JPH0437490B2 - - Google Patents
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- JPH0437490B2 JPH0437490B2 JP59012566A JP1256684A JPH0437490B2 JP H0437490 B2 JPH0437490 B2 JP H0437490B2 JP 59012566 A JP59012566 A JP 59012566A JP 1256684 A JP1256684 A JP 1256684A JP H0437490 B2 JPH0437490 B2 JP H0437490B2
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Description
（産業上の利用分野）
本発明はポリカーボネートを基板とし、光磁気
メモリー、磁気記録表示素子などに用いられる磁
性薄膜記録デイスクに関するものである。 （従来技術） 希土類−遷移金属アモルフアス層を真空蒸着、
スパツタリングあるいはイオンプレーテイング等
の手段で基板上に形成し、このアモルフアス層に
レーザービームを当てて熱磁気効果により情報の
書き込み及び消去を行い、熱磁気効果により情報
の読み取りを行う光磁気記録方法は公知であり、
上記アモルフアス層を形成する基板としてはガラ
ス板、アクリル樹脂あるいはポリカーボネート樹
脂のような透明プラスチツク板、さらに不透明材
料ではあるが、アルミニウムやシリコンウエハー
のような金属板が提案されている。 しかしこれら各種基板が提案されている中で、
ガラス基板の場合には垂直磁化可能なアモルフア
ス層を形成することが可能であるが光磁気記録デ
イスクとした場合には、デイスクの重量が大き
くなる誤つて落下させた場合の破損の危険性、
高速回転に耐えない研磨する為に高価である
レーザービームのトラツキングに用いる案内溝
を直接形成できないというような欠点を有してお
り工業的生産には不向きである。一方アルミニウ
ムやシリコンウエハーの様な金属材料もガラスと
同様に垂直磁化可能なアモルフアス層を形成する
ことが可能であるが、ガラスと同様に、表面研
磨を行う為、非常に高価であるシリコンの場合
大面積のものができない。レーザービームのト
ラツキングに用いる案内溝を直接形成できない
不透明であるために、透明材料の如く基板から書
き込みや再生ができない。従つて表面に付着した
ゴミやキズにより信号／雑音比（Ｓ／Ｎ比）が大
きな影響をうけるという欠点を有する。さらにア
クリル樹脂やポリカーボネートの如き、透明プラ
スチツク材料の場合では、アモルフアス垂直磁化
膜の形成技術は確立されていないうえに、次のよ
うな欠点がある： アクリル樹脂は光学的には性能は十分である
が吸湿量が大きいため吸湿変形を生じる事、又
成形条件にも依存するが熱変形も大きいという
欠点を有する。これら変形により垂直磁化膜や
この上に形成するSiO2，TiO2，Al2O3，Ta2
O5，MgF2等の保護膜にクラツクが入つたり、
基板からこれら薄膜が剥落するという現象を生
じ易い。又、薄膜とアクリル樹脂との密着性が
ガラスや金属に比較して非常に低く、他のプラ
スチツク材料に比較しても低いという欠点も有
する。 ポリカーボネート樹脂はアクリル樹脂の如
き、吸湿変形及び熱変形は少いのであるが、光
学的には複屈折率が大きく事及び薄膜の密着性
が低いという欠点を有している。 この他にも透明プラスチツクはあるが、スチレ
ン系樹脂は複屈折がポリカーボネートより更に大
きく、塩化ビニル樹脂は、残留塩素による薄膜の
腐触及び光学的性能に、ポリエステル系樹脂は光
学的透明性、及び複屈折に夫々問題点を有し、い
ずれの材料も光磁気記録デイスク用基板としては
欠点を有するため、実用化されていないのが現状
である。従つて大量生産性に優れ、取り扱いが容
易なプラスチツク基板上に安定な垂直磁化膜を形
成し光磁気記録デイスクを生産する技術の確立が
強く望まれている。 本発明者らはかかる問題点に対し、プラスチツ
ク材料の中でポリカーボネート樹脂が総合的な物
性に最も優れており、その問題点である複屈折
性及び密着性を改良すれば、ガラスやアルミ等
の無機質基板と同等以上の優れた光磁気記録デイ
スクを製造できると考え、本発明に到達した。 なお希土類−遷移金属アモルフアス層を用いる
光磁気記録デイスクに於いて複屈折率密着性
が重要である理由は希土類−遷移金属アモルフ
アス層にレーザービームを照射し、極カー効果
（Polar kerr effect）を用いて情報の書き込み再
生を行うが、このカー効果に基づくカー回転角
θkが約0.1〜0.5と非常に小さいため複屈折率が大
きいと直径約1μ程度の微少な反転磁化よりなる
情報点の境界が不明瞭になり、書き込み再生消去
等ができなくなる為である基板と薄膜の密着性
に起因する薄膜中の歪と垂直磁化特性の間に密接
な関係があるとされている（H.Takagi et al J.
Appl.Physics 50(3)P1642〜1644参照）ためであ
る。 （本発明の目的） 従つて本発明の目的は、プラスチツク基板を用
いて、光磁気特性がガラス等の無機材料と同等又
はそれ以上で、取り扱い性や、大量生産性に優れ
た光磁気デイスクを提供することにある。 （発明の構成） 本発明の第１の特徴は透明プラスチツク基板上
に希土類−遷移金属のアモルフアス層を支持した
光磁気記録デイスクにおいて、上記透明プラスチ
ツク基板がポリカーボネートである点にある。 上記ポリカーボネートとしては現在工業的に生
産されているものの中でビス（ヒドロキシフエニ
ル）アルカン系ポリカーボネートが好ましい。 ビス（ヒドロキシフエニル）アルカン系ポリカ
ーボネートとは、ビス（４ヒドロキシフエニル）
アルカンのようなヒドロキシジ（単核もしくは複
核アリール）化合物とカーボネートプリカーサー
たとえばホスゲン、ホスメート又はカーボネート
エステルとを反応させて得られる芳香族炭化水素
重合体であり一般式 （但し式中、Ａは２価フエノールの２価芳香族
基） で示される。 ２価フエノールは官能基として２個の水酸基を
含有し、芳香族の炭素原子にじかに結合してい
る。代表的なものとして、２，２−ビス−（４−
ヒドロキシフエニル）−プロパン、ハイドロキノ
ン、レゾルシノール、２，２−ビス−（４−ヒド
ロキシフエニル）−ペンタン、２，4′ジヒドロキ
シジフエニルメタン、ビス−（２−ヒドロキシフ
エニル）−メタン、ビス−（４−ヒドロキシフエニ
ル）メタン、ビス−（４−ヒドロキシ−５−ニト
ロフエニル）−メタン、１，１−ビス−（４−ヒド
ロキシフエニルエタン）、３，３−ビス−（４−ヒ
ドロキシフエニル）−ペンタン、２，2′−ジヒド
ロキシシエニル、２，６−ジヒドロキシナフタレ
ン、ビス−（４ヒドロキシフエニル）スルホン、
２，4′−ジヒドロキシジフエニルスルホン、5′−
クロル−２，4′ジヒドロキシジフエニルスルホ
ン、ビス−（４−ヒドロキシフエニル）ジフエニ
ルジスルホン、４，4′−ジヒドロキシジフエニル
エーテル、3′ジクロルジフエニルエーテル、４，
4′ジヒドロキシ−２，５−ジエトキシジフエニル
エーテル、２，２（４，4′−ジヒドロキシ−３，
3′、５，5′テトラハロジフエニル）プロパンがあ
る。 カーボネートエステルはジフエニルカーボネー
トが有利であるがジメチルカーボネート、ジメチ
ルカーボネート、ジエチルカーボネート、フエニ
ルメチルカーボネート、フエニルトリルカーボネ
ート、ジ（トリル）カーボネートなども使用する
ことができる。 カーボネートプリカーサーとしてホスゲンのよ
うなカーボニルハイライドを使用した場合には遊
離酸捕捉体の存在下で縮合反応を行ない、カーボ
ネートエステルを使用する場合は減圧下でのエス
テル交換反応によつてポリカーボネートを合成す
ることができる。 ポリカーボネート樹脂の分子量は機械的特性と
成形性とのかね合いで、平均分子量が14000〜
22000であるのが好ましい。すなわち、平均分子
量が14000未満のものでは衝撃強度等の機械的特
性が不足し、22000を超えると溶融粘度が高過ぎ
るため転写性等の光デイスク基板特性が低下す
る。 ポリカーボネート樹脂の溶融時の劣化、分解を
防止するための酸化防止剤を添加することもでき
るが、光デイスク基板の記録媒体への悪影響を無
くするために、添加剤は極力用いないのが望まし
い。 本発明が適用可能な光磁気記録媒体は公知の任
意の希土類−遷移金属アモルフアス合金でよく、
例えばTb−Fe系合金（特公昭57−20691号）、Dy
−Fe系合金（特公昭57−20692号）、Gd−Tb−
Fe系合金（特開昭56−126907号）、Gd−Tb−Dy
−Fe系合金（特開昭57−94948号）、Gd−Co（特
開昭54−121719号）、Tb−Fe−Co系等があげら
れる。これらの希土類−遷移金属アモルフアス層
は蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング
等の方法で形成するのが好ましい。このアモルフ
アス層の厚さは一般に500〜1500Åである。 本発明の第２の特徴は前記ポリカーボネート製
のプラスチツク基板の複屈折（Δnd）の絶対値が
波長632.8nmのHe−Neレーザを用いて常温で測
定した時に25nm以下である点にある。 上記のような複屈折率の低いポリカーボネート
基板は射出成形によつて作ることができる。一般
に、ポリカーボネート樹脂を射出成形で作ると複
屈折率が高くなり、それを防止する方法が特開昭
58−126119号および特開昭58−180553号に記載さ
れている。しかし、これら公報に記載されたポリ
カーボネート基板は直径が130mm以下の小径のも
のであり、130mmを超える大径のポリカーボネー
ト基板の射出成形法は本出願人の同時出願である
特願昭（59−12565）号（特公平３−41048号公
報）に開示されており、詳細はこの出願明細書を
参照されたい。 上記本出願人による上記特願昭 号に記載されたポリカーボネート基板の射出成
形法の要点は下記の点にある： 偏平環状キヤビテイーの中心部より溶融したポ
リカーボネート樹脂を射出して厚さｄが1.0mm〜
2.0mmで半径Ｒが65mm以下且つ175mm以下である高
密度情報記録担体用ポリカーボネート製デイスク
基板の射出成形方法において、 １ ポリカーボネート樹脂として平均分子量が
14000〜22000のポリカーボネートを用い、射出
シリンダー温度Ｔを330〜400℃に設定し、金型
温度を80〜130℃に設定し、かつ射出シリンダ
ー内でのポリカーボネート樹脂の滞留時間
（ｔ：単位＝分）が ｔ≦14−１／10（Ｔ−300） 〔ここで、Ｔは上記射出シリンダー温度（単
位＝℃）〕となるようにする。 ２ 射出工程における射出速度すなわちキヤビテ
イー内への流入速度（ｖ：単位＝ml／秒）を
Ｒ／ｄを等間隔目盛の横軸、ｖを対数目盛の縦
軸とした片対数表上で下記の領域内に選択す
る： 32.5≦Ｒ／ｄ≦100の範囲では、 log2／100（Ｒ／ｄ）−1.5log2＋１≦log ｖ≦１／10
0（Ｒ／ｄ）＋1.5 100≦Ｒ／ｄ≦175の範囲では、 １／100（Ｒ／ｄ）−0.5log2≦log ｖ≦１／100（Ｒ
／ｄ）＋1.5 ３ 前記偏平環状キヤビテイーの中心部近傍に設
けたゲートの開口の総断面積（Ｓ：単位mm2）を １／10Ｒ／ｄ＋10≦Ｓ≦２／10Ｒ／ｄ＋35 （ここでＲはデイスクの半径・単位＝mm、ｄ
はデイスクの厚さ：単位＝mm）にする。 上記成形法によつて作つたポリカーボネート基
板は半径上の40〜170mmの記録領域における複屈
折が2.5nm以下になる。 本発明の光磁気デイスクは第１図に示すよう
に、ポリカーボネート基板１とアモルフアス記録
層２と、表面保護層３とで構成することができる
が、第２図に示すように、本発明の第３の特徴に
よつて、上記ポリカーボネート製プラスチツク基
板と上記アモルフアス層との間にポリマー層４を
設けるのが好ましい。 上記ポリマー層４はポリカーボネート基板との
密着性が強いものでなければならず、本出願人に
よる特願昭58−185094号に記載されたものである
のが好ましい。 上記本出願人の特願昭58−185094号に記載され
ているように、上記ポリマーは架橋性ポリマーで
あるのが好ましく、具体的には、ポリアリル化合
物、多官能性アクリル化合物、熱硬化性樹脂、ア
ルキルシリケート加水分解物およびオルガノポリ
シロキサンが好ましい。 Ｃ／Ｎ比を向上させるために、上記ポリマー層
とは反対側のアモルフアス層の表面に反射層およ
び／または誘電層を設けることもできる。 また、上記ポリマー層の厚さは0.01〜10μであ
るのが好ましい。 上記ポリマー層を設けることによりアモルフア
ス記録層の垂直磁化特性は大巾に向上し、結果と
して、実用可能なＣ／Ｎ比45dB以上の光磁気デ
イスクが得られる。 以上の説明から明らかなように、 本発明者は光磁気記録デイスクの実用上の問題
であつた。 複屈折（Δnd）が高いことに起因する信号／
雑音比（Ｃ／Ｎ）の低下と、 ポリカーボネート基板と光磁気記録媒体との
密着性の悪さに起因する垂直磁化特性の低下と
を一挙に解決して、実用可能な光磁気デイスク
を完成させたものである。 以上、本発明を実施例によつて説明するが、先
ず、実施例中に記載された諸物性の測定法を説明
する。 (イ) 複屈折：He−Neレーザーを光源としてセナ
ルモン補償器（λ／４波長板）を用い常温で測
定したレターデーシヨンΔndの絶対値で表示し
た。ここでΔnは複屈折率、ｄは基板の厚さで
ある。 (ロ) Kerr回転角θk及び保磁力Hc： 第３図に示す磁気光学効果測定装置を用いて
測定した。 すなわち、HeNeレーザー１からのレーザー
光線１０をポーラライザー２およびビームスプ
リツター３を介して、電磁コイル４の電磁場内
に置かれたサンプル５に当て、反射光をビーム
スプリツター３で分離し、アナライザー６を介
して光検出器７で検知し、増幅器８を介してレ
コーダー９に記録させる。なお、１１は上記電
磁コイル４の駆動手段である。 (ハ) Ｃ／Ｎ：第４図に示す書き込み再生消却装置
により下記条件で測定した。 書き込みレーザーパワー ４〜10mW 再生レーザーパワー 0.8〜1.5mW デイスク回転数 900〜1350rpm キヤリヤー周波数 1MHz 分解能帯域巾 30kHz 印加磁界 200〜1000Oe すなわち、光磁気デイスク１をモーター２で回
転させながら、その表面に波長830nmのレーザー
光を当てる。このレーザー光は信号発生回路６に
よつて駆動される半導体レーザー７からミラー
８、ポーラライザー９、ハーフミラー１０を介し
て送られる。デイスク１からの反射光はハーフミ
ラー１０で分離され、他のハーフミラー１５でさ
らに分離され、各偏光光線は各々アナライザー１
１および光検出器１２を介して差動増幅器１３に
入れられ、その結果がスペクトルアナライザー１
４に表示される。なお、３は書込み−消去用電磁
コイルで、このコイル３は駆動手段５を介して駆
動される。 (ニ) ポリカーボネートおよびアクリル樹脂の
MFI：JISK−6719に基づいて測定した。 （荷重＝3800g、測定温度＝230℃） 表示は(g)／10分で表わした。 実施例 １〜３ 本出願人の同時願の特願昭59−12565号（特公
平３−41048号公報）に記載された方法を用い、
ポリカーボネート樹脂（MFI＝15）を射出成形
機により直径200mm、厚さ1.2mmのデイスク状に成
形した。この基板をクリーンルーム内でフレオン
により洗浄した後、日本真空技術（株）製RFマ
グネトロンスパツタリング装置を用い、希土類−
遷移金属アモルフアス垂直磁化膜を約1000Å及び
保護膜を約1500Å形成し物性測定に供した。結果
を表−１に示す。 実施例 ４ 実施例１に記載の方法で、ポリカーボネート基
板を成形しこれに特願昭58−185094号実施例２記
載のダイセル化学製ポリオルガノシロキサン膜を
0.2μ形成した後、実施例１〜３と同様にアモルフ
アス垂直磁化膜を約1000Å及び保護膜を約1500Å
形成した後物性を測定した結果を表−１に示す。 比較例 １〜２ ポリカーボネート樹脂（MFI−15）を従来方
法に従つて射出成形し基板デイスクを得た。これ
を実施例と同一条件でアモルフアス垂直磁化膜を
約1000Å及び保護膜を約1500Å形成したが、表−
１に記載されている如く、Ｃ／Ｎを測定すること
ができなかつた。 比較例 ３〜４ 基板として、ポリメチルメタクリル樹脂
（MFI＝２）を射出成形して直径200mm厚さ1.2mm
のデイスク基板を得た。別に直径200mm厚さ1.2mm
のホウ硅酸ガラス製デイスクを準備した。実施例
と同一条件でスパツタリングによりアモルフアス
垂直磁化膜を約1000Å及び保護膜を約1500Å形成
し物性を測定した。結果を表−１に示す。
メモリー、磁気記録表示素子などに用いられる磁
性薄膜記録デイスクに関するものである。 （従来技術） 希土類−遷移金属アモルフアス層を真空蒸着、
スパツタリングあるいはイオンプレーテイング等
の手段で基板上に形成し、このアモルフアス層に
レーザービームを当てて熱磁気効果により情報の
書き込み及び消去を行い、熱磁気効果により情報
の読み取りを行う光磁気記録方法は公知であり、
上記アモルフアス層を形成する基板としてはガラ
ス板、アクリル樹脂あるいはポリカーボネート樹
脂のような透明プラスチツク板、さらに不透明材
料ではあるが、アルミニウムやシリコンウエハー
のような金属板が提案されている。 しかしこれら各種基板が提案されている中で、
ガラス基板の場合には垂直磁化可能なアモルフア
ス層を形成することが可能であるが光磁気記録デ
イスクとした場合には、デイスクの重量が大き
くなる誤つて落下させた場合の破損の危険性、
高速回転に耐えない研磨する為に高価である
レーザービームのトラツキングに用いる案内溝
を直接形成できないというような欠点を有してお
り工業的生産には不向きである。一方アルミニウ
ムやシリコンウエハーの様な金属材料もガラスと
同様に垂直磁化可能なアモルフアス層を形成する
ことが可能であるが、ガラスと同様に、表面研
磨を行う為、非常に高価であるシリコンの場合
大面積のものができない。レーザービームのト
ラツキングに用いる案内溝を直接形成できない
不透明であるために、透明材料の如く基板から書
き込みや再生ができない。従つて表面に付着した
ゴミやキズにより信号／雑音比（Ｓ／Ｎ比）が大
きな影響をうけるという欠点を有する。さらにア
クリル樹脂やポリカーボネートの如き、透明プラ
スチツク材料の場合では、アモルフアス垂直磁化
膜の形成技術は確立されていないうえに、次のよ
うな欠点がある： アクリル樹脂は光学的には性能は十分である
が吸湿量が大きいため吸湿変形を生じる事、又
成形条件にも依存するが熱変形も大きいという
欠点を有する。これら変形により垂直磁化膜や
この上に形成するSiO2，TiO2，Al2O3，Ta2
O5，MgF2等の保護膜にクラツクが入つたり、
基板からこれら薄膜が剥落するという現象を生
じ易い。又、薄膜とアクリル樹脂との密着性が
ガラスや金属に比較して非常に低く、他のプラ
スチツク材料に比較しても低いという欠点も有
する。 ポリカーボネート樹脂はアクリル樹脂の如
き、吸湿変形及び熱変形は少いのであるが、光
学的には複屈折率が大きく事及び薄膜の密着性
が低いという欠点を有している。 この他にも透明プラスチツクはあるが、スチレ
ン系樹脂は複屈折がポリカーボネートより更に大
きく、塩化ビニル樹脂は、残留塩素による薄膜の
腐触及び光学的性能に、ポリエステル系樹脂は光
学的透明性、及び複屈折に夫々問題点を有し、い
ずれの材料も光磁気記録デイスク用基板としては
欠点を有するため、実用化されていないのが現状
である。従つて大量生産性に優れ、取り扱いが容
易なプラスチツク基板上に安定な垂直磁化膜を形
成し光磁気記録デイスクを生産する技術の確立が
強く望まれている。 本発明者らはかかる問題点に対し、プラスチツ
ク材料の中でポリカーボネート樹脂が総合的な物
性に最も優れており、その問題点である複屈折
性及び密着性を改良すれば、ガラスやアルミ等
の無機質基板と同等以上の優れた光磁気記録デイ
スクを製造できると考え、本発明に到達した。 なお希土類−遷移金属アモルフアス層を用いる
光磁気記録デイスクに於いて複屈折率密着性
が重要である理由は希土類−遷移金属アモルフ
アス層にレーザービームを照射し、極カー効果
（Polar kerr effect）を用いて情報の書き込み再
生を行うが、このカー効果に基づくカー回転角
θkが約0.1〜0.5と非常に小さいため複屈折率が大
きいと直径約1μ程度の微少な反転磁化よりなる
情報点の境界が不明瞭になり、書き込み再生消去
等ができなくなる為である基板と薄膜の密着性
に起因する薄膜中の歪と垂直磁化特性の間に密接
な関係があるとされている（H.Takagi et al J.
Appl.Physics 50(3)P1642〜1644参照）ためであ
る。 （本発明の目的） 従つて本発明の目的は、プラスチツク基板を用
いて、光磁気特性がガラス等の無機材料と同等又
はそれ以上で、取り扱い性や、大量生産性に優れ
た光磁気デイスクを提供することにある。 （発明の構成） 本発明の第１の特徴は透明プラスチツク基板上
に希土類−遷移金属のアモルフアス層を支持した
光磁気記録デイスクにおいて、上記透明プラスチ
ツク基板がポリカーボネートである点にある。 上記ポリカーボネートとしては現在工業的に生
産されているものの中でビス（ヒドロキシフエニ
ル）アルカン系ポリカーボネートが好ましい。 ビス（ヒドロキシフエニル）アルカン系ポリカ
ーボネートとは、ビス（４ヒドロキシフエニル）
アルカンのようなヒドロキシジ（単核もしくは複
核アリール）化合物とカーボネートプリカーサー
たとえばホスゲン、ホスメート又はカーボネート
エステルとを反応させて得られる芳香族炭化水素
重合体であり一般式 （但し式中、Ａは２価フエノールの２価芳香族
基） で示される。 ２価フエノールは官能基として２個の水酸基を
含有し、芳香族の炭素原子にじかに結合してい
る。代表的なものとして、２，２−ビス−（４−
ヒドロキシフエニル）−プロパン、ハイドロキノ
ン、レゾルシノール、２，２−ビス−（４−ヒド
ロキシフエニル）−ペンタン、２，4′ジヒドロキ
シジフエニルメタン、ビス−（２−ヒドロキシフ
エニル）−メタン、ビス−（４−ヒドロキシフエニ
ル）メタン、ビス−（４−ヒドロキシ−５−ニト
ロフエニル）−メタン、１，１−ビス−（４−ヒド
ロキシフエニルエタン）、３，３−ビス−（４−ヒ
ドロキシフエニル）−ペンタン、２，2′−ジヒド
ロキシシエニル、２，６−ジヒドロキシナフタレ
ン、ビス−（４ヒドロキシフエニル）スルホン、
２，4′−ジヒドロキシジフエニルスルホン、5′−
クロル−２，4′ジヒドロキシジフエニルスルホ
ン、ビス−（４−ヒドロキシフエニル）ジフエニ
ルジスルホン、４，4′−ジヒドロキシジフエニル
エーテル、3′ジクロルジフエニルエーテル、４，
4′ジヒドロキシ−２，５−ジエトキシジフエニル
エーテル、２，２（４，4′−ジヒドロキシ−３，
3′、５，5′テトラハロジフエニル）プロパンがあ
る。 カーボネートエステルはジフエニルカーボネー
トが有利であるがジメチルカーボネート、ジメチ
ルカーボネート、ジエチルカーボネート、フエニ
ルメチルカーボネート、フエニルトリルカーボネ
ート、ジ（トリル）カーボネートなども使用する
ことができる。 カーボネートプリカーサーとしてホスゲンのよ
うなカーボニルハイライドを使用した場合には遊
離酸捕捉体の存在下で縮合反応を行ない、カーボ
ネートエステルを使用する場合は減圧下でのエス
テル交換反応によつてポリカーボネートを合成す
ることができる。 ポリカーボネート樹脂の分子量は機械的特性と
成形性とのかね合いで、平均分子量が14000〜
22000であるのが好ましい。すなわち、平均分子
量が14000未満のものでは衝撃強度等の機械的特
性が不足し、22000を超えると溶融粘度が高過ぎ
るため転写性等の光デイスク基板特性が低下す
る。 ポリカーボネート樹脂の溶融時の劣化、分解を
防止するための酸化防止剤を添加することもでき
るが、光デイスク基板の記録媒体への悪影響を無
くするために、添加剤は極力用いないのが望まし
い。 本発明が適用可能な光磁気記録媒体は公知の任
意の希土類−遷移金属アモルフアス合金でよく、
例えばTb−Fe系合金（特公昭57−20691号）、Dy
−Fe系合金（特公昭57−20692号）、Gd−Tb−
Fe系合金（特開昭56−126907号）、Gd−Tb−Dy
−Fe系合金（特開昭57−94948号）、Gd−Co（特
開昭54−121719号）、Tb−Fe−Co系等があげら
れる。これらの希土類−遷移金属アモルフアス層
は蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング
等の方法で形成するのが好ましい。このアモルフ
アス層の厚さは一般に500〜1500Åである。 本発明の第２の特徴は前記ポリカーボネート製
のプラスチツク基板の複屈折（Δnd）の絶対値が
波長632.8nmのHe−Neレーザを用いて常温で測
定した時に25nm以下である点にある。 上記のような複屈折率の低いポリカーボネート
基板は射出成形によつて作ることができる。一般
に、ポリカーボネート樹脂を射出成形で作ると複
屈折率が高くなり、それを防止する方法が特開昭
58−126119号および特開昭58−180553号に記載さ
れている。しかし、これら公報に記載されたポリ
カーボネート基板は直径が130mm以下の小径のも
のであり、130mmを超える大径のポリカーボネー
ト基板の射出成形法は本出願人の同時出願である
特願昭（59−12565）号（特公平３−41048号公
報）に開示されており、詳細はこの出願明細書を
参照されたい。 上記本出願人による上記特願昭 号に記載されたポリカーボネート基板の射出成
形法の要点は下記の点にある： 偏平環状キヤビテイーの中心部より溶融したポ
リカーボネート樹脂を射出して厚さｄが1.0mm〜
2.0mmで半径Ｒが65mm以下且つ175mm以下である高
密度情報記録担体用ポリカーボネート製デイスク
基板の射出成形方法において、 １ ポリカーボネート樹脂として平均分子量が
14000〜22000のポリカーボネートを用い、射出
シリンダー温度Ｔを330〜400℃に設定し、金型
温度を80〜130℃に設定し、かつ射出シリンダ
ー内でのポリカーボネート樹脂の滞留時間
（ｔ：単位＝分）が ｔ≦14−１／10（Ｔ−300） 〔ここで、Ｔは上記射出シリンダー温度（単
位＝℃）〕となるようにする。 ２ 射出工程における射出速度すなわちキヤビテ
イー内への流入速度（ｖ：単位＝ml／秒）を
Ｒ／ｄを等間隔目盛の横軸、ｖを対数目盛の縦
軸とした片対数表上で下記の領域内に選択す
る： 32.5≦Ｒ／ｄ≦100の範囲では、 log2／100（Ｒ／ｄ）−1.5log2＋１≦log ｖ≦１／10
0（Ｒ／ｄ）＋1.5 100≦Ｒ／ｄ≦175の範囲では、 １／100（Ｒ／ｄ）−0.5log2≦log ｖ≦１／100（Ｒ
／ｄ）＋1.5 ３ 前記偏平環状キヤビテイーの中心部近傍に設
けたゲートの開口の総断面積（Ｓ：単位mm2）を １／10Ｒ／ｄ＋10≦Ｓ≦２／10Ｒ／ｄ＋35 （ここでＲはデイスクの半径・単位＝mm、ｄ
はデイスクの厚さ：単位＝mm）にする。 上記成形法によつて作つたポリカーボネート基
板は半径上の40〜170mmの記録領域における複屈
折が2.5nm以下になる。 本発明の光磁気デイスクは第１図に示すよう
に、ポリカーボネート基板１とアモルフアス記録
層２と、表面保護層３とで構成することができる
が、第２図に示すように、本発明の第３の特徴に
よつて、上記ポリカーボネート製プラスチツク基
板と上記アモルフアス層との間にポリマー層４を
設けるのが好ましい。 上記ポリマー層４はポリカーボネート基板との
密着性が強いものでなければならず、本出願人に
よる特願昭58−185094号に記載されたものである
のが好ましい。 上記本出願人の特願昭58−185094号に記載され
ているように、上記ポリマーは架橋性ポリマーで
あるのが好ましく、具体的には、ポリアリル化合
物、多官能性アクリル化合物、熱硬化性樹脂、ア
ルキルシリケート加水分解物およびオルガノポリ
シロキサンが好ましい。 Ｃ／Ｎ比を向上させるために、上記ポリマー層
とは反対側のアモルフアス層の表面に反射層およ
び／または誘電層を設けることもできる。 また、上記ポリマー層の厚さは0.01〜10μであ
るのが好ましい。 上記ポリマー層を設けることによりアモルフア
ス記録層の垂直磁化特性は大巾に向上し、結果と
して、実用可能なＣ／Ｎ比45dB以上の光磁気デ
イスクが得られる。 以上の説明から明らかなように、 本発明者は光磁気記録デイスクの実用上の問題
であつた。 複屈折（Δnd）が高いことに起因する信号／
雑音比（Ｃ／Ｎ）の低下と、 ポリカーボネート基板と光磁気記録媒体との
密着性の悪さに起因する垂直磁化特性の低下と
を一挙に解決して、実用可能な光磁気デイスク
を完成させたものである。 以上、本発明を実施例によつて説明するが、先
ず、実施例中に記載された諸物性の測定法を説明
する。 (イ) 複屈折：He−Neレーザーを光源としてセナ
ルモン補償器（λ／４波長板）を用い常温で測
定したレターデーシヨンΔndの絶対値で表示し
た。ここでΔnは複屈折率、ｄは基板の厚さで
ある。 (ロ) Kerr回転角θk及び保磁力Hc： 第３図に示す磁気光学効果測定装置を用いて
測定した。 すなわち、HeNeレーザー１からのレーザー
光線１０をポーラライザー２およびビームスプ
リツター３を介して、電磁コイル４の電磁場内
に置かれたサンプル５に当て、反射光をビーム
スプリツター３で分離し、アナライザー６を介
して光検出器７で検知し、増幅器８を介してレ
コーダー９に記録させる。なお、１１は上記電
磁コイル４の駆動手段である。 (ハ) Ｃ／Ｎ：第４図に示す書き込み再生消却装置
により下記条件で測定した。 書き込みレーザーパワー ４〜10mW 再生レーザーパワー 0.8〜1.5mW デイスク回転数 900〜1350rpm キヤリヤー周波数 1MHz 分解能帯域巾 30kHz 印加磁界 200〜1000Oe すなわち、光磁気デイスク１をモーター２で回
転させながら、その表面に波長830nmのレーザー
光を当てる。このレーザー光は信号発生回路６に
よつて駆動される半導体レーザー７からミラー
８、ポーラライザー９、ハーフミラー１０を介し
て送られる。デイスク１からの反射光はハーフミ
ラー１０で分離され、他のハーフミラー１５でさ
らに分離され、各偏光光線は各々アナライザー１
１および光検出器１２を介して差動増幅器１３に
入れられ、その結果がスペクトルアナライザー１
４に表示される。なお、３は書込み−消去用電磁
コイルで、このコイル３は駆動手段５を介して駆
動される。 (ニ) ポリカーボネートおよびアクリル樹脂の
MFI：JISK−6719に基づいて測定した。 （荷重＝3800g、測定温度＝230℃） 表示は(g)／10分で表わした。 実施例 １〜３ 本出願人の同時願の特願昭59−12565号（特公
平３−41048号公報）に記載された方法を用い、
ポリカーボネート樹脂（MFI＝15）を射出成形
機により直径200mm、厚さ1.2mmのデイスク状に成
形した。この基板をクリーンルーム内でフレオン
により洗浄した後、日本真空技術（株）製RFマ
グネトロンスパツタリング装置を用い、希土類−
遷移金属アモルフアス垂直磁化膜を約1000Å及び
保護膜を約1500Å形成し物性測定に供した。結果
を表−１に示す。 実施例 ４ 実施例１に記載の方法で、ポリカーボネート基
板を成形しこれに特願昭58−185094号実施例２記
載のダイセル化学製ポリオルガノシロキサン膜を
0.2μ形成した後、実施例１〜３と同様にアモルフ
アス垂直磁化膜を約1000Å及び保護膜を約1500Å
形成した後物性を測定した結果を表−１に示す。 比較例 １〜２ ポリカーボネート樹脂（MFI−15）を従来方
法に従つて射出成形し基板デイスクを得た。これ
を実施例と同一条件でアモルフアス垂直磁化膜を
約1000Å及び保護膜を約1500Å形成したが、表−
１に記載されている如く、Ｃ／Ｎを測定すること
ができなかつた。 比較例 ３〜４ 基板として、ポリメチルメタクリル樹脂
（MFI＝２）を射出成形して直径200mm厚さ1.2mm
のデイスク基板を得た。別に直径200mm厚さ1.2mm
のホウ硅酸ガラス製デイスクを準備した。実施例
と同一条件でスパツタリングによりアモルフアス
垂直磁化膜を約1000Å及び保護膜を約1500Å形成
し物性を測定した。結果を表−１に示す。
【表】
表１より明らかななように、本発明による複屈
折率が25nm以下のポリカーボネート基板を用い
た場合にのみ良好なＣ／Ｎ比の光磁気デイスクが
得られ、特に、本発明のポリマー層を介在させる
ことによつてＣ／Ｎ比はさらに向上させることが
できる。
折率が25nm以下のポリカーボネート基板を用い
た場合にのみ良好なＣ／Ｎ比の光磁気デイスクが
得られ、特に、本発明のポリマー層を介在させる
ことによつてＣ／Ｎ比はさらに向上させることが
できる。
第１図は本発明の実施例のデイスク構成の概略
図。第２図は本発明の他の実施例のデイスク構成
の概略図。第３図は磁気光学定数測定装置の概略
図。第４図は光磁気デイスクの書き込み再生消去
装置の構成図。 図中符号、１……ポリカーボネート基板、２…
…アモルフアス記録層、３……表面保護層、４…
…ポリマー層。
図。第２図は本発明の他の実施例のデイスク構成
の概略図。第３図は磁気光学定数測定装置の概略
図。第４図は光磁気デイスクの書き込み再生消去
装置の構成図。 図中符号、１……ポリカーボネート基板、２…
…アモルフアス記録層、３……表面保護層、４…
…ポリマー層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明なポリカーボネート基板上に希土類−遷
移金属のアモルフアス層を支持した光磁気記録デ
イスクにおいて、 上記ポリカーボネートのプラスチツク基板の複
屈折（Δnd）の絶対値が波長632.8nmのHe−Ne
レーザを用いて常温で測定した時に25nm以下で
あることを特徴とする光磁気記録デイスク。 ２ ポリカーボネート製プラスチツク基板と上記
アモルフアス層との間にポリマー層が設けられて
いる特許請求の範囲第１項に記載の光磁気記録デ
イスク。 ３ ポリカーボネート製プラスチツク基板が下記
条件で射出成形された基板である特許請求の範囲
第１項に記載の光磁気記録デイスク： (a) 平均分子量が14000〜22000のポリカーボネー
トを用い、 (b) 射出シリンダー温度Ｔを330〜400℃に設定
し、金型温度を80〜130℃に設定しかつ射出シ
リンダー内でのポリカーボネート樹脂の滞留時
間（ｔ：単位＝分）を ｔ≦14−１／10（Ｔ−300） （ここで、Ｔは射出シリンダー温度（単位＝
℃） となるように設定し、 (c) 射出工程における射出速度すなわちキヤビテ
イー内への流入速度（ｖ：単位＝ml／秒）を
Ｒ／ｄを等間隔目盛の横軸、ｖを対数目盛の縦
軸とした片対数表上で下記の領域内に選択す
る： 32.5≦Ｒ／ｄ≦100の範囲では、 log2／100Ｒ／ｄ−1.5log2 ＋１≦log ｖ≦１／100Ｒ／ｄ＋1.5 100≦Ｒ／ｄ≦175の範囲では、 １／100Ｒ／ｄ−0.5log2≦log ｖ ≦１／100Ｒ／ｄ＋1.5 (d) 偏平環状キヤビテイーの中心部近傍に設けた
ゲートの開口の総断面積（ｓ：単位md）を 1R／10d＋10≦Ｓ≦２／10Ｒ／ｄ＋35 （ここでＲはデイスクの半径・単位＝mm、ｄは
デイスクの厚さ：単位＝mm） にする。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1256684A JPS60157747A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光磁気記録ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1256684A JPS60157747A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光磁気記録ディスク |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27909493A Division JPH06342537A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 光磁気記録ディスク |
| JP5279095A Division JPH0746445B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 光磁気記録ディスクと、その製造方法 |
| JP27909693A Division JPH06318347A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 光磁気記録ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157747A JPS60157747A (ja) | 1985-08-19 |
| JPH0437490B2 true JPH0437490B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=11808900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1256684A Granted JPS60157747A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光磁気記録ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157747A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620784B2 (ja) * | 1986-03-26 | 1994-03-23 | 三菱化成株式会社 | ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光デイスク基板の製造法 |
| JP2543832B2 (ja) * | 1986-09-03 | 1996-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2604381B2 (ja) * | 1987-07-22 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録装置 |
| JPH06342537A (ja) * | 1993-10-12 | 1994-12-13 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気記録ディスク |
| JP2568978B2 (ja) * | 1993-11-30 | 1997-01-08 | 株式会社ソルベックス | 万能試験装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538655A (en) * | 1978-09-08 | 1980-03-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | Optical signal recording and reproducing member |
| JPS56169240A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-25 | Sharp Corp | Manufacture of magnetooptical storage disk |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP1256684A patent/JPS60157747A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60157747A (ja) | 1985-08-19 |
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