート
シール性接着剤層を備えたことを特徴とするトップテー
プフィルムである。

〔実施例〕

本発明の実施例を図面を用いて説明すると、優れた帯電
防止能を有するトップテープフィルム１とするために第
１図に示すようにベースフィルム２の一面に、７，７，
８．８−テトラシアノキシジメタン錯体（以下ＴＣＮＱ
錯体と略記する）結晶を含有するヒートシール性接着剤
層を形成したキャリアテープ用トップテープフィルムで
あって、該錯体結晶が、少なくとも２種の結晶形錯体か
ら成り、該錯体の少なくとも１種がアルキル基置換７，
７．８８テトラシアノキシジメタン錯体とされているか
、またはヘースフィルム１の一面にヒートシール接着剤
３を有し、該接着剤層３の反対面となるヘースフィルム
の他面にＴＣＮＱ錯体を含有する透明導電性高分子膜２
を形成したＩ・ツブテープフィルム１であって、該錯体
結晶が、少なくとも２種の結晶形錯体から成り、該錯体
の少なくとも１種がアルキル基置換ＴＣＮＱ錯体である
ことを特徴とし、キャビティ６のあるキャリアテープ５
のフランジ状の周縁部５１に接着して用いられうるｌ・
ノブテープフィルムとしである。

即ぢ、使用するＴＣＮＱ錯体の結晶形やその組み合わせ
、置換基の種類などを鋭意検討した結果、例えば接着剤
などの高分子７トリソクス中に針状板状など２種以−ヒ
の結晶形の異なるＴＣＮＱ錯体を配合することによって
、該高分子膜マトリックス中に、前記結晶形状とは異な
る形状の結晶が密に析出し、従来知られている結晶形が
針状形のみであるＴＣＮＱ錯体を使用した場合と比較し
て、単位面積中における結晶相互の接触点が増大し、導
電性高分子膜の体積固有抵抗および表面抵抗を低（する
ことができ、前記接触点数の増大により、表面抵抗のハ
ラツギが小さくなり、さらには高温または高温高温条件
下における抵抗値の上昇も少なくなることとともに、そ
の結晶形の異なるＴＣＮＱ錯体の少なくとも１種を汎用
溶剤への溶解性がよく、ＴＣＮＱ錯体に比較して疎水性
の大きいアルギル基置換７，７，８．８−テトラシアノ
キシジメタン錯体く以下Ｒ−ＴＣＮＱと略記する）とす
ることにより、塗工液とした場合の溶剤設計の自由度が
広がり、アルキル基未置換のＴＣＮＱ錯体を使用した場
合に比較して塗工液の寿命を著しく長くすることができ
た。

本発明に用いるＲ　　Ｔ　ＣＮ　Ｑｔｕ体はアルキル基
置換７，７，８．８−テトラシアノキシジメタン（Ｒ−
ＴＣＮＱ’）と適当なるドナー（Ｄ゛）の種類によって
体積固有抵抗が１０″″〜１０゛６Ω・ｃｍの広い範囲
にわたることが知られている。ここで、アルキル基とは
炭素数１〜３の低級アルキル基を意味し、具体的にはメ
チル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ’、エチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ’。

ｎ−プロピル−１”ＣＮ　Ｑ’、イソ−プロピル−ＴＣ
ＮＱ’である。これらアルキル基が炭素数が４以上の高
級アルキル基であるＲ−ＴＣＮＱ錯体では、その疎水性
および汎用溶剤への溶解性が向上する反面、アルキル基
の分子構造が嵩高くなることにより錯体の結晶性が悪く
、フィルム」−に塗工した際の結晶が起こりにくくなり
、）Ｈ電性が低下してしまうことから好ましくない。

また同様に、アルキル基以外の疎水性官能基としてパー
フロロアルキル基やオルガノシリル基が考えられるが、
これらの官能基を導入することは非常に難しく、よって
得られる［−ＴＣＮＱ錯体が非常に高価なものとともに
、分子の嵩高さの理由から、その導電性が低下すること
からあまり好ましくない。

本発明の１゛ナー（Ｄ゛）は、テトラチアフルバレンに
代表される化合物が数多く知られているが、熱安定性お
よび導電性の優れたギノリン、イソキノリン、ナフトキ
ノリン、２，２−ビピリジル、４．４ビピリジル、また
はそのＮ位を炭素数１〜８のアルキル基で置換した化合
物が好ましく、更にはキノリン、イソキノリンのＮ位を
炭素数１〜８のアルキル基で置換した化合物が好ましい
。

本発明に用いるＲ−ＴＣＮＱ錯体としては、Ｎメチル（
イソ）キノリニウム−メチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−メチ
ル（イソ）ギノリニウムーエチルーＴＣＮＱ錯体、Ｎ−
メチル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−ＴＣＮＱ
錯体、Ｎ−エチル〈イソ）キノリニウム−エチル−ＴＣ
ＮＱ錯体Ｎ錯体子ル（イソ）キノリニウム−エチル−Ｔ
ＣＮ　Ｑ　ｔｕ体、Ｎ−エチル（イソ）キノリニウム−
ｎプロピル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−プロピル（イソ）
キノリニウム−メチル−ＴＣＮＱ錯体Ｎ錯体子プロピル
（イソ）キノリニウム−エチルＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−
プロピル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−ＴＣＮ
Ｑ錯体、Ｎ−イソーブ１コビル（イソ）キノリニウム−
メチル−ＴＣＮ　Ｑ　ｔ？ｆ体、Ｎ−イソ−プロピル（
イソ）キノリニウム−エチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−イソ
−プロピル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−ＴＣ
ＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウムメチル
−Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯体、Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニ
ウム−エチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯体、Ｎ−ｎブチル（イソ
）キノリニウム−ｎ−プロピル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ
−ブチル（イソ）キノリニウム−イソ−プロピル−ＴＣ
ＮＱ錯体、Ｎ−イソブチル（イソ）キノリニウム−メチ
ル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−イソ−ブチル（イソ）キノリニ
ウムエチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−イソ−ブチル（イソ）
キノリニウム−ｎ−プロピル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎイソ−
ブチル（イソ）キノリニウム−イソ−プロピル−ＴＣＮ
Ｑ錯体、Ｎ−ｎ−アミノ　（イソ）キノリニウム−メチ
ル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎアミノ　（イソ）キノリニウ
ム−エチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−アミノ　（イソ）
キノリニウム−ｎプロピル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯体、Ｎ−ｎ
−アミノ　（イソ）キノリニウム−イソ−プロピル−Ｔ
ＣＮＱ錯体、Ｎ−イソ−アミル（イソ）キノリニウム−
メチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−イソ−アミル（イソ）キノ
リニウム−エチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−イソアミル（イ
ソ）キノリニラｌ、ｎ−プロピルＴＣＮＱ錯体、Ｎ−イ
ソ−アミル（イソ）キノリニウム−イソ〜プロピルーＴ
ＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎオクチル（イソ）キノリニウム−メ
チル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−オクチル（イソ）キノリ
ニウム−エチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−オクチル（イ
ソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−ＴＣＮＱＩＨ体、Ｎ
−オクチル（イソ）キノリニウム−イソプロピル−ＴＣ
ＮＱ錯体、などから選んで用いられ、さらには必要に応
じアルキル（イソ）キノリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体の
アルキル（イソ）キノリニウムをアルキルモルポリニウ
ムおよびアルキル−α−ピコリニウムの各ドナーに置き
換えたアルキルモルホリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体、や
アルキル−α−ピコリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体も用い
られる。なお、Ｒ−ＴＣＮＱ錯体は電子供与体であるド
ナー（Ｄ“）と電子受容体であるＲ−ＴＣＮＱ’のモル
比１：１と１：２のものがあり、（イソ）キノリン系化
合物を電子受容体とするＲ−ＴＣＮＱ錯体は１：２錯体
がより導電性が大きいことから好ましい。この場合、前
記例示中で（イソ）キノリンはキノリンおよびイソキノ
リンを意味する。２モルのＲ−ＴＣＮＱ錯体ばＲＴＣＮ
Ｑアニオンラジカル１モルと電気的に中性のＲ−ＴＣＮ
Ｑ１モルから成っている。本発明において、より導電性
を安定させるためには中性分子のＲ−ＴＣＮＱｏを０．
１〜１０重景％過剰に添加するのが好ましい。

本発明に使用する錯体は、前記錯体をはじめとする結晶
形の異なる２種以上の錯体を混合して用いることにより
その効果を得ることが出来るが、これら結晶形の異なる
該錯体の組み合わせの具体例としては、 （１）　　前記例示錯体におけるアルキル（イソ）キリ
ニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体の少なくとも１種と、アルキ
ルモルホリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体の少なくとも１種
とから成る混合錯体、 （２）前記例示錯体におけるアルキル（イソ）キリニウ
ム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体の少なくとも１種と、アルキル−
α−ピコリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体の少なくとも１種
とから成る混合錯体、（３）前記例示錯体におけるアル
キルモルポリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体の少なくとも１
種と、アルキル−α−ピコリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体
の少なくとも１種とから成る混合錯体、（４）前記例示
（１）〜（３）ニ示された２種のｒｌ−ＴＣＮＱ錯体の
各組み合わせにおいて、そのどちらが一方がアルキル基
未置換のＴＣＮＱ錯体である混合錯体、 が例示される。ここに、用いられるＴＣＮＱ錯体は、前
記例示のＲ−ＴＣＮＱ錯体においてそのアルキル基を未
置換としたものを用いれば良い。また、上記した同一系
列のＲ−ＴＣＮＱ錯体のなかにおいても、結晶形の異な
るものがあることがら、これらを組み合わせても良い。

さらに、その具体的な組み合わせとしては、 （ｉ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル−
ＴＣＮＱＣＮ上、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎメチルモルホリニ
カムーメチルーＴ　ＣＮ　Ｏ，錯体との混合錯体、 （ｉｉ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル
−ＴＣＮＱｔＶ体と、Ｎ−ｎ−フ゛チル−αピコリニウ
ム−メチル−ＴＣＮＱＣＮ上の混合＜Ｈｇ体、 （ｉｉｉ）Ｎｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウム−
メチル−ＴＣＮＱＣＮ上、Ｎ−ｎ−ブチルα−ビニｌリ
ニウム−メヂルーＴＣＮＱ錯体との混合錯体、 （ｉｖ）Ｎ−ｎ−−ブチル（イソ）キノリニウム〜メチ
ルーＴＣＮＱ錯体と、Ｎ−ｎ−オクチル（イソ）キノリ
ニウム−メチル−ＴＣＮＱＣＮ上の混合錯体、 （ｖ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウムＴＣＮＱ錯
体と、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウム−メ
チル−ＴＣＮＱＣＮ上の混合錯体、 （ｖｉ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチ月
バー′ｒＣＮＱ錯体と、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎメチルモル
ホリニウムＴＣＮＱ錯体との混合錯体、 などが挙げられ、これらの例以外の結晶形の異なる３種
以上のＲ−ＴＣＮＱおよびＴＣＮＱＣＮ上組み合わせて
も良い。また、前記Ｒ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　１！体は、その
導電性がア月バ１；ル基未置換のＴＣＮＱＣＮ上比較し
て低下する傾向があるために、必要な導電性を満足する
ことが出来ない場合などにおいては、前記（ｉ）〜（ｖ
ｌ）の各組み合わせに未置換のＴＣＮＱＣＮ上例えば導
電性が高く、比較的安価であるＮ−ｎ−ブチル（イソ）
キノリニウムＴＣＮＱ錯体を添加することによって目的
とする導電性を得れば良く。さらには前記例示の（■）
。

（ｖｉ）のように用いるＲ−ＴＣＮＱＣＮ上組み合わせ
の一方を結晶形の異なるアルキル基未置換のＴＣＮＱＣ
Ｎ上しても臭い。次に、結晶形の異なるＲ−ＴＣＮＱお
よびＴＣＮＱＣＮ上組み合わせる時のこれらの配合比率
の効果について説明する。

高分子マトリックスへのＲ−ＴＣＮＱおよびＴＣＮＱ錯
体混合物の配合割合を、例えば高分子マトリックス１０
０重量部に対してＲ−ＴＣＮＱ錯体混合物８０重量部と
一定にして、Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メ
チル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　８９体とＮ−ｎ−ブチル−Ｎ−メ
チルモルポリニウム−メチル−ＴＣＮＱＣＮ上およびＮ
−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル−ＴＣＮＱ
ＣＮ上Ｎｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルポリニウムＴ　Ｃ
Ｎ　Ｑ錯体と各組み合わせにおいて、その配合比率を変
化させたものをそれぞれ基板上にコーティングして塗工
膜厚０．１μｍの高分子膜を形成させたとき、２種のＲ
−ＴＣＮＱＣＮ上よびＲ−ＴＣＮＱＣＮ上ＴＣＮＱＣＮ
上配合比率と、得られた基板の表面抵抗との関係は第１
ａ図および第１ｂ図に示すとおりである。これら結晶形
の異なるＲ−ＴＣＮＱＣＮ上よびＲ−ＴＣＮ　Ｑ錯体と
ＴＣＮＱＣＮ上配合比率は、混合によって最も低い表面
抵抗が得られるよ・）に選定すればよい。本発明者らの
実験結果によれば、結晶形の異なる２種のＲ−ＴＣＮＱ
およびＲ−ＴＣＮＱＣＮ上配合比率は重量比で１、　＋
　９〜９：１の範囲、好ましくは２：８〜８：２の範囲
である。

本発明において前記錯体は、これを高分子マトリックス
中に配合することによって使用されるが、これら高分子
マトリックスとしては、使用される基材との密着性およ
び、透明性が高いことが必要であり、さらに該接着剤層
および透明高分子膜を形成する手法はコーティングによ
り形成されることが好ましいことから、該高分子７トソ
ツクスは汎用溶剤に溶解するものである必要がある。こ
のような高分子マトリックスとしては、ポリメタクリル
酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、エポキシ樹脂
（Ｂ　Ｐ）、フェノール樹脂（Ｐ　Ｆ）、飽和共重合ポ
リエステル、アルキド樹脂、ナイロン１１および］２．
ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリウレタン（ＰＵ
）、ポリカーボネ−１−（ＰＣ）、シリコーン樹脂（Ｓ
Ｒ）、ポリ塩化ビニル（Ｐ　Ｖ　Ｃ）ポリスチレン（Ｐ
Ｓ）、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ
）、１．２−ポリブタジェン（１２−ＰＢ）、スチレン
−ブタジェン−スチレン共重合（Ｓ　−１３−３）、ス
チレン−イソプレン−スチレン共重合（Ｓ−Ｉ−３）、
スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合樹脂（
Ｓ−ＥＢ−３）、エチレン−アクリル酸エチル共重合樹
脂（ＥＥＡ）。

エチＩノンー酢酸ビニル共重合樹脂（Ｅ　Ｖ　Ａ）、ア
イオノマー樹脂等が例示されるが、トソブデーブをキャ
リアデーブにヒートシールする時に、接着剤層は瞬時に
溶融または軟化してキ中リアテープに接着することが要
求されるのに対し、接着剤層と反対面の透明導電高分子
膜層ではヒートシーラーの圧着によって熱溶融してしま
うとヒートシーラーの熱圧着ヘットにトップテープフィ
ルムが接着するスティッキング現象を起こし、作業に支
障を来すため耐熱性が要求されるので、接着剤層に使用
される高分子マトリックスと該透明導電高分子膜層に使
用される高分子マトリックスとは別々に考える必要があ
る。

すなわち、接着剤層に使用する樹脂としては、飽和共重
合ポリエステル、ＰＶＢ、ＰＶＣ，ＥＶＡ、ＥＥＡ、ポ
リ酢酸ヒニル、Ｌｍ−ＰＢ　　アイオノマー樹脂、　５
−Ｂ−３，５−Ｉ−３Ｓ、−ＥＢ　−３、ナイロン■１
および１２などの単体もしくは２種以上の混合物が適当
であり、該透明導電高分子膜層に使用する樹脂としては
、熱硬化性ポリウレタンや高ガラス転移点の飽和共重合
ポリエステル、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ＰＭＭ
Ａ、、ＰＣ，シリコーン樹脂などの単体もしくは２種以
上の混合物の使用が好ましく、これらの樹脂中にその耐
熱性を向上させる目的で、イソシアネト、酸無水物、ア
ミン化合物等の硬化剤を適宜配合することば任意である
とともに、イソシアネ−ｌ−系の硬化剤を使用した場合
、その硬化促進のために６０°Ｃ×７２時間の加温エイ
ジングにおいて、得られるトップテープフィルム同士が
ブロツキングしないように、パーフロロアルキル基を含
有するブロック共重合体等のブロッキング防止剤を添加
することも配慮される。

上記高分子マトリックスと該混合錯体とを溶解して溶液
を得るための溶剤は、ジメチルポルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ブロビレンカーボ不−１・、γ−ブチロ
ラクＩ・ン、ジメチルスルフオキシド、スルボラン、フ
ォルムアマイド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセＦ
・ニトリル、プロピオニトリル、シクロヘキザノン、メ
チルエチルケトンナトに加えて、汎用溶剤であるベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの芳香族系炭化水素溶剤塩
化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素溶剤、メタノール、エタノールなどのアル
コール系溶剤、テトラヒドロフラン、１，４　ジオーＶ
サンなどのエーテル系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、
酢酸アミルなどのエステル系溶剤等の単一または混合溶
剤として、コーティング成膜時の揮発性などを考慮して
選択すればよく、更には錯体の安定性の面から、脱水・
蒸溜し精製したものを使用するのが望ましい。

前記高分子マトリックスを前記溶剤に溶解し、高分子マ
トリックス１００重量部に対して、結晶形の責なる２種
以トのＲ−ＴＣＮＱ錯体またはＲＴＣＮＱ錯体とＴＣＮ
Ｑ錯体の錯体混合物（以下、ＴＣＮＱ混合錯体と称ず）
２〜２００重量部、好ましくは５〜１００重量部を分散
溶解させる。

この際、スパイラルミキリー一、プラネタリーミキザー
、ディスパーサ−、ハイブリノドミキ→ノ“−などのブ
レード型攪拌混練装置が好適に用いられる。

なお、この後更にボールミル、振動ミル、ザンドミルな
どのボール型混練装置を用いて分散溶解を徹底化するの
が望ましい。

これら混練装置は、もしこれが鋼鉄製または調合金製な
どの場合には該錯体がギレートを形成して変質し、表面
抵抗が著しく高くなる虞れがあるので、クロムめっき製
またはステンレス鋼製の装置を使用することが望ましい
。この高分子マトリックス−溶剤−該ＴＣＮＱ混合錯体
の混合溶液（以下ＴＱ塗工液と呼ぶ）は、グラビアコー
ターなどを使用し、ベースフィルムにコーティングする
ことができるが、この塗工機のコーティングヘッドも上
と同様の理由でクロムめっき製とするのがよい。ＴＱ塗
工液を後述する厚さにコーティングするには、その粘度
を１００ｃＰ以下、望ましくは１〜１．００ｃＰ、固形
分量１〜２０重量％の範囲に設定しておくことか望まし
い。

前記ＴＱ塗］−液を塗工するヘースフィルムとしては透
明性の高い汎用のプラスチックフィルム例えばポリエチ
レンフィルｌ１．ポリ塩化ビニルフィルム、ポリプロピ
レンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリスチレンフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカ
ーボネートフィルム、ポリアリＬノー１−フィルム、ポ
リフッ化ビニリデンフィルム、ポリアミドフィルムなど
が用いられる。これらプラスチックフィルムは、少なく
ともをの一面に透明導電性接着剤層または透明導電性高
分子膜を形成するため、該接着剤および高分子膜の密着
性を向トさせる目的で該表面をコロナ放電処理またはプ
ラズマ処理を行うことか好ましい。

また、ＴＱ塗工液によって形成される透明導電性接着剤
層および透明導電性高分子膜は、その厚さが大きいと得
られるｌ・ノブテープフィルムの透明性が低下するので
、なるべく薄いことが好ましく、該透明導電性高分子膜
の場合はザブミクロンから１０μｍの範囲、好ましくは
０．１〜２ｐｍの範囲とするのが良いが、該透明導電接
着剤層の場合はこの厚さが接着強さに影響を与えること
から、膜厚０．５μｍ以上が必要とされるが、接着強度
との関係で膜厚が３μｍ以十必要な場合には、使用する
Ｒ−ＴＣＮＱ錯体およびＴＣＮＱ錯体が比較的高価であ
るとともに、得られるトップテープフィルムの透明性が
低ドすることから該錯体を含まない接着剤層を第−層に
設け、該錯体を含有する接着剤層を第二層（膜厚ザブミ
クロンから２μｍ）に設けるのがよい。

以下、本発明の実施例および比較例との対比において、
具体的に説明する。

〔実施例−１〕 透明基材として厚さ２５μｍのポリエステルフィルム「
ルミラー・Ｔタイプ」　（東しく株製商品名）をヘース
フィルムとして使用した。接着剤として、ガラス転移点
２℃、環球法軟化点１１５℃の飽和共重合ポリエステル
［エリ−チル・ｔＪ　Ｅ−３２２１Ｊ（ユニチカｆｉｌ
製商品名）を使用し、この「エリ−チル・ｔＪ　Ｅ−３
２２１Ｊ　１００重量部をトルエン／メチルエチルケト
ン（５０１５０）の混合溶剤２３３．３重量部に高速デ
ィスパーサ−を用いて溶解し、粘度１．５０ｃＰのコー
ティング？容ン（ＷＡを８周整した。次いで、「エリ−
チル・Ｕ　Ｅ−３２２１−１１００重量部を、シクロヘ
キサノン／１−ルエン（７０／３０）の混合溶剤５００
重量部に高速ディスパーザ−を用いて溶解し、この中に
Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリニウムメチル−ＴＣＮＱ錯体
（日東化学工業■製、試作品）５．３重量部と、Ｎ−ｎ
−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウム−メチル−ＴＣＮ
Ｑ錯体（日東化学工業０ル製、試作品）２．７重量部と
を添加し、ディスパーザ−を用いて攪拌溶解後、サンド
ミル処理を行い、さらに濾紙（ワットマンフィルターペ
ーパー阻３）によって濾過を行って粘度２０ｃＰのコー
ティング？容ン夜Ｂを８周整した。ごの両？容ン夜ＡＢ
の各塗工液を、線数１８０メツシユ、深度３５μｍのグ
ラビア版を２色グラビアコーターに設置し、前記ポリエ
ステルフィルムの一面にＡ、　−Ｂの順にコーティング
・乾燥を実施した。得られた乾燥塗膜の厚さはコーティ
ング液入が３μｍでコーチインゲン夜Ｂが０．１μｍで
あった。得られたト・ノブテープフィルムにＤＣｌｏｏ
Ｖを印加して表面抵抗を測定したところ、単位面積当た
り平均値２．２×】０６Ω、最大値２．８　Ｘ　１．　
Ｏ’Ω、最小値１．７×１０″Ωであって非常に安定し
ており、その光線透過率は８６％、ヘイズば１０以下で
あり、幅１關のヒーＩ・シールヘッドによってポリ塩化
ビニル製キャリアテープに接着剤温度が１４０℃になる
ような条件で１秒間圧着したところ、その剥離接着強度
は３８　ｇ　ｆ　／　ｉ＋＋であり、使用上なんら問題
のないものであった。

〔実施例−２〕 透明基材として厚さ２５μｍのポリエステルフィルム「
ルミラー・Ｔタイプ」　（東し■型面品名）をヘースフ
ィルムとして使用した。高分子７トリソクスとして、ガ
ラス転移点９０°Ｃ１環球法軟化点１８５°Ｃの飽和共
重合ポリエステル「エリ・−チル・ＩＪＥ−３６９０ｊ
　　（ユニチカ（１１製商品名＞１０重置部ヲ、シクロ
ヘキザノン／トルエン（７０／３０）の混合溶剤５００
重量部に高速ディスパーサ−を用いて）容解し、この中
にＮ−ｎ−ブチルイソキノリニ・″ノムーメーｙ−ルー
Ｔ　ＣＮ　Ｑ　錯体（日東化学工業０噂製、試作品）５
．３重量部と、ｌ’Ｊ　−＋ｉミーブチルＮ−メチルモ
ルホリニウムメチル−ＴＣＮＱ錯体（１１東化学工業ｆ
ｊｌ製、試作品）２．７重量部とを添加し、ディスパー
サーを用いて攪拌溶解後、ザンドミル処理を行い、さら
に濾紙（ワｙ　ｌ・マンフィルターペーパー陽３）によ
って濾過を行った。

得られた液１００重量部にＩ−ＩＪ　ｌ／ンジイソシア
不−Ｉ・−トリメチルプロバンアダクＩ・プレポリマー
「二１［］ネー１ｉｄ（日本ポリウレタン工業（株制商
品名）０．２５重量部とブロッキング防止剤「モディパ
ーＦ−１（日本油脂（１１製商品名）０．１重量部を添
加した後、再度ディスパーサ−で攪拌し、粘度２０ｃＰ
のコーティング溶液Ｃを調整した。この溶液Ｃでの透明
導電性膜中に析出したＲ−ＴＣＮＱ錯体の結晶構造は第
２図示のようになっている。

まず、実施例−１で使用した塗Ｔｔ＆Ａを線数１８０メ
ソシュ、深度３５μｍのグラビア版下をグラビアコータ
ーに設置し、前記ポリエステルフィルムの一面にコーテ
ィング・乾燥を実施したのち、該接着剤層の反対面に前
記塗工液Ｃを塗「液Ａと同様にしてコーティング・乾燥
を実施した。得られた乾燥塗膜の厚さはコーチインク′
？夜Ａが３μｒｎでコーテイング液Ｃが０．１μｍであ
った。ここで得られたｌ・ツブテープフィルムの透明導
電性膜にＤＣｌｏｏＶを印加して表面抵抗を測定したと
ころ、単位面積当たり平均値２．５Ｘ］Ｏ’”Ω、最大
値３．０Ｘ１０’“Ω、最小値２゜０ＸＩＯ’Ωであっ
て非常に安定しており、その光線透過率は８７％ヘイズ
は１０以下であり、幅１龍のヒートシールヘッドによっ
てポリ塩化ビニル製キャリアテープに接着剤温度力月４
０℃になるような条件で１秒間圧着したところ、その剥
離接着強度は３７ｇｆ／　ｍｉであり、使用上なんら問
題のないものであった。

〔実施例−３〕 実施例−２で用いた飽和共重合ポリエステル１０重量部
に対し、コーテイング液Ｃで用いた２種類のＲ−ＴＣＮ
Ｑ錯体のうち、Ｎ−ｎ−プチルイソキノリニウＪ、−メ
チル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　ｔｆ）体をアルキル基未置換のＮ
−ｎ−ブチルイソキノリニウムＴＣＮＱ錯体とし、その
他は実施例−１と同様にして処理した。ここで得られた
トップテープフィルムを実施例−１と同様にして測定し
たところ、その表面抵抗は単位面積当り平均値７．７Ｘ
１０’Ω最犬埴８．７１Ｘ１０’　Ω、最小値７．５Ｘ
１．０５Ωてあった。

〔比較例−１〕 実施例−２で用いた飽和共重合ポリエステル１０重量部
に対し、Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリニウムメチル−ＴＣ
ＮＱ錯体（日東化学工業■製、試作品）単独を８．０重
量部を添加し、使用溶剤としてシクＩコヘキザノン／ト
ルエン（７０／３０）の混合溶剤として、その他の条件
は実施例２と同様とした。ここで得られたトップテープ
フィルムを実施例−１と同様にして測定したところ、そ
の表面抵抗は単位面積当たり平均値１．４Ｘ１．０’　
Ω、最大値２．５Ｘ１０７Ω、最小値０．９Ｘ１０７Ω
であった。

〔比較例−２〕 実施例−２で用いた飽和共重合ポリエステル１０重量部
に対し、コーテイング液Ｃで用いた２種類のＲ−ＴＣＮ
Ｑ錯体に代えてアルキル基未置換のＮ−ｎ−ブチルイソ
キノリニウムＴＣＮＱ錯体（日東化学工業（株制、試作
品）５．３重量部とＮｎ−ブチルーＮ−メチルモルポリ
ニウムＴＣＮＱ錯体（日東化学工業（株制、試作品）２
．７重量部とを添加し、使用溶剤としてシクロへキザノ
ン／メチルエチルケトン（８０／２０）の混合溶剤とし
て、その他の条件は実施例２と同様として乾燥皮膜の厚
さが０．１μｍの透明導電性膜を形成させた。ここで得
られたトップテープフィルムを実施例−１と同様にして
測定したところ、その表面抵抗は単位面積当たり平均値
４．８Ｘ１０５Ω、最大値５．０×１０５Ω、最小値４
．７Ｘ］、Ｏ１９であった。

前記実施例−２と比較例−１で得られたトップテープフ
ィルムを、６５℃、９５％の高温高湿の雰囲気中に保持
してその表面抵抗の変化を測定しプこ。

その結果は、第４図に示すように実施例−２で得られた
トップテープフィルムはその表面抵抗の上昇が少なく、
実用上の帯電防止に必要な単位面積当たり１０９Ωの表
面抵抗を１２０時間経過しても維持していたのに対し、
比較例−１で得られたトップテープフィルムでは、４８
時間経過した時点でずでに単位面積あたりの抵抗値が１
０”以」二に増大し、導電性が大幅に低下した。

次いで、」二層実施例−２と実施例−３および比較例２
で得られた各塗工液を２５°Ｃ１５５％ＲＨの雰囲気中
に投入し、所定の時間ごとに各塗工液を前記方法と同様
の方法にて塗工し、０．１μｍ透明導電性皮膜を形成し
て、その表面抵抗の変化を測定した結果を第３図に示す
。その結果、実施例−３ではその抵抗上昇が少なく、１
５日経過しても実用上の帯電防止に十分な単位面積当た
り１０７Ωの表面抵抗を維持しており、さらに実施例−
２では３０日経過しても単位面積当たり１０７の表面抵
抗を維持いたのに対し、比較例−２では１０日経過時に
単位面積当たり１０７Ω以トであり、１５日経過時には
単位面積当たり１０９Ω以上の表面抵抗であった。

〔発明の効果〕

本発明は、異なる結晶形を有する少なくとも２種以上の
錯体を用いることによって、従来のＴＣＮＱ錯体単独を
用いていた場合に比較して、より表面抵抗が低く、バラ
ツキが少なく、該表面抵抗の高温および高温高温での安
定性に優れているとともに、該結晶形の異なる錯体の少
なくとも１種をアルキル基置換ＴＣＮＱ錯体とすること
によって、その溶液での保存安定性が格段に向卜し、汎
用溶剤を使用できることから、より低コストでの製造が
可能となったことから、実用的に優れたｌ・ツブテープ
フィルムとすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のトップテープフィルムの使用時におけ
る拡大縦断面図、第１ａ図は高分子マトリックスに対す
るＲ−ＴＣＮＱ錯体による混合相体の配合部数を一定と
して、結晶形の異なる２種の錯体の混合比率と表面抵抗
との関係を示す。第１１）図ば高分子マＩ・リソクスに
対するＲ−ＴＣＮＱとＴＣＮＱ錯体による混合錯体の配
合部数を一定として、結晶形の異なる２種の錯体の混合
比率と表面抵抗との関係を示す。第２図は本発明の実施
例−２で得られた透明導電性膜中に析出したＲＴＣＮＱ
錯体の結晶構造を示す偏向顕微鏡写真（倍率：２００倍
）である。第３図は実施例−２と実施例−３および比較
例−２の各塗工液の２５°Ｃ５５％ＲＨおける表面抵抗
の変化を示す。第４図は実施例−２と比較例＝１で得ら
れたトップテープフィルムの高温高温中における表面抵
抗の経時変化を示したものである。第５図はＮ−ｎ−プ
チルイソキノリニウ、Ａ　Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯体を単独で用
いた場合の透明導電性膜中に析出したＴＣＮＱ錯体の結
晶構造を示す偏向顕微鏡写真（倍率＝２００倍）である
。 １・・・トップテープフィルム、２・・・ベースフィル
ム、３・・・ヒートシール接着剤層、４・・・透明導電
膜層、５・・・キャリアテープ、５ ・・キャリアテープの周 縁部、 ６・・・キャビティ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ベースフィルムの一面に、７，７，８，８−テト
   ラシアノキシジメタン錯体結晶を含有するヒートシール
   性接着剤層を形成したキャリアテープ用トップテープフ
   ィルムであって、該錯体結晶が、少なくとも２種の結晶
   形錯体から成り、該錯体の少なくとも１種がアルキル基
   置換７，７，８，８−テトラシアノキシジメタン錯体で
   あることを特徴とするトップテープフィルム。
2. （２）ベースフィルムの一面に、７，７，８，８−テト
   ラシアノキシジメタン錯体を含有する透明導電性高分子
   皮膜を形成したキャリアテープ用トップテープフィルム
   であって、該錯体結晶が、少なくとも２種の結晶形錯体
   から成り、該錯体の少なくとも１種がアルキル基置換７
   ，７，８，８−テトラシアノキシジメタン錯体であり、
   前記ベースフィルムの他面にヒートシール性接着剤層を
   備えたことを特徴とするトップテープフィルム。