JPH0973675A - 光磁気記録媒体用基板の製造方法とその方法を用いた光磁気記録媒体用基板 - Google Patents
光磁気記録媒体用基板の製造方法とその方法を用いた光磁気記録媒体用基板Info
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- JPH0973675A JPH0973675A JP7224394A JP22439495A JPH0973675A JP H0973675 A JPH0973675 A JP H0973675A JP 7224394 A JP7224394 A JP 7224394A JP 22439495 A JP22439495 A JP 22439495A JP H0973675 A JPH0973675 A JP H0973675A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】希土類−遷移金属アモルファスを記録層に用い
た光磁気記録ディスク用の基板であるポリカーボネート
の射出成形においては、スタンパからポリカーボネート
基板へのグルーブの転写率が低いために、グルーブの底
部分のコーナーとランドのコーナーでの曲率半径が大き
くなっていた。また、従来条件では、グルーブの底部分
のコーナーとランドのコーナーでの曲率半径が小さく、
ポリカーボネート基板の複屈折が小さく、且つその周方
向の変動が小さいポリカーボネート基板は得られなかっ
た。これが結果的に再生時のＲＦ信号のエンベロープの
変動を大きくし、記録，再生におけるＣＮ比を小さくし
ていた。これは、グルーブの形成幅を示すトラックピッ
チを１．４μｍから０．８μｍと狭くした時に、より顕
著であった。 【解決手段】従来よりポリカーボネート基板の射出成形
時の金型温度と加熱筒温度を高くし、型締圧力を強く
し、樹脂射出速度を速くし、さらに、冷却時間を長くし
た。
た光磁気記録ディスク用の基板であるポリカーボネート
の射出成形においては、スタンパからポリカーボネート
基板へのグルーブの転写率が低いために、グルーブの底
部分のコーナーとランドのコーナーでの曲率半径が大き
くなっていた。また、従来条件では、グルーブの底部分
のコーナーとランドのコーナーでの曲率半径が小さく、
ポリカーボネート基板の複屈折が小さく、且つその周方
向の変動が小さいポリカーボネート基板は得られなかっ
た。これが結果的に再生時のＲＦ信号のエンベロープの
変動を大きくし、記録，再生におけるＣＮ比を小さくし
ていた。これは、グルーブの形成幅を示すトラックピッ
チを１．４μｍから０．８μｍと狭くした時に、より顕
著であった。 【解決手段】従来よりポリカーボネート基板の射出成形
時の金型温度と加熱筒温度を高くし、型締圧力を強く
し、樹脂射出速度を速くし、さらに、冷却時間を長くし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度記録の光磁
気記録媒体用基板の製造方法と、その製造方法により成
形した光磁気記録媒体用基板に関する。
気記録媒体用基板の製造方法と、その製造方法により成
形した光磁気記録媒体用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体を用いた情報の記録、消
去及び再生は、基板上に形成した希土類−遷移金属アモ
ルファス層に、ビーム径を１〜１．５μｍ程度に絞った
レーザビームを照射して熱磁気効果により行っている。
希土類−遷移金属アモルファス層はスパッタ法，イオン
プレーティング法等により形成され、ガラス板、アクリ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アルミニウム，シリコ
ンウェハのような金属等が基板として提案されている
が、ディスクの特性、取扱性、機能性、信頼性等を考慮
した結果、現在では、殆どポリカーボネートが使用され
ているのが現状である。
去及び再生は、基板上に形成した希土類−遷移金属アモ
ルファス層に、ビーム径を１〜１．５μｍ程度に絞った
レーザビームを照射して熱磁気効果により行っている。
希土類−遷移金属アモルファス層はスパッタ法，イオン
プレーティング法等により形成され、ガラス板、アクリ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アルミニウム，シリコ
ンウェハのような金属等が基板として提案されている
が、ディスクの特性、取扱性、機能性、信頼性等を考慮
した結果、現在では、殆どポリカーボネートが使用され
ているのが現状である。
【０００３】ディスクを作製するには、まず、ポリカー
ボネート基板を成形する必要があるが、この基板の成形
は一般に、図１に示す射出成形（射出圧縮成形を含む。
以下同じ）によって行っている。図１（ａ）に示すよう
にペレット状のポリカーボネート樹脂を加熱筒温度４ｔ
が３００〜３５０℃に設定された加熱筒４に入れて溶解
樹脂３を作製する。次に、図１（ｂ）に示すように、型
締シリンダ５を用いて、圧力２ｐでスタンパ１’を金型
１に圧縮させた状態で加熱筒４を金型１にタッチさせ、
スクリュ３ｃにより溶解樹脂３を金型１に充填する。最
後に、図１（ｃ）に示すように材料をチャージし、金型
を開いて製品２を取り出す。これが、一般的な射出成形
の工程であり、この工程においては、金型１の温度１
ｔ，溶解樹脂３の射出速度３’，スタンパ１’を圧縮す
る型締圧力２ｐ，加熱筒温度４ｔ及び、冷却時間が基板
の成形にとって重要なファクターとなる。
ボネート基板を成形する必要があるが、この基板の成形
は一般に、図１に示す射出成形（射出圧縮成形を含む。
以下同じ）によって行っている。図１（ａ）に示すよう
にペレット状のポリカーボネート樹脂を加熱筒温度４ｔ
が３００〜３５０℃に設定された加熱筒４に入れて溶解
樹脂３を作製する。次に、図１（ｂ）に示すように、型
締シリンダ５を用いて、圧力２ｐでスタンパ１’を金型
１に圧縮させた状態で加熱筒４を金型１にタッチさせ、
スクリュ３ｃにより溶解樹脂３を金型１に充填する。最
後に、図１（ｃ）に示すように材料をチャージし、金型
を開いて製品２を取り出す。これが、一般的な射出成形
の工程であり、この工程においては、金型１の温度１
ｔ，溶解樹脂３の射出速度３’，スタンパ１’を圧縮す
る型締圧力２ｐ，加熱筒温度４ｔ及び、冷却時間が基板
の成形にとって重要なファクターとなる。
【０００４】光磁気記録ディスクなどの記録可能な光デ
ィスクを射出成形により作製する場合は、情報を凹凸の
ピットで記録するコンパクトディスクなどの再生専用型
光ディスクに比べ、ピットではなくグルーブを形成する
のが一般的であるが、このグルーブのポリカーボネート
への転写はピットの場合より困難である。例えば、コン
パクトディスクの場合は、金型温度９０℃，型締圧力３
０ｋｇ/ｃｍ2（印加する圧力を成形するディスクの面積
で除したものを型締圧力として定義する。以下同じ），
加熱筒温度３３５℃，射出速度１５０ｍｍ/ｓ，冷却時
間３．８秒の条件でピットを９０％以上で転写できる
が、同一条件でグルーブを転写しようとすると、殆ど転
写されない。そこで、主に金型温度を高くし、型締圧力
を強くし、さらに冷却時間を長くした金型温度１１０
℃，型締圧力１００ｋｇ/ｃｍ2，加熱筒温度３５０℃，
射出速度１５０ｍｍ/ｓ，冷却時間７秒の条件で射出成
形すると、図２に示すようなグルーブを有したポリカー
ボネート基板を成形することができる。図２は成形した
基板の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定した結果
である。図２（ｂ）のデータからグルーブの底部分のコ
ーナーとランドのコーナーでの曲率半径を計算すると１
００ｎｍと大きい。このポリカーボネート基板上に希土
類−遷移金属アモルファスを記録層に用いた光磁気ディ
スクを作製し、この光磁気ディスクに記録した情報をＤ
Ｃ結合で再生した結果、図３に示すようにＲＦ信号のエ
ンベロープの変動が大きく、信号／雑音比（ＣＮ比）が
４２．１ｄＢと小さかった。このように、ＲＦ信号のエ
ンベロープの変動が大きく、ＣＮ比が小さくなる要因を
調べた結果、上記のコーナーでの曲率半径が大きいこと
の他に、ポリカーボネート基板の複屈折が大きく（６０
ｎｍ）、複屈折の周方向の変動も大きい（３０ｎｍ）こ
とがわかった。
ィスクを射出成形により作製する場合は、情報を凹凸の
ピットで記録するコンパクトディスクなどの再生専用型
光ディスクに比べ、ピットではなくグルーブを形成する
のが一般的であるが、このグルーブのポリカーボネート
への転写はピットの場合より困難である。例えば、コン
パクトディスクの場合は、金型温度９０℃，型締圧力３
０ｋｇ/ｃｍ2（印加する圧力を成形するディスクの面積
で除したものを型締圧力として定義する。以下同じ），
加熱筒温度３３５℃，射出速度１５０ｍｍ/ｓ，冷却時
間３．８秒の条件でピットを９０％以上で転写できる
が、同一条件でグルーブを転写しようとすると、殆ど転
写されない。そこで、主に金型温度を高くし、型締圧力
を強くし、さらに冷却時間を長くした金型温度１１０
℃，型締圧力１００ｋｇ/ｃｍ2，加熱筒温度３５０℃，
射出速度１５０ｍｍ/ｓ，冷却時間７秒の条件で射出成
形すると、図２に示すようなグルーブを有したポリカー
ボネート基板を成形することができる。図２は成形した
基板の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定した結果
である。図２（ｂ）のデータからグルーブの底部分のコ
ーナーとランドのコーナーでの曲率半径を計算すると１
００ｎｍと大きい。このポリカーボネート基板上に希土
類−遷移金属アモルファスを記録層に用いた光磁気ディ
スクを作製し、この光磁気ディスクに記録した情報をＤ
Ｃ結合で再生した結果、図３に示すようにＲＦ信号のエ
ンベロープの変動が大きく、信号／雑音比（ＣＮ比）が
４２．１ｄＢと小さかった。このように、ＲＦ信号のエ
ンベロープの変動が大きく、ＣＮ比が小さくなる要因を
調べた結果、上記のコーナーでの曲率半径が大きいこと
の他に、ポリカーボネート基板の複屈折が大きく（６０
ｎｍ）、複屈折の周方向の変動も大きい（３０ｎｍ）こ
とがわかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、希土
類−遷移金属アモルファスを記録層に用いた光磁気記録
ディスク用の基板であるポリカーボネートの射出成形に
おいては、スタンパからポリカーボネート基板へのグル
ーブの転写率が低いために、グルーブの底部分のコーナ
ーとランドのコーナーでの曲率半径が大きくなってい
た。また、従来条件では、グルーブの底部分のコーナー
とランドのコーナーでの曲率半径が小さく、ポリカーボ
ネート基板の複屈折が小さく、且つその周方向の変動が
小さいポリカーボネート基板は得られなかった。これが
結果的に再生時のＲＦ信号のエンベロープの変動を大き
くし、記録，再生におけるＣＮ比を小さくしていた。ま
た、この問題は、グルーブの形成幅を示すトラックピッ
チを１．４μｍから０．８μｍと狭くした時に、より顕
著な問題となっていた。
類−遷移金属アモルファスを記録層に用いた光磁気記録
ディスク用の基板であるポリカーボネートの射出成形に
おいては、スタンパからポリカーボネート基板へのグル
ーブの転写率が低いために、グルーブの底部分のコーナ
ーとランドのコーナーでの曲率半径が大きくなってい
た。また、従来条件では、グルーブの底部分のコーナー
とランドのコーナーでの曲率半径が小さく、ポリカーボ
ネート基板の複屈折が小さく、且つその周方向の変動が
小さいポリカーボネート基板は得られなかった。これが
結果的に再生時のＲＦ信号のエンベロープの変動を大き
くし、記録，再生におけるＣＮ比を小さくしていた。ま
た、この問題は、グルーブの形成幅を示すトラックピッ
チを１．４μｍから０．８μｍと狭くした時に、より顕
著な問題となっていた。
【０００６】従って、本発明は、トラックピッチが狭い
時に顕著になる上記の問題点を解決するためにコーナー
での曲率半径が小さく、ポリカーボネート基板の複屈折
が小さく、且つその周方向での変動が小さいポリカーボ
ネート基板の製造方法を提供し、この製造方法で成形し
たポリカーボネート基板を用いた光磁気記録ディスクに
おいて、記録、再生時のＣＮ比が大きく、再生時のＲＦ
信号のエンベロープの変動を小さくすることを明確にす
るものである。
時に顕著になる上記の問題点を解決するためにコーナー
での曲率半径が小さく、ポリカーボネート基板の複屈折
が小さく、且つその周方向での変動が小さいポリカーボ
ネート基板の製造方法を提供し、この製造方法で成形し
たポリカーボネート基板を用いた光磁気記録ディスクに
おいて、記録、再生時のＣＮ比が大きく、再生時のＲＦ
信号のエンベロープの変動を小さくすることを明確にす
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、従来よりポリカーボネート基板の射出成形時の
金型温度と加熱筒温度を高くし、型締圧力を強くし、樹
脂射出速度を速くし、さらに、冷却時間を長くした。
ために、従来よりポリカーボネート基板の射出成形時の
金型温度と加熱筒温度を高くし、型締圧力を強くし、樹
脂射出速度を速くし、さらに、冷却時間を長くした。
【０００８】
【実施の形態】本発明の実施形態を図と表を参照しつつ
説明する。ポリカーボネート基板の射出成形には、図１
に示すように金型温度１ｔ、型締圧力２ｐ、樹脂射出速
度３’、加熱筒温度４ｔ、及び冷却時間が大きな影響を
与えるが、本実施例では、トラックピッチを１．４μ
ｍ，グルーブとランドの幅を１：１とし、表１の実施例
１の条件で成形した。成形した基板の転写率をスタンパ
のグルーブ深さに対するポリカーボネート基板のグルー
ブの深さの比で表すと、９０％以上と高い転写率が得ら
れた。この基板の表面状態をＡＦＭで測定した結果を図
４に示す。図４（ｂ）のＡＦＭデータよりグルーブとラ
ンドのコーナーでの曲率半径を算出した結果、３５ｎｍ
であった。また、この基板の複屈折を波長６３３ｎｍの
Ｈｅ−Ｎｅレーザを用いて測定した結果、絶対値の最大
値は２２ｎｍ（ダブルパス）であり、且つ、周方向の変
動は８ｎｍ以下であった。
説明する。ポリカーボネート基板の射出成形には、図１
に示すように金型温度１ｔ、型締圧力２ｐ、樹脂射出速
度３’、加熱筒温度４ｔ、及び冷却時間が大きな影響を
与えるが、本実施例では、トラックピッチを１．４μ
ｍ，グルーブとランドの幅を１：１とし、表１の実施例
１の条件で成形した。成形した基板の転写率をスタンパ
のグルーブ深さに対するポリカーボネート基板のグルー
ブの深さの比で表すと、９０％以上と高い転写率が得ら
れた。この基板の表面状態をＡＦＭで測定した結果を図
４に示す。図４（ｂ）のＡＦＭデータよりグルーブとラ
ンドのコーナーでの曲率半径を算出した結果、３５ｎｍ
であった。また、この基板の複屈折を波長６３３ｎｍの
Ｈｅ−Ｎｅレーザを用いて測定した結果、絶対値の最大
値は２２ｎｍ（ダブルパス）であり、且つ、周方向の変
動は８ｎｍ以下であった。
【０００９】このポリカーボネート基板上に図５に示す
構造の光磁気記録ディスク２０を作製した。即ち、基板
６上に保護層としてＳｉＮ７を１１００Å、ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏアモルファス垂直磁化膜８を３００Å、保護層と
してＳｉＮ９を５００Å、反射層兼熱拡散層としてＡｌ
Ｔｉ１０を５００Å、紫外線硬化型樹脂からなるオーバ
ーコート層１１を１０μｍ、順次、堆積した構造であ
る。また、ＳｉＮ７，９、ＧｄＤｙＦｅＣｏアモルファ
ス垂直磁化膜８、ＡｌＴｉ１０の各層は、いずれもスパ
ッタ法により堆積し、オーバーコート層１１はスピンコ
ートにより形成した。保護層としてのＳｉＮ７，９、Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏアモルファス垂直磁化膜８、ＡｌＴｉ１
０の各層のスパッタ条件を表１に示す。今回、示した条
件で作製した光磁気ディスクにおいては、ポリカーボネ
ート基板の表面状態を反映して各層が堆積することを、
グルーブの底部分のコーナーとランドのコーナーでの曲
率半径等から確認している。
構造の光磁気記録ディスク２０を作製した。即ち、基板
６上に保護層としてＳｉＮ７を１１００Å、ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏアモルファス垂直磁化膜８を３００Å、保護層と
してＳｉＮ９を５００Å、反射層兼熱拡散層としてＡｌ
Ｔｉ１０を５００Å、紫外線硬化型樹脂からなるオーバ
ーコート層１１を１０μｍ、順次、堆積した構造であ
る。また、ＳｉＮ７，９、ＧｄＤｙＦｅＣｏアモルファ
ス垂直磁化膜８、ＡｌＴｉ１０の各層は、いずれもスパ
ッタ法により堆積し、オーバーコート層１１はスピンコ
ートにより形成した。保護層としてのＳｉＮ７，９、Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏアモルファス垂直磁化膜８、ＡｌＴｉ１
０の各層のスパッタ条件を表１に示す。今回、示した条
件で作製した光磁気ディスクにおいては、ポリカーボネ
ート基板の表面状態を反映して各層が堆積することを、
グルーブの底部分のコーナーとランドのコーナーでの曲
率半径等から確認している。
【００１０】
【表１】
【００１１】作製した光磁気ディスクにレーザー波長８
３０ｎｍ，記録線速度２ｍ／ｓ，記録レーザーパワー
４．０ｍＷ，キャリア周波数５００ｋＨｚ，トラックピ
ッチ１．４μｍの条件で光磁気記録を行い、その情報を
ＤＣ結合で再生したＲＦ出力の出力波形は図６に示すよ
うに均一なエンベロープ波形が得られ、その変動割合
は、５％以内であった。また、ＣＮ比は４５．２ｄＢ
で、光磁気記録に十分使用できる値である。
３０ｎｍ，記録線速度２ｍ／ｓ，記録レーザーパワー
４．０ｍＷ，キャリア周波数５００ｋＨｚ，トラックピ
ッチ１．４μｍの条件で光磁気記録を行い、その情報を
ＤＣ結合で再生したＲＦ出力の出力波形は図６に示すよ
うに均一なエンベロープ波形が得られ、その変動割合
は、５％以内であった。また、ＣＮ比は４５．２ｄＢ
で、光磁気記録に十分使用できる値である。
【００１２】次に、トラックピッチを１．２，１．０，
０．８μｍとした場合について示す。ポリカーボネート
基板の作製条件は、トラックピッチが１．２，１．０，
０．８μｍに対して、それぞれ、表２の実施例２，実施
例３，実施例４が対応する。成形したポリカーボネート
基板においては、いずれの場合も実施例１と同様に９０
％以上の高い転写率であった。各条件で作成したポリカ
ーボネート基板上に実施例１と同様の条件で保護層７，
９、ＧｄＤｙＦｅＣｏアモルファス垂直磁化膜８、Ａｌ
Ｔｉ１０等を形成し、曲率半径、ＣＮ比等の物性を測定
した結果、表３に示すように、いずれの場合も、曲率半
径は５０ｎｍ以下、複屈折は２５ｎｍ以下、複屈折の周
方向の変動は１０ｎｍ以下であり、実施例１の場合と同
様の結果が得られた。また、記録、再生特性を表すＣＮ
比は従来の値より大きなＣＮ比が得られ、ＲＦ変動も５
％以下と小さい。
０．８μｍとした場合について示す。ポリカーボネート
基板の作製条件は、トラックピッチが１．２，１．０，
０．８μｍに対して、それぞれ、表２の実施例２，実施
例３，実施例４が対応する。成形したポリカーボネート
基板においては、いずれの場合も実施例１と同様に９０
％以上の高い転写率であった。各条件で作成したポリカ
ーボネート基板上に実施例１と同様の条件で保護層７，
９、ＧｄＤｙＦｅＣｏアモルファス垂直磁化膜８、Ａｌ
Ｔｉ１０等を形成し、曲率半径、ＣＮ比等の物性を測定
した結果、表３に示すように、いずれの場合も、曲率半
径は５０ｎｍ以下、複屈折は２５ｎｍ以下、複屈折の周
方向の変動は１０ｎｍ以下であり、実施例１の場合と同
様の結果が得られた。また、記録、再生特性を表すＣＮ
比は従来の値より大きなＣＮ比が得られ、ＲＦ変動も５
％以下と小さい。
【００１３】
【表２】
【００１４】
【表３】
【００１５】以上、述べたように表２の条件で成形する
ことにより、表３に示すようにトラックピッチの狭い領
域０．８〜１．４μｍにおいて初期の目的を達成するこ
とができた。また、表３はスタンパのグルーブの深さが
約７０ｎｍの場合について示したが、スタンパのグルー
ブの深さが５０〜１４０ｎｍの範囲で表２の条件は有効
である。
ことにより、表３に示すようにトラックピッチの狭い領
域０．８〜１．４μｍにおいて初期の目的を達成するこ
とができた。また、表３はスタンパのグルーブの深さが
約７０ｎｍの場合について示したが、スタンパのグルー
ブの深さが５０〜１４０ｎｍの範囲で表２の条件は有効
である。
【００１６】ポリカーボネート基板の射出成形の条件を
表２の条件以外にも検討した。その結果を表４に示す。
表４中の評価の欄で○はグルーブの底部分とランドのコ
ーナーでの曲率半径が５０ｎｍ以下、ポリカーボネート
基板の複屈折が４０ｎｍ以下、その複屈折の周方向の変
動が１０ｎｍ以下であることを同時に満たすことを示
す。また、×は曲率半径が５０ｎｍ以下、複屈折が４０
ｎｍ以下、その複屈折の変動が１０ｎｍ以下であること
のうち１つでも基準値を越える事を示す。金型温度が１
３５℃，樹脂射出速度が１５０ｍｍ／ｓ，冷却時間が１
０秒の場合には、型締圧力が２００，２５０ｋｇ／ｃｍ
2では、曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以
下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たさ
ず、３００ｋｇ／ｃｍ2で、曲率半径が５０ｎｍ以下，
複屈折が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以
下を同時に満たす。しかし、この条件でも、樹脂射出速
度を１５０ｍｍ／ｓから３００ｍｍ／ｓに速くすると曲
率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その複
屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たさなくなる。ま
た、金型温度が１３０℃，樹脂射出速度が１５０ｍｍ／
ｓ，冷却時間が９秒の場合には、金型温度が１３５℃の
時、曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，
その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たさなかっ
た２５０ｋｇ／ｃｍ2の型締圧力でも曲率半径が５０ｎ
ｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１
０ｎｍ以下を同時に満たす。しかし、この場合も、樹脂
射出速度を１５０ｍｍ／ｓから２００，３００ｍｍ／ｓ
と速くすると曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎ
ｍ以下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満た
さなくなる。さらに、金型温度が１２０℃，樹脂射出速
度が１５０ｍｍ／ｓ，冷却時間が１１秒の場合には、金
型温度１３０℃の時、曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折
が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同
時に満たさなかった２００ｋｇ／ｃｍ2の型締圧力でも
曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その
複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たすようにな
る。この条件では、冷却時間を１１秒から９秒に短縮し
ても曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，
その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たすが、冷
却時間をさらに８．５秒に短縮すると型締圧力を２５
０，３００ｋｇ／ｃｍ2と強くしても曲率半径が５０ｎ
ｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１
０ｎｍ以下を同時に満たさなくなる。金型温度が１２０
℃，樹脂射出速度が１５０ｍｍ／ｓ，冷却時間が９秒の
条件において、樹脂射出速度を１５０ｍｍ／ｓから２５
０ｍｍ／ｓと速くしても曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈
折が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を
同時に満たす。現在、金型温度１１０℃においては、曲
率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その複
屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たす条件はない。
表２の条件以外にも検討した。その結果を表４に示す。
表４中の評価の欄で○はグルーブの底部分とランドのコ
ーナーでの曲率半径が５０ｎｍ以下、ポリカーボネート
基板の複屈折が４０ｎｍ以下、その複屈折の周方向の変
動が１０ｎｍ以下であることを同時に満たすことを示
す。また、×は曲率半径が５０ｎｍ以下、複屈折が４０
ｎｍ以下、その複屈折の変動が１０ｎｍ以下であること
のうち１つでも基準値を越える事を示す。金型温度が１
３５℃，樹脂射出速度が１５０ｍｍ／ｓ，冷却時間が１
０秒の場合には、型締圧力が２００，２５０ｋｇ／ｃｍ
2では、曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以
下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たさ
ず、３００ｋｇ／ｃｍ2で、曲率半径が５０ｎｍ以下，
複屈折が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以
下を同時に満たす。しかし、この条件でも、樹脂射出速
度を１５０ｍｍ／ｓから３００ｍｍ／ｓに速くすると曲
率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その複
屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たさなくなる。ま
た、金型温度が１３０℃，樹脂射出速度が１５０ｍｍ／
ｓ，冷却時間が９秒の場合には、金型温度が１３５℃の
時、曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，
その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たさなかっ
た２５０ｋｇ／ｃｍ2の型締圧力でも曲率半径が５０ｎ
ｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１
０ｎｍ以下を同時に満たす。しかし、この場合も、樹脂
射出速度を１５０ｍｍ／ｓから２００，３００ｍｍ／ｓ
と速くすると曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎ
ｍ以下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満た
さなくなる。さらに、金型温度が１２０℃，樹脂射出速
度が１５０ｍｍ／ｓ，冷却時間が１１秒の場合には、金
型温度１３０℃の時、曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折
が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同
時に満たさなかった２００ｋｇ／ｃｍ2の型締圧力でも
曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その
複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たすようにな
る。この条件では、冷却時間を１１秒から９秒に短縮し
ても曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，
その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たすが、冷
却時間をさらに８．５秒に短縮すると型締圧力を２５
０，３００ｋｇ／ｃｍ2と強くしても曲率半径が５０ｎ
ｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１
０ｎｍ以下を同時に満たさなくなる。金型温度が１２０
℃，樹脂射出速度が１５０ｍｍ／ｓ，冷却時間が９秒の
条件において、樹脂射出速度を１５０ｍｍ／ｓから２５
０ｍｍ／ｓと速くしても曲率半径が５０ｎｍ以下，複屈
折が４０ｎｍ以下，その複屈折の変動が１０ｎｍ以下を
同時に満たす。現在、金型温度１１０℃においては、曲
率半径が５０ｎｍ以下，複屈折が４０ｎｍ以下，その複
屈折の変動が１０ｎｍ以下を同時に満たす条件はない。
【００１７】
【表４】
【００１８】実際のディスクにおいては、一枚のディス
ク内での均一性が重要となる。そこで、ディスクの特性
に大きく影響を与えるポリカーボネート基板成形時の転
写率の均一性について調べた。用いたディスクの直径は
１２０ｍｍΦである。本発明における転写率について
は、半径２２ｍｍで周方向のばらつきは３．０％，半径
３８ｍｍで周方向のばらつきは３．１％，半径５０ｍｍ
で周方向のばらつきは２．９％であり、半径方向のばら
つきは、半径２５〜５５ｍｍの範囲で５％以下であっ
た。次に、本発明と従来例におけるポリカーボネート基
板の複屈折の各半径における周方向の変動を表５に示
す。表５で変動の値は、ある半径において周方向の８点
で測定して変動値を求めた。本発明では、半径２３〜５
４ｍｍの領域で変動が１１ｎｍ以下と従来例の約半分に
なることがわかった。
ク内での均一性が重要となる。そこで、ディスクの特性
に大きく影響を与えるポリカーボネート基板成形時の転
写率の均一性について調べた。用いたディスクの直径は
１２０ｍｍΦである。本発明における転写率について
は、半径２２ｍｍで周方向のばらつきは３．０％，半径
３８ｍｍで周方向のばらつきは３．１％，半径５０ｍｍ
で周方向のばらつきは２．９％であり、半径方向のばら
つきは、半径２５〜５５ｍｍの範囲で５％以下であっ
た。次に、本発明と従来例におけるポリカーボネート基
板の複屈折の各半径における周方向の変動を表５に示
す。表５で変動の値は、ある半径において周方向の８点
で測定して変動値を求めた。本発明では、半径２３〜５
４ｍｍの領域で変動が１１ｎｍ以下と従来例の約半分に
なることがわかった。
【００１９】以上より、本発明により均一性に優れたポ
リカーボネート基板を射出成形することができる。
リカーボネート基板を射出成形することができる。
【００２０】
【表５】
【００２１】
【発明の効果】本発明により、希土類−遷移金属アモル
ファスを記録層に用いた光磁気記録ディスクの記録、再
生時のＣＮ比を大きくし、再生時のＲＦ信号のエンベロ
ープの変動を小さくするために必要であるグルーブの底
部分のコーナーとランドのコーナーでの曲率半径が５０
ｎｍ以下、ポリカーボネート基板の複屈折が４０ｎｍ以
下、且つその周方向での変動が１０ｎｍ以下であるポリ
カーボネート基板をトラックピッチ０．８〜１．４μｍ
の範囲で製造することができる。また、本発明によるポ
リカーボネート基板を用いた光磁気記録ディスクにおい
て、記録、再生時のＣＮ比を大きくし、再生時のＲＦ信
号のエンベロープの変動を小さくすることができる。さ
らに、均一性に優れた直径１２０ｍｍΦのディスク用ポ
リカーボネート基板を射出成形することができる。
ファスを記録層に用いた光磁気記録ディスクの記録、再
生時のＣＮ比を大きくし、再生時のＲＦ信号のエンベロ
ープの変動を小さくするために必要であるグルーブの底
部分のコーナーとランドのコーナーでの曲率半径が５０
ｎｍ以下、ポリカーボネート基板の複屈折が４０ｎｍ以
下、且つその周方向での変動が１０ｎｍ以下であるポリ
カーボネート基板をトラックピッチ０．８〜１．４μｍ
の範囲で製造することができる。また、本発明によるポ
リカーボネート基板を用いた光磁気記録ディスクにおい
て、記録、再生時のＣＮ比を大きくし、再生時のＲＦ信
号のエンベロープの変動を小さくすることができる。さ
らに、均一性に優れた直径１２０ｍｍΦのディスク用ポ
リカーボネート基板を射出成形することができる。
【図１】射出成形の工程を表す図である。
【図２】従来条件でのポリカーボネート基板のＡＦＭ測
定結果である。
定結果である。
【図３】従来の光磁気記録ディスクの再生時のＲＦ信号
を表す図である。
を表す図である。
【図４】本発明におけるポリカーボネート基板のＡＦＭ
測定結果である。
測定結果である。
【図５】本発明における光磁気記録ディスクの断面構造
を表す図である。
を表す図である。
【図６】本発明における光磁気記録ディスクの再生時の
ＲＦ信号を表す図である。
ＲＦ信号を表す図である。
１・・・・・・金型 １ｔ・・・・・金型の温度 １’・・・・・スタンパ ２・・・・・・ポリカーボネート基板 ２ｐ・・・・・圧力 ３・・・・・・溶解樹脂 ３ｃ・・・・・スクリュ ３’・・・・・樹脂射出速度 ４・・・・・・加熱筒 ４ｔ・・・・・加熱筒温度 ５・・・・・・型締シリンダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｃ 45/74 9350−4Ｆ Ｂ２９Ｃ 45/74 45/77 7365−4Ｆ 45/77
Claims (2)
- 【請求項１】 グルーブ形成用のスタンパと、ポリカー
ボネートを溶融する加熱筒と、溶融した樹脂を射出する
射出口と、型締をするための型締圧力を加える手段とか
ら成る射出成形装置を用いて光磁気記録媒体用基板を成
形する方法において、 金型温度を１１８〜１３５℃、 型締圧力を２００〜３００ｋｇ/ｃｍ2、 樹脂射出速度を１５０〜２００ｍｍ/ｓ、 加熱筒温度を３１０〜３４０℃、 冷却時間を９〜１６秒、としたことを特徴とする光磁気
記録媒体用基板の製造方法。 - 【請求項２】 グルーブ形成用のスタンパと、ポリカー
ボネートを溶融する加熱筒と、溶融した樹脂を射出する
射出口と、型締をするための型締圧力を加える手段とか
ら成る射出成形装置を用いて光磁気記録媒体用基板を成
形する方法において、 金型温度を１１８〜１３５℃、 型締圧力を２００〜３００ｋｇ/ｃｍ2、 樹脂射出速度を１５０〜２００ｍｍ/ｓ、 加熱筒温度を３１０〜３４０℃、 冷却時間を９〜１６秒、とした光磁気記録媒体用基板の
製造方法を用いて成形したことを特徴とする光磁気記録
媒体用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224394A JPH0973675A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光磁気記録媒体用基板の製造方法とその方法を用いた光磁気記録媒体用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224394A JPH0973675A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光磁気記録媒体用基板の製造方法とその方法を用いた光磁気記録媒体用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973675A true JPH0973675A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16813069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7224394A Pending JPH0973675A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光磁気記録媒体用基板の製造方法とその方法を用いた光磁気記録媒体用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0973675A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012514280A (ja) * | 2008-12-25 | 2012-06-21 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | 高速光ディスク用基板材料 |
-
1995
- 1995-08-31 JP JP7224394A patent/JPH0973675A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012514280A (ja) * | 2008-12-25 | 2012-06-21 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | 高速光ディスク用基板材料 |
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