JPH04372116A - 堆積膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、機能性堆積膜、とりわ
けシリコンを含有する機能性膜、特に半導体デバイス、
ＴＦＴ、画像入力用のラインセンサー及び太陽電池等の
光起電力素子に使用する堆積膜の形成に好適な堆積膜形
成方法に関する。

【０００２】［従来技術の説明］従来の気相エピタキシ
ー技術は、主に水素還元法、熱分解法により形成されて
いる。まず水素還元法では最も良く用いられる原料ガス
はＳｉＣｌ４であるが、常温では液体であるためバブラ
の中に入れ所定の温度に保持し、Ｈ２ガスを導入し、Ｓ
ｉＣｌ４を含むＨ２ガスを高温の反応管内に導く。Ｓｉ
Ｃｌ４の水素による還元反応により基板温度は１１５０
〜１３００℃の条件下でエピタキシャル成長が可能であ
る。

【０００３】熱分解法によるシリコンのエピタキシー技
術は、主としてＳｉＨ４の熱分解により水素還元法に比
べ低い温度、即ち９００〜１２００℃の範囲でエピタキ
シャル成長が可能である。いずれの方法においてもドー
ピングは気相中にドーパントガス、例えばＰＨ３及びＢ
２Ｈ６などをＨ２などに希釈して反応管に導入するが、
急峻なＰ−Ｎ接合を形成するにはより低温でエピタキシ
ャル成長が可能な熱分解法が優れているが、さらにプロ
セス温度の低温化が切望されている状態である。また、
基体からのオートドーピングを防止するためにもプロセ
ス温度の低温化が望まれている。

【０００４】また、結晶成長に関する古典的なモデルは
、コッセルによる基板表面の原子テラス上での飛来する
原子の拡散と、原子ステップでの吸着により成長機構が
説明されている。また、飛来する原子の拡散長が短かく
原子ステップに到達できない環境下では原子テラス上で
２次元核を生成し、この成長した２次元核同志の衝突に
より結晶粒界の発生が指摘されている。これは一般に欠
陥としてエピタキシャル成長膜の電気特性に悪影響を及
ぼし無欠陥の良質のエピタキシャル成長膜を得にくいの
が実状であった。

【０００５】先に述べたプロセス温度の低温化とこの原
子ステップによる結晶成長を両立させるための一つの解
決として、成長環境をスーパー・クリーン化し清浄環境
下で飛来する分子及び原子の拡散を助長することで低温
プロセス（基体温度２００℃〜３００℃）による結晶成
長を実現している。

【０００６】しかしながら、実際の結晶成長の堆積速度
は約１Å／Ｓと低い値に留まり、さらに成長環境のスー
パー・クリーン化に伴う、管理項目の増大、成膜装置の
高コスト化、超高純度原料ガス及びその他のプロセスガ
ス使用による大幅なコスト増加により、工業化には至っ
ていないのが実状である。

【０００７】プロセス温度の低温化及び高い堆積速度を
確保できる特徴を有するものとしては、特開昭６２−０
４０７１７号公報に開示されているように、基体上に堆
積膜を形成するための成膜空間に、夫々、別々の活性化
空間で生成される堆積膜形成用の原料となる活性種と該
活性種と相互作用する原子状水素との化学反応により、
前記基体上に堆積膜を形成する方法が提案されている。 この方法においては、前記活性種と原子状水素の濃度を
適宜選ぶことにより、堆積膜の構造をアモルファスから
結晶まで制御可能である。

【０００８】［発明の目的］本発明は上述した従来技術
の課題を解決すると同時に、低温エピタキシャル成長膜
の形成方法を提供するものである。また別の目的は、形
成される膜の特性，成膜速度，再現性の向上及び膜品質
の均一化を図りながら、膜の大面積化を容易に達成する
ことのできる結晶性堆積膜の形成方法を提供することに
ある。

【０００９】［発明の構成］本発明者は、従来の化学気
相法による堆積膜形成法における諸問題を解決し、上述
の目的を達成すべく鋭意研究をつづけた結果完成せしめ
たものであり、その骨子とするところは、基体上に堆積
膜を形成するための成膜空間に、周期律表第ＩＶ族の元
素及びハロゲンを含む化合物ガス（Ａ）を分解すること
により生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化
学相互作用する活性種とを夫々別々に反応空間に導入し
て堆積膜を形成する方法であって、前記基体として、前
記堆積膜のホモエピタキシャル成長、または、ヘテロエ
ピタキシャル成長を可能とせしめる単結晶構造の基体で
あり、且つ、該基体の表面は（００１）面が〈１１０〉
方向に傾斜し、該基体表面に原子ステップを有する傾斜
基体であることを特徴とする堆積膜形成方法であり、さ
らに、前記活性種（Ａ）の流入方向と表面に原子ステッ
プを有する前記傾斜基体の傾斜方向より流入せしめるこ
とにより、原子テラス上での２次元核発生を抑制し、原
子ステップでの前記活性種（Ａ）の反応を助長し、良好
なエピタキシャル成長を可能としたものである。

【００１０】本発明において、周期律表第ＩＶ族の元素
とハロゲン原子とを含む化合物としては、たとえば鎖状
または環状水素化ケイ素化合物の水素原子の一部または
全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体
的には、たとえば、ＳｉｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の整
数、ＹはＦ、Ｃｌ，ＢｒおよびＩより選択された元素で
ある）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、ＳｉｖＹ２ｖ
（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する）で示さ
れる環状ハロゲン化ケイ素、ＳｉｕＨｘＹｙ（ｕおよび
Ｙは前述の意味を有し、ｘ＋ｙ＝２ｕまたは２ｕ＋２で
ある）で示される鎖状または環状化合物などが挙げられ
る。

【００１１】具体的には、たとえばＳｉＦ４，（ＳｉＦ
２）５，（ＳｉＦ２）６，（ＳｉＦ２）４，Ｓｉ２Ｆ６
，Ｓｉ３Ｆ８，Ｓｉ４Ｆ１０，ＳｉＨＦ３，ＳｉＨ２Ｆ
２，ＳｉＨ３Ｆ，ＳｉＣｌ４，（ＳｉＣｌ２）５，Ｓｉ
Ｂｒ４，（ＳｉＢｒ２）５，Ｓｉ２Ｃｌ６，Ｓｉ３Ｃｌ
８，Ｓｉ２Ｂｒ６，Ｓｉ３Ｂｒ８，ＳｉＨＣｌ３，Ｓｉ
Ｈ２Ｃｌ２，ＳｉＨＢｒ３，ＳｉＨ２Ｂｒ２，ＳｉＨＩ
３，ＳｉＨ２Ｉ２，ＳｉＨ３Ｆ３，ＳｉＣｌ３Ｆ３など
の、常温でガス状の、または容易にガス化し得るものが
挙げられる。これらシリコン原子を含む化合物は１種で
用いても、あるいは２種以上を併用してもよい。これら
の原料となる気体をガス（Ａ）と記す。

【００１２】本発明で用いられる活性種は、水素ガスお
よび／またはハロゲン化合物（たとえばＦ２ガス、Ｃｌ
２ガス、ガス化したＢｒ２、Ｉ２など）が有利に用いら
れる。またこれらのガスに加えて、たとえばヘリウム、
アルゴン、ネオンなどの不活性ガスを用いることもでき
る。これら活性種の複数を用いる場合には、予めこれら
のガスを混合して活性化させてから前駆体と会合させて
も良いし、あるいはそれぞれ独立に複数のガスを活性化
させて前駆体を会合させることもできる。これらの活性
種の原料となる気体をガス（Ｂ）と記す。ガス（Ａ）お
よびガス（Ｂ）を励起する方法としては、使用される装
置の形式や操作条件を考慮して、マイクロ波，ＲＦ，低
周波，直流などの電磁エネルギー、ヒーター加熱、赤外
線加熱などによる熱エネルギー、光エネルギーなどの励
起エネルギーが使用されるが、所望により上記励起エネ
ルギーに加えて、触媒との接触または添加を行っても良
い。前述したシリコン原子とハロゲン原子を含む化合物
に熱，光，放電などの励起エネルギーを加えることによ
り、所望により触媒の作用下で前駆体が形成可能である
。

【００１３】本発明において、成膜空間に導入される前
記ガス（Ｂ）と前記ガス（Ａ）との量の割合は、成膜条
件、活性膜の種類などに従って適宜決められるが、好ま
しくは２０：１〜１：２０（導入流量比）が適当であり
、より好ましくは１０：１〜１：１０の範囲である。

【００１４】また本発明の方法により形成される堆積膜
は、成膜中または成膜後に不純物元素でドーピングする
ことが可能である。使用する不純物元素としては、ｐ型
不純物として、周期律表第ＩＩＩ族Ａの元素、たとえば
Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等が好適なものとして挙げ
られ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、
たとえばＰ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等が好適なものとして挙
げられるが、特にＢ，Ｇａ，Ｐ，Ｓｂ等が最適である。 ドーピングされる不純物の量は、所望される電気的・光
学的特性に応じて適宜決定される。

【００１５】このような不純物元素を成分として含む物
質（不純物導入用物質）としては、常温常圧でガス状で
あるか、あるいは少なくとも活性化条件下で気体になり
、適宜の気化装置で容易に気化し得る化合物を選択する
のが好ましい。この様な化合物としては、ＰＨ３，Ｐ２
Ｈ４，ＰＦ３，ＰＦ５，ＰＣｌ３，ＡｓＨ３，ＡｓＦ３
，ＡｓＦ５，ＡｓＣｌ３，ＳｂＨ３，ＳｂＦ５，ＢＦ３
，ＢＣｌ３，ＢＢｒ３，Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ３Ｈ
９，Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，ＡｌＣｌ，
あるいはＰ（ＣＨ３）３，Ｐ（Ｃ２Ｈ５）３，Ａｓ（Ｃ
Ｈ３）３，Ａｓ（Ｃ２Ｈ５）３，Ｂ（ＣＨ３）３，Ｂ（
Ｃ２Ｈ５）３，Ａｌ（ＣＨ３）３，Ａｌ（Ｃ２Ｈ５）３
等の有機化合物等を挙げることができる。 不純物元素を含む化合物は、１種で用いても、２種以上
を併用してもよい。

【００１６】不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）お
よび（または）活性化空間（Ｂ）に、活性種および前駆
体のそれぞれを生成する物質と共に導入して活性化して
も良いし、あるいは活性化空間（Ａ）および活性化空間
（Ｂ）とは別の第３の活性化空間（Ｃ）において活性化
しても良い。

【００１７】本発明における前記傾斜基体としては、堆
積する膜がエピタキシャル成長及びホモエピタキシャル
成長を可能せしめるものであって、単一主成分元素より
構成されるものは、周期律表第ＩＶ族の元素からなるダ
イヤモンド構造をとる単結晶基体は、カーボン，シリコ
ン，ゲルマニウム，灰色スズの各元素からなる単一元素
より構成される単結晶であり、適宜その伝導型の制御の
ためのドーピングが施されていても構わず、また、その
格子定数を適宜調整するための不純物元素を混入してい
ても構わない。

【００１８】主成分元素が２種以上で構成される化合物
の単結晶基体としては、せん亜鉛鉱構造をとるＣａＦ２
，ＣｕＣｌ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳ，ＡｌＰ，Ｇａ
Ａｓ，ＳｉＣがあげられる。

【００１９】本発明において反応空間圧力は、前記活性
種（Ａ）が気相での２次反応に寄与することなく基体表
面に導入されることが望ましい。このため反応空間圧力
は前記活性種（Ａ）の流れが分子線流となる条件であり
、その平均自由行程λＡは活性種（Ａ）の原料である周
期律表ＩＶ族の元素及びハロゲンを含む化合物が会合空
間に導入される位置から基体表面までの距離Ｌに等しい
かまたはそれよりも長いことが必要である。

【００２０】このために反応空間圧力はこの平均自由行
程λＡと反比例関係にあることより適宜選択する必要が
あり、一般の成膜装置では、

【００２１】

【外１】 とすると反応空間圧力は１０−４（Ｔｏｒｒ）程度の値
となる。

【００２２】本発明において、先に述べた基体表面の原
子ステップの存在が結晶成長に重要な働きを担っている
と考えられるため前記傾斜基体に対して周期律表第ＩＶ
族の元素とハロゲンを含む化合物を分解することにより
生成される活性種（Ａ）の流入方向を原子ステップの対
向する方向より導入することで原子ステップでの結晶成
長を助長し、原子テラス上で発生する２次元核の成長を
抑制することが可能である。ここで前記傾斜基体の傾き
及び前記活性種（Ａ）の流入方向は、次の様に定義する
。即ち、基体表面の（００１）面の〈１１０〉方向への
オフセット角をβとし傾斜基体の傾きとする（図３参照
）。

【００２３】このオフセット角βはオフセットがかかる
前の結晶面と、オフセットがかかった後の結晶面とのな
す角度であり、本発明におけるオフセット角βは０．１
°から３０°までの範囲がエピキシャル成長に適切であ
り、より好適には０．２°から２５°までの範囲が有効
である。

【００２４】また、前記活性種（Ａ）の流入方向は、前
記傾斜前基体の〈１１０〉方向との為す角αとしラジカ
ル入射角αと定義する（図２参照）。

【００２５】また、本発明においてエピタキシャル成長
はラジカル入射角αは傾斜基体のオフセット角βと強い
相関をもつことが我々の実験結果より判明した。次に具
体的な実施態様例に基づき本発明の特徴となるオフセッ
ト角β及び活性種（Ａ）の流入方向であるラジカル入射
角αとの関係について述べることにする。

【００２６】（実施態様例）図１は本発明の実施態様を
示す実験装置の略図である。同図で１は周期律表第ＩＶ
族の元素とハロゲンを含むガス原料を導入するガス導入
管で低圧プラズマを誘起するためにステンレス製として
ある。２は水素ガスを導入するガス導入管、３は基体、
４は基体３を保持するホルダーであり、基体温度を適宜
設定できる様ヒーターが内蔵されている。ガス導入管１
及び２より導入される各ガスのうち成膜に利用されなか
った残余ガスは未反応、または反応生成物を含め真空ポ
ンプ（図示せず）で排気される。ガス導入管１より導入
される周期律表第ＩＶ族の元素とハロゲンを含む原料ガ
スは、高周波電力発生装置の制御により、一部または全
てが分解され会合空間５へ導入される。一方、ガス導入
管２より水素ガスを導入し、高周波電力発生装置により
プラズマ分解され活性化された原子状水素を生成し会合
空間５へ導入される。会合空間５にて周期律表第ＩＶ族
の元素とハロゲンを含む原料ガスの分解生成物である活
性種（Ａ）とこれと化学反応する原子状水素は化学反応
をすると共に基体３へと輸送され、基板表面反応を経て
堆積膜を形成する。

【００２７】（実験１）結晶薄膜の形成について具体的
な実験例により本発明の特徴を説明する。本実験例では
周期律表第ＩＶ族の元素とハロゲンを含む化合物として
ＳｉＦ４ガスをまたこれと化学反応する物質として水素
ガスを用いて説明する。

【００２８】下記の第１表の条件は結晶シリコン薄膜が
形成できる典型的なものである。

【００２９】

【表１】 高周波電力　　２．４５ＧＨｚ　　４４０ｗ基体温度　
　３００℃ 成膜空間圧力　　０．４ｍＴｏｒｒ ラジカル入射角度α　　０°

【００３０】本条件でＳｉ（１００）結晶基板上に作製
される結晶は、反射型高速電子線回折よりストリークの
確認できる表面性の良好な単結晶である。

【００３１】また、Ｒａｔｈｅｒｆｏｒｄ　　Ｂａｃｋ
　　Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ（ＲＢＳ）を測定し、反跳原
子のアライン（収率）とランダム収率の比からチャンネ
リング収率Ｘｍｉｎとし算出したところＸｍｉｎは８（
％）であった。

【００３２】なお、測定はＨｅイオンを２ＭｅＶの加速
条件で行なった。

【００３３】次に基体３として（１００）シリコン単結
晶であり、〈１１０〉方向へ２２°オフセットをかけた
ものを用いた。基板の洗浄は一般的なＲＣＡ洗浄の後に
ＨＦ溶液（５ｗｔ％）に３０秒間浸漬しホルダー４にセ
ットする。真空ポンプで排気した後基体温度を３００℃
に保持する。なおバックグランドの真空度は２×１０−
６Ｔｏｒｒ程度である。ガス導入管１よりＳｉＦ４ガス
をガス導入管２よりＨ２ガス及びＡｒガスを第１表に記
した流量でそれぞれ導入し、会合空間５の圧力を０．４
ｍＴｏｒｒに調整し、マイクロ液発振器（図示せず）の
マグネトロンに通電する。マイクロ波プラズマ発生装置
の発生出力を４４０ｗに調整し、数十秒後にプラズマが
発生する。

【００３４】ラジカル入射角αを０°から９０°まで設
定を変えてエピタキシャル成長を行なった。その結果を
図４に示す。同図においてラジカル入射角αに対してＲ
ＢＳ測定のチャンネリング収率Ｘｍｉｎの関係を示した
ものであり、オフセット角β２２°の場合、ラジカル入
射角αが７５°以下ではＸｍｉｎは３．５％と程バルク
値と同じとなり良好な単結晶であることがわかる。また
、α＞７５°においてはＸｍｉｎは４〜６％と悪化して
いるのがわかる。この臨界となるラジカル入射角αをα
０とする。

【００３５】次に、オフセット角βの異なるシリコン（
１００）基体を用いこれに対し、ラジカル入射角αを変
えたときの結果を図５に示す。同図においてチャンネリ
ング収率Ｘｍｉｎがバルク値に近い３．５（％）となる
のは斜線部である。その他の領域ではＸｍｉｎは４〜６
（％）となり結晶性の悪化をもたらしているのがわかる
。これは、基体のオフセットが小さくなると原子ステッ
プ密度の減少，原子テラス面の拡大に継がるが原子ステ
ップに到達させ、ステップでの成長を誘起させるために
はラジカル入射角αを減少させることが効果的であるこ
とがわかる。そしてこの場合入射角αを大きくすると入
射ラジカルが原子ステップに到達せず、原子テラス上で
２次元核を生成し、これらの成長核同志がぶつかり合っ
たとき欠陥を発生し、エピタキシャル成長の結晶性の悪
化をもたらしていると考えている。

【００３６】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。

【００３７】（実施例１）前述の実施態様例と同様の実
験装置を用いて、基体としてシリコン（１００）、基板
（Ｂドープト、抵抗率０．１Ωｃｍ、傾斜角β＝２°）
を用いてＰＨ３をドーピングしてエピタキシャル成長を
行ないダイオードを作製した。ＰＨ３ガスはＳｉＦ４ガ
スに混合し、その体積濃度を５（ｐｐｍ）とし、その他
の作製条件は第１表に記したものと同一にした。ラジカ
ル入射角αを０°から９０°まで変えてそれぞれエピタ
キシャル成長を行ないＰ−Ｎ接合ダイオードをそれぞれ
作製したところ、ラジカル入射角αが０°から５°の範
囲ではダイオードのＶ−Ｉ特性の順方向特性より求めら
れるｎ値は１と理想ダイオード曲線となっていた。

【００３８】（比較例）ラジカル入射角が６°から９０
°の範囲でかつその他の実験条件は全て同じとしてダイ
オード特性を測定したところ、ｎ値は１．２〜１．４と
理想ダイオード曲線から外れていた。これはエピタキシ
ャル成長界面の再結合準位の増加によるものと考えられ
る。

【００３９】（実施例２）前述の実験装置を用い、基体
ＣａＦ２単結晶上のシリコンのヘテロエピタキシャル成
長を行なった。基体はＣａＦ２（１００）単結晶で表面
は光学研磨処理したものである。真空装置にセットする
前に、トリクレン，アセトン，アルコールによる有機洗
浄を行なっている。傾斜角βは〈１１０〉方向へ１０°
オフセットのかかったものを用い、ヘテロエピタキシャ
ル成長条件は第１表に記したものと同一にした。ラジカ
ル入射角αを０°から９０°まで変えてそれぞれエピタ
キシャル成長を行ない、ＲＢＳのチャンネリング収率Ｘ
ｍｉｎを測定したところ、ラジカル入射角αが０°から
２０°の範囲ではＸｍｉｎは４％と良好なヘテロエピタ
キシャル成長が実現できていることがわかった。

【００４０】（比較例）２０°を越え９０°以下の範囲
ではＸｍｉｎは５％〜１０％と悪化し、ヘテロエピタキ
シャル成長でも傾斜角βとラジカル入射角αを適宜選ぶ
ことにより、良好なヘテロエピタキシャル成長が可能で
あることがわかる。

【００４１】（実施例３）基体としてシリコン（１００
）、基板（Ｐドープト，抵抗率５Ωｃｍ，厚さ１００μ
ｍ，傾斜角β＝４°）を用いて太陽電池を作製した。 Ｐ型のドーピングガスとしてＢＦ３をＳｉＦ４の原料ガ
スに混合し、その体積濃度を１００（ｐｐｍ）とし、そ
の他の作製条件は第１表と同じとし、Ｐ型シリコン層を
３０００（Å）堆積させた。図６に本実施例の太陽電池
の構造を模式的に示すが、同図において４０１はＮ型基
体、４０２はＰ型エピタキシャル層、４０３は透明導電
層、４０４は集電電極、４０５は裏面電極である。Ｐ層
を成長した後、真空装置より取り出し透明導電層４０３
としてインジウム，スズの酸化膜を真空蒸着により形成
し、集電電極４０４及び裏面電極４０５をＡｌの真空蒸
着により形成し太陽電池を作製した。このようにして作
製される太陽電池を太陽光シミュレーターＡＭ１．５、
照射強度１００（ｍｗ／ｃｍ２）の下で変換効率、ＦＦ
を測定したところラジカル入射角αが０°から８°まで
の場合には７８％〜７９％と良好な値となっていること
がわかった。

【００４２】（比較例）同様にラジカル入射角αが９°
以上９０°以下の場合にはＦＦは７０〜７６％と充分な
値となっていないことがわかった。このようにラジカル
入射角α及び、オフセット角βを適宜選ぶことにより良
好な特性を有する太陽電池を作製することが可能である
。

【００４３】

【発明の効果】以上述べたように本発明により単結晶基
体上に３００℃程度の低温で良質の単結晶シリコン結晶
が得られるようになりこれによってダイオード特性改善
、太陽電池の変換効率の向上が達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施するに有用な成膜装置の一例を示
す模式図。

【図２】ラジカル入射角αを説明する模式図。

【図３】ラジカル入射角α及び基体オフセット角βの説
明のための模式図。

【図４】本発明にしたがって作製されたホモエピタキシ
ャルシリコンのラジカル入射角αとＸｍｉｎの関係を示
すグラフ。

【図５】本発明にしたがって作製されたホモエピタキシ
ャルシリコンのオフセット角βとラジカル入射角αの関
係を示すグラフ。

【図６】本発明にしたがって作製された太陽電池の構造
を示す模式図。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基体上に堆積膜を形成するための成膜
   空間に、周期律表第ＩＶ族の元素及びハロゲンを含む化
   合物ガス（Ａ）を分解することにより生成される活性種
   （Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学相互作用する活性種と
   を夫々別々に反応空間に導入して堆積膜を形成する方法
   であって、前記基体として、前記堆積膜のホモエピタキ
   シャル成長、または、ヘテロエピタキシャル成長を可能
   とせしめる単結晶の基体であり、且つ、該基体の表面は
   （００１）面が〈１１０〉方向に傾斜し、該基体表面に
   原子ステップを有する傾斜基体であることを特徴とする
   堆積膜形成方法。
2. 【請求項２】　　前記活性種（Ａ）の平均自由行程ＬＡ
   が周期律表第ＩＶ族の元素及びハロゲンを含む化合物を
   反応空間に導入される位置から前記基体表面までの距離
   に等しいか、あるいは大きい請求項１に記載の堆積膜形
   成方法。
3. 【請求項３】　　前記活性種（Ａ）と表面に原子ステッ
   プを有する前記傾斜基体に対し〈１１０〉方向より０°
   以上８０°以下の範囲の流入角で導入せしめる請求項１
   に記載の堆積膜形成方法。