JPH04293214A - チップ型電子部品用導電性ペースト - Google Patents
チップ型電子部品用導電性ペーストInfo
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- JPH04293214A JPH04293214A JP8199491A JP8199491A JPH04293214A JP H04293214 A JPH04293214 A JP H04293214A JP 8199491 A JP8199491 A JP 8199491A JP 8199491 A JP8199491 A JP 8199491A JP H04293214 A JPH04293214 A JP H04293214A
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- Japan
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- conductive paste
- type electronic
- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップコンデンサ、チッ
プ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子
電極を形成するための導電性ペーストに関する。更に詳
しくは導電性ペーストの添加剤に関するものである。
プ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子
電極を形成するための導電性ペーストに関する。更に詳
しくは導電性ペーストの添加剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のチップ型電子部品を構成するセ
ラミック誘電体からなるベアチップの表面には端子電極
が形成される。この端子電極は金属粉末とガラスフリッ
トと不活性有機ビヒクルとを混練してつくられた導電性
ペーストをベアチップの表面に塗布し乾燥した後、６０
０〜８００℃程度の温度で焼成して形成される。このチ
ップ型電子部品は端子電極を基板にはんだ付けして使用
される。
ラミック誘電体からなるベアチップの表面には端子電極
が形成される。この端子電極は金属粉末とガラスフリッ
トと不活性有機ビヒクルとを混練してつくられた導電性
ペーストをベアチップの表面に塗布し乾燥した後、６０
０〜８００℃程度の温度で焼成して形成される。このチ
ップ型電子部品は端子電極を基板にはんだ付けして使用
される。
【０００３】従来、導電性ペーストの金属粉末には、Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金
属、又はこれらを混合した粉末が使用される。Ａｇ粉を
含む導電性ペーストで形成された端子電極ははんだ付け
時にＡｇがはんだに溶解するいわゆるはんだ食われが起
こるため、Ａｇ粉にＰｄ粉を加えたＡｇ／Ｐｄ混合粉が
多用されている。しかしＰｄを多く含むとはんだ付け性
が劣り、焼付け時にベアチップにクラックが生じ易いた
め、Ａｇ−Ｐｄ端子電極のＰｄの含有率は１〜１５％と
比較的低く押えられている。このため従来のＡｇ−Ｐｄ
端子電極のはんだ耐熱性はそれほど高くなく、チップ型
電子部品をはんだ付けできる温度範囲は狭い。また端子
電極の膜厚は薄いため、はんだ食われを生じると信頼性
に劣るようになる。この点を解決するため、従来より焼
付け電極層の表面にＮｉめっき、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめ
っきの２層のめっき電極層が形成されている。Ｎｉめっ
きは、はんだ耐熱性の向上と、はんだによる電極食われ
の防止とを主たる目的とし、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
は、酸化防止とはんだ濡れ性の向上を目的としている。
ｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金
属、又はこれらを混合した粉末が使用される。Ａｇ粉を
含む導電性ペーストで形成された端子電極ははんだ付け
時にＡｇがはんだに溶解するいわゆるはんだ食われが起
こるため、Ａｇ粉にＰｄ粉を加えたＡｇ／Ｐｄ混合粉が
多用されている。しかしＰｄを多く含むとはんだ付け性
が劣り、焼付け時にベアチップにクラックが生じ易いた
め、Ａｇ−Ｐｄ端子電極のＰｄの含有率は１〜１５％と
比較的低く押えられている。このため従来のＡｇ−Ｐｄ
端子電極のはんだ耐熱性はそれほど高くなく、チップ型
電子部品をはんだ付けできる温度範囲は狭い。また端子
電極の膜厚は薄いため、はんだ食われを生じると信頼性
に劣るようになる。この点を解決するため、従来より焼
付け電極層の表面にＮｉめっき、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめ
っきの２層のめっき電極層が形成されている。Ｎｉめっ
きは、はんだ耐熱性の向上と、はんだによる電極食われ
の防止とを主たる目的とし、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
は、酸化防止とはんだ濡れ性の向上を目的としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、焼付け電極層
の表面にＮｉめっき層とＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層を
形成した従来のチップ型電子部品、例えばチップコンデ
ンサは、ベアチップを予熱せずに３００℃以上のはんだ
層に浸漬して引上げると、Ｎｉめっき層の降温時の引張
り応力が高くしかも焼付け電極層が高硬度になっていて
この応力を吸収できないため、端子電極の内側のベアチ
ップにクラックが発生し易い。クラックが発生すると耐
湿性が低下してクラックから水分が浸入しコンデンサと
しての絶縁抵抗が劣化する。またこのチップコンデンサ
を基板の表面にはんだ付けにより実装し、例えば−２５
℃から室温を経由して＋８５℃まで昇温し、反対に降温
させる温度サイクル試験を行った場合には、高い熱応力
から上記クラックが成長して端子電極の部分が折損する
か、或いはコンデンサの絶縁抵抗が劣化するようになる
。
の表面にＮｉめっき層とＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層を
形成した従来のチップ型電子部品、例えばチップコンデ
ンサは、ベアチップを予熱せずに３００℃以上のはんだ
層に浸漬して引上げると、Ｎｉめっき層の降温時の引張
り応力が高くしかも焼付け電極層が高硬度になっていて
この応力を吸収できないため、端子電極の内側のベアチ
ップにクラックが発生し易い。クラックが発生すると耐
湿性が低下してクラックから水分が浸入しコンデンサと
しての絶縁抵抗が劣化する。またこのチップコンデンサ
を基板の表面にはんだ付けにより実装し、例えば−２５
℃から室温を経由して＋８５℃まで昇温し、反対に降温
させる温度サイクル試験を行った場合には、高い熱応力
から上記クラックが成長して端子電極の部分が折損する
か、或いはコンデンサの絶縁抵抗が劣化するようになる
。
【０００５】本発明の目的は、下地電極である焼付け電
極層の収縮しようとするストレスや硬度を和らげること
によりこの電極層表面に電解めっき処理を行ったときの
ベアチップに対するサーマルショックを緩和して、ベア
チップのクラックの発生率を減少させ、電気特性及び基
板への接着特性を劣化させないチップ型電子部品用導電
性ペーストを提供することにある。
極層の収縮しようとするストレスや硬度を和らげること
によりこの電極層表面に電解めっき処理を行ったときの
ベアチップに対するサーマルショックを緩和して、ベア
チップのクラックの発生率を減少させ、電気特性及び基
板への接着特性を劣化させないチップ型電子部品用導電
性ペーストを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の導
電性ペーストが金属粉末の焼結を円滑に促進することに
重点がおかれた結果、緻密で硬度の高い焼付け電極層が
形成され、サーマルショックを受けたときに熱応力が十
分に緩和されないことを見出し、本発明に到達した。本
発明は金属粉末とガラスフリットと不活性有機ビヒクル
と添加剤を含み、セラミック誘電体からなるベアチップ
の表面に塗布した後焼付けて端子電極を形成するチップ
型電子部品用導電性ペーストである。その特徴ある構成
は添加剤がＡｌ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，Ｚｎ
Ｏのいずれか１種又は２種以上の焼結制御用フィラーを
含み、このフィラーを金属粉末に対して０．３〜５重量
％添加したことにある。
電性ペーストが金属粉末の焼結を円滑に促進することに
重点がおかれた結果、緻密で硬度の高い焼付け電極層が
形成され、サーマルショックを受けたときに熱応力が十
分に緩和されないことを見出し、本発明に到達した。本
発明は金属粉末とガラスフリットと不活性有機ビヒクル
と添加剤を含み、セラミック誘電体からなるベアチップ
の表面に塗布した後焼付けて端子電極を形成するチップ
型電子部品用導電性ペーストである。その特徴ある構成
は添加剤がＡｌ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，Ｚｎ
Ｏのいずれか１種又は２種以上の焼結制御用フィラーを
含み、このフィラーを金属粉末に対して０．３〜５重量
％添加したことにある。
【０００７】以下、本発明を詳述する。本発明の金属粉
末には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎ
ｉ等の卑金属、又はこれらを混合した粉末が使用される
。金属粉末は焼結して端子電極に導電性を与える。ガラ
スフリットには、ホウケイ酸亜鉛、アルカリ金属及びア
ルカリ土類金属を含有するホウケイ酸亜鉛、ホウケイ酸
鉛、ホウケイ酸ビスマス等のホウケイ酸系ガラス、ホウ
酸亜鉛系ガラス、ホウ酸カドミウム系ガラス等が用いら
れる。ガラスフリットは金属粉末の焼結を促進し、ベア
チップとの界面を接合させるために用いられる。また不
活性有機ビヒクルには、メチルセルロース、エチルセル
ロース等をブチルカルビトール、テルピネオール等の有
機溶剤に溶解したものが用いられる。上記セルロース類
は上記有機溶剤に５〜３０重量％の割合で混合される。 有機ビヒクルはペーストの粘度を調整し、ベアチップ表
面への塗布を容易にするために用いられる。
末には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎ
ｉ等の卑金属、又はこれらを混合した粉末が使用される
。金属粉末は焼結して端子電極に導電性を与える。ガラ
スフリットには、ホウケイ酸亜鉛、アルカリ金属及びア
ルカリ土類金属を含有するホウケイ酸亜鉛、ホウケイ酸
鉛、ホウケイ酸ビスマス等のホウケイ酸系ガラス、ホウ
酸亜鉛系ガラス、ホウ酸カドミウム系ガラス等が用いら
れる。ガラスフリットは金属粉末の焼結を促進し、ベア
チップとの界面を接合させるために用いられる。また不
活性有機ビヒクルには、メチルセルロース、エチルセル
ロース等をブチルカルビトール、テルピネオール等の有
機溶剤に溶解したものが用いられる。上記セルロース類
は上記有機溶剤に５〜３０重量％の割合で混合される。 有機ビヒクルはペーストの粘度を調整し、ベアチップ表
面への塗布を容易にするために用いられる。
【０００８】導電性ペーストの添加剤は、Ａｌ２Ｏ３，
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯのいずれか１種又は２
種以上の焼結制御用フィラーを含む。この添加剤は金属
粉末の焼結を遅延させるために用いられる。導電性ペー
ストは、ペースト１００重量％とするとき、６５〜８０
重量％の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜３０重
量％のガラスフリットと、この金属粉末に対して０．３
〜５重量％の焼結制御用フィラーと、残部が有機ビヒク
ルとにより構成される。金属粉末が６５重量％未満にな
ると電極の導電性に劣り、８０重量％を越えるとベアチ
ップとの接着性が劣化する。ガラスフリットが１重量％
未満になると焼結金属が多孔質になり電解めっき時の電
解液が空孔に浸入し易くなる。この結果、長期の信頼性
に対して問題があり、端子電極とベアチップとの接着強
度が低下し、端子電極の耐湿性が劣化する。コンデンサ
の場合には誘電正接（ｔａｎδ）が劣化する。またガラ
スフリットが３０重量％を越えると焼付け時に電極層の
表面にガラスフリットが浮き出て、めっき膜の形成が阻
害され、はんだ耐熱性が不十分となる。焼結制御用フィ
ラーが０．３重量％未満になると、金属粉末の焼結を遅
延させる効果がなく、無添加の場合と変らない。これに
対して５重量％を越えると焼結が抑制され過ぎ、焼結金
属が多孔質になり、ガラスフリットが少ない場合と同様
の問題がある。
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯのいずれか１種又は２
種以上の焼結制御用フィラーを含む。この添加剤は金属
粉末の焼結を遅延させるために用いられる。導電性ペー
ストは、ペースト１００重量％とするとき、６５〜８０
重量％の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜３０重
量％のガラスフリットと、この金属粉末に対して０．３
〜５重量％の焼結制御用フィラーと、残部が有機ビヒク
ルとにより構成される。金属粉末が６５重量％未満にな
ると電極の導電性に劣り、８０重量％を越えるとベアチ
ップとの接着性が劣化する。ガラスフリットが１重量％
未満になると焼結金属が多孔質になり電解めっき時の電
解液が空孔に浸入し易くなる。この結果、長期の信頼性
に対して問題があり、端子電極とベアチップとの接着強
度が低下し、端子電極の耐湿性が劣化する。コンデンサ
の場合には誘電正接（ｔａｎδ）が劣化する。またガラ
スフリットが３０重量％を越えると焼付け時に電極層の
表面にガラスフリットが浮き出て、めっき膜の形成が阻
害され、はんだ耐熱性が不十分となる。焼結制御用フィ
ラーが０．３重量％未満になると、金属粉末の焼結を遅
延させる効果がなく、無添加の場合と変らない。これに
対して５重量％を越えると焼結が抑制され過ぎ、焼結金
属が多孔質になり、ガラスフリットが少ない場合と同様
の問題がある。
【０００９】本発明の導電性ペーストはチップコンデン
サ、チップ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部
品の端子電極に用いられる。特に、チップ型積層セラミ
ックコンデンサに好適に用いられる。この場合、コンデ
ンサを構成するセラミック誘電体には鉛系ペロブスカイ
ト又はチタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料が好
ましい。鉛系ペロブスカイトを主成分にする誘電体材料
としては、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｐｂ（
Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３等が挙げら
れる。
サ、チップ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部
品の端子電極に用いられる。特に、チップ型積層セラミ
ックコンデンサに好適に用いられる。この場合、コンデ
ンサを構成するセラミック誘電体には鉛系ペロブスカイ
ト又はチタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料が好
ましい。鉛系ペロブスカイトを主成分にする誘電体材料
としては、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｐｂ（
Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３等が挙げら
れる。
【００１０】
【作用】導電性ペースト中に上記割合でＡｌ２Ｏ３，Ｍ
ｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯのいずれか１種又は２種
以上の焼結制御用フィラーを添加すると、これらの金属
酸化物はいずれも焼付け時には金属粉末と殆ど反応せず
むしろ金属粉末の焼結を遅延させる。その結果、焼付け
電極層の収縮しようとするストレスや硬度が和られ、こ
の電極層表面に電解めっき処理を行ったときのベアチッ
プに対するサーマルショックが緩和される。またこの焼
結制御用フィラーは耐めっき性があり、めっき時に電極
中にめっき液が浸入することがない。
ｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯのいずれか１種又は２種
以上の焼結制御用フィラーを添加すると、これらの金属
酸化物はいずれも焼付け時には金属粉末と殆ど反応せず
むしろ金属粉末の焼結を遅延させる。その結果、焼付け
電極層の収縮しようとするストレスや硬度が和られ、こ
の電極層表面に電解めっき処理を行ったときのベアチッ
プに対するサーマルショックが緩和される。またこの焼
結制御用フィラーは耐めっき性があり、めっき時に電極
中にめっき液が浸入することがない。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、導
電性ペーストにＡｌ２Ｏ３等の金属酸化物からなる焼結
制御用フィラーを少量添加することにより、下地電極で
ある焼付け電極層の収縮しようとするストレスや硬度が
低下し、サーマルショックが緩和され、ベアチップのク
ラックの発生率を減少させ、電気特性が低下せず、基板
への接着特性が劣化しない。この結果、信頼性の高いチ
ップ型電子部品が得られる。
電性ペーストにＡｌ２Ｏ３等の金属酸化物からなる焼結
制御用フィラーを少量添加することにより、下地電極で
ある焼付け電極層の収縮しようとするストレスや硬度が
低下し、サーマルショックが緩和され、ベアチップのク
ラックの発生率を減少させ、電気特性が低下せず、基板
への接着特性が劣化しない。この結果、信頼性の高いチ
ップ型電子部品が得られる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて比較例
とともに説明する。 ＜実施例＞図１に示すように、この例ではチップ型電子
部品はチップ型積層セラミックコンデンサ１０である。 このコンデンサ１０はベアチップ１１とこのチップ１１
の両端部に形成された下地電極１２とを備える。チップ
１１は鉛ペロブスカイト系であって、貴金属のＡｇ７０
／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長さ３．２ｍ
ｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５ｍｍのサイズを有する
。下地電極１２の表面にはＮｉめっき層１４及びＳｎ／
Ｐｂめっき層１５がこの順に形成される。
とともに説明する。 ＜実施例＞図１に示すように、この例ではチップ型電子
部品はチップ型積層セラミックコンデンサ１０である。 このコンデンサ１０はベアチップ１１とこのチップ１１
の両端部に形成された下地電極１２とを備える。チップ
１１は鉛ペロブスカイト系であって、貴金属のＡｇ７０
／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長さ３．２ｍ
ｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５ｍｍのサイズを有する
。下地電極１２の表面にはＮｉめっき層１４及びＳｎ／
Ｐｂめっき層１５がこの順に形成される。
【００１３】下地電極を次の条件により形成した。導電
性ペースト１００重量％とするとき７５重量％の金属粉
末と、この金属成分に対して１０重量％のガラスフリッ
トと、表１に示すように金属粉末に対して０．３〜５重
量％の範囲内になるように配合した９種類の焼結制御用
フィラーと、残部が不活性有機ビヒクルとを混練して導
電性ペーストを調製した。ここで金属粉末はＡｇ１００
重量％からなり、ガラスフリットはＣｄＯ（１５重量％
）−ＰｂＯ（２５重量％）−Ｂ２Ｏ３（２０重量％）−
ＳｉＯ２（４０重量％）からなる。また有機ビヒクルは
エチルセルロースをブチルカルビトールとテルピネオー
ルに混合したものを用いた。焼結制御用フィラーはＡｌ
２Ｏ３，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯのいずれか１
種と、Ａｌ２Ｏ３とＭｇＯを混合したものを用いた。こ
のペーストを焼付け後の厚さが９０μｍになるようにベ
アチップの両端部にディップ方式で塗布し、大気圧下、
１５０℃で１０分間乾燥した。このチップを２５℃／分
の速度で、大気圧下、６８０℃まで昇温しそこで５分間
保持した後、２０分／分の速度で室温まで降温してＡｇ
からなる下地電極を得た。
性ペースト１００重量％とするとき７５重量％の金属粉
末と、この金属成分に対して１０重量％のガラスフリッ
トと、表１に示すように金属粉末に対して０．３〜５重
量％の範囲内になるように配合した９種類の焼結制御用
フィラーと、残部が不活性有機ビヒクルとを混練して導
電性ペーストを調製した。ここで金属粉末はＡｇ１００
重量％からなり、ガラスフリットはＣｄＯ（１５重量％
）−ＰｂＯ（２５重量％）−Ｂ２Ｏ３（２０重量％）−
ＳｉＯ２（４０重量％）からなる。また有機ビヒクルは
エチルセルロースをブチルカルビトールとテルピネオー
ルに混合したものを用いた。焼結制御用フィラーはＡｌ
２Ｏ３，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯのいずれか１
種と、Ａｌ２Ｏ３とＭｇＯを混合したものを用いた。こ
のペーストを焼付け後の厚さが９０μｍになるようにベ
アチップの両端部にディップ方式で塗布し、大気圧下、
１５０℃で１０分間乾燥した。このチップを２５℃／分
の速度で、大気圧下、６８０℃まで昇温しそこで５分間
保持した後、２０分／分の速度で室温まで降温してＡｇ
からなる下地電極を得た。
【００１４】Ｎｉめっき層及びＳｎ／Ｐｂめっき層を次
の条件により形成した。ｐＨ４．０、温度５０℃のスル
ファミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２・４Ｈ２
Ｏ）１２０ｇ／Ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき
法で下地電極の表面に２μｍ厚のＮｉめっき層を形成し
た。ｐＨ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）
が９：１の組成の浴を用い、電解バレルめっき法でＮｉ
めっき層の表面に６μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき層を形成
した。 これにより、下地電極の上に更に２層のめっき層を形成
した積層セラミックコンデンサを得た。
の条件により形成した。ｐＨ４．０、温度５０℃のスル
ファミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２・４Ｈ２
Ｏ）１２０ｇ／Ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき
法で下地電極の表面に２μｍ厚のＮｉめっき層を形成し
た。ｐＨ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）
が９：１の組成の浴を用い、電解バレルめっき法でＮｉ
めっき層の表面に６μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき層を形成
した。 これにより、下地電極の上に更に２層のめっき層を形成
した積層セラミックコンデンサを得た。
【００１５】＜比較例＞表１に示すように焼結制御用フ
ィラーを全く添加しない導電性ペースト、或いはＡｌ２
Ｏ３，ＭｇＯ，ＺｎＯのいずれか１種からなる焼結制御
用フィラーを０．３〜５重量％の範囲外になるように配
合した導電性ペーストをそれぞれ実施例と同一のベアチ
ップの両端部に塗布して焼付けた以外は実施例と同様に
して積層セラミックコンデンサを得た。
ィラーを全く添加しない導電性ペースト、或いはＡｌ２
Ｏ３，ＭｇＯ，ＺｎＯのいずれか１種からなる焼結制御
用フィラーを０．３〜５重量％の範囲外になるように配
合した導電性ペーストをそれぞれ実施例と同一のベアチ
ップの両端部に塗布して焼付けた以外は実施例と同様に
して積層セラミックコンデンサを得た。
【００１６】＜測定方法＞上記実施例及び比較例で作製
しためっき層付きの積層セラミックコンデンサについて
次の（ａ）〜（ｄ）の特性を、また２層のめっき層を施
さない以外は上記実施例及び比較例と同一の積層セラミ
ックコンデンサについて次の（ａ）〜（ｃ）の特性を測
定した。括弧内の数値ｎは試験した試料数である。 （ａ） 誘電正接（％）（ｎ＝３０） １ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。 （ｂ） サーマルショック後の下地電極内側のクラック
発生（ｎ＝１００） ３５０℃の共晶はんだ（Ｓｎ６３／Ｐｂ３７）中に金属
ピンセットで掴んだ試料を予熱せずに１秒間浸漬し、引
上げた後、熱濃硝酸で煮沸、溶解して下地電極を除去し
、下地電極の内側のベアチップにクラックが入っている
かどうかを調べた。 （ｃ） 引張強度（ｎ＝１０） 積層セラミックコンデンサの下地電極に０．８ｍｍのは
んだ引き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶クリ
ームはんだ（千住金属社製ＳＰＴ−５５−２０６２−Ｍ
１０）により接着し、この鋼線を引張ることにより引張
強度を測定した。 （ｄ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０）＋８５℃
の温度で８５％の相対湿度下、５０Ｖの直流電圧を印加
して１０００時間に至るまでの劣化の有無を調べた。
しためっき層付きの積層セラミックコンデンサについて
次の（ａ）〜（ｄ）の特性を、また２層のめっき層を施
さない以外は上記実施例及び比較例と同一の積層セラミ
ックコンデンサについて次の（ａ）〜（ｃ）の特性を測
定した。括弧内の数値ｎは試験した試料数である。 （ａ） 誘電正接（％）（ｎ＝３０） １ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。 （ｂ） サーマルショック後の下地電極内側のクラック
発生（ｎ＝１００） ３５０℃の共晶はんだ（Ｓｎ６３／Ｐｂ３７）中に金属
ピンセットで掴んだ試料を予熱せずに１秒間浸漬し、引
上げた後、熱濃硝酸で煮沸、溶解して下地電極を除去し
、下地電極の内側のベアチップにクラックが入っている
かどうかを調べた。 （ｃ） 引張強度（ｎ＝１０） 積層セラミックコンデンサの下地電極に０．８ｍｍのは
んだ引き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶クリ
ームはんだ（千住金属社製ＳＰＴ−５５−２０６２−Ｍ
１０）により接着し、この鋼線を引張ることにより引張
強度を測定した。 （ｄ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０）＋８５℃
の温度で８５％の相対湿度下、５０Ｖの直流電圧を印加
して１０００時間に至るまでの劣化の有無を調べた。
【００１７】＜測定結果と評価＞上記（ａ）〜（ｄ）の
結果を表１に示す。表１より、４種類の比較例の積層セ
ラミックコンデンサは下地電極内側のクラック発生率が
高く、また４種類の比較例のうち、焼結制御用フィラー
が５重量％を越えるもの（比較例３，比較例４）は、め
っき層が有無により誘電正接、接着強度の値が大きく変
動し、更に焼結制御用フィラーの添加量が所定の範囲外
であるものは３５０時間以下で劣化した。これに対して
、９種類の実施例の積層セラミックコンデンサはめっき
層の有無に拘らず誘電正接、接着強度の値の変動は極め
て小さかった。また下地電極内側のクラックの発生率は
極めて低く、更に焼結制御用フィラーの添加量が所定の
範囲内であるものは１０００時間経過後も劣化が見られ
なかった。
結果を表１に示す。表１より、４種類の比較例の積層セ
ラミックコンデンサは下地電極内側のクラック発生率が
高く、また４種類の比較例のうち、焼結制御用フィラー
が５重量％を越えるもの（比較例３，比較例４）は、め
っき層が有無により誘電正接、接着強度の値が大きく変
動し、更に焼結制御用フィラーの添加量が所定の範囲外
であるものは３５０時間以下で劣化した。これに対して
、９種類の実施例の積層セラミックコンデンサはめっき
層の有無に拘らず誘電正接、接着強度の値の変動は極め
て小さかった。また下地電極内側のクラックの発生率は
極めて低く、更に焼結制御用フィラーの添加量が所定の
範囲内であるものは１０００時間経過後も劣化が見られ
なかった。
【００１７】
【表１】
【図１】本発明実施例の積層セラミックコンデンサの断
面図。
面図。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ ベアチップ
１２ 下地電極
１３ 内部電極
１４，１５ めっき層
Claims (3)
- 【請求項１】 金属粉末とガラスフリットと不活性有
機ビヒクルと添加剤を含み、セラミック誘電体からなる
ベアチップの表面に塗布した後焼付けて端子電極を形成
するチップ型電子部品用導電性ペーストであって、前記
添加剤はＡｌ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯ
のいずれか１種又は２種以上の焼結制御用フィラーを含
み、前記フィラーを前記金属粉末に対して０．３〜５重
量％添加したことを特徴とするチップ型電子部品用導電
性ペースト。 - 【請求項２】 チップ型電子部品がセラミックコンデ
ンサである請求項１記載のチップ型電子部品用導電性ペ
ースト。 - 【請求項３】 セラミック誘電体が鉛系ペロブスカイ
ト又はチタン酸バリウムを主成分とする請求項２記載の
チップ型電子部品用導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081994A JP2973558B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081994A JP2973558B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04293214A true JPH04293214A (ja) | 1992-10-16 |
| JP2973558B2 JP2973558B2 (ja) | 1999-11-08 |
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ID=13762027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3081994A Expired - Fee Related JP2973558B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2973558B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280248A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 外部電極用銅ペースト組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサー |
| WO2007032151A1 (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | アルミニウムペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
| US7267713B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and glass circuit structure |
| JP2008503103A (ja) * | 2004-06-09 | 2008-01-31 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク |
| JP2008117790A (ja) * | 2008-01-16 | 2008-05-22 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびガラス回路構造物 |
| JP2012156171A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| CN108470614A (zh) * | 2017-02-23 | 2018-08-31 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 片式电阻器 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3081994A patent/JP2973558B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN108470614A (zh) * | 2017-02-23 | 2018-08-31 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 片式电阻器 |
| CN108470614B (zh) * | 2017-02-23 | 2022-03-22 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 片式电阻器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2973558B2 (ja) | 1999-11-08 |
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|---|---|---|---|
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