JPH04372189A - Manufacture of semiconductor laser - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、内部電流狭窄型のＡｌ
ＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造する方法に関し、特
に、その内部電流狭窄層とキャップ層との製造方法に関
するものである。[Industrial Application Field] The present invention relates to an internal current confinement type Al
The present invention relates to a method of manufacturing a GaInP semiconductor laser, and particularly to a method of manufacturing an internal current confinement layer and a cap layer thereof.
【０００２】0002
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ は ０．６μｍ の発
振波長を有し、可視光半導体レーザの材料として広く用
いられている。
図１は、ＡｌＧａＩｎＰ 系材料を主成分とした屈折率
導波型ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの構造を示す断面図
である。図中１は、（１００） 面から〈０１１ 〉方
向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板を示す。基板１上に
は、ｎ−ＧａＩｎＰ バッファ層２（膜厚０．３μｍ）
， ｎ−（Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５ Ｉｎ０
．５ Ｐ クラッド層３（膜厚 １．０μｍ），ｕ−（
Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ
活性層４（膜厚０．０７μｍ），ｐ−（Ａｌ０．６５Ｇ
ａ０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ クラッド層５（
膜厚 ０．２μｍ）がこの順に積層されている。クラッ
ド層５では、Ｚｎをドープしてｐ型としている。クラッ
ド層５の中央部（高さ１μｍ）はメサ状をなし、このメ
サ部上にｐ−ＧａＩｎＰ コンタクト層６（膜厚 ０．
１μｍ），ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７（膜厚 ０．３
μｍ）がこの順に積層されている。また、メサ部を囲む
態様にて、クラッド層５上にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８
（膜厚 ０．８μｍ）が形成されている。コンタクト層
７及び電流狭窄層８上には、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９
（膜厚 ０．８μｍ）が形成されている。キャップ層９
の上面にはｐ側電極（Ｃｒ／Ａｕ）１０が設けられ、基
板１の下面にはｎ側電極（Ｃｒ／Ｓｎ／Ａｕ）１１が設
けられている。このような構成をなす半導体レーザは、
波長が６３０ 〜６４０ ｎｍである可視レーザ光を発
振する。2. Description of the Related Art AlGaInP has an oscillation wavelength of 0.6 μm and is widely used as a material for visible light semiconductor lasers. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of an index-guided AlGaInP semiconductor laser whose main component is an AlGaInP-based material. In the figure, 1 indicates an n-GaAs substrate that is 5° off from the (100) plane in the <011> direction. On the substrate 1 is an n-GaInP buffer layer 2 (thickness: 0.3 μm).
, n-(Al0.65Ga0.35)0.5 In0
．． 5P cladding layer 3 (film thickness 1.0 μm), u-(
Al0.15Ga0.85)0.5 In0.5P
Active layer 4 (film thickness 0.07 μm), p-(Al0.65G
a0.35) 0.5 In0.5 P cladding layer 5 (
(film thickness: 0.2 μm) are laminated in this order. The cladding layer 5 is doped with Zn to make it p-type. The central part (height: 1 μm) of the cladding layer 5 has a mesa shape, and a p-GaInP contact layer 6 (thickness: 0.5 μm) is formed on this mesa part.
1 μm), p-GaAs contact layer 7 (film thickness 0.3
μm) are stacked in this order. Further, an n-GaAs current confinement layer 8 is provided on the cladding layer 5 in a manner surrounding the mesa portion.
(film thickness 0.8 μm) is formed. A p-GaAs cap layer 9 is formed on the contact layer 7 and the current confinement layer 8.
(film thickness 0.8 μm) is formed. Cap layer 9
A p-side electrode (Cr/Au) 10 is provided on the top surface of the substrate 1, and an n-side electrode (Cr/Sn/Au) 11 is provided on the bottom surface of the substrate 1. A semiconductor laser with such a configuration is
It emits visible laser light with a wavelength of 630 to 640 nm.
【０００３】ここで、使用するＧａＡｓ基板の面方位に
ついて説明する。本発明と同一出願人による特開平２─
１６８６９０号公報には、（１００）面から〈０１１
〉方向に５°以上傾斜したＧａＡｓ基板を用いることに
より、基板上に結晶欠陥がないＡｌＧａＩｎＰ 結晶を
成長でき、製造される半導体レーザの発振しきい値電流
のばらつきを少なくできることが開示されている。また
、本発明と同一出願人による特開平２─２６０６８２号
公報には、ＡｌＧａＩｎＰ の半導体層のバンドギャッ
プはＧａＡｓ基板の面方位に依存して変化し、（１００
） 面から〈０１１ 〉方向に５°以上傾斜したＧａＡ
ｓ基板を用いることにより、基板上に積層されるＡｌＧ
ａＩｎＰ 系半導体層のバンドギャップが広がり、Ａｌ
ＧａＩｎＰ 系半導体レーザの短波長化を図って、発振
しきい値電流の増加を抑え得ることが開示されている。
以上により、ＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造す
る場合に、（１００）面から〈０１１ 〉方向に５°以
上傾斜した（オフした）ＧａＡｓ基板を使用することが
望ましい。[0003] Here, the surface orientation of the GaAs substrate used will be explained. Unexamined Japanese Patent Publication No. 2003-201201 by the same applicant as the present invention
Publication No. 168690 states that from the (100) plane <011
It is disclosed that by using a GaAs substrate tilted by 5 degrees or more in the > direction, an AlGaInP crystal without crystal defects can be grown on the substrate, and variations in the oscillation threshold current of the manufactured semiconductor laser can be reduced. Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-260682, filed by the same applicant as the present invention, it is disclosed that the bandgap of an AlGaInP semiconductor layer changes depending on the plane orientation of the GaAs substrate.
) GaA tilted by 5° or more in the <011> direction from the plane
By using the s-substrate, AlG layered on the substrate
The band gap of the aInP-based semiconductor layer widens, and the Al
It is disclosed that an increase in the oscillation threshold current can be suppressed by shortening the wavelength of a GaInP semiconductor laser. As described above, when manufacturing an AlGaInP semiconductor laser, it is desirable to use a GaAs substrate that is tilted (off) by 5 degrees or more in the <011> direction from the (100) plane.
【０００４】0004
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな構造を有する半導体レーザを製造する場合、図１に
おけるｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８及びｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層９は、ヘテロ結晶成長温度と同じ温度（ ６８０
〜７００ ℃）でＧａＡｓ層を成長させて形成している
。ところが、ｐ型クラッド層５にドープされているＺｎ
がアンドープの活性層４に拡散して、活性層４の特性が
劣化するという課題がある。By the way, when manufacturing a semiconductor laser having the above-described structure, the n-GaAs current confinement layer 8 and the p-GaAs cap layer 9 in FIG. Temperature (680
It is formed by growing a GaAs layer at a temperature of ~700°C. However, the Zn doped in the p-type cladding layer 5
There is a problem that the active layer 4 is diffused into the undoped active layer 4 and the characteristics of the active layer 4 are deteriorated.
【０００５】図２は、電流狭窄層，キャップ層の成長温
度と電流狭窄層，キャップ層成長後の活性層のＰＬ（ｐ
ｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）半値幅との関係を
示すグラフである。なお、基板としては（１００） 面
から〈０１１ 〉方向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板
を使用している。図中Ａは成長開始前を示し、成長温度
が上昇していくにつれて半値幅は広がることがわかる。
このことにより、クラッド層５から活性層４へのＺｎ拡
散または活性層４中での欠陥の発生が起こっていること
がわかる。FIG. 2 shows the growth temperature of the current confinement layer and the cap layer and the PL (p) of the active layer after the growth of the current confinement layer and the cap layer.
2 is a graph showing the relationship between photoluminescence and half width (photoluminescence). The substrate used is an n-GaAs substrate that is oriented 5° in the <011> direction from the (100) plane. In the figure, A indicates before the start of growth, and it can be seen that as the growth temperature increases, the half-width widens. This indicates that Zn diffusion from the cladding layer 5 to the active layer 4 or generation of defects in the active layer 4 occurs.
【０００６】以上のことにより、従来のように、電流狭
窄層８及びキャップ層９をヘテロ結晶成長温度と同じ高
温にて成長させると、Ｚｎの拡散または活性層中の欠陥
の発生により、発光効率が低下し、発振しきい値が上昇
して、寿命が短くなるという問題がある。As described above, when the current confinement layer 8 and the cap layer 9 are grown at the same high temperature as the heterocrystal growth temperature as in the conventional method, the luminous efficiency decreases due to the diffusion of Zn or the generation of defects in the active layer. There is a problem that the oscillation threshold value decreases, the oscillation threshold value increases, and the life span becomes short.
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、ＧａＡｓ電流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層の
成長温度を５３０ 〜５８０℃とすることにより、上述
したような問題を解決して、発振しきい値が低く、信頼
性が高いＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造できる
半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and by setting the growth temperature of the GaAs current confinement layer and the GaAs cap layer to 530 to 580° C., the above-mentioned problems can be solved and oscillation can be achieved. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor laser that can manufacture an AlGaInP semiconductor laser with a low threshold and high reliability.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザの製造方法は、（１００） 面から〈０１１ 〉方向
に５°以上傾斜したＧａＡｓ基板の主面に、ＡｌＧａＩ
ｎＰ 活性層とＧａＡｓ電流狭窄層とＧａＡｓキャップ
層とを有するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを、結晶
成長法を用いて製造する方法において、前記ＧａＡｓ電
流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層の成長温度を５３０
〜５８０ ℃とすることを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a semiconductor laser according to the present invention includes forming an AlGaI layer on the main surface of a GaAs substrate that is inclined by 5 degrees or more in the <011> direction from the (100) plane.
In a method for manufacturing an AlGaInP semiconductor laser having an nP active layer, a GaAs current confinement layer, and a GaAs cap layer using a crystal growth method, the growth temperature of the GaAs current confinement layer and the GaAs cap layer is set at 530° C.
It is characterized by a temperature of ~580°C.
【０００９】[0009]
【作用】図２から、ＧａＡｓ電流狭窄層及びＧａＡｓキ
ャップ層の成長温度が５８０ ℃を超えると、活性層に
おけるＰＬ半値幅が急激に広がってその特性が劣化する
ことがわかる。
一方、これらの成長温度が５３０℃以上である場合には
成長するＧａＡｓ層は単結晶となり、この温度未満では
多結晶となる。単結晶である方が、多結晶である場合に
比べて、電流狭窄層としての機能は高く、また熱伝導率
も高くなる。以上のような理由により、本発明では、５
３０ 〜５８０ ℃の温度での結晶成長によりＧａＡｓ
電流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層を形成する。[Operation] From FIG. 2, it can be seen that when the growth temperature of the GaAs current confinement layer and the GaAs cap layer exceeds 580° C., the PL half-width in the active layer rapidly expands and its characteristics deteriorate. On the other hand, when the growth temperature is 530° C. or higher, the grown GaAs layer becomes a single crystal, and below this temperature, the GaAs layer grows polycrystalline. Single crystal has a higher function as a current confinement layer and has higher thermal conductivity than polycrystal. For the above reasons, in the present invention, 5
GaAs is grown by crystal growth at temperatures between 30 and 580 °C.
A current confinement layer and a GaAs cap layer are formed.
【００１０】0010
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本発明の
製造方法を用いて、前述した図１に示すような構造を有
するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造する場合に
ついて説明する。[Examples] Examples of the present invention will be described below. A case will be described in which the AlGaInP semiconductor laser having the structure shown in FIG. 1 is manufactured using the manufacturing method of the present invention.
【００１１】まず、（１００） 面から〈０１１ 〉方
向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣＶＤ
（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法を用いて、温度を
６８０ 〜７００ ℃程度として、バッファ層２，クラ
ッド層３，活性層４，クラッド層５，コンタクト層６，
コンタクト層７となるｎ−ＧａＩｎＰ 層， ｎ−（Ａ
ｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ 層
，ｕ−（Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５）０．５ Ｉｎ０．
５ Ｐ 層，ｐ−（Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５
Ｉｎ０．５ Ｐ 層， ｐ−ＧａＩｎＰ 層， ｐ−
ＧａＡｓ層をこの順に積層形成する。次に、所定幅の例
えばＳｉＯ２ 層をｐ−ＧａＡｓ層の中央部上に形成し
、このＳｉＯ２ 層をマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ層，
ｐ−ＧａＩｎＰ 層の全部とｐ−（Ａｌ０．６５Ｇａ
０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ 層の一部とをエッ
チング除去してメサ部を形成する。次に、ＭＯＣＶＤ
法を用いて、温度を５３０ 〜５８０ ℃として、電流
狭窄層８となるｎ−ＧａＡｓ層を積層形成した後、Ｓｉ
Ｏ２ 層を除去する。次いで、ＭＯＣＶＤ 法を用いて
、温度を５３０ 〜５８０ ℃として、キャップ層９と
なるｐ−ＧａＡｓ層を積層形成する。最後に、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層の上面にＣｒ， Ａｕを、ｎ−ＧａＡｓ基板１の
下面にはＣｒ，Ｓｎ， Ａｕを蒸着形成し、これらを合
金化して、ｐ側電極１０， ｎ側電極１１を夫々形成す
る。[0011] First, MOCVD was applied on an n-GaAs substrate 1 that was 5° off from the (100) plane in the
(Metalorganic Chemical Va.
The buffer layer 2, cladding layer 3, active layer 4, cladding layer 5, contact layer 6,
An n-GaInP layer, n-(A
l0.65Ga0.35)0.5 In0.5 P layer, u-(Al0.15Ga0.85)0.5 In0.
5 P layer, p-(Al0.65Ga0.35)0.5
In0.5 P layer, p-GaInP layer, p-
GaAs layers are stacked in this order. Next, for example, a SiO2 layer of a predetermined width is formed on the center of the p-GaAs layer, and using this SiO2 layer as a mask, the p-GaAs layer,
The entire p-GaInP layer and p-(Al0.65Ga
0.35) A part of the 0.5 In0.5 P layer is removed by etching to form a mesa portion. Next, MOCVD
After laminating an n-GaAs layer that will become the current confinement layer 8 at a temperature of 530 to 580° C. using a method, Si
Remove O2 layer. Next, a p-GaAs layer that will become the cap layer 9 is laminated using MOCVD at a temperature of 530 to 580°C. Finally, p-Ga
Cr and Au are deposited on the upper surface of the As layer, and Cr, Sn, and Au are deposited on the lower surface of the n-GaAs substrate 1, and these are alloyed to form a p-side electrode 10 and an n-side electrode 11, respectively.
【００１２】上述した製造工程において、ｎ−ＧａＡｓ
層（電流狭窄層８）のｎ型ドーパントとしてはＳｅを用
いる。これは、図３から理解できるように、低温状態（
５３０ 〜５８０ ℃）においてもＳｅは効率良くドー
ピングできるからである。電流狭窄層８を形成するまで
は、ダブルヘテロ結晶からのリンの脱離を防止するため
にＰＨ３ を流す。ところが、低温状態（５３０ 〜５
８０ ℃）ではＰＨ３ の分解効率が低くて、ダブルヘ
テロ結晶からのリンの脱離が容易に生じ、作製したダブ
ルヘテロ結晶が劣化する可能性がある。従って、本実施
例では、ＰＨ３ を予めクラッキング炉にて熱分解し、
熱分解後のＰＨ３ を反応管内に導入して活性なリン雰
囲気中にてｎ−ＧａＡｓ層（電流狭窄層８）を成長させ
ることにより、ダブルヘテロ結晶からのリンの脱離に伴
う結晶の劣化を防止している。In the above manufacturing process, n-GaAs
Se is used as the n-type dopant of the layer (current confinement layer 8). As can be understood from Figure 3, this is due to the low temperature state (
This is because Se can be efficiently doped even at temperatures of 530 to 580°C. Until the current confinement layer 8 is formed, PH3 is supplied to prevent phosphorus from being removed from the double heterocrystal. However, in the low temperature state (530 ~ 5
(80° C.), the decomposition efficiency of PH3 is low, and phosphorus is easily eliminated from the double heterocrystal, which may cause the produced double heterocrystal to deteriorate. Therefore, in this example, PH3 is thermally decomposed in a cracking furnace in advance,
By introducing PH3 after thermal decomposition into the reaction tube and growing the n-GaAs layer (current confinement layer 8) in an active phosphorous atmosphere, the deterioration of the crystal due to the desorption of phosphorus from the double heterocrystal can be prevented. It is prevented.
【００１３】電流狭窄層８及びキャップ層９形成のため
の成長温度を５８０ ℃以下としたので、図２からも理
解できるように、活性層４の特性劣化は生じない。また
、この結晶成長温度を５３０ ℃以上としたので、成長
されたｎ−ＧａＡｓ層及びｐ−ＧａＡｓ層は何れも単結
晶となった。これらが多結晶化すると、電流ブロック層
としての効果は弱く、またこの効果も経時変化が見られ
る、熱伝導率の低下が生じて熱抵抗も約２倍（５０→１
００ Ｗ／ｃｍ・Ｋ）に上昇するという難点が発生する
が、本発明では単結晶化するので、これらの難点が問題
とならない。Since the growth temperature for forming the current confinement layer 8 and the cap layer 9 was set at 580° C. or lower, as can be understood from FIG. 2, the characteristics of the active layer 4 do not deteriorate. Further, since the crystal growth temperature was set to 530° C. or higher, both the grown n-GaAs layer and p-GaAs layer became single crystals. When these become polycrystalline, their effect as a current blocking layer is weak, and this effect also changes over time.Thermal conductivity decreases, and the thermal resistance also doubles (50→1
However, since the present invention uses single crystallization, these drawbacks do not pose a problem.
【００１４】次に、電流狭窄層及びキャップ層の成長温
度を５３０ 〜５８０ ℃とした本発明の製造方法にて
製造した半導体レーザ（以下本発明例という）と、これ
らの成長温度を６８０ 〜７００ ℃とした従来の製造
方法にて製造した半導体レーザ（以下従来例という）と
の特性比較について説明する。Next, a semiconductor laser (hereinafter referred to as an example of the present invention) manufactured by the manufacturing method of the present invention in which the current confinement layer and the cap layer were grown at a temperature of 530 to 580°C, and a semiconductor laser manufactured at a growth temperature of 680 to 700°C. A comparison of characteristics with a semiconductor laser manufactured by a conventional manufacturing method (hereinafter referred to as a conventional example) at .degree. C. will be described.
【００１５】図４は、本発明例（（ａ））と従来例（（
ｂ））とにおける電流─光出力特性を示すグラフである
。本発明例では従来例に比べて、発振しきい値を約３３
％だけ低減できている。FIG. 4 shows an example of the present invention ((a)) and a conventional example (((a)).
It is a graph which shows the electric current vs. light output characteristic in (b)). In the example of the present invention, compared to the conventional example, the oscillation threshold is set to about 33
It has been reduced by only %.
【００１６】図５は、本発明例（（ａ））と従来例（（
ｂ））とにおける信頼性試験の結果を示すグラフである
。試験条件は、光出力１ｍＷ，２５℃， ＡＰＣ（Ａｕ
ｔｏｍａｔｉｃ ＰｏｗｅｒＣｏｎｔｒｏｌ）動作であ
る。本発明例では３００ 時間経過後も著しい劣化は見
られない。一方、従来例では数十時間以内に劣化してい
る。FIG. 5 shows an example of the present invention ((a)) and a conventional example (((a)).
It is a graph which shows the result of the reliability test in b)). The test conditions were: optical output 1mW, 25℃, APC (Au
tomatic PowerControl) operation. In the example of the present invention, no significant deterioration was observed even after 300 hours had elapsed. On the other hand, in the conventional example, it deteriorates within several tens of hours.
【００１７】以上の結果から、本発明の製造方法にて製
造した半導体レーザは、発振波長が６３０ 〜６４０
ｎｍであり、しきい値電流が低く信頼性が高い。From the above results, the semiconductor laser manufactured by the manufacturing method of the present invention has an oscillation wavelength of 630 to 640.
nm, has a low threshold current and high reliability.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法では、
電流狭窄層及びキャップ層の成長温度を５３０ 〜５８
０ ℃としたので、活性層の特性劣化を防止することが
でき、しきい値電流が低く、しかも信頼性が高くて寿命
が長いＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを容易に製造す
ることができる。[Effects of the Invention] As described above, in the manufacturing method of the present invention,
The growth temperature of the current confinement layer and cap layer is 530 to 58
Since the temperature was set at 0° C., deterioration of the characteristics of the active layer can be prevented, and an AlGaInP semiconductor laser having a low threshold current, high reliability, and a long life can be easily manufactured.
【図１】ＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザの構造を示す
断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of an AlGaInP semiconductor laser.
【図２】ｎ−ＧａＡｓ層（電流狭窄層）及びｐ−ＧａＡ
ｓ層（キャップ層）の成長温度とｎ−ＧａＡｓ層及びｐ
−ＧａＡｓ層成長後の活性層のＰＬ半値幅との関係を示
すグラフである。[Figure 2] n-GaAs layer (current confinement layer) and p-GaA
Growth temperature of s layer (cap layer) and n-GaAs layer and p
- It is a graph which shows the relationship with PL half-value width of an active layer after GaAs layer growth.
【図３】Ｓｅをドーパントして用いた場合のｎ−ＧａＡ
ｓ層の成長温度とキャリア濃度との関係を示すグラフで
ある。[Figure 3] n-GaA when doped with Se
It is a graph showing the relationship between the growth temperature of the s-layer and the carrier concentration.
【図４】本発明例と従来例とにおける電流─光出力特性
を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing current-light output characteristics in an example of the present invention and a conventional example.
【図５】本発明例と従来例とにおける信頼性試験の結果
を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the results of a reliability test for an example of the present invention and a conventional example.
１ 基板 ２ バッファ層 ３ クラッド層 ４ 活性層 ５ クラッド層 ６ コンタクト層 ７ コンタクト層 ８ 電流狭窄層 ９ キャップ層 1 Board 2 Buffer layer 3 Clad layer 4 Active layer 5 Clad layer 6 Contact layer 7 Contact layer 8 Current confinement layer 9 Cap layer
Claims (1)
に５°以上傾斜したＧａＡｓ基板の主面に、ＡｌＧａＩ
ｎＰ 活性層とＧａＡｓ電流狭窄層とＧａＡｓキャップ
層とを有するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを、結晶
成長法を用いて製造する方法において、前記ＧａＡｓ電
流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層の成長温度を５３０
〜５８０ ℃とすることを特徴とする半導体レーザの製
造方法。Claim 1: AlGaI is deposited on the main surface of a GaAs substrate tilted by 5° or more in the <011> direction from the (100) plane.
In a method for manufacturing an AlGaInP semiconductor laser having an nP active layer, a GaAs current confinement layer, and a GaAs cap layer using a crystal growth method, the growth temperature of the GaAs current confinement layer and the GaAs cap layer is set at 530° C.
A method for manufacturing a semiconductor laser, characterized in that the temperature is 580°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17738991A JP2911260B2 (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Manufacturing method of semiconductor laser |
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|---|---|
| JPH04372189A true JPH04372189A (en) | 1992-12-25 |
| JP2911260B2 JP2911260B2 (en) | 1999-06-23 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175340A (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi Cable Ltd | Epitaxial wafer for semiconductor laser |
| JP2008294444A (en) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip and method for manufacturing semiconductor chip |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP17738991A patent/JP2911260B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2005175340A (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi Cable Ltd | Epitaxial wafer for semiconductor laser |
| JP2008294444A (en) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip and method for manufacturing semiconductor chip |
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| JP2911260B2 (en) | 1999-06-23 |
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