JPH0437009A - 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト - Google Patents
積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペーストInfo
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- JPH0437009A JPH0437009A JP2145070A JP14507090A JPH0437009A JP H0437009 A JPH0437009 A JP H0437009A JP 2145070 A JP2145070 A JP 2145070A JP 14507090 A JP14507090 A JP 14507090A JP H0437009 A JPH0437009 A JP H0437009A
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- Japan
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- conductive
- powder
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- capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性ペースト、特に、積層型コンデンサの
端子電極形成用導電性ペーストに関する。
端子電極形成用導電性ペーストに関する。
電子機器の小型化に伴い、電子機器に使用される電子部
品も小型化している。たとえばセラミックコンデンサで
は、小型で軽量な積層セラミックコンデンサが開発され
ている。この積層セラミックコンデンサは、たとえば、
厚さ数μｍの内部電極層と厚さ数十μｍのセラミック誘
電体層とが交互に積層されて一体焼成されたコンデンサ
素子と、外部電極とを有している。ここで、外部電極は
導電性ペーストを用いて形成されている。また、積層セ
ラミックコンデンサは、はんだ耐熱性を向上させ、また
プリント基板への実装を可能とするために、電気メツキ
法により表面にＮｉ膜またはＳｎ膜が形成されている。
品も小型化している。たとえばセラミックコンデンサで
は、小型で軽量な積層セラミックコンデンサが開発され
ている。この積層セラミックコンデンサは、たとえば、
厚さ数μｍの内部電極層と厚さ数十μｍのセラミック誘
電体層とが交互に積層されて一体焼成されたコンデンサ
素子と、外部電極とを有している。ここで、外部電極は
導電性ペーストを用いて形成されている。また、積層セ
ラミックコンデンサは、はんだ耐熱性を向上させ、また
プリント基板への実装を可能とするために、電気メツキ
法により表面にＮｉ膜またはＳｎ膜が形成されている。
従来の外部電極形成用の導電性ペーストは、銀系の導電
性粉末とガラスフリットと有機バインダーと有機溶剤と
を主成分とするものである（たとえば特公昭６２−６０
８０２号公報参照）、導電性ペーストによる外部電極の
形成は、コンデンサ素子の端面に上述の導電性ペースト
を塗布し、ペースト中の導電性粉末とガラスフリットと
を焼成してコンデンサ素子と一体化することにより行わ
れている。
性粉末とガラスフリットと有機バインダーと有機溶剤と
を主成分とするものである（たとえば特公昭６２−６０
８０２号公報参照）、導電性ペーストによる外部電極の
形成は、コンデンサ素子の端面に上述の導電性ペースト
を塗布し、ペースト中の導電性粉末とガラスフリットと
を焼成してコンデンサ素子と一体化することにより行わ
れている。
前記従来の導電性ペーストを用いた積層セラミックコン
デンサは、外部電極とコンデンサ素子との界面で、コン
デンサ素子側にクラックがｄじやすい、これは、コンデ
ンサ素子の熱膨張率が８゜５へ＝１０． ５ Ｘ １０
″／”Ｃであるのに対し、外部電極の熱膨張率が１９．
６ Ｘ １０−ｈ／’Ｃ程度であり、両者の熱膨張率
の差が大きいためである。特に、コンデンサ素子が大型
（たとえば３．２ ｗａ ＞（１，６＋＋＋＋ｍ以上）
の積層セラミックコンデンサでは、。
デンサは、外部電極とコンデンサ素子との界面で、コン
デンサ素子側にクラックがｄじやすい、これは、コンデ
ンサ素子の熱膨張率が８゜５へ＝１０． ５ Ｘ １０
″／”Ｃであるのに対し、外部電極の熱膨張率が１９．
６ Ｘ １０−ｈ／’Ｃ程度であり、両者の熱膨張率
の差が大きいためである。特に、コンデンサ素子が大型
（たとえば３．２ ｗａ ＞（１，６＋＋＋＋ｍ以上）
の積層セラミックコンデンサでは、。
上述のようなりラックが住じやすい。
本発明の目的は、コンデンサ素子にクラック４−生しさ
せにくい外部電極が形成できる、積層型コンデンサの端
子電極形成用導電性ペーストを提供することにある。
せにくい外部電極が形成できる、積層型コンデンサの端
子電極形成用導電性ペーストを提供することにある。
本発明の積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペー
ストは、銀系の導電性粉末と、ガラスソリッ１−と、有
機バインダー・と、有機溶剤とを含む≠Ｕ子＝なき鴫囃
含んでいるＳとを特徴としでいる。
ストは、銀系の導電性粉末と、ガラスソリッ１−と、有
機バインダー・と、有機溶剤とを含む≠Ｕ子＝なき鴫囃
含んでいるＳとを特徴としでいる。
＊ ＊ ヰ ネ 率 本 率
本発明に用いられる導電性粉末は、導電性べ・−１、ス
トの焼成後に電極を形成くるための成分である。
トの焼成後に電極を形成くるための成分である。
導電性粉末としては、たとえば銀、銀を主成分とする合
金の粉末、または銀の粉末に他の種類の導電性金属の粉
末を混合し、たちのが用いられる。このような導電性粉
末とし７てば、銀−バシ・ジウム系合金にＰａ、Ｎｉ、
Ｃｕ等の金属粉末４−若干混合し７たものを例示できる
。導電性粉末の平均粒径は、０．２〜２μｍ程度が望ま
しい。平均ね径が２μｍを餡える場合には、導電性粉末
の焼結速度が遅くなりやすい。なお、導電性粉末は、導
電性ペースト中に通常６５へ・７５５重蓋程度混合され
る。
金の粉末、または銀の粉末に他の種類の導電性金属の粉
末を混合し、たちのが用いられる。このような導電性粉
末とし７てば、銀−バシ・ジウム系合金にＰａ、Ｎｉ、
Ｃｕ等の金属粉末４−若干混合し７たものを例示できる
。導電性粉末の平均粒径は、０．２〜２μｍ程度が望ま
しい。平均ね径が２μｍを餡える場合には、導電性粉末
の焼結速度が遅くなりやすい。なお、導電性粉末は、導
電性ペースト中に通常６５へ・７５５重蓋程度混合され
る。
本発明に用いられるガラスフッリドは、導電性ベースト
の焼成時Ｃ１′導電性粉末を積層型コンデンサの本体に
接着するだめの無機バインダー成分である。ガラスフリ
ットとしては、たと犬ばＺｎＯ。
の焼成時Ｃ１′導電性粉末を積層型コンデンサの本体に
接着するだめの無機バインダー成分である。ガラスフリ
ットとしては、たと犬ばＺｎＯ。
Ｂ、０． 、Ｓ ｉＯｉ 、Ｎａ、ｏ、Ｌｊ、０．Ｂａ
Ｏ１ｉ’ ｂ ０１ＣａＯ１Ｓ ｒ Ｏ，Ｔ ｉ Ｏｘ
等を所望の割合に混合し７た硼珪酸系のガラス粉末を例
示できる。なお、ガラス粉末の平均粒径は、１〜・６μ
ｍ程度が好ましい。平均粒径が６μｍよりも大きい場合
は、焼成時に焼成膨れが発住し、端子電極と：］コンデ
ンサ本体の接着性が低下し２やすくなる。
Ｏ１ｉ’ ｂ ０１ＣａＯ１Ｓ ｒ Ｏ，Ｔ ｉ Ｏｘ
等を所望の割合に混合し７た硼珪酸系のガラス粉末を例
示できる。なお、ガラス粉末の平均粒径は、１〜・６μ
ｍ程度が好ましい。平均粒径が６μｍよりも大きい場合
は、焼成時に焼成膨れが発住し、端子電極と：］コンデ
ンサ本体の接着性が低下し２やすくなる。
逆に、１／７ｍよりも小さい場合は、ペーストの粘性安
定性が悪化し、作業性が低下じやすい。なお、本発明で
は、ガラス粉末は導電性ペースト中に通常２〜７重１％
程度混合される。
定性が悪化し、作業性が低下じやすい。なお、本発明で
は、ガラス粉末は導電性ペースト中に通常２〜７重１％
程度混合される。
本発明Ｃご用いられる有機バインダーは、導電Ｐ４ベー
ストに塗布可能な粘弾性を付与するための成分であり、
たとえばエチルセルロースやロジン樹脂等が用いられる
。有機バインダーの導電性ペースト中の混合量は、導電
性ベースＩ・の塗布条件等により適宜設定されるが、通
常３〜・７重蓋％程度に設定される。
ストに塗布可能な粘弾性を付与するための成分であり、
たとえばエチルセルロースやロジン樹脂等が用いられる
。有機バインダーの導電性ペースト中の混合量は、導電
性ベースＩ・の塗布条件等により適宜設定されるが、通
常３〜・７重蓋％程度に設定される。
本発明に用いられる有機溶剤は、上述の有機バインダー
成分を溶解し２、導電性ベーストに所望の粘性を（１与
［るための成分である。有機溶剤としては、たとえばα
−テルピネオール、２，２．４トリメチル〜 ｉ、３−
ペンタンジＡ−ルモノイソブチレ・−ト、ブナルカルじ
トー・ルアセテーＩ。
成分を溶解し２、導電性ベーストに所望の粘性を（１与
［るための成分である。有機溶剤としては、たとえばα
−テルピネオール、２，２．４トリメチル〜 ｉ、３−
ペンタンジＡ−ルモノイソブチレ・−ト、ブナルカルじ
トー・ルアセテーＩ。
（ＢＣＡ）等が用いられる。有機溶剤の導電性・−〜・
−スト中の混合量は、導電性ベーストの塗４条件乙こよ
り適宜設定されるが、通常１５へ・３０重蓋％程度に設
定される。
−スト中の混合量は、導電性ベーストの塗４条件乙こよ
り適宜設定されるが、通常１５へ・３０重蓋％程度に設
定される。
本発明の導電性ベー・ストは、１１本のガラス成分と異
なるフィラーとしての粒子状のＴ ｉ Ｏｘ （−酸
化チタン）を含んでいる。Ｔ ｉ Ｏ，は、導電性ベー
ストの焼成番こより得られる端子電極の熱膨張率とコン
デンサ本体の熱膨張率との差４・−小さｌ、コンデンサ
素子と端子電極との界面で１１ンヂンヅオ体側に生しる
クラックを防止する。ここで、１゛１０２ば、熱膨張率
が７．６ＸＩＯ−’／”Ｃであるため、焼成後の端子電
極中に分散状態で存在すると、端子電極の熱膨張率を低
めてコンデンサ本体の熱膨張率に近づし」ることができ
る。なお、ＴｉＯ７の粒径は、１．４．〜３．０μ−が
好まし５い。
なるフィラーとしての粒子状のＴ ｉ Ｏｘ （−酸
化チタン）を含んでいる。Ｔ ｉ Ｏ，は、導電性ベー
ストの焼成番こより得られる端子電極の熱膨張率とコン
デンサ本体の熱膨張率との差４・−小さｌ、コンデンサ
素子と端子電極との界面で１１ンヂンヅオ体側に生しる
クラックを防止する。ここで、１゛１０２ば、熱膨張率
が７．６ＸＩＯ−’／”Ｃであるため、焼成後の端子電
極中に分散状態で存在すると、端子電極の熱膨張率を低
めてコンデンサ本体の熱膨張率に近づし」ることができ
る。なお、ＴｉＯ７の粒径は、１．４．〜３．０μ−が
好まし５い。
本発明において、’Ｔ’ｉ０２は、上述の銀系の導電性
粉末１００重量部に対して２〜１５重蓋部添加される。
粉末１００重量部に対して２〜１５重蓋部添加される。
ＴｉＯ□の添加量が２重量部未満の場合は、ＴｉＯ□を
添加することによる効果が生じない、逆に、添加量が１
５重量部を超える場合は、導電性ペーストを焼成するこ
とにより得られた端子電極にクラックが生じやすくなり
、メツキ処理工程で端子電極内にメツキ液が侵入するお
それがある。
添加することによる効果が生じない、逆に、添加量が１
５重量部を超える場合は、導電性ペーストを焼成するこ
とにより得られた端子電極にクラックが生じやすくなり
、メツキ処理工程で端子電極内にメツキ液が侵入するお
それがある。
なお、本発明の導電性ペーストには、上記成分の他、有
機白金、有機ロジウム、有機金、有機銀等の有機貴金属
のコロイドが若干添加されていてもよい、この場合、導
電性ペーストの焼結を促進させることができる。
機白金、有機ロジウム、有機金、有機銀等の有機貴金属
のコロイドが若干添加されていてもよい、この場合、導
電性ペーストの焼結を促進させることができる。
次に、本発明の導電性ペーストの使用方法について説明
する。
する。
まず、第１図及び第２図に本発明の導電性ペーストが採
用された積層セラミックコンデンサの一例を示す、第１
図は積層セラミックコンデンサの斜視図であり、第２図
は第１図の■−■断面図である。
用された積層セラミックコンデンサの一例を示す、第１
図は積層セラミックコンデンサの斜視図であり、第２図
は第１図の■−■断面図である。
図において、積層セラミックコンデンサ１は、直方体状
の本体部２と、本体部２０両端に対向するように配置さ
れた１対の外部電極３ａ、３ｂとを備えている。
の本体部２と、本体部２０両端に対向するように配置さ
れた１対の外部電極３ａ、３ｂとを備えている。
本体部２は、たとえばチタン酸バリウムのような誘電体
磁器材料のグリーンシートを多数枚積層し、これを焼成
して一体化することにより構成されている。本体部２の
内部には、内部電極４ａ。
磁器材料のグリーンシートを多数枚積層し、これを焼成
して一体化することにより構成されている。本体部２の
内部には、内部電極４ａ。
４ｂが交互に多数配置されている。内部電極４ａは、本
体部２の図右側端面に配置された外部電極３ａに接続さ
れており、左側端面に配置された外部電極３ｂとは絶縁
されている。一方、内部電極４ｂは外部電極３ｂに接続
されており、外部電極３ａとは絶縁されている。また、
内部電極４ａ。
体部２の図右側端面に配置された外部電極３ａに接続さ
れており、左側端面に配置された外部電極３ｂとは絶縁
されている。一方、内部電極４ｂは外部電極３ｂに接続
されており、外部電極３ａとは絶縁されている。また、
内部電極４ａ。
４ｂは、それぞれ平行に配置されている。
外部電極３ａ、３ｂは、本発明の導電性ペーストを用い
て構成されている。したがって、外部電極３ａ、３ｂは
、銀系の導電性材料とガラスフリットとＴ ｉ Ｏ，と
を含んでいる。
て構成されている。したがって、外部電極３ａ、３ｂは
、銀系の導電性材料とガラスフリットとＴ ｉ Ｏ，と
を含んでいる。
この積層セラミックコンデンサ１では、焼成された磁器
材料を介して対向する内部電極４ａ、４ｂに電荷が蓄積
される。そして、外部電極３ａ。
材料を介して対向する内部電極４ａ、４ｂに電荷が蓄積
される。そして、外部電極３ａ。
３ｂは、それぞれ本体部２内に構成されたコンデンサの
入出力用端子となる。
入出力用端子となる。
ここで、本発明の導電性ペーストの使用方法に触れつつ
上述の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について
説明する。
上述の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について
説明する。
まず、本体部２を用意する。本体部２は、内部電極４ａ
、４ｂを形成するための導電性ペーストが印刷されたセ
ラミックグリーンシートを複数枚積層し、これを焼成す
ることにより得られる。なお、焼成により得られた本体
部２の両端部には、それぞれ内部電極４ａまたは４ｂの
端部が露出している。
、４ｂを形成するための導電性ペーストが印刷されたセ
ラミックグリーンシートを複数枚積層し、これを焼成す
ることにより得られる。なお、焼成により得られた本体
部２の両端部には、それぞれ内部電極４ａまたは４ｂの
端部が露出している。
次に、得られた本体部２の両端面、すなわち内部電極４
ａ、４ｂが露出する面に外部電極３ａ。
ａ、４ｂが露出する面に外部電極３ａ。
３ｂを形成する。外部電極３ａ、３ｂの形成では、まず
本体部２０両端面に本発明の導電性ペーストを１００〜
１２０μｍ程度の厚みに塗布する。導電性ペーストの塗
布は、たとえば浸漬法、転写法等により行われる。導電
性ペーストの塗布後、導電性ペーストを乾燥させる。こ
のとき、導電性ペースト中の溶剤が揮発する。次に、導
電性ペーストの焼成を行う。焼成温度は、通常７００〜
８５０°Ｃ程度に設定される。焼成工程では、まず３０
０℃付近でペースト中の樹脂成分が揮散し、さらに焼成
を続けると導電性粉末の焼結反応とガラスフリットの軟
化、塑性流動とが起こる。この反応では、導電性ペース
トの表面側と本体部２側とにガラスフリットが集中し、
焼成温度の上昇にしたがって本体部２と導電性粉末との
接合面にガラスリッチな表面層が形成される。これによ
り、本体部２と外部電極３ａ、３ｂとが強固に接合され
た積層セラミックコンデンサ１が得られる。なお、導電
性ペースト中のＴｉｅ、は、ペーストの焼成反応におい
て導電性粉末及びガラスフリットのいずれとも反応せず
、外部電極３ａ、３ｂの厚み方向に粒子状のままで一様
に維持される。
本体部２０両端面に本発明の導電性ペーストを１００〜
１２０μｍ程度の厚みに塗布する。導電性ペーストの塗
布は、たとえば浸漬法、転写法等により行われる。導電
性ペーストの塗布後、導電性ペーストを乾燥させる。こ
のとき、導電性ペースト中の溶剤が揮発する。次に、導
電性ペーストの焼成を行う。焼成温度は、通常７００〜
８５０°Ｃ程度に設定される。焼成工程では、まず３０
０℃付近でペースト中の樹脂成分が揮散し、さらに焼成
を続けると導電性粉末の焼結反応とガラスフリットの軟
化、塑性流動とが起こる。この反応では、導電性ペース
トの表面側と本体部２側とにガラスフリットが集中し、
焼成温度の上昇にしたがって本体部２と導電性粉末との
接合面にガラスリッチな表面層が形成される。これによ
り、本体部２と外部電極３ａ、３ｂとが強固に接合され
た積層セラミックコンデンサ１が得られる。なお、導電
性ペースト中のＴｉｅ、は、ペーストの焼成反応におい
て導電性粉末及びガラスフリットのいずれとも反応せず
、外部電極３ａ、３ｂの厚み方向に粒子状のままで一様
に維持される。
得られた積層セラミックコンデンサ１の外部電極３ａ、
３ｂには、Ｎｉメツキが施される。そして、さらにその
上に５ｎ−Ｐｂのはんだメツキが施される。これにより
、良好なはんだスレ性とはんだ耐熱性とを備えた積層セ
ラミック：」ンゲン９が得られる。
３ｂには、Ｎｉメツキが施される。そして、さらにその
上に５ｎ−Ｐｂのはんだメツキが施される。これにより
、良好なはんだスレ性とはんだ耐熱性とを備えた積層セ
ラミック：」ンゲン９が得られる。
Ｓ電性粉末１００重Ｖ部と、硼珪酸曲鉛ガう・スフリッ
ト３．５重源部と、ユチルセルロース３゜５重源部と、
ロジン樹脂３，５重量部と、表に示す割合のＴｉｅ、、
とをミキサーで混練し、これＣＳ′αテルピネオールを
加えて粘度を５０００ボイズ程度に調整１゜７、導電性
ペーストを作成と７だ。なお、導電性粉末には、平均粒
径０．２へ０．３μｙｎｉ７１）球状のＡｇ粉末５０重
量％と、鱗片状のＡｇ粉末５０重蓋％との混合物を用い
た。また、ガラスソリッＩ□には、Ｚｎ０２Ｏモル％、
８２０．２８モル％、Ｓ １ Ｏ２３１モル％、Ｂａ０
（ｉモル％、Ｎａｘ０６．５モル％及びＡＩ＜ｚ ０３
２． ５モル％の混合物を用いた。
ト３．５重源部と、ユチルセルロース３゜５重源部と、
ロジン樹脂３，５重量部と、表に示す割合のＴｉｅ、、
とをミキサーで混練し、これＣＳ′αテルピネオールを
加えて粘度を５０００ボイズ程度に調整１゜７、導電性
ペーストを作成と７だ。なお、導電性粉末には、平均粒
径０．２へ０．３μｙｎｉ７１）球状のＡｇ粉末５０重
量％と、鱗片状のＡｇ粉末５０重蓋％との混合物を用い
た。また、ガラスソリッＩ□には、Ｚｎ０２Ｏモル％、
８２０．２８モル％、Ｓ １ Ｏ２３１モル％、Ｂａ０
（ｉモル％、Ｎａｘ０６．５モル％及びＡＩ＜ｚ ０３
２． ５モル％の混合物を用いた。
次に、厚さ０．８５ｍの３２２５型磁器ニフンデンサ素
体（京セラ■製）をｆ＄備し、浸漬法により導電性ベー
スＦを塗布した。イして、この導電１’１ベースＩ・を
５０℃／分の速さで昇温〔煙し、さらＣご７５０℃で８
分間焼成゛するＪｏとＣ：“−より、Ａ部電極が形成さ
れた積層（・シミックコンデンザを、製造した。得られ
た積層イイクミックーＸンデンザについて、外部電極の
線熱膨張係数を調べ、またクラックの発生状況速調べた
。なお、クラッタの発仕状況は、製造し、た１００個の
積層セラミック、」ンデンザについて、クツツクの発生
し了２いる個数で評価し、た。結果を表に小（。なお、
表中、試料番号２．３．４が本発明の実施例ζ“あり、
試料番号１゜５は比較例である。
体（京セラ■製）をｆ＄備し、浸漬法により導電性ベー
スＦを塗布した。イして、この導電１’１ベースＩ・を
５０℃／分の速さで昇温〔煙し、さらＣご７５０℃で８
分間焼成゛するＪｏとＣ：“−より、Ａ部電極が形成さ
れた積層（・シミックコンデンザを、製造した。得られ
た積層イイクミックーＸンデンザについて、外部電極の
線熱膨張係数を調べ、またクラックの発生状況速調べた
。なお、クラッタの発仕状況は、製造し、た１００個の
積層セラミック、」ンデンザについて、クツツクの発生
し了２いる個数で評価し、た。結果を表に小（。なお、
表中、試料番号２．３．４が本発明の実施例ζ“あり、
試料番号１゜５は比較例である。
１・・・積層セラミックコンデンサ、３ａ、３ｂ・・・
外部電極。
外部電極。
特許出願人 京セラ株代会社
代理人 弁理士 宮 川 良 夫
Claims (1)
- （１）銀系の導電性粉末と、ガラスフリットと、有機バ
インダーと、有機溶剤とを含む積層型コンデンサの端子
電極形成用導電性ペーストにおいて、前記銀系の導電性
粉末１００重量部に対して粒子状のＴｉＯ＿２を２〜１
５重量部含んでいることを特徴とする積層型コンデンサ
の端子電極形成用導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2145070A JPH0437009A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2145070A JPH0437009A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437009A true JPH0437009A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15376688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2145070A Pending JPH0437009A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0437009A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013122126A1 (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | はんだ接合構造、パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びそれらの製造方法、並びにはんだ下地層形成用ペースト |
| JP2013168431A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Mitsubishi Materials Corp | はんだ接合構造、パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びそれらの製造方法 |
| JP2018098327A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2145070A patent/JPH0437009A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013122126A1 (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | はんだ接合構造、パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びそれらの製造方法、並びにはんだ下地層形成用ペースト |
| JP2013168431A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Mitsubishi Materials Corp | はんだ接合構造、パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びそれらの製造方法 |
| US9355986B2 (en) | 2012-02-14 | 2016-05-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Solder joint structure, power module, power module substrate with heat sink and method of manufacturing the same, and paste for forming solder base layer |
| JP2018098327A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
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