JPH04370105A - ポリプロピレンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポリプロピレンの製造
方法に関し、より詳しくは、特定の重合触媒を用いて、
プロピレンを単独で多段階にて重合し、加工性と剛性に
優れたポリプロピレンを製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】マグネシウム，チタン，塩素及び電子供
与性化合物を含有する触媒成分を用いてポリα−オレフ
ィンを製造する場合、有機アルミニウム化合物と共にＳ
ｉ−Ｏ−Ｃ結合を有する、或いは一般式ＳｉＲ１　Ｒ２
ｎ　（ＯＲ３　）３−ｎ　（ｎ＝０〜２）で表わされる
有機珪素化合物を用いると、生成するポリマーの立体規
則性が向上することが知られている（例えば、特開昭５
４−９４６９０号、同５６−３６２０３号、同５７−６
３３１０号、同５８−８３０１６号、同６２−１１７０
５号等公報）。

【０００３】しかしながら、立体規則性の向上に反して
、重合活性が有機珪素化合物を用いない場合に比べ半分
以下に低下することがあり、立体規則性の向上と、重合
活性の低下の関係は、有機珪素化合物の種類に依存する
。一方、重合方法に関しては、ポリマーの物性バランス
を改良するなど、付加価値を高めることを目的として、
重合を多段階に分けて行う多段階重合方法が知られてい
る。この方法は、最初の段階での重合終了後、使用した
触媒が未だ活性を有する状態であるうちに引き続き次の
段階の重合を行わせるものであり、エチレン−プロピレ
ンブロック共重合体の製造等に用いられている。さらに
この方法をプロピレンの単独重合に利用し、プロピレン
の単独多段階重合を行うことにより、加工性に優れたポ
リプロピレンを得ることも知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の多
段階重合方法では、後段になるほど触媒の活性が低下し
、あまり重合をしなくなるという問題があった。前述し
たように、従来の有機珪素化合物を用いた場合では、最
初の重合段階においてすでに活性が低下してしまい、後
段ではほとんど重合しないといった問題が生じることも
あった。さらに、従来のプロピレンの単独多段階重合方
法で得られたポリプロピレンは、加工性は改良されたも
のの、剛性に関しては未だ不十分であった。本発明は、
プロピレンの単独多段階重合により加工性のよいポリプ
ロピレンを得るに際して、後段でも触媒の失活が著しく
少なく、かつ高剛性のポリプロピレンを得る方法を提供
することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を行った結果、特定の重合触媒を用いてプロピレンの多
段階重合を行うことにより、本発明の目的が達成し得る
ことを見出して本発明を完成した。

【０００６】発明の要旨 すなわち、本発明の要旨は、（Ａ）金属酸化物、マグネ
シウム、チタン、ハロゲン及び電子供与性化合物を必須
成分とする固体触媒成分、（Ｂ）有機金属化合物及び（
Ｃ）一般式

【化２】 〔但し、Ｒ１　は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂
環式炭化水素基、Ｒ２　は炭素数１〜１０個の脂肪族若
しくは脂環式炭化水素基又はＲ４　Ｏ、Ｒ３　はメチル
基若しくはエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０
若しくは１、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ４
　はＲ１　と同意義である。〕の有機珪素化合物とから
なる重合触媒の存在下、プロピレンを多段階で重合する
ことからなり、各段階において生成するポリプロピレン
成分のメルトフローレート（ＭＦＲ）を、最も高分子量
の成分を生成する段階では０．０００１ｇ／１０分〜１
０ｇ／１０分未満、最も低分子量の成分を生成する段階
では１０ｇ／１０分〜１０００ｇ／１０分の範囲内とし
、かつ各段階において生成するポリプロピレンのＭＦＲ
を違えることからなるポリプロピレンの製造方法にある
。

【０００７】固体触媒成分 本発明で用いられる触媒（以下本発明の触媒という）の
一成分である固体触媒成分（以下、成分Ａという）は、
金属酸化物、マグネシウム、チタン、ハロゲン及び電子
供与性化合物を必須成分とするが、このような成分は通
常金属酸化物、マグネシウム化合物、チタン化合物及び
電子供与性化合物、更に前記各化合物がハロゲンを有し
ない化合物の場合は、ハロゲン含有化合物を、それぞれ
接触することにより調製される。

【０００８】（１）金属酸化物 本発明で用いられる金属酸化物は、元素の周期表第ＩＩ
族〜第ＩＶ族の元素の群から選ばれる元素の酸化物であ
り、それらを例示すると、Ｂ２　Ｏ３　、ＭｇＯ、Ａｌ
２　Ｏ３　、ＳｉＯ２　、ＣａＯ、ＴｉＯ２　、ＺｎＯ
、ＺｒＯ２　、ＳｎＯ２　、ＢａＯ、ＴｈＯ２　等が挙
げられる。これらの中でもＢ２　Ｏ３　、ＭｇＯ、Ａｌ
２　Ｏ３　、ＳｉＯ２　、ＴｉＯ２　、ＺｒＯ２　が望
ましく、特にＳｉＯ２　が望ましい。 更に、これら金属酸化物を含む複合酸化物、例えばＳｉ
Ｏ２　−ＭｇＯ、ＳｉＯ２　−Ａｌ２　Ｏ３　、ＳｉＯ
２　−ＴｉＯ２　、ＳｉＯ２　−Ｖ２　Ｏ５　、ＳｉＯ
２　−Ｃｒ２　Ｏ３　、ＳｉＯ２　−ＴｉＯ２　−Ｍｇ
Ｏ等も使用し得る。これら金属酸化物の形状は通常粉末
状のものが用いられる。粉末の大きさ及び形状等の形体
は、得られるオレフィン重合体の形体に影響を及ぼすこ
とが多いので、適宜調節することが望ましい。金属酸化
物は、使用に当って被毒物質を除去する目的等から、可
能な限り高温で焼成し、更に大気と直接接触しないよう
に取扱うのが望ましい。

【０００９】（２）マグネシウム化合物マグネシウム化
合物は、一般式ＭｇＲ１　Ｒ２　で表わされる。式にお
いて、Ｒ１　及びＲ２　は同一か異なる炭化水素基、Ｏ
Ｒ基（Ｒは炭化水素基）、ハロゲン原子を示す。 より詳細には、Ｒ１　及びＲ２　の炭化水素基としては
、炭素数１〜２０個のアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基、アルアルキル基が、ＯＲ基としては、Ｒが
炭素数１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩
素、臭素、ヨウ素、弗素等である。

【００１０】それら化合物の具体例を下記に示すが、化
学式において、Ｍｅ：メチル、Ｅｔ：エチル、Ｐｒ　：
プロピル、Ｂｕ：ブチル、Ｈｅ：ヘキシル、Ｏｃｔ：オ
クチル、Ｐｈ：フェニル、ｃｙＨｅ：シクロヘキシルを
それぞれ示す。ＭｇＭｅ２　，ＭｇＥｔ２　，　Ｍｇｉ
−Ｐｒ２　，ＭｇＢｕ２　，ＭｇＨｅ２　，ＭｇＯｃｔ
２　，ＭｇＥｔＢｕ，ＭｇＰｈ２　，ＭｇｃｙＨｅ２　
，Ｍｇ（ＯＭｅ）２　，Ｍｇ（ＯＥｔ）２　，Ｍｇ（Ｏ
Ｂｕ）２　，Ｍｇ（ＯＨｅ）２　，Ｍｇ（ＯＯｃｔ）２
　，Ｍｇ（ＯＰｈ）２　，Ｍｇ（ＯｃｙＨｅ）２　，　
ＥｔＭｇＣｌ，ＢｕＭｇＣｌ，ＨｅＭｇＣｌ，ｉ−Ｂｕ
ＭｇＣｌ，ｔ−ＢｕＭｇＣｌ，ＰｈＭｇＣｌ，ＰｈＣＨ
２　ＭｇＣｌ，ＥｔＭｇＢｒ，ＢｕＭｇＢｒ，ＰｈＭｇ
Ｂｒ，ＢｕＭｇＩ，ＥｔＯＭｇＣｌ，ＢｕＯＭｇＣｌ，
ＨｅＯＭｇＣｌ，ＰｈＯＭｇＣｌ，ＥｔＯＭｇＢｒ，Ｂ
ｕＯＭｇＢｒ，ＥｔＯＭｇＩ，ＭｇＣｌ２　，ＭｇＢｒ
２　，ＭｇＩ２　。

【００１１】上記マグネシウム化合物は、成分Ａを調製
する際に、金属マグネシウム又はその他のマグネシウム
化合物から調製することも可能である。その一例として
、金属マグネシウム、ハロゲン化炭化水素及び一般式　
　Ｘｎ　Ｍ（ＯＲ）　ｍ−ｎ　のアルコキシ基含有化合
物〔式において、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又は炭素
数１〜２０個の炭化水素基、Ｍは硼素、炭素、アルミニ
ウム、珪素又は燐原子、Ｒは炭素数１〜２０個の炭化水
素基、ｍはＭの原子価、ｍ＞ｎ≧０を示す。〕を接触さ
せる方法が挙げられる。該アルコキシ基含有化合物の一
般式のＸ及びＲの炭化水素基としては、メチル（Ｍｅ）
、エチル（Ｅｔ）　、プロピル、（Ｐｒ）、ｉ−プロピ
ル（ｉ−Ｐｒ）　、ブチル（Ｂｕ）　、ｉ−ブチル（ｉ
−Ｂｕ）　、ヘキシル（Ｈｅ）　、オクチル（Ｏｃｔ）
等のアルキル基、シクロヘキシル（ｃｙＨｅ）　、メチ
ルシクロヘキシル等のシクロアルキル基、アリル、プロ
ペニル、ブテニル等のアルケニル基、フェニル（Ｐｈ）
　、トリル、キシリル基のアリール基、フェネチル、３
−フェニルプロピル等のアルアルキル等が挙げられる。 これらの中でも、特に炭素数１〜１０個のアルキル基が
望ましい。以下、アルコキシ基含有化合物の具体例を挙
げる。

【００１２】■Ｍが炭素の場合の化合物式　　Ｃ（ＯＲ
）４　に含まれるＣ（ＯＭｅ）４　，Ｃ（ＯＥｔ）４　
，　Ｃ（ＯＰｒ）４　，　Ｃ（ＯＢｕ）４　，　Ｃ（Ｏ
ｉ−Ｂｕ）４　，Ｃ（ＯＨｅ）４　，　Ｃ（ＯＯｃｔ）
４　：式　　ＸＣ（ＯＲ）３　に含まれるＨＣ（ＯＭｅ
）３　，　ＨＣ（ＯＥｔ）３　，ＨＣ（ＯＰｒ）３　，
　ＨＣ（ＯＢｕ）３　，ＨＣ（ＯＨｅ）３　，　ＨＣ（
ＯＰｈ）３　；ＭｅＣ（ＯＭｅ）３　，　ＭｅＣ（ＯＥ
ｔ）３　，ＥｔＣ（ＯＭｅ）３　　，ＥｔＣ（ＯＥｔ）
３　，ｃｙＨｅＣ（ＯＥｔ）３　，　ＰｈＣ（ＯＭｅ）
３　，ＰｈＣ（ＯＥｔ）３　，ＣＨ２　ＣｌＣ（ＯＥｔ
）３　，ＭｅＣＨＢｒＣ（ＯＥｔ）３　，　ＭｅＣＨＣ
ｌＣ（ＯＥｔ）３　；ＣｌＣ（ＯＭｅ）３　，ＣｌＣ（
ＯＥｔ）３　，ＣｌＣ（Ｏｉ−Ｂｕ）３　，ＢｒＣ（Ｏ
Ｅｔ）３　；式　　Ｘ２　Ｃ（ＯＲ）２　に含まれるＭ
ｅＣＨ（ＯＭｅ）２　，ＭｅＣＨ（ＯＥｔ）２　，　Ｃ
Ｈ２　（ＯＭｅ）２　，　ＣＨ２　（ＯＥｔ）２　，Ｃ
Ｈ２　ＣｌＣＨ（ＯＥｔ）２　，ＣＨＣｌ２　ＣＨ（Ｏ
Ｅｔ）２　，ＣＣｌ３　ＣＨ（ＯＥｔ）２　，ＣＨ２　
ＢｒＣＨ（ＯＥｔ）２　，ＰｈＣＨ（ＯＥｔ）２　。

【００１３】■Ｍが珪素の場合の化合物式　　Ｓｉ（Ｏ
Ｒ）４　に含まれるＳｉ（ＯＭｅ）４　，Ｓｉ（ＯＥｔ
）４　，Ｓｉ（ＯＢｕ）４　，Ｓｉ（Ｏｉ−Ｂｕ）４　
，Ｓｉ（ＯＨｅ）４　，Ｓｉ（ＯＯｃｔ）４　，Ｓｉ（
ＯＰｈ）４　：式　　ＸＳｉ（ＯＲ）３　に含まれるＨ
Ｓｉ（ＯＥｔ）３　，ＨＳｉ（ＯＢｕ）３　，ＨＳｉ（
ＯＨｅ）３　，ＨＳｉ（ＯＰｈ）３　；ＭｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）３　，ＭｅＳｉ（ＯＥｔ）３　，ＭｅＳｉ（ＯＢｕ
）３　，ＥｔＳｉ（ＯＥｔ）３　，ＰｈＳｉ（ＯＥｔ）
３　，ＥｔＳｉ（ＯＰｈ）３　；ＣｌＳｉ（ＯＭｅ）３
　，ＣｌＳｉ（ＯＥｔ）３　，ＣｌＳｉ（ＯＢｕ）３　
，ＣｌＳｉ（ＯＰｈ）３　，ＢｒＳｉ（ＯＥｔ）３　；
式　　Ｘ２　Ｓｉ（ＯＲ）２　に含まれるＭｅ２　Ｓｉ
（ＯＭｅ）２　，Ｍｅ２　Ｓｉ（ＯＥｔ）２　，Ｅｔ２
　Ｓｉ（ＯＥｔ）２　；ＭｅＣｌＳｉ（ＯＥｔ）２　；
ＣＨＣｌ２　ＳｉＨ（ＯＥｔ）２　；ＣＣｌ３　ＳｉＨ
（ＯＥｔ）２　；ＭｅＢｅＳｉ（ＯＥｔ）２　：Ｘ３　
ＳｉＯＲに含まれるＭｅ３　ＳｉＯＭｅ，Ｍｅ３　Ｓｉ
ＯＥｔ，Ｍｅ３　ＳｉＯＢｕ，Ｍｅ３　ＳｉＯＰｈ，Ｅ
ｔ３　ＳｉＯＥｔ，Ｐｈ３　ＳｉＯＥｔ。

【００１４】■Ｍが硼素の場合の化合物式　　Ｂ（ＯＲ
）３　に含まれるＢ（ＯＥｔ）３　，Ｂ（ＯＢｕ）３　
，　Ｂ（ＯＨｅ）３　，Ｂ（ＯＰｈ）３　。

【００１５】■Ｍがアルミニウムの場合の化合物式　　
Ａｌ（ＯＲ）３　に含まれるＡｌ（ＯＭｅ）３　，Ａｌ
（ＯＥｔ）３　，Ａｌ（ＯＰｒ）３　，Ａｌ（Ｏｉ−Ｐ
ｒ）３　，Ａｌ（ＯＢｕ）３　，Ａｌ（Ｏｔ−Ｂｕ）３
　，Ａｌ（ＯＨｅ）３　，Ａｌ（ＯＰｈ）３　。

【００１６】■Ｍが燐の場合の化合物 式　　Ｐ（ＯＲ）３　に含まれるＰ（ＯＭｅ）３　，　
Ｐ（ＯＥｔ）３　，　Ｐ（ＯＢｕ）３　，Ｐ（ＯＨｅ）
３，Ｐ（ＯＰｈ）３　。

【００１７】更に、前記マグネシウム化合物は、周期表
第ＩＩ族又は第　ＩＩＩａ族金属（Ｍ）の有機化合物と
の錯体も使用することができる。該錯体は一般式　　Ｍ
ｇＲ１　Ｒ２　・ｎ（ＭＲ３　ｍ　）　で表わされる。 該金属としては、アルミニウム、亜鉛、カルシウム等で
あり、Ｒ３　は炭素数１〜１２個のアルキル基、シクロ
アルキル基、アリール基、アルアルキル基である。又、
ｍは金属Ｍの原子価を、ｎは０．１〜１０の数を示す。 ＭＲ３　ｍ　で表わされる化合物の具体例としては、Ａ
ｌＭｅ３　，　ＡｌＥｔ３　，Ａｌｉ−Ｂｕ３　，Ａｌ
Ｐｈ３　，ＺｎＭｅ２　，ＺｎＥｔ２　，ＺｎＢｕ２　
，ＺｎＰｈ２　，ＣａＥｔ２　，ＣａＰｈ２　等が挙げ
られる。

【００１８】（３）チタン化合物 チタン化合物は、二価、三価及び四価のチタンの化合物
であり、それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チ
タン、トリクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシ
チタン、ジクロルジエトキシチタン、ジクロルジブトキ
シチタン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエ
トキシチタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブト
キシチタン、三塩化チタン等を挙げることができる。こ
れらの中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタ
ン、ジクロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシ
チタン等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に
四塩化チタンが望ましい。

【００１９】（４）電子供与性化合物 電子供与性化合物としては、カルボン酸類、カルボン酸
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート類
、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ素
およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエーテ
ル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられる。 これのうちカルボン酸類、カルボン酸無水物、カルボン
酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコール類
、エーテル類が好ましく用いられる。

【００２０】カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢酸
、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン酸
、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸
等の脂肪族モノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グル
タル酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル
酸等の脂肪族ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシカ
ルボン酸、シクロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘキ
センモノカルボン酸、シス−１，２−シクロヘキサンジ
カルボン酸、シス−４−メチルシクロヘキセン−１，２
−ジカルボン酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、トル
イル酸、アニス酸、ｐ−第三級ブチル安息香酸、ナフト
エ酸、ケイ皮酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル酸、
イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメリト
酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、メリ
ト酸等の芳香族多価カルボン酸等が挙げられる。カルボ
ン酸無水物としては、上記のカルボン酸類の酸無水物が
使用し得る。

【００２１】カルボン酸エステルとしては、上記のカル
ボン酸類のモノ又は多価エステルが使用することができ
、その具体例として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、イソ酪酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピバ
リン酸イソブチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メ
チル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチル、
マロン酸ジエチル、マロン酸ジイソブチル、コハク酸ジ
エチル、コハク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチル、グ
ルタル酸ジエチル、グルタル酸ジブチル、グルタル酸ジ
イソブチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン酸ジブ
チル、セバシン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエチル、
マレイン酸ジブチル、マレイン酸ジイソブチル、フマル
酸モノメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソブチ
ル、酒石酸ジエチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジイソブ
チル、シクロヘキサンカルボン酸エチル、安息香酸メチ
ル、安息香酸エチル、ｐ−トルイル酸メチル、ｐ−第三
級ブチル安息香酸エチル、ｐ−アニス酸エチル、α−ナ
フトエ酸エチル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケイ皮酸
エチル、フタル酸モノメチル、フタル酸モノブチル、フ
タル酸ジブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジヘ
キシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジ２−エチルヘ
キシル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジフェニル、イソ
フタル酸ジエチル、イソフタル酸ジイソブチル、テレフ
タル酸ジエチル、テレフタル酸ジブチル、ナフタル酸ジ
エチル、ナフタル酸ジブチル、トリメリト酸トリエチル
、トリメリト酸トリブチル、ピロメリト酸テトラメチル
、ピロメリト酸テトラエチル、ピロメリト酸テトラブチ
ル等が挙げられる。

【００２２】カルボン酸ハロゲン化物としては、上記の
カルボン酸類の酸ハロゲン化物が使用することができ、
その具体例として、酢酸クロリド、酢酸ブロミド、酢酸
アイオダイド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、
酪酸ブロミド、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリド
、ピバリン酸ブロミド、アクリル酸クロリド、アクリル
酸ブロミド、アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸ク
ロリド、メタクリル酸ブロミド、メタクリル酸アイオダ
イド、クロトン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロン
酸ブロミド、コハク酸クロリド、コハク酸ブロミド、グ
ルタル酸クロリド、グルタル酸ブロミド、アジピン酸ク
ロリド、アジピン酸ブロミド、セバシン酸クロリド、セ
バシン酸ブロミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸ブ
ロミド、フマル酸クロリド、フマル酸ブロミド、酒石酸
クロリド、酒石酸ブロミド、シクロヘキサンカルボン酸
クロリド、シクロヘキサンカルボン酸ブロミド、１−シ
クロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチルシ
クロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチルシ
クロヘキセンカルボン酸ブロミド、塩化ベンゾイル、臭
化ベンゾイル、ｐ−トルイル酸クロリド、ｐ−トルイル
酸ブロミド、ｐ−アニス酸クロリド、ｐ−アニス酸ブロ
ミド、α−ナフトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、ケ
イ皮酸ブロミド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブロ
ミド、イソフタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロミ
ド、テレフタル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリドが
挙げられる。又、アジピン酸モノメチルクロリド、マレ
イン酸モノエチルクロリド、マレイン酸モノメチルクロ
リド、フタル酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸の
モノアルキルハロゲン化物も使用し得る。

【００２３】アルコール類は、一般式　　ＲＯＨで表わ
される。式においてＲは炭素数１〜１２個のアルキル、
アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルアルキル
である。その具体例としては、メタノール、エタノール
、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソ
ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノー
ル、２−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベ
ンジルアルコール、アリルアルコール、フェノール、ク
レゾール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロ
ピルフェノール、ｐ−ターシャリーブチルフェノール、
ｎ−オクチルフェノール等である。

【００２４】エーテル類は、一般式ＲＯＲ１　で表わさ
れる。式においてＲ，Ｒ１　は炭素数１〜１２個のアル
キル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルア
ルキルであり、ＲとＲ１　は同じでも異ってもよい。そ
の具体例としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、
ジイソアミルエーテル、ジ−２−エチルヘキシルエーテ
ル、ジアリルエーテル、エチルアリルエーテル、ブチル
アリルエーテル、ジフェニルエーテル、アニソール、エ
チルフェニルエーテル等である。

【００２５】成分Ａの調製法としては、■金属酸化物（
成分１）、マグネシウム化合物（成分２）、チタン化合
物（成分３）及び電子供与性化合物（成分４）をその順
序に接触させる。■成分１と成分３を接触させた後、成
分４と成分３をその順序に接触させる。■成分１，成分
２を接触させた後、成分３と成分４を同時に用いて接触
させる、■成分２と成分３を接触させた後、成分４と成
分１をその順序に接触させる、■成分２と成分４を接触
させた後、成分３と成分１をその順序に接触させる、■
成分２，成分３及び成分４を同時に接触させた後、成分
１を接触させる等の方法が採用し得る。又、成分３を用
いて接触させる前にハロゲン含有化合物と接触させるこ
ともできる。

【００２６】ハロゲン含有化合物としては、ハロゲン化
炭化水素、ハロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を
有するハロゲン化珪素化合物、周期表第ＩＩａ族、ＩＶ
ａ族、Ｖａ族元素のハロゲン化物（以下、金属ハライド
という。）等が挙げられる。

【００２７】ハロゲン化炭化水素としては、炭素数１〜
１２個の飽和又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭
化水素のモノ及びポリハロゲン置換体である。それら化
合物の具体的な例は、脂肪族化合物では、メチルクロラ
イド、メチルブロマイド、メチルアイオダイド、メチレ
ンクロライド、メチレンブロマイド、メチレンアイオダ
イド、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、四
塩化炭素、四臭化炭素、四沃化炭素、エチルクロライド
、エチルブロマイド、エチルアイオダイド、１，２−ジ
クロルエタン、１，２−ジブロムエタン、１，２−ジヨ
ードエタン、メチルクロロホルム、メチルブロモホルム
、メチルヨードホルム、１，１，２−トリクロルエチレ
ン、１，１，２−トリブロモエチレン、１，１，２，　
２−テトラクロルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキ
サクロルエタン、ヘキサブロモエタン、ｎ−プロピルク
ロライド、１，２−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプ
ロピレン、オクタクロロプロパン、デカブロモブタン、
塩素化パラフィンが、脂環式化合物ではクロロシクロプ
ロパン、テトラクロルシクロペンタン、ヘキサクロロシ
クロペンタジェン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳
香族化合物ではクロルベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−
ジクロルベンゼン、ｐ−ジクロルベンゼン、ヘキサクロ
ロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ベンゾトリクロラ
イド、ｐ−クロロベンゾトリクロライド等が挙げられる
。これらの化合物は、一種のみならず二種以上用いても
よい。

【００２８】ハロゲン含有アルコールとしては、一分子
中に一個又は二個以上の水酸基を有するモノ又は多価ア
ルコール中の、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の
水素原子がハロゲン原子で置換された化合物を意味する
。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素原
子が挙げられるが、塩素原子が望ましい。それら化合物
を例示すると、２−クロルエタノール、１−クロル−２
−プロパノール、３−クロル−１−プロパノール、１−
クロル−２−メチル−２−プロパノール、４−クロル−
１−ブタノール、５−クロル−１−ペンタノール、６−
クロル−１−ヘキサノール、３−クロル−１，２−プロ
パンジオール、２−クロルシクロヘキサノール、４−ク
ロルベンズヒドロール、（ｍ，ｏ，ｐ）−クロルベンジ
ルアルコール、４−クロルカテコール、４−クロル−（
ｍ，ｏ）−クレゾール、６−クロル−（ｍ，ｏ）−クレ
ゾール、４−クロル−３，５−ジメチルフェノール、ク
ロルハイドロキノン、２−ベンジル−４−クロルフェノ
ール、４−クロル−１−ナフトール、（ｍ，ｏ，ｐ）−
クロルフェノール、ｐ−クロル−α−メチルベンジルア
ルコール、２−クロル−４−フェニルフェノール、６−
クロルチモール、４−クロルレゾルシン、２−ブロムエ
タノール、３−ブロム−１−プロパノール、１−ブルム
−２−プロパノール、１−ブロム−２−ブタノール、２
−ブロム−ｐ−クレゾール、１−ブロム−２−ナフトー
ル、６−ブロム−２−ナフトール、（ｍ，ｏ，ｐ）−ブ
ロムフェノール、４−ブロムレゾルシン、（ｍ，ｏ，ｐ
）−フロロフェノール、ｐ−イオドフェノール：２，２
−ジクロルエタノール、２，３−ジクロル−１−プロパ
ノール、１，３−ジクロル−２−プロパノール、３−ク
ロル−１−（α−クロルメチル）−１−プロパノール、
２，３−ジブロム−１−プロパノール、１，３−ジブロ
ム−２−プロパノール、２，４−ジブロムフェノール、
２，４−ジブロム−１−ナフトール：２，２，２−トリ
クロルエタノール、１，１，１−トリクロル−２−プロ
パノール、β，β，β−トリクロル−ｔｅｒｔ−ブタノ
ール、２，３，４−トリクロルフェノール、２，４，５
−トリクロルフェノール、２，４，６−トリクロルフェ
ノール、２，４，６−トリブロムフェノール、２，３，
５−トリブロム−２−ヒドロキシトルエン、２，３，５
−トリブロム−４−ヒドロキシトルエン、２，２，２−
トリフルオロエタノール、α，α，α−トリフルオロ−
ｍ−クレゾール、２，４，６−トリイオドフェノール：
２，３，４，６−テトラクロルフェノール、テトラクロ
ルハイドロキノン、テトラクロルビスフェノールＡ、テ
トラブロムビスフェノールＡ、２，２，３，３−テトラ
フルオロ−１−プロパノール、２，３，５，６−テトラ
フルオロフェノール、テトラフルオロレゾルシン等が挙
げられる。

【００２９】水素−珪素結合を有するハロゲン化珪素化
合物としては、ＨＳｉＣｌ３　，Ｈ２　ＳｉＣｌ２　，
Ｈ３　ＳｉＣｌ，ＨＣＨ３　ＳｉＣｌ２　，　ＨＣ２　
Ｈ５　ＳｉＣｌ２　，Ｈ（ｔ−Ｃ４　Ｈ９　）ＳｉＣｌ
２　，ＨＣ６　Ｈ５　ＳｉＣｌ２　，　Ｈ（ＣＨ３　）
　２　ＳｉＣｌ，Ｈ（ｉ−Ｃ３　Ｈ７　）２　ＳｉＣｌ
，Ｈ２　Ｃ２　Ｈ５　ＳｉＣｌ，Ｈ２　（ｎ−Ｃ４　Ｈ
９　）ＳｉＣｌ、Ｈ２　（Ｃ６　Ｈ４　ＣＨ３　）Ｓｉ
Ｃｌ、ＨＳｉＣｌ（Ｃ６　Ｈ５　）２　等が挙げられる
。

【００３０】金属ハライドとしては、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂ
ｉの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられ、特
にＢＣｌ３　，ＢＢｒ３　，　ＢＩ３　，ＡｌＣｌ３　
，ＡｌＢｒ３　，　ＧａＣｌ３　，ＧａＢｒ３　，　Ｉ
ｎＣｌ３　，ＴｌＣｌ３　，ＳｉＣｌ４　，ＳｎＣｌ４
　，ＳｂＣｌ５　，ＳｂＦ５　等が好適である。

【００３１】成分１，成分２，成分３及び成分４、更に
必要に応じて接触させることのできるハロゲン含有化合
物との接触は、不活性媒体の存在下、又は不存在下、混
合攪拌するが、機械的に共粉砕することによりなされる
。接触は４０〜１５０℃の加熱下で行うことができる。

【００３２】不活性媒体としては、ヘキサン、ヘプタン
、オクタン等の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタン、
シクロヘキサン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が使用し得る。

【００３３】本発明における成分Ａの調製法の具体例と
しては、特開昭５８−１６２６０７号、同５５−９４９
０９号、同５５−１１５４０５号、同５７−１０８１０
７号、同６１−２１１０９号、同６１−１７４２０４号
、同６１−１７４２０５号、同６１−１７４２０６号、
同６２−７７０６号公報等に開示されている方法等が挙
げられる。より詳細には、

【００３４】■　　金属酸化物とマグネシウムジアルコ
キシドとの反応生成物を、電子供与性化合物及び４価の
ハロゲン化チタンと接触させる方法（特開昭５８−１６
２６０７号公報）、■　　無機酸化物とマグネシウムヒ
ドロカルビルハライド化合物との反応生成物を、ルイス
塩基化合物及び四塩化チタンと接触させる方法（特開昭
５５−９４９０９号公報）、■　　シリカ等の多孔質担
体とアルキルマグネシウム化合物との反応生成物を、チ
タン化合物と接触させる前に電子供与性化合物及びハロ
ゲン化珪素化合物と接触させる方法（特開昭５５−１１
５４０５号、同５７−１０８１０７号公報）、■　　金
属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム化合物、オル
ト位にカルボキシル基を持つ芳香族多価カルボン酸若し
くはその誘導体及びチタン化合物を接触させる方法（特
開昭６１−１７４２０４号公報）、■　　金属酸化物、
アルコキシ基含有マグネシウム化合物、水素−珪素結合
を有する珪素化合物、電子供与性化合物及びチタン化合
物を接触させる方法（特開昭６１−１７４２０５号公報
）、■　　金属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム
化合物、ハロゲン元素若しくはハロゲン含有化合物、電
子供与性化合物及びチタン化合物を接触させる方法（特
開昭６１−１７４２０６号公報）、■　　金属酸化物、
ジヒドロカルビルマグネシウム及びハロゲン含有アルコ
ールを接触させることによって得られる反応生成物を、
電子供与性化合物及びチタン化合物を接触させる方法（
特開昭６１−２１１０９号公報）、■　　金属酸化物、
ヒドロカルビルマグネシウム及びヒドロカルビルオキシ
基含有化合物（前記アルコキシ基含有化合物に相当）を
接触させることによって得られる固体を、ハロゲン含有
アルコールと接触させ、更に電子供与性化合物及びチタ
ン化合物と接触させる方法（特開昭６２−７７０６号公
報）である。 これらの内でも■〜■の方法が、特に■，■の方法が望
ましい。

【００３５】上記のようにして成分Ａは調製されるが、
成分Ａは必要に応じて前記の不活性媒体で洗浄してもよ
く、更に乾燥してもよい。

【００３６】又、成分Ａは、更に有機アルミニウム化合
物の存在下、オレフィンと接触させて成分Ａ中に生成す
るオレフィンポリマーを含有させてもよい。有機アルミ
ニウム化合物としては、本発明の触媒の一成分である後
記の有機金属化合物の中から選ばれる。

【００３７】オレフィンとしては、エチレンの他プロピ
レン、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペ
ンテン等のα−オレフィンが使用し得る。オレフィンと
の接触は、前記の不活性媒体の存在下行うのが望ましい
。接触は、通常１００℃以下、望ましくは−１０〜＋５
０℃の温度で行われる。成分Ａ中に含有させるオレフィ
ンポリマーの量は、成分Ａ１ｇ当り通常０．１〜１００
ｇである。

【００３８】成分Ａとオレフィンの接触は、有機アルミ
ニウム化合物と共に電子供与性化合物を存在させてもよ
い。電子供与性化合物は、成分Ａを調製させる際に用い
られる化合物およびＳｉ−Ｏ−Ｃ結合もしくはＳｉ−Ｎ
−Ｃ結合を有する有機珪素化合物などの中から選択され
る。オレフィンと接触した成分Ａは必要に応じて前記の
不活性媒体で洗浄することができ、又更に乾燥すること
ができる。

【００３９】有機金属化合物 有機金属化合物（以下成分Ｂという。）は、周期表第Ｉ
族ないし第ＩＩＩ　族金属の有機化合物である。成分Ｂ
としては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛
及びアルミニウムの有機化合物が使用し得る。これらの
中でも特に、有機アルミニウム化合物が好適である。用
い得る有機アルミニウム化合物としては、一般式　　Ｒ
ｎ　ＡｌＸ３−ｎ　（但し、Ｒはアルキル基又はアリー
ル基、Ｘはハロゲン原子、アルコキシ基又は水素原子を
示し、ｎは１≦ｎ≦３の範囲の任意の数である。）で示
されるものであり、例えばトリアルキルアルミニウム、
ジアルキルアルミニウムモノハライド、モノアルキルア
ルミニウムジハライド、アルキルアルミニウムセスキハ
ライド、ジアルキルアルミニウムモノアルコキシド及び
ジアルキルアルミニウムモノハイドライドなどの炭素数
１ないし１８個、好ましくは炭素数２ないし６個のアル
キルアルミニウム化合物又はその混合物もしくは錯化合
物が特に好ましい。具体的には、トリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミ
ニウムなどのトリアルキルアルミニウム、ジメチルアル
ミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジ
エチルアルミニウムブロミド、ジエチルアルミニウムア
イオダイド、ジイソブチルアルミニウムクロリドなどの
ジアルキルアルミニウムモノハライド、メチルアルミニ
ウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、メチ
ルアルミニウムジブロミド、エチルアルミニウムジブロ
ミド、エチルアルミニウムジアイオダイド、イソブチル
アルミニウムジクロリドなどのモノアルキルアルミニウ
ムジハライド、エチルアルミニウムセスキクロリドなど
のアルキルアルミニウムセスキハライド、ジメチルアル
ミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド
、ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジプロピルアル
ミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムエトキ
シド、ジイソブチルアルミニウムフェノキシドなどのジ
アルキルアルミニウムモノアルコキシド、ジメチルアル
ミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドラ
イド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブ
チルアルミニウムハイドライドなどのジアルキルアルミ
ニウムハイドライドが挙げられる。これらの中でも、ト
リアルキルアルミニウムが、特にトリエチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウムが望ましい。又、これ
らトリアルキルアルミニウムは、その他の有機アルミニ
ウム化合物、例えば、工業的に入手し易いジエチルアル
ミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エ
チルアルミニウムセスキクロリド、ジエチルアルミニウ
ムエトキシド、ジエチルアルミニウムハイドライド又は
これらの混合物若しくは錯化合物等と併用することがで
きる。

【００４０】又、酸素原子や窒素原子を介して２個以上
のアルミニウムが結合した有機アルミニウム化合物も使
用可能である。そのような化合物としては、例えば

【化
３】 等を例示できる。

【００４１】アルミニウム金属以外の金属の有機化合物
としては、ジエチルマグネシウム、エチルマグネシウム
クロリド、ジエチル亜鉛等の他ＬｉＡｌ（Ｃ２　Ｈ５　
）４　，ＬｉＡｌ（Ｃ７　Ｈ１５）４　等の化合物が挙
げられる。

【００４２】有機珪素化合物 本発明の触媒の一成分である有機珪素化合物（以下、成
分Ｃという。）は、前記一般式で表わされる。該式にお
いて、Ｒ１　は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
式炭化水素基であるが、望ましくはアルキル基、アルケ
ニル基等の脂肪族炭化水素基であり、特に望ましくはア
ルキル基である。なお、アルキル基にあっては、分岐し
たアルキル基の場合に、好結果を示すことが多い。Ｒ２
　は炭素数１〜１０個の脂肪族若しくは脂環式炭化水素
基又はＲ４　Ｏである。該炭化水素基としては、望まし
くはシクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロア
ルカジエニル基等の脂環式炭化水素基である。Ｒ４　Ｏ
のＲ４　はＲ１　と同意義である。Ｒ３　はメチル基若
しくはエチル基である。ｘは１若しくは２、ｙは０若し
くは１、ｚは２若しくは３であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であ
る。

【００４３】以下、成分Ｃの具体例を列挙する。なお、
以下において、Ｍｅ＝メチル、Ｅｔ＝エチル、Ｐｒ＝プ
ロピル、Ｂｕ＝ブチル、Ａｍｙ＝アミル、Ｈｅｘ＝ヘキ
シル、Ｏｃｔ＝オクチル、Ｄｅｃ＝デシル、ＣｙＰｅ＝
シクロペンチル、ＣｙＨｅ＝シクロヘキシル、ＣｙＰｙ
＝シクロペンテニル、ＣｙＰｔ＝シクロペンタジエニル
、ＣｙＨｙ＝シクロヘキセニル基をそれぞれ示す。なお
、以下の具体例は、前記一般式において、Ｒ３　がメチ
ル基の場合についてのみであり、エチル基の場合は省略
した。それら具体例のＲ３　のメチル基をエチル基に代
えた化合物も、具体例として挙げることができる。

【００４４】○（Ｒ１　Ｏ）２　Ｓｉ（ＯＲ３　）２　
の化合物（ｎ−ＰｒＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，　（
ｉ−ＰｒＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＢｕＯ）
２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ｓ−ＢｕＯ）２　Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）２　，（ｎ−ＢｕＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｉ−ＢｕＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−Ａｍｙ
Ｏ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＡｍｙＯ）２　Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＨｅｘＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ
）２　，（ｎ−ＯｃｔＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（
ｎ−ＤｅｃＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ
）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）２　Ｓｉ（
ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　
，（ＣｙＰｔＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙ
Ｏ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　。 ○（Ｒ１　Ｏ）（Ｒ４　Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ３　）２　の化
合物（ｉ−ＰｒＯ）（ｎ─ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　
，（ｎ−ＰｒＯ）（ｔ─ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｔ−ＢｕＯ）（ｎ─ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（
ｓ−ＢｕＯ）（ｉ─ＢｕＯ）２　Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｔ−ＡｍｙＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｎ−ＡｍｙＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｎ−ＢｕＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｓ−ＢｕＯ）（ｓ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｉ−ＢｕＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｔ−ＡｍｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　
，（ｔ−ＡｍｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２
　，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　
，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（
ＣｙＰｅＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃ
ｙＰｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃｙ
ＰｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰ
ｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰ
ｅＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰ
ｅＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰ
ｅＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨ
ｅＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ
）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）
（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）（
ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）（ｔ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−
ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）（ｔ−
ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−
ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−
ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−
ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｉ−Ｐ
ｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｉ−ＢｕＯ
）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｓ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（
ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ
）２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２
　，（ＣｙＨｙＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　
，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，
（ＣｙＨｙＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（
ＣｙＨｙＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃ
ｙＨｙＯ）（ｒ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃｙ
ＨｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃｙ
ＨｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃｙ
ＨｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃｙ
ＨｙＯ）（ｎ−Ｏｃｔ）Ｓｉ（ＯＭｅ）２　。

【００４５】○（Ｒ１　Ｏ）Ｒ２　Ｓｉ（ＯＲ３　）２
　の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｉ−ＰｒＯ
）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＰｒＯ）ｔ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）２，（ｉ−ＰｒＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ
（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２
　，（ｔ−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｓ−Ｂ
ｕＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｉ−ＢｕＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＢｕＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（
ＯＭｅ）２，（ｎ−ＢｕＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２
　，（ｔ−ＢｕＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（
ｎ−ＡｍｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−Ａ
ｍｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＡｍｙＯ
）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｍ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＥｔＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）２　，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−Ｈ
ｅｘＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＨｅｘＯ
）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｎ−
ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｎ−Ｏｃ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＯｃｔＯ）ＭｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）２　，（ｎ−ＯｃｔＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ
）２　，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−Ｂ
ｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｉ−ＢｕＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２
　，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（
ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−Ｏ
ｃｔ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｉ−ＰｒＯ）Ｃ
ｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｅＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−
ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＡｍｙＯ
）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｃｙ
ＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＨｅＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−
ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｉ−ＢｕＯ）
ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）２　，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
２　，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−
Ｏｃｔ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＰｒＯ）
ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）２，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−
ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＡｍｙＯ
）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｃｙ
ＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｔＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−
ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２，（ｉ−ＰｒＯ）Ｃ
ｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２
　，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（
ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ｎ−Ｏ
ｃｔＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ）
ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ）ＥｔＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）２
　，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃ
ｙＰｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ
）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ）ｓ−Ｂ
ｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（
ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ
）２　，（ＣｙＰｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃ
ｙＰｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）ＥｔＳｉ
（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ
）２　，（ＣｙＨｅＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）２　，
（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨ
ｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）ｓ
−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＢｕＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）２，（
ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰ
ｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）ＥｔＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃｙ
ＰｙＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）
ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）ｔ−Ｂｕ
Ｓｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（
ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ
）２　，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃ
ｙＰｔＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）Ｅ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＰｒＳｉ（
ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（
ＣｙＰｔＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ｔ−
ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＡｍｙＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，
（ＣｙＨｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ
）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＰｒＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　
，（ＣｙＨｙＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）
ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−Ａｍ
ｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）２
　，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（Ｃ
ｙＰｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ
）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（
ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）
２　，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（
ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅ
Ｏ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｅＯ）Ｃｙ
ＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ
（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ
）２　，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，
（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰ
ｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＨｅＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）２，
（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨ
ｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）Ｃ
ｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｙＳ
ｉ（ＯＭｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）２　，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）２　
。

【００４６】○（Ｒ１　Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ３　）３　の化
合物（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ｎ−ＢｕＯ
）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
３　，（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）３　，（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ｎ
−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）３　，（ｎ−ＤｅｃＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３
　，（ＣｙＰｅＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ＣｙＨｅＯ
）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ＣｙＰｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
３　，（ＣｙＰｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　，（ＣｙＨｙ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）３　。

【００４７】本発明の触媒は、成分Ａ，成分Ｂ及び成分
Ｃからなるが、それらの構成割合は、成分Ｂが成分Ａ中
のチタン１グラム原子当り１〜２，０００グラムモル、
望ましくは２０〜５００グラムモル、成分Ｃが成分Ｂ１
モルに対して０．００１〜１０モル、望ましくは０．０
１〜１．０モルとなるように用いられる。

【００４８】プロピレンの多段階重合 プロピレンの多段階重合は、前記の重合触媒の存在下、
２段階以上の多段階でプロピレンの重合反応を行うもの
である。各段階にいては、そこで得られるポリプロピレ
ン成分の分子量を各々違えられるが、最も高分子量の成
分を生成する段階におけるポリプロピレン成分の分子量
をメルトフローレート（ＭＦＲ）を尺度として、０．０
００１ｇ／１０分〜１０ｇ／１０分未満、望ましくは０
．００１〜５ｇ／１０分、最も低分子量の成分を生成す
る段階におけるポリプロピレン成分のそれを同じく１０
ｇ／１０分〜１０００ｇ／１０分、望ましくは５０〜５
００ｇ／１０分の範囲とすることが肝要である。各段階
で得られるポリプロピレン成分の分子量は、最終的に得
られるポリプロピレンの使用目的に応じ、上記の範囲内
で適宜設定でき、その調節は、通常水素若しくは他の公
知の分子量調節剤の使用量を変えることにより行われる
。

【００４９】重合反応は、気相、液相のいずれでもよく
、液相で重合させる場合は、ノルマルブタン、イソブタ
ン、ノルマルペンタン、イソペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン
、キシレン等の不活性炭化水素中及び液状モノマー中で
行うことができる。重合温度は、通常−８０℃〜＋１５
０℃、好ましくは４０〜１２０℃の範囲である。重合圧
力は、例えば１〜６０気圧でよい。各段階における重合
条件は、上記の範囲内で任意に設定できることは言う迄
もない。

【００５０】多段階重合は、重合触媒、ポリプロピレン
及びその他を含む前段の反応生成物の存在下、次段のプ
ロピレンの重合反応を連続して行う直列方式、各段階で
個別にプロピレンの重合反応を行なわせ、各段階で得ら
れる反応生成物を合体させる並列方式のいずれでもよい
。勿論、必要に応じ直列方式と並列方式を組み合せるこ
とも任意である。又、各段階の重合割合は、最終ポリプ
ロピレンの使用目的に応じ任意に選択することができる
。更に、プロピレンの重合反応時に、各段階で得られる
ポリプロピレンの高結晶性を損なわない程度の少量のエ
チレンや１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−
ヘキセン等のα−オレフィンを存在させることも可能で
ある。

【００５１】このようにして得られたポリプロピレンは
、通常１〜７００ｇ／１０分のＭＦＲを有するが、その
ＭＦＲを５〜４００ｇ／１０分にするのが好ましくは、
１０〜２００ｇ／１０分とするのが特に好ましい。

【００５２】

【実施例】本発明を実施例及び比較例により具体的に説
明する。なお、例におけるパーセント（％）は特に断ら
ない限り重量による。ポリマーの物性測定は、該ポリマ
ー粉末に、ＢＨＴ（２，６−ジターシャリーブチル−４
−メチルフェノール）を０．１８重量％、ＤＳＴＤＰ（
ジステリアルチオジプロピオネート）を０．０８重量％
、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０〔テトラキス−｛メチレン−
（３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシヒド
ロ−シンナメート）メタン｝〕を０．０４重量％、カル
シウムステアレートを０．０６重量％それぞれ添加し、
溶融混練によりペレットとした後、射出成形形により試
験片を作成して行った。曲げ弾性率：ＪＩＳ　　Ｋ　　
７２０３−１９８２に準拠。又、ポリマーのＭＦＲはＡ
ＳＴＭ　　Ｄ−１２３８に従って測定した。

【００５３】実施例１ 成分Ａの調製 滴下ロート及び攪拌機を取付けた２００ｍｌのフラスコ
を窒素ガスで置換した。このフラスコに、酸化ケイ素（
ＤＡＶＩＳＯＮ社製、商品名Ｇ−９５２）を窒素気流中
において２００℃で２時間、更に７００℃で５時間焼成
したものを５ｇ及びｎ−ヘプタンを４０ｍｌ入れた。更
にｎ−ブチルエチルマグネシウム（以下、ＢＥＭという
。）の２０％ｎ−ヘプタン溶液（テキサスアルキルズ社
製、商品名ＭＡＧＡＬＡ　　ＢＥＭ）２０ｍｌを加え、
９０℃で１時間攪拌した。上記懸濁液を０℃に冷却した
後、これにテトラエトキシシラン１１．２ｇを２０ｍｌ
のｎ−ヘプタンに溶解した溶液を滴下ロートから３０分
掛けて滴下した。滴下終了後、２時間掛けて５０℃に昇
温し、５０℃で１時間攪拌を続けた。反応終了後、デカ
ンテーションにより上澄液を除去し、生成した固体を６
０ｍｌのｎ−ヘプタンにより室温で洗浄し、更にデカン
テーションにより上澄液を除去した。このｎ−ヘプタン
による洗浄処理を更に４回行った。上記の固体に、５０
ｍｌのｎ−ヘプタンを加えて懸濁液とし、これに２，２
，２−トリクロルエタノール８．０ｇを１０ｍｌのｎ−
ヘプタンに溶解した溶液を、滴下ロートから２５℃にお
いて１５分間掛けて滴下した。滴下終了後２５℃で３０
分間攪拌を続けた。反応終了後、室温において、６０ｍ
ｌのｎ−ヘプタンにて２回、６０ｍｌのトルエンにて３
回それぞれ洗浄を行った。得られた固体（固体成分Ｉ）
を分析したところ、ＳｉＯ２　３６．６％、マグネシウ
ム５．１％、塩素３８．５％を含んでいた。上記で得ら
れた固体成分Ｉに、ｎ−ヘプタン１０ｍｌ及び四塩化チ
タン４０ｍｌを加え、９０℃迄昇温し、ｎ−ヘプタン５
ｍｌに溶解したフタル酸ジｎ−ブチル０．６ｇを５分間
掛けて添加した。その後、１１５℃に昇温し、２時間反
応させた。９０℃に降温した後、デカンテーションによ
り上澄液を除き、ｎ−ヘプタン７０ｍｌで２回洗浄を行
った。更に、ｎ−ヘプタン１５ｍｌと四塩化チタン４０
ｍｌを加え、１１５℃で２時間反応させた。反応終了後
、得られた固体物質を６０ｍｌのｎ−ヘキサンにて室温
で８回洗浄を行った。次いで、減圧下室温にて１時間乾
燥を行い、８．３ｇの触媒成分（成分Ａ）を得た。この
成分Ａには、３．１％のチタンの他酸化ケイ素、塩素及
びフタル酸ジｎ−ブチルが含まれていた。

【００５４】プロピレンの重合 充分に窒素置換した５リットルのオートクレーブに、窒
素雰囲気下で上記で得られた成分Ａ３８．８ｍｇ、ｎ−
ヘプタン１リットル中に０．４モルのトリエチルアルミ
ニウムを含む溶液６ｍｌ、及びｎ−ヘプタン１リットル
中に０．０４モルのジ−ｔ−ブトキシジメトキシシラン
を含む溶液６ｍｌを混合し、５分間保持したものを入れ
た。第１段重合では液体プロピレン３リットルを圧入し
た後、オートクレーブ内部温度を７０℃にして１時間重
合を行った。オートクレーブ内液相よりサンプルを一部
採取した後、引き続きオートクレーブ内部温度を７０℃
に維持したままで水素を１０リットル添加して、第２段
重合を開始し、３５分間重合した。重合終了後、水素及
び未反応のプロピレンをパージしてオートクレーブ内の
ポリマーを取り出し、ＭＦＲ　　１９．１ｇ／１０分の
ポリマー４８５．１ｇが得られた。なお、第１段重合終
了時に採取したサンプル中のポリマー重量は、１８．６
ｇであり、そのＭＦＲは０．０９ｇ／１０分であった。 次にポリマーの化学分析を行い、第１段及び第２段の触
媒単位重量当たりの重合体の収量を求め、この値から第
１段と第２段の重合量比率を求めた。第２段で生成した
ポリマーのＭＦＲは、第１段と最終的に得られたポリマ
ーの前記のＭＦＲ及び第１段と第２段の重合量比率から
算出した。表１に、重合活性（ポリマーｋｇ／ｇ・成分
Ａ・時間）及び得られたポリマーの曲げ弾性率を示した
。

【００５５】実施例２〜５、比較例１〜３ジ−ｔ−ブト
キシジメトキシシランの代りに、表１に示す有機珪素化
合物を用いた以外は、実施例１と同様にしてプロピレン
を２段で重合し、それらの結果を表１に示した。

【表１】

【００５６】

【発明の効果】プロピレンの単独多段重合により加工性
のよいポリプロピレンを得るに際して、後段でも触媒の
失活を著しく低減することができしかも高剛性のポリプ
ロピレンを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の方法を示すフローチャート図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）金属酸化物、マグネシウム、チタン
   、ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とする固体
   触媒成分、（Ｂ）有機金属化合物及び（Ｃ）一般式【化
   １】 〔但し、Ｒ１　は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂
   環式炭化水素基、Ｒ２　は炭素数１〜１０個の脂肪族若
   しくは脂環式炭化水素基又はＲ４　Ｏ、Ｒ３　はメチル
   基若しくはエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０
   若しくは１、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ４
   　はＲ１　と同意義である。〕の有機珪素化合物とから
   なる重合触媒の存在下、プロピレンを多段階で重合する
   ことからなり、各段階において生成するポリプロピレン
   成分のメルトフローレート（ＭＦＲ）を、最も高分子量
   の成分を生成する段階では０．０００１ｇ／１０分〜１
   ０ｇ／１０分未満、最も低分子量の成分を生成する段階
   では１０ｇ／１０分〜１０００ｇ／１０分の範囲内とし
   、かつ各段階において生成するポリプロピレンのＭＦＲ
   を違えることからなるポリプロピレンの製造方法。