JPH04372189A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH04372189A JPH04372189A JP17738991A JP17738991A JPH04372189A JP H04372189 A JPH04372189 A JP H04372189A JP 17738991 A JP17738991 A JP 17738991A JP 17738991 A JP17738991 A JP 17738991A JP H04372189 A JPH04372189 A JP H04372189A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、内部電流狭窄型のＡｌ
ＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造する方法に関し、特
に、その内部電流狭窄層とキャップ層との製造方法に関
するものである。
ＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造する方法に関し、特
に、その内部電流狭窄層とキャップ層との製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ は ０．６μｍ の発
振波長を有し、可視光半導体レーザの材料として広く用
いられている。 図１は、ＡｌＧａＩｎＰ 系材料を主成分とした屈折率
導波型ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの構造を示す断面図
である。図中１は、（１００） 面から〈０１１ 〉方
向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板を示す。基板１上に
は、ｎ−ＧａＩｎＰ バッファ層２（膜厚０．３μｍ）
， ｎ−（Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５ Ｉｎ０
．５ Ｐ クラッド層３（膜厚 １．０μｍ），ｕ−（
Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ
活性層４（膜厚０．０７μｍ），ｐ−（Ａｌ０．６５Ｇ
ａ０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ クラッド層５（
膜厚 ０．２μｍ）がこの順に積層されている。クラッ
ド層５では、Ｚｎをドープしてｐ型としている。クラッ
ド層５の中央部（高さ１μｍ）はメサ状をなし、このメ
サ部上にｐ−ＧａＩｎＰ コンタクト層６（膜厚 ０．
１μｍ），ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７（膜厚 ０．３
μｍ）がこの順に積層されている。また、メサ部を囲む
態様にて、クラッド層５上にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８
（膜厚 ０．８μｍ）が形成されている。コンタクト層
７及び電流狭窄層８上には、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９
（膜厚 ０．８μｍ）が形成されている。キャップ層９
の上面にはｐ側電極（Ｃｒ／Ａｕ）１０が設けられ、基
板１の下面にはｎ側電極（Ｃｒ／Ｓｎ／Ａｕ）１１が設
けられている。このような構成をなす半導体レーザは、
波長が６３０ 〜６４０ ｎｍである可視レーザ光を発
振する。
振波長を有し、可視光半導体レーザの材料として広く用
いられている。 図１は、ＡｌＧａＩｎＰ 系材料を主成分とした屈折率
導波型ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの構造を示す断面図
である。図中１は、（１００） 面から〈０１１ 〉方
向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板を示す。基板１上に
は、ｎ−ＧａＩｎＰ バッファ層２（膜厚０．３μｍ）
， ｎ−（Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５ Ｉｎ０
．５ Ｐ クラッド層３（膜厚 １．０μｍ），ｕ−（
Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ
活性層４（膜厚０．０７μｍ），ｐ−（Ａｌ０．６５Ｇ
ａ０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ クラッド層５（
膜厚 ０．２μｍ）がこの順に積層されている。クラッ
ド層５では、Ｚｎをドープしてｐ型としている。クラッ
ド層５の中央部（高さ１μｍ）はメサ状をなし、このメ
サ部上にｐ−ＧａＩｎＰ コンタクト層６（膜厚 ０．
１μｍ），ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７（膜厚 ０．３
μｍ）がこの順に積層されている。また、メサ部を囲む
態様にて、クラッド層５上にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８
（膜厚 ０．８μｍ）が形成されている。コンタクト層
７及び電流狭窄層８上には、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９
（膜厚 ０．８μｍ）が形成されている。キャップ層９
の上面にはｐ側電極（Ｃｒ／Ａｕ）１０が設けられ、基
板１の下面にはｎ側電極（Ｃｒ／Ｓｎ／Ａｕ）１１が設
けられている。このような構成をなす半導体レーザは、
波長が６３０ 〜６４０ ｎｍである可視レーザ光を発
振する。
【０００３】ここで、使用するＧａＡｓ基板の面方位に
ついて説明する。本発明と同一出願人による特開平２─
１６８６９０号公報には、（１００）面から〈０１１
〉方向に５°以上傾斜したＧａＡｓ基板を用いることに
より、基板上に結晶欠陥がないＡｌＧａＩｎＰ 結晶を
成長でき、製造される半導体レーザの発振しきい値電流
のばらつきを少なくできることが開示されている。また
、本発明と同一出願人による特開平２─２６０６８２号
公報には、ＡｌＧａＩｎＰ の半導体層のバンドギャッ
プはＧａＡｓ基板の面方位に依存して変化し、（１００
） 面から〈０１１ 〉方向に５°以上傾斜したＧａＡ
ｓ基板を用いることにより、基板上に積層されるＡｌＧ
ａＩｎＰ 系半導体層のバンドギャップが広がり、Ａｌ
ＧａＩｎＰ 系半導体レーザの短波長化を図って、発振
しきい値電流の増加を抑え得ることが開示されている。 以上により、ＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造す
る場合に、（１００）面から〈０１１ 〉方向に５°以
上傾斜した（オフした）ＧａＡｓ基板を使用することが
望ましい。
ついて説明する。本発明と同一出願人による特開平２─
１６８６９０号公報には、（１００）面から〈０１１
〉方向に５°以上傾斜したＧａＡｓ基板を用いることに
より、基板上に結晶欠陥がないＡｌＧａＩｎＰ 結晶を
成長でき、製造される半導体レーザの発振しきい値電流
のばらつきを少なくできることが開示されている。また
、本発明と同一出願人による特開平２─２６０６８２号
公報には、ＡｌＧａＩｎＰ の半導体層のバンドギャッ
プはＧａＡｓ基板の面方位に依存して変化し、（１００
） 面から〈０１１ 〉方向に５°以上傾斜したＧａＡ
ｓ基板を用いることにより、基板上に積層されるＡｌＧ
ａＩｎＰ 系半導体層のバンドギャップが広がり、Ａｌ
ＧａＩｎＰ 系半導体レーザの短波長化を図って、発振
しきい値電流の増加を抑え得ることが開示されている。 以上により、ＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造す
る場合に、（１００）面から〈０１１ 〉方向に５°以
上傾斜した（オフした）ＧａＡｓ基板を使用することが
望ましい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな構造を有する半導体レーザを製造する場合、図１に
おけるｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８及びｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層９は、ヘテロ結晶成長温度と同じ温度（ ６８０
〜７００ ℃）でＧａＡｓ層を成長させて形成している
。ところが、ｐ型クラッド層５にドープされているＺｎ
がアンドープの活性層４に拡散して、活性層４の特性が
劣化するという課題がある。
うな構造を有する半導体レーザを製造する場合、図１に
おけるｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層８及びｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層９は、ヘテロ結晶成長温度と同じ温度（ ６８０
〜７００ ℃）でＧａＡｓ層を成長させて形成している
。ところが、ｐ型クラッド層５にドープされているＺｎ
がアンドープの活性層４に拡散して、活性層４の特性が
劣化するという課題がある。
【０００５】図２は、電流狭窄層，キャップ層の成長温
度と電流狭窄層，キャップ層成長後の活性層のＰＬ（ｐ
ｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）半値幅との関係を
示すグラフである。なお、基板としては（１００） 面
から〈０１１ 〉方向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板
を使用している。図中Ａは成長開始前を示し、成長温度
が上昇していくにつれて半値幅は広がることがわかる。 このことにより、クラッド層５から活性層４へのＺｎ拡
散または活性層４中での欠陥の発生が起こっていること
がわかる。
度と電流狭窄層，キャップ層成長後の活性層のＰＬ（ｐ
ｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）半値幅との関係を
示すグラフである。なお、基板としては（１００） 面
から〈０１１ 〉方向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板
を使用している。図中Ａは成長開始前を示し、成長温度
が上昇していくにつれて半値幅は広がることがわかる。 このことにより、クラッド層５から活性層４へのＺｎ拡
散または活性層４中での欠陥の発生が起こっていること
がわかる。
【０００６】以上のことにより、従来のように、電流狭
窄層８及びキャップ層９をヘテロ結晶成長温度と同じ高
温にて成長させると、Ｚｎの拡散または活性層中の欠陥
の発生により、発光効率が低下し、発振しきい値が上昇
して、寿命が短くなるという問題がある。
窄層８及びキャップ層９をヘテロ結晶成長温度と同じ高
温にて成長させると、Ｚｎの拡散または活性層中の欠陥
の発生により、発光効率が低下し、発振しきい値が上昇
して、寿命が短くなるという問題がある。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、ＧａＡｓ電流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層の
成長温度を５３０ 〜５８０℃とすることにより、上述
したような問題を解決して、発振しきい値が低く、信頼
性が高いＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造できる
半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
であり、ＧａＡｓ電流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層の
成長温度を５３０ 〜５８０℃とすることにより、上述
したような問題を解決して、発振しきい値が低く、信頼
性が高いＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造できる
半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザの製造方法は、（１００） 面から〈０１１ 〉方向
に５°以上傾斜したＧａＡｓ基板の主面に、ＡｌＧａＩ
ｎＰ 活性層とＧａＡｓ電流狭窄層とＧａＡｓキャップ
層とを有するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを、結晶
成長法を用いて製造する方法において、前記ＧａＡｓ電
流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層の成長温度を５３０
〜５８０ ℃とすることを特徴とする。
ザの製造方法は、（１００） 面から〈０１１ 〉方向
に５°以上傾斜したＧａＡｓ基板の主面に、ＡｌＧａＩ
ｎＰ 活性層とＧａＡｓ電流狭窄層とＧａＡｓキャップ
層とを有するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを、結晶
成長法を用いて製造する方法において、前記ＧａＡｓ電
流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層の成長温度を５３０
〜５８０ ℃とすることを特徴とする。
【０００９】
【作用】図２から、ＧａＡｓ電流狭窄層及びＧａＡｓキ
ャップ層の成長温度が５８０ ℃を超えると、活性層に
おけるＰＬ半値幅が急激に広がってその特性が劣化する
ことがわかる。 一方、これらの成長温度が５３０℃以上である場合には
成長するＧａＡｓ層は単結晶となり、この温度未満では
多結晶となる。単結晶である方が、多結晶である場合に
比べて、電流狭窄層としての機能は高く、また熱伝導率
も高くなる。以上のような理由により、本発明では、５
３０ 〜５８０ ℃の温度での結晶成長によりＧａＡｓ
電流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層を形成する。
ャップ層の成長温度が５８０ ℃を超えると、活性層に
おけるＰＬ半値幅が急激に広がってその特性が劣化する
ことがわかる。 一方、これらの成長温度が５３０℃以上である場合には
成長するＧａＡｓ層は単結晶となり、この温度未満では
多結晶となる。単結晶である方が、多結晶である場合に
比べて、電流狭窄層としての機能は高く、また熱伝導率
も高くなる。以上のような理由により、本発明では、５
３０ 〜５８０ ℃の温度での結晶成長によりＧａＡｓ
電流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層を形成する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本発明の
製造方法を用いて、前述した図１に示すような構造を有
するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造する場合に
ついて説明する。
製造方法を用いて、前述した図１に示すような構造を有
するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを製造する場合に
ついて説明する。
【００１１】まず、（１００） 面から〈０１１ 〉方
向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣＶＤ
（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法を用いて、温度を
６８０ 〜７００ ℃程度として、バッファ層２，クラ
ッド層３，活性層４，クラッド層５，コンタクト層６，
コンタクト層７となるｎ−ＧａＩｎＰ 層， ｎ−（Ａ
ｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ 層
，ｕ−（Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５）０．５ Ｉｎ０．
５ Ｐ 層，ｐ−（Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５
Ｉｎ０．５ Ｐ 層， ｐ−ＧａＩｎＰ 層， ｐ−
ＧａＡｓ層をこの順に積層形成する。次に、所定幅の例
えばＳｉＯ２ 層をｐ−ＧａＡｓ層の中央部上に形成し
、このＳｉＯ２ 層をマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ層，
ｐ−ＧａＩｎＰ 層の全部とｐ−（Ａｌ０．６５Ｇａ
０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ 層の一部とをエッ
チング除去してメサ部を形成する。次に、ＭＯＣＶＤ
法を用いて、温度を５３０ 〜５８０ ℃として、電流
狭窄層８となるｎ−ＧａＡｓ層を積層形成した後、Ｓｉ
Ｏ２ 層を除去する。次いで、ＭＯＣＶＤ 法を用いて
、温度を５３０ 〜５８０ ℃として、キャップ層９と
なるｐ−ＧａＡｓ層を積層形成する。最後に、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層の上面にＣｒ， Ａｕを、ｎ−ＧａＡｓ基板１の
下面にはＣｒ，Ｓｎ， Ａｕを蒸着形成し、これらを合
金化して、ｐ側電極１０， ｎ側電極１１を夫々形成す
る。
向に５°オフしたｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣＶＤ
（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法を用いて、温度を
６８０ 〜７００ ℃程度として、バッファ層２，クラ
ッド層３，活性層４，クラッド層５，コンタクト層６，
コンタクト層７となるｎ−ＧａＩｎＰ 層， ｎ−（Ａ
ｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ 層
，ｕ−（Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５）０．５ Ｉｎ０．
５ Ｐ 層，ｐ−（Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５）０．５
Ｉｎ０．５ Ｐ 層， ｐ−ＧａＩｎＰ 層， ｐ−
ＧａＡｓ層をこの順に積層形成する。次に、所定幅の例
えばＳｉＯ２ 層をｐ−ＧａＡｓ層の中央部上に形成し
、このＳｉＯ２ 層をマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ層，
ｐ−ＧａＩｎＰ 層の全部とｐ−（Ａｌ０．６５Ｇａ
０．３５）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ 層の一部とをエッ
チング除去してメサ部を形成する。次に、ＭＯＣＶＤ
法を用いて、温度を５３０ 〜５８０ ℃として、電流
狭窄層８となるｎ−ＧａＡｓ層を積層形成した後、Ｓｉ
Ｏ２ 層を除去する。次いで、ＭＯＣＶＤ 法を用いて
、温度を５３０ 〜５８０ ℃として、キャップ層９と
なるｐ−ＧａＡｓ層を積層形成する。最後に、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層の上面にＣｒ， Ａｕを、ｎ−ＧａＡｓ基板１の
下面にはＣｒ，Ｓｎ， Ａｕを蒸着形成し、これらを合
金化して、ｐ側電極１０， ｎ側電極１１を夫々形成す
る。
【００１２】上述した製造工程において、ｎ−ＧａＡｓ
層（電流狭窄層８）のｎ型ドーパントとしてはＳｅを用
いる。これは、図３から理解できるように、低温状態（
５３０ 〜５８０ ℃）においてもＳｅは効率良くドー
ピングできるからである。電流狭窄層８を形成するまで
は、ダブルヘテロ結晶からのリンの脱離を防止するため
にＰＨ３ を流す。ところが、低温状態（５３０ 〜５
８０ ℃）ではＰＨ３ の分解効率が低くて、ダブルヘ
テロ結晶からのリンの脱離が容易に生じ、作製したダブ
ルヘテロ結晶が劣化する可能性がある。従って、本実施
例では、ＰＨ３ を予めクラッキング炉にて熱分解し、
熱分解後のＰＨ３ を反応管内に導入して活性なリン雰
囲気中にてｎ−ＧａＡｓ層（電流狭窄層８）を成長させ
ることにより、ダブルヘテロ結晶からのリンの脱離に伴
う結晶の劣化を防止している。
層（電流狭窄層８）のｎ型ドーパントとしてはＳｅを用
いる。これは、図３から理解できるように、低温状態（
５３０ 〜５８０ ℃）においてもＳｅは効率良くドー
ピングできるからである。電流狭窄層８を形成するまで
は、ダブルヘテロ結晶からのリンの脱離を防止するため
にＰＨ３ を流す。ところが、低温状態（５３０ 〜５
８０ ℃）ではＰＨ３ の分解効率が低くて、ダブルヘ
テロ結晶からのリンの脱離が容易に生じ、作製したダブ
ルヘテロ結晶が劣化する可能性がある。従って、本実施
例では、ＰＨ３ を予めクラッキング炉にて熱分解し、
熱分解後のＰＨ３ を反応管内に導入して活性なリン雰
囲気中にてｎ−ＧａＡｓ層（電流狭窄層８）を成長させ
ることにより、ダブルヘテロ結晶からのリンの脱離に伴
う結晶の劣化を防止している。
【００１３】電流狭窄層８及びキャップ層９形成のため
の成長温度を５８０ ℃以下としたので、図２からも理
解できるように、活性層４の特性劣化は生じない。また
、この結晶成長温度を５３０ ℃以上としたので、成長
されたｎ−ＧａＡｓ層及びｐ−ＧａＡｓ層は何れも単結
晶となった。これらが多結晶化すると、電流ブロック層
としての効果は弱く、またこの効果も経時変化が見られ
る、熱伝導率の低下が生じて熱抵抗も約２倍（５０→１
００ Ｗ／ｃｍ・Ｋ）に上昇するという難点が発生する
が、本発明では単結晶化するので、これらの難点が問題
とならない。
の成長温度を５８０ ℃以下としたので、図２からも理
解できるように、活性層４の特性劣化は生じない。また
、この結晶成長温度を５３０ ℃以上としたので、成長
されたｎ−ＧａＡｓ層及びｐ−ＧａＡｓ層は何れも単結
晶となった。これらが多結晶化すると、電流ブロック層
としての効果は弱く、またこの効果も経時変化が見られ
る、熱伝導率の低下が生じて熱抵抗も約２倍（５０→１
００ Ｗ／ｃｍ・Ｋ）に上昇するという難点が発生する
が、本発明では単結晶化するので、これらの難点が問題
とならない。
【００１４】次に、電流狭窄層及びキャップ層の成長温
度を５３０ 〜５８０ ℃とした本発明の製造方法にて
製造した半導体レーザ（以下本発明例という）と、これ
らの成長温度を６８０ 〜７００ ℃とした従来の製造
方法にて製造した半導体レーザ（以下従来例という）と
の特性比較について説明する。
度を５３０ 〜５８０ ℃とした本発明の製造方法にて
製造した半導体レーザ（以下本発明例という）と、これ
らの成長温度を６８０ 〜７００ ℃とした従来の製造
方法にて製造した半導体レーザ（以下従来例という）と
の特性比較について説明する。
【００１５】図４は、本発明例（（ａ））と従来例（（
ｂ））とにおける電流─光出力特性を示すグラフである
。本発明例では従来例に比べて、発振しきい値を約３３
％だけ低減できている。
ｂ））とにおける電流─光出力特性を示すグラフである
。本発明例では従来例に比べて、発振しきい値を約３３
％だけ低減できている。
【００１６】図５は、本発明例（（ａ））と従来例（（
ｂ））とにおける信頼性試験の結果を示すグラフである
。試験条件は、光出力１ｍＷ，２５℃， ＡＰＣ（Ａｕ
ｔｏｍａｔｉｃ ＰｏｗｅｒＣｏｎｔｒｏｌ）動作であ
る。本発明例では３００ 時間経過後も著しい劣化は見
られない。一方、従来例では数十時間以内に劣化してい
る。
ｂ））とにおける信頼性試験の結果を示すグラフである
。試験条件は、光出力１ｍＷ，２５℃， ＡＰＣ（Ａｕ
ｔｏｍａｔｉｃ ＰｏｗｅｒＣｏｎｔｒｏｌ）動作であ
る。本発明例では３００ 時間経過後も著しい劣化は見
られない。一方、従来例では数十時間以内に劣化してい
る。
【００１７】以上の結果から、本発明の製造方法にて製
造した半導体レーザは、発振波長が６３０ 〜６４０
ｎｍであり、しきい値電流が低く信頼性が高い。
造した半導体レーザは、発振波長が６３０ 〜６４０
ｎｍであり、しきい値電流が低く信頼性が高い。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法では、
電流狭窄層及びキャップ層の成長温度を５３０ 〜５８
０ ℃としたので、活性層の特性劣化を防止することが
でき、しきい値電流が低く、しかも信頼性が高くて寿命
が長いＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを容易に製造す
ることができる。
電流狭窄層及びキャップ層の成長温度を５３０ 〜５８
０ ℃としたので、活性層の特性劣化を防止することが
でき、しきい値電流が低く、しかも信頼性が高くて寿命
が長いＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを容易に製造す
ることができる。
【図１】ＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザの構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】ｎ−ＧａＡｓ層（電流狭窄層）及びｐ−ＧａＡ
ｓ層（キャップ層）の成長温度とｎ−ＧａＡｓ層及びｐ
−ＧａＡｓ層成長後の活性層のＰＬ半値幅との関係を示
すグラフである。
ｓ層（キャップ層）の成長温度とｎ−ＧａＡｓ層及びｐ
−ＧａＡｓ層成長後の活性層のＰＬ半値幅との関係を示
すグラフである。
【図３】Ｓｅをドーパントして用いた場合のｎ−ＧａＡ
ｓ層の成長温度とキャリア濃度との関係を示すグラフで
ある。
ｓ層の成長温度とキャリア濃度との関係を示すグラフで
ある。
【図４】本発明例と従来例とにおける電流─光出力特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】本発明例と従来例とにおける信頼性試験の結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ 基板
２ バッファ層
３ クラッド層
４ 活性層
５ クラッド層
６ コンタクト層
７ コンタクト層
８ 電流狭窄層
９ キャップ層
Claims (1)
- 【請求項１】 （１００） 面から〈０１１ 〉方向
に５°以上傾斜したＧａＡｓ基板の主面に、ＡｌＧａＩ
ｎＰ 活性層とＧａＡｓ電流狭窄層とＧａＡｓキャップ
層とを有するＡｌＧａＩｎＰ 系半導体レーザを、結晶
成長法を用いて製造する方法において、前記ＧａＡｓ電
流狭窄層及びＧａＡｓキャップ層の成長温度を５３０
〜５８０ ℃とすることを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17738991A JP2911260B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17738991A JP2911260B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372189A true JPH04372189A (ja) | 1992-12-25 |
| JP2911260B2 JP2911260B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=16030087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17738991A Expired - Fee Related JP2911260B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2911260B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175340A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ用エピタキシャルウェハ |
| JP2008294444A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体チップおよび半導体チップの製造方法 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP17738991A patent/JP2911260B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175340A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ用エピタキシャルウェハ |
| JP2008294444A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体チップおよび半導体チップの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2911260B2 (ja) | 1999-06-23 |
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