JPH04373356A - レーザ記録装置 - Google Patents
レーザ記録装置Info
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- JPH04373356A JPH04373356A JP3151464A JP15146491A JPH04373356A JP H04373356 A JPH04373356 A JP H04373356A JP 3151464 A JP3151464 A JP 3151464A JP 15146491 A JP15146491 A JP 15146491A JP H04373356 A JPH04373356 A JP H04373356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electro
- modulation element
- element array
- optic modulation
- optic
- Prior art date
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- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ドット径を可変可能な
レーザプリンタ、デジタル複写機等のレーザ記録装置に
関する。
レーザプリンタ、デジタル複写機等のレーザ記録装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、高品質印字の可能なレーザ記録装
置にあっては、さらなる高性能化のため、画素毎のドッ
ト径可変による多値階調記録を可能とすることが提案さ
れている。
置にあっては、さらなる高性能化のため、画素毎のドッ
ト径可変による多値階調記録を可能とすることが提案さ
れている。
【0003】例えば、特開昭61−66467号公報に
示されるように、半導体レーザのパワーを増減させるこ
とにより、レーザビームのスポット径を変化させるよう
にしたものがある。即ち、半導体レーザの駆動電流を大
きくすると半導体レーザの光出力が増加するが、このと
き感光体上の光ビームスポットの光強度分布がガウス分
布となっているので、感光体の顕像化される光量の閾値
により記録されるスポット像の径が決まるとすると光出
力の増加に従いビームスポット径が拡大されるというも
のである。
示されるように、半導体レーザのパワーを増減させるこ
とにより、レーザビームのスポット径を変化させるよう
にしたものがある。即ち、半導体レーザの駆動電流を大
きくすると半導体レーザの光出力が増加するが、このと
き感光体上の光ビームスポットの光強度分布がガウス分
布となっているので、感光体の顕像化される光量の閾値
により記録されるスポット像の径が決まるとすると光出
力の増加に従いビームスポット径が拡大されるというも
のである。
【0004】また、特開昭56−71374号公報に示
されるように、中間調を含む原画像からの入力画信号を
パルス幅変調した信号により複数レベルの光学的濃度を
発生させることが可能な記録手段を制御して、原画像の
有する情報を再生させるようにしたものがある。
されるように、中間調を含む原画像からの入力画信号を
パルス幅変調した信号により複数レベルの光学的濃度を
発生させることが可能な記録手段を制御して、原画像の
有する情報を再生させるようにしたものがある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体レー
ザのパワーを可変させてビームスポット径を可変させる
方法では、ビーム径(ドット径)の変化量が少なく、例
えばビーム径を2倍にするためには通常の駆動電流より
も極めて大きな駆動電流を必要とし、半導体レーザを劣
化させる一因ともなる。
ザのパワーを可変させてビームスポット径を可変させる
方法では、ビーム径(ドット径)の変化量が少なく、例
えばビーム径を2倍にするためには通常の駆動電流より
も極めて大きな駆動電流を必要とし、半導体レーザを劣
化させる一因ともなる。
【0006】また、半導体レーザをパルス幅変調させて
駆動させる方式の場合、ドット径の可変が主走査方向の
みであり、副走査方向には可変できない欠点を持つ。
駆動させる方式の場合、ドット径の可変が主走査方向の
みであり、副走査方向には可変できない欠点を持つ。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明では
、レーザ光源と、複数の電気光学変調素子と各電気光学
変調素子を駆動させる駆動回路とを有して入射レーザビ
ームに対する変調量が可変制御される電気光学変調素子
アレイと、前記レーザ光源からのレーザビームを前記電
気光学変調素子アレイに入射させる入射光学素子と、前
記電気光学変調素子アレイからの出射レーザビームを偏
向走査させる光偏向器と、偏向されたレーザビームによ
るドットを被走査媒体上に結像させる結像光学素子とに
より構成した。
、レーザ光源と、複数の電気光学変調素子と各電気光学
変調素子を駆動させる駆動回路とを有して入射レーザビ
ームに対する変調量が可変制御される電気光学変調素子
アレイと、前記レーザ光源からのレーザビームを前記電
気光学変調素子アレイに入射させる入射光学素子と、前
記電気光学変調素子アレイからの出射レーザビームを偏
向走査させる光偏向器と、偏向されたレーザビームによ
るドットを被走査媒体上に結像させる結像光学素子とに
より構成した。
【0008】このとき、請求項2記載の発明では、電気
光学変調素子アレイのアレイ方向を副走査方向とすると
ともに、レーザ光源をパルス幅変調駆動させる駆動源を
設け、電気光学変調素子アレイにより副走査方向のドッ
ト径を可変させ、レーザ光源のパルス幅変調駆動により
主走査方向のドット径を可変させるようにした。
光学変調素子アレイのアレイ方向を副走査方向とすると
ともに、レーザ光源をパルス幅変調駆動させる駆動源を
設け、電気光学変調素子アレイにより副走査方向のドッ
ト径を可変させ、レーザ光源のパルス幅変調駆動により
主走査方向のドット径を可変させるようにした。
【0009】また、請求項3記載の発明では、電気光学
変調素子アレイのアレイ方向を副走査方向とするととも
に、レーザ光源を駆動させるパワー可変の駆動源を設け
、電気光学変調素子アレイにより副走査方向のドット径
を可変させ、レーザ光源のパワー可変により主・副走査
方向のドット径を可変させるようにした。
変調素子アレイのアレイ方向を副走査方向とするととも
に、レーザ光源を駆動させるパワー可変の駆動源を設け
、電気光学変調素子アレイにより副走査方向のドット径
を可変させ、レーザ光源のパワー可変により主・副走査
方向のドット径を可変させるようにした。
【0010】
【作用】被走査媒体上に結像される1画素毎のドット径
は、電気光学変調素子アレイの変調量に応じて可変され
る。よって、電気光学変調素子アレイにおいて各電気光
学変調素子を開閉制御して変調量を可変させればよく、
応答速度の速いドット径可変が可能となる。また、電気
光学変調素子により変調量の変化量を大きくすることも
でき、ドット径を大きく可変させることができ、効果的
な多値階調記録が可能となる。
は、電気光学変調素子アレイの変調量に応じて可変され
る。よって、電気光学変調素子アレイにおいて各電気光
学変調素子を開閉制御して変調量を可変させればよく、
応答速度の速いドット径可変が可能となる。また、電気
光学変調素子により変調量の変化量を大きくすることも
でき、ドット径を大きく可変させることができ、効果的
な多値階調記録が可能となる。
【0011】このとき、請求項2記載の発明によれば、
1ドット毎に、電気光学変調素子アレイの変調により副
走査方向のドット径、レーザ光源のパルス幅変調駆動に
より主走査方向のドット径を、各々独立して可変できる
ため、より効果的な多値階調記録が可能となる。
1ドット毎に、電気光学変調素子アレイの変調により副
走査方向のドット径、レーザ光源のパルス幅変調駆動に
より主走査方向のドット径を、各々独立して可変できる
ため、より効果的な多値階調記録が可能となる。
【0012】また、請求項3記載の発明によれば、1ド
ット毎に、電気光学変調素子アレイの変調により副走査
方向のドット径、レーザ光源のパワー変調駆動により主
・副走査方向のドット径を、各々独立して可変できるた
め、より効果的な多値階調記録が可能となる。
ット毎に、電気光学変調素子アレイの変調により副走査
方向のドット径、レーザ光源のパワー変調駆動により主
・副走査方向のドット径を、各々独立して可変できるた
め、より効果的な多値階調記録が可能となる。
【0013】
【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明する
。本実施例は、ドット径の可変な電気光学変調素子アレ
イを用いることを特徴とするものであり、この電気光学
変調素子アレイ1の構造例を図1(b)及び図2に示す
。まず、図1(b)に示すように電気光学媒体2がセラ
ミック基板3上に接着剤(図示せず)により貼付固定さ
れている。ここに、電気光学媒体2は例えばPLZT等
の電気光学結晶によるもので、その片面を研磨し、研磨
面にアルミニウムからなる共通電極4を真空蒸着により
形成し(図2参照)、この電極形成面側をセラミック基
板3(ガラス基板でもよい)上に接着剤で固定する。つ
いで、電気光学媒体2の他方の片面を研磨し、媒体2の
厚さを100μm程度に薄くする。このような研磨後、
アルミニウム電極膜を研磨面上に全面的に真空蒸着によ
り形成し、電極膜を含めてダイヤモンドカッタを用いて
複数の溝5を加工形成する。これにより、溝5により仕
切られた個別電極6が形成され、個別電極6毎に電気光
学変調素子7が形成されて変調素子としてアレイ化され
る。例えば、溝幅50μm、溝深さ50μm、個別電極
幅50μmといったサイズで構成される。これらの個別
電極6は各々ボンディングワイヤ8によりセラミック基
板3上の取出し端子9にボンディングされ、この取出し
端子9を介して駆動回路10(図1(a)参照)に接続
されている。また、共通電極4はセラミック基板3に形
成した穴11を通して電極リード12が取出されている
。 なお、電気光学媒体2の入射端面2a、出射端面2bは
予め光学研磨されているものとする。
。本実施例は、ドット径の可変な電気光学変調素子アレ
イを用いることを特徴とするものであり、この電気光学
変調素子アレイ1の構造例を図1(b)及び図2に示す
。まず、図1(b)に示すように電気光学媒体2がセラ
ミック基板3上に接着剤(図示せず)により貼付固定さ
れている。ここに、電気光学媒体2は例えばPLZT等
の電気光学結晶によるもので、その片面を研磨し、研磨
面にアルミニウムからなる共通電極4を真空蒸着により
形成し(図2参照)、この電極形成面側をセラミック基
板3(ガラス基板でもよい)上に接着剤で固定する。つ
いで、電気光学媒体2の他方の片面を研磨し、媒体2の
厚さを100μm程度に薄くする。このような研磨後、
アルミニウム電極膜を研磨面上に全面的に真空蒸着によ
り形成し、電極膜を含めてダイヤモンドカッタを用いて
複数の溝5を加工形成する。これにより、溝5により仕
切られた個別電極6が形成され、個別電極6毎に電気光
学変調素子7が形成されて変調素子としてアレイ化され
る。例えば、溝幅50μm、溝深さ50μm、個別電極
幅50μmといったサイズで構成される。これらの個別
電極6は各々ボンディングワイヤ8によりセラミック基
板3上の取出し端子9にボンディングされ、この取出し
端子9を介して駆動回路10(図1(a)参照)に接続
されている。また、共通電極4はセラミック基板3に形
成した穴11を通して電極リード12が取出されている
。 なお、電気光学媒体2の入射端面2a、出射端面2bは
予め光学研磨されているものとする。
【0014】このような電気光学変調素子アレイ1は例
えば図1(a)に示すように、偏光子13と検光子14
とを入射・出射側に組合せて用いられる。また、レーザ
光源から出射されたレーザビームは電気光学変調素子ア
レイ1前後においてレンズ15,16を通過する。これ
により、レンズ15で収束された平行レーザビームは電
気光学変調素子アレイ1の入射端面2aに入射する。入
射したレーザビームは個別電極6に印加された電圧によ
り変調を受け、レンズ16、検光子14を通して出射す
る。
えば図1(a)に示すように、偏光子13と検光子14
とを入射・出射側に組合せて用いられる。また、レーザ
光源から出射されたレーザビームは電気光学変調素子ア
レイ1前後においてレンズ15,16を通過する。これ
により、レンズ15で収束された平行レーザビームは電
気光学変調素子アレイ1の入射端面2aに入射する。入
射したレーザビームは個別電極6に印加された電圧によ
り変調を受け、レンズ16、検光子14を通して出射す
る。
【0015】ここに、このような電気光学変調素子アレ
イ1の動作原理を図3を参照して説明する。今、入射光
の強度をIi 、出射光の強度をIo とし、1つの電
気光学変調素子7内で考えると、 Io = Ii sin2Γ/2
……………………(1) なる関係が成立する。ただし、位相差Γは Γ =(
π/λ)・t・n03・Rc・E2 …………(
2) で示される。ここに、λ:レーザビームの波長、t:電
気光学変調素子7の厚さ(光路長)、n0:屈折率、E
:電界強度、Rc:PLZTの二次電気光学定数である
。
イ1の動作原理を図3を参照して説明する。今、入射光
の強度をIi 、出射光の強度をIo とし、1つの電
気光学変調素子7内で考えると、 Io = Ii sin2Γ/2
……………………(1) なる関係が成立する。ただし、位相差Γは Γ =(
π/λ)・t・n03・Rc・E2 …………(
2) で示される。ここに、λ:レーザビームの波長、t:電
気光学変調素子7の厚さ(光路長)、n0:屈折率、E
:電界強度、Rc:PLZTの二次電気光学定数である
。
【0016】(1)式によれば、位相差Γがmπ(mは
奇数)の時にIo が最大となり(即ち、電気光学変調
素子7が透過状態となる)、位相差Γがm′π(m′は
偶数)の時にIo が最小となる(即ち、電気光学変調
素子7が光遮断状態となる)。
奇数)の時にIo が最大となり(即ち、電気光学変調
素子7が透過状態となる)、位相差Γがm′π(m′は
偶数)の時にIo が最小となる(即ち、電気光学変調
素子7が光遮断状態となる)。
【0017】よって、複数の電気光学変調素子7につい
て各々の個別電極6を介して個別に電圧印加を制御する
ことにより、任意の電気光学変調素子7を独立に変調制
御することができる。図3は中心4個の電気光学変調素
子7が光透過状態にあり、残りの4個の電気光学変調素
子7が光遮断状態にある出力パターン例を示す。よって
、レーザ記録装置においては1画素内でドット径を可変
させ得ることが判る。
て各々の個別電極6を介して個別に電圧印加を制御する
ことにより、任意の電気光学変調素子7を独立に変調制
御することができる。図3は中心4個の電気光学変調素
子7が光透過状態にあり、残りの4個の電気光学変調素
子7が光遮断状態にある出力パターン例を示す。よって
、レーザ記録装置においては1画素内でドット径を可変
させ得ることが判る。
【0018】しかして、ドット径可変のレーザプリンタ
としては、図4に示すように構成される。まず、画素情
報に応じて変調駆動されるレーザ光源として半導体レー
ザ20が設けられている。この半導体レーザ20から出
射されるレーザビーム光路上に前記電気光学変調素子ア
レイ1が配設されるが、両者間には半導体レーザ20か
らの出射光を平行光とさせるカップリングレンズ21及
び電気光学変調素子アレイ1上にレーザビームを主走査
方向(x方向)に絞り込んで入射させる入射光学素子と
してのシリンダレンズ22が介在されている。ここに、
電気光学変調素子アレイ1はアレイ方向が副走査方向に
並ぶように配設される。また、電気光学変調素子アレイ
1に入射するレーザビームの偏光方向は主走査方向に対
し45°となるように半導体レーザ20は配設される。
としては、図4に示すように構成される。まず、画素情
報に応じて変調駆動されるレーザ光源として半導体レー
ザ20が設けられている。この半導体レーザ20から出
射されるレーザビーム光路上に前記電気光学変調素子ア
レイ1が配設されるが、両者間には半導体レーザ20か
らの出射光を平行光とさせるカップリングレンズ21及
び電気光学変調素子アレイ1上にレーザビームを主走査
方向(x方向)に絞り込んで入射させる入射光学素子と
してのシリンダレンズ22が介在されている。ここに、
電気光学変調素子アレイ1はアレイ方向が副走査方向に
並ぶように配設される。また、電気光学変調素子アレイ
1に入射するレーザビームの偏光方向は主走査方向に対
し45°となるように半導体レーザ20は配設される。
【0019】また、電気光学変調素子アレイ1の出射側
には、レーザビームを再び平行ビームとさせるシリンダ
レンズ23と、検光子24と、レーザビームを副走査方
向に絞るシリンダレンズ25とが設けられている。さら
に、レーザビームを主走査方向に偏向走査させるための
偏向器なるポリゴンミラー26が設けられている。ポリ
ゴンミラー26の出射側には偏向されたレーザビームを
被走査媒体(例えば感光体)27面上に結像させる結像
光学素子としてのトロイダルfθレンズ28が設けられ
ている。
には、レーザビームを再び平行ビームとさせるシリンダ
レンズ23と、検光子24と、レーザビームを副走査方
向に絞るシリンダレンズ25とが設けられている。さら
に、レーザビームを主走査方向に偏向走査させるための
偏向器なるポリゴンミラー26が設けられている。ポリ
ゴンミラー26の出射側には偏向されたレーザビームを
被走査媒体(例えば感光体)27面上に結像させる結像
光学素子としてのトロイダルfθレンズ28が設けられ
ている。
【0020】なお、本実施例では、電気光学変調素子ア
レイ1による回折パターンを生ずるため、被走査媒体2
7とトロイダルfθレンズ28との間には空間フィルタ
29が配設され、高次回折光をカットするようにしてい
る。
レイ1による回折パターンを生ずるため、被走査媒体2
7とトロイダルfθレンズ28との間には空間フィルタ
29が配設され、高次回折光をカットするようにしてい
る。
【0021】このような構成によれば、電気光学変調素
子アレイ1のN個の電気光学変調素子7が連続して光透
過状態にあるとき、被走査媒体27面での副走査方向の
ビーム径dは1/(N・L)(ただし、Lは電気光学変
調素子7間の距離)に比例することになり、このNを増
加させればビーム径は小さくなり、Nを減少させればビ
ーム径が大きくなり、ドット径が可変されるものとなる
。
子アレイ1のN個の電気光学変調素子7が連続して光透
過状態にあるとき、被走査媒体27面での副走査方向の
ビーム径dは1/(N・L)(ただし、Lは電気光学変
調素子7間の距離)に比例することになり、このNを増
加させればビーム径は小さくなり、Nを減少させればビ
ーム径が大きくなり、ドット径が可変されるものとなる
。
【0022】図5は、このドット径可変の様子の一例を
示すものである。即ち、画素情報に応じて半導体レーザ
20を駆動制御すると同時に、画素情報の濃淡に応じて
電気光学変調素子アレイ1における変調量(開かれる電
気光学変調素子7の数)を可変制御することにより、図
示のように副走査方向にドット径が可変された多値階調
記録が可能となる。
示すものである。即ち、画素情報に応じて半導体レーザ
20を駆動制御すると同時に、画素情報の濃淡に応じて
電気光学変調素子アレイ1における変調量(開かれる電
気光学変調素子7の数)を可変制御することにより、図
示のように副走査方向にドット径が可変された多値階調
記録が可能となる。
【0023】この場合、電気光学変調素子アレイ1によ
る副走査方向のドット径変化だけでなく、半導体レーザ
20を図6に示すようにパルス幅変調駆動させるように
すれば、主走査方向にもドット径の可変されたより高度
な多値階調記録が可能となる。 さらに、図5に示す
駆動方式において、半導体レーザ20を多値情報に応じ
て光強度変調駆動させ、光源自体で主・副走査方向にド
ット径を可変させ得る状態で、上記の電気光学変調素子
アレイ1変調による副走査方向のドット径可変を組合せ
るようにしてもよい。これにより、より高度な多値階調
記録が可能となる。
る副走査方向のドット径変化だけでなく、半導体レーザ
20を図6に示すようにパルス幅変調駆動させるように
すれば、主走査方向にもドット径の可変されたより高度
な多値階調記録が可能となる。 さらに、図5に示す
駆動方式において、半導体レーザ20を多値情報に応じ
て光強度変調駆動させ、光源自体で主・副走査方向にド
ット径を可変させ得る状態で、上記の電気光学変調素子
アレイ1変調による副走査方向のドット径可変を組合せ
るようにしてもよい。これにより、より高度な多値階調
記録が可能となる。
【0024】なお、電気光学変調素子アレイ1としては
、図1(b)及び図2に示したものに限らず、例えば図
7ないし図9に示すようなものであってもよい。
、図1(b)及び図2に示したものに限らず、例えば図
7ないし図9に示すようなものであってもよい。
【0025】図7の電気光学変調素子アレイ1は、PL
ZT電気光学結晶による電気光学媒体31を100μm
の厚さに研磨した後、一方の面に図8(a)に示すよう
な短冊状の複数個の個別電極32を形成するとともに、
他方の面には図8(b)に示すような個別電極32に対
応する櫛歯状の共通電極33を形成したものである。こ
れらの電極32,33はアルミニウム製とされている。 よって、各電極32,33対向部分に電気光学変調素子
34が形成されることになる。このような電気光学媒体
31は共通電極33側にてセラミック基板35上に貼付
固定され、個別電極32側は各々個別にワイヤボンディ
ング36によりセラミック基板35上のボンディングパ
ッド37にボンディングされ、共通電極33側はセラミ
ック基板35に形成された穴38を通して共通電極リー
ド39が引出されている。このような電気光学変調素子
アレイ1構成によっても、各電気光学変調素子34毎の
光のオン・オフ動作が確保されるが、特に、図示例によ
れば、極めて簡単な構造であり、作製が容易となる利点
もある。
ZT電気光学結晶による電気光学媒体31を100μm
の厚さに研磨した後、一方の面に図8(a)に示すよう
な短冊状の複数個の個別電極32を形成するとともに、
他方の面には図8(b)に示すような個別電極32に対
応する櫛歯状の共通電極33を形成したものである。こ
れらの電極32,33はアルミニウム製とされている。 よって、各電極32,33対向部分に電気光学変調素子
34が形成されることになる。このような電気光学媒体
31は共通電極33側にてセラミック基板35上に貼付
固定され、個別電極32側は各々個別にワイヤボンディ
ング36によりセラミック基板35上のボンディングパ
ッド37にボンディングされ、共通電極33側はセラミ
ック基板35に形成された穴38を通して共通電極リー
ド39が引出されている。このような電気光学変調素子
アレイ1構成によっても、各電気光学変調素子34毎の
光のオン・オフ動作が確保されるが、特に、図示例によ
れば、極めて簡単な構造であり、作製が容易となる利点
もある。
【0026】図9は、図1等に示した電気光学変調素子
アレイ1構成において、共通電極4用の共通電極リード
12をセラミック基板3の穴11を通して取出す代りに
、セラミック基板3上に形成した半田バンプ40により
共通電極4をセラミック基板3上の共通取出し電極41
に接続し、接着剤42により固定したものである。これ
によれば、セラミック基板3に穴11を形成する必要が
なく、半田バンプ40を用いればよいため、作製容易に
して、電気的接続も容易なものとなる。
アレイ1構成において、共通電極4用の共通電極リード
12をセラミック基板3の穴11を通して取出す代りに
、セラミック基板3上に形成した半田バンプ40により
共通電極4をセラミック基板3上の共通取出し電極41
に接続し、接着剤42により固定したものである。これ
によれば、セラミック基板3に穴11を形成する必要が
なく、半田バンプ40を用いればよいため、作製容易に
して、電気的接続も容易なものとなる。
【0027】
【発明の効果】本発明は、上述したように、レーザ光源
、入射光学素子、光偏向器、結像光学素子とともに、複
数の電気光学変調素子と各電気光学変調素子を駆動させ
る駆動回路とを有して入射レーザビームに対する変調量
が可変制御される電気光学変調素子アレイを用いて構成
したので、被走査媒体上に結像される1画素毎のドット
径を、電気光学変調素子アレイの変調量に応じて可変で
きるものであり、よって、電気光学変調素子アレイにお
いて各電気光学変調素子を開閉制御して変調量を可変さ
せればよく、応答速度の速いドット径可変が可能で、か
つ、複数の電気光学変調素子により透過量の変化量を大
きくすることもでき、ドット径を大きく可変させること
ができ、効果的な多値階調記録が可能なものである。
、入射光学素子、光偏向器、結像光学素子とともに、複
数の電気光学変調素子と各電気光学変調素子を駆動させ
る駆動回路とを有して入射レーザビームに対する変調量
が可変制御される電気光学変調素子アレイを用いて構成
したので、被走査媒体上に結像される1画素毎のドット
径を、電気光学変調素子アレイの変調量に応じて可変で
きるものであり、よって、電気光学変調素子アレイにお
いて各電気光学変調素子を開閉制御して変調量を可変さ
せればよく、応答速度の速いドット径可変が可能で、か
つ、複数の電気光学変調素子により透過量の変化量を大
きくすることもでき、ドット径を大きく可変させること
ができ、効果的な多値階調記録が可能なものである。
【0028】このとき、請求項2記載の発明によれば、
1ドット毎に、電気光学変調素子アレイの変調により副
走査方向のドット径、レーザ光源のパルス幅変調駆動に
より主走査方向のドット径を、各々独立して可変できる
ため、より効果的な多値階調記録を行わせることができ
る。
1ドット毎に、電気光学変調素子アレイの変調により副
走査方向のドット径、レーザ光源のパルス幅変調駆動に
より主走査方向のドット径を、各々独立して可変できる
ため、より効果的な多値階調記録を行わせることができ
る。
【0029】同様に、請求項3記載の発明によれば、1
ドット毎に、電気光学変調素子アレイの変調により副走
査方向のドット径を可変するのに加え、レーザ光源のパ
ワー変調駆動により主・副走査方向のドット径を可変で
きるため、より効果的な多値階調記録を行わせることが
できる。
ドット毎に、電気光学変調素子アレイの変調により副走
査方向のドット径を可変するのに加え、レーザ光源のパ
ワー変調駆動により主・副走査方向のドット径を可変で
きるため、より効果的な多値階調記録を行わせることが
できる。
【図1】本発明の一実施例を示すもので、(a)は基本
構成図、(b)は電気光学変調素子アレイの斜視図であ
る。
構成図、(b)は電気光学変調素子アレイの斜視図であ
る。
【図2】電気光学変調素子アレイの断面構造図である。
【図3】動作原理を示す模式図である。
【図4】レーザプリンタの光学系の概略を示し、(a)
は正面図、(b)はその平面図である。
は正面図、(b)はその平面図である。
【図5】可変ドット径の例を示す説明図である。
【図6】可変ドット径の変形例を示す説明図である。
【図7】電気光学変調素子アレイの変形例を示す断面構
造図である。
造図である。
【図8】電極形状を示す平面図である。
【図9】電気光学変調素子アレイの変形例を示す断面構
造図である。
造図である。
1 電気光学変調素子アレイ7,3
4 電気光学変調素子 10 駆動回路 20 レーザ光源 22 入射光学素子 26 偏向器 27 被走査媒体 28 結像光学素子
4 電気光学変調素子 10 駆動回路 20 レーザ光源 22 入射光学素子 26 偏向器 27 被走査媒体 28 結像光学素子
Claims (3)
- 【請求項1】 レーザ光源と、複数の電気光学変調素
子と各電気光学変調素子を駆動させる駆動回路とを有し
て入射レーザビームに対する変調量が可変制御される電
気光学変調素子アレイと、前記レーザ光源からのレーザ
ビームを前記電気光学変調素子アレイに入射させる入射
光学素子と、前記電気光学変調素子アレイからの出射レ
ーザビームを偏向走査させる光偏向器と、偏向されたレ
ーザビームによるドットを被走査媒体上に結像させる結
像光学素子とよりなることを特徴とするレーザ記録装置
。 - 【請求項2】 電気光学変調素子アレイのアレイ方向
を副走査方向とするとともに、レーザ光源をパルス幅変
調駆動させる駆動源を設け、電気光学変調素子アレイに
より副走査方向のドット径を可変させ、レーザ光源のパ
ルス幅変調駆動により主走査方向のドット径を可変させ
るようにしたことを特徴とする請求項1記載のレーザ記
録装置。 - 【請求項3】 電気光学変調素子アレイのアレイ方向
を副走査方向とするとともに、レーザ光源を駆動させる
パワー可変の駆動源を設け、電気光学変調素子アレイに
より副走査方向のドット径を可変させ、レーザ光源のパ
ワー可変により主・副走査方向のドット径を可変させる
ようにしたことを特徴とする請求項1記載のレーザ記録
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3151464A JPH04373356A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | レーザ記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3151464A JPH04373356A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | レーザ記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04373356A true JPH04373356A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15519108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3151464A Pending JPH04373356A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | レーザ記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04373356A (ja) |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP3151464A patent/JPH04373356A/ja active Pending
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