JPH0437908Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0437908Y2 JPH0437908Y2 JP17569886U JP17569886U JPH0437908Y2 JP H0437908 Y2 JPH0437908 Y2 JP H0437908Y2 JP 17569886 U JP17569886 U JP 17569886U JP 17569886 U JP17569886 U JP 17569886U JP H0437908 Y2 JPH0437908 Y2 JP H0437908Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- shutter
- molecular beam
- beam source
- irradiation means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、化合物半導体などの薄膜作成に使用
される分子線エピタキシヤル成長装置（MBE）
に関するものである。
される分子線エピタキシヤル成長装置（MBE）
に関するものである。
（従来の技術）
分子線エピタキシヤル成長装置では、チヤンバ
内の超高真空中で基板に分子線源を対向させ、分
子線源から成膜用材料を蒸発させて基板上に結晶
を成長させる。
内の超高真空中で基板に分子線源を対向させ、分
子線源から成膜用材料を蒸発させて基板上に結晶
を成長させる。
従来は基板上に所要の膜厚の薄膜を成長させる
までは、分子線源から連続して成膜用材料を蒸発
させ付着させていた。
までは、分子線源から連続して成膜用材料を蒸発
させ付着させていた。
（考案が解決しようとする問題点）
基板上に結晶成長をさせるには、基板に到達し
た原子が基板又は結晶の表面を移動して凹凸をな
くす方向に整然と配列する必要がある。もし、基
板又は結晶の表面での原子の移動が十分に行なわ
れない状態で原子が次々と飛来して積層される
と、不規則性が固定化し、成長した結晶が不完全
なものになつてしまう。
た原子が基板又は結晶の表面を移動して凹凸をな
くす方向に整然と配列する必要がある。もし、基
板又は結晶の表面での原子の移動が十分に行なわ
れない状態で原子が次々と飛来して積層される
と、不規則性が固定化し、成長した結晶が不完全
なものになつてしまう。
本考案は、分子線エピタキシヤル成長装置にお
いて、基板に到達した原子の表面移動を促進させ
ることによつて、一層完全な結晶を成長させるこ
とを目的とするものである。
いて、基板に到達した原子の表面移動を促進させ
ることによつて、一層完全な結晶を成長させるこ
とを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本考案の分子線エピタキシヤル成長装置では、
薄膜を成長させる基板と分子線源の間にシヤツタ
を設け、前記基板を照射する光励起用照射手段を
設け、この照射手段と前記基板との間にもシヤツ
タを設け、前記分子線源用シヤツタと前記照射手
段用シヤツタを交互に開閉動作させながら基板上
に薄膜を成長させていく。
薄膜を成長させる基板と分子線源の間にシヤツタ
を設け、前記基板を照射する光励起用照射手段を
設け、この照射手段と前記基板との間にもシヤツ
タを設け、前記分子線源用シヤツタと前記照射手
段用シヤツタを交互に開閉動作させながら基板上
に薄膜を成長させていく。
（作用）
第３図に示されるように、分子線源からは成膜
用材料が連続的に蒸発又は放出されている。分子
線源用シヤツタを一定時間開いて基板上に膜を付
着させた後、分子線源用シヤツタを閉じ、所定時
間後に再び分子線源用シヤツタを一定時間開く。
分子線源用シヤツタを閉じている間は光励起用照
射手段のシヤツタを開けて基板表面に光照射を行
なう。この光照射によつて基板表面上又は結晶表
面上の原子の拡散移動が促進される。
用材料が連続的に蒸発又は放出されている。分子
線源用シヤツタを一定時間開いて基板上に膜を付
着させた後、分子線源用シヤツタを閉じ、所定時
間後に再び分子線源用シヤツタを一定時間開く。
分子線源用シヤツタを閉じている間は光励起用照
射手段のシヤツタを開けて基板表面に光照射を行
なう。この光照射によつて基板表面上又は結晶表
面上の原子の拡散移動が促進される。
このように、分子線源用シヤツタを開け照射手
段用シヤツタを閉じて成膜用材料を付着させる工
程と、照射手段用シヤツタを開け分子線源用シヤ
ツタを閉じて付着原子の表面移動を促進させる工
程とを繰り返すことによつて、一層完全な結晶薄
膜を成長させる。
段用シヤツタを閉じて成膜用材料を付着させる工
程と、照射手段用シヤツタを開け分子線源用シヤ
ツタを閉じて付着原子の表面移動を促進させる工
程とを繰り返すことによつて、一層完全な結晶薄
膜を成長させる。
（実施例）
第１図は本考案の一実施例を概略的に表わす。
２はチヤンバであり、真空排気系４によつてチ
ヤンバ内が超高真空に排気される。チヤンバ２内
では基板６が基板加熱ホルダー８に取りつけら
れ、加熱される。１０，１２は分子線源としての
蒸発源であり、蒸発源１０，１２は固体の成膜用
材料を加熱することによつて蒸発させる形式のも
のである。蒸発源１０，１２からの分子線１４，
１６は基板６の表面に到達し、薄膜２０を形成す
る。
ヤンバ内が超高真空に排気される。チヤンバ２内
では基板６が基板加熱ホルダー８に取りつけら
れ、加熱される。１０，１２は分子線源としての
蒸発源であり、蒸発源１０，１２は固体の成膜用
材料を加熱することによつて蒸発させる形式のも
のである。蒸発源１０，１２からの分子線１４，
１６は基板６の表面に到達し、薄膜２０を形成す
る。
チヤンバ２内で蒸発源１０，１２と基板６の間
にはそれぞれシヤツタ２２，２４が設けられてい
る。蒸発源１０，１２から成膜材料を連続して蒸
発させておき、シヤツタ２２，２４を開閉するこ
とによつて、蒸発源１０，１２から基板６へ 分
子線１４，１６が飛来したり遮断されたりする。
にはそれぞれシヤツタ２２，２４が設けられてい
る。蒸発源１０，１２から成膜材料を連続して蒸
発させておき、シヤツタ２２，２４を開閉するこ
とによつて、蒸発源１０，１２から基板６へ 分
子線１４，１６が飛来したり遮断されたりする。
チヤンバ２の光透過窓２６の外側には光励起用
照射手段としての光源２８が設けられ、光源２８
からの光は光透過窓２６を通して基板６の表面に
照射される。光源２８としては水銀ランプやレー
ザなどが使用される。チヤンバ２内で光源２８か
ら基板８への光路には、光源２８から基板８への
光照射を遮断することのできるシヤツタ３０が設
けられている。
照射手段としての光源２８が設けられ、光源２８
からの光は光透過窓２６を通して基板６の表面に
照射される。光源２８としては水銀ランプやレー
ザなどが使用される。チヤンバ２内で光源２８か
ら基板８への光路には、光源２８から基板８への
光照射を遮断することのできるシヤツタ３０が設
けられている。
シヤツタ２２は、例えば第２図に示されるよう
に、チヤンバ２に取りつけられた回転導入機３２
の回転軸３４に取りつけることによつて、チヤン
バ２の外部から開閉操作することができる。シヤ
ツタ２４，３０についても同じ構造である。
に、チヤンバ２に取りつけられた回転導入機３２
の回転軸３４に取りつけることによつて、チヤン
バ２の外部から開閉操作することができる。シヤ
ツタ２４，３０についても同じ構造である。
本実施例ではシヤツタ２２，２４を閉にした状
態で基板６を基板加熱ホルダー８によつて加熱
し、蒸発源１０，１２に通電をして蒸発を行な
う。例えば、蒸発源１０からは族元素を蒸発さ
せ、蒸発源１２からは族元素を蒸発させるもの
とする。
態で基板６を基板加熱ホルダー８によつて加熱
し、蒸発源１０，１２に通電をして蒸発を行な
う。例えば、蒸発源１０からは族元素を蒸発さ
せ、蒸発源１２からは族元素を蒸発させるもの
とする。
蒸発源１０，１２からの蒸発が安定し、基板８
の温度が一定になつた状態で、第３図に示される
ように、シヤツタ２２，２４とシヤツタ３０を交
互に開閉し、基板８上への成膜用材料の付着と表
面での原子の移動を交互に繰り返していく。
の温度が一定になつた状態で、第３図に示される
ように、シヤツタ２２，２４とシヤツタ３０を交
互に開閉し、基板８上への成膜用材料の付着と表
面での原子の移動を交互に繰り返していく。
シヤツタ２２，２４，３０の開閉動作は、回転
導入機３２をコントローラを介してモータ駆動す
ることによつて自動的に行なう。
導入機３２をコントローラを介してモータ駆動す
ることによつて自動的に行なう。
シヤツタ２２，２４を開けて基板８に成膜用材
料を付着させている期間、シヤツタ３０を閉にし
て光の照射を遮断しているのは、成膜用材料がチ
ヤンバ２内の空間で光励起反応を起こすのを避け
るためである。
料を付着させている期間、シヤツタ３０を閉にし
て光の照射を遮断しているのは、成膜用材料がチ
ヤンバ２内の空間で光励起反応を起こすのを避け
るためである。
上記の実施例では分子線源として固体原料を使
用する蒸発源１０，１２を使用しているが、ガス
ソースを用いた分子線源を使用する場合でも本考
案は全く同様に適用することができる。
用する蒸発源１０，１２を使用しているが、ガス
ソースを用いた分子線源を使用する場合でも本考
案は全く同様に適用することができる。
（考案の効果）
本考案の分子線エピタキシヤル成長装置では、
薄膜を成長させる基板と分子線源の間にシヤツタ
を設け、前記基板を照射する光励起用照射手段を
設け、この照射手段と前記基板との間にもシヤツ
タを設け、分子線源用シヤツタと照射手段用シヤ
ツタを交互に開閉動作させるので、基板への付着
原子の移動、すなわち基板又は結晶の表面での拡
散移動が促進され、原子層の凹凸がなくなつて順
次平坦面を形成しながら結晶成長が行なわれてい
く。そのため、形成されるエピタキシヤル成長層
の結晶性が完全なものとなる。
薄膜を成長させる基板と分子線源の間にシヤツタ
を設け、前記基板を照射する光励起用照射手段を
設け、この照射手段と前記基板との間にもシヤツ
タを設け、分子線源用シヤツタと照射手段用シヤ
ツタを交互に開閉動作させるので、基板への付着
原子の移動、すなわち基板又は結晶の表面での拡
散移動が促進され、原子層の凹凸がなくなつて順
次平坦面を形成しながら結晶成長が行なわれてい
く。そのため、形成されるエピタキシヤル成長層
の結晶性が完全なものとなる。
第１図は本考案の一実施例を示す概略断面図、
第２図はシヤツタ機構を示す概略断面図、第３図
は同実施例の動作を示す波形図である。 ２……チヤンバ、６……基板、８……基板加熱
ホルダー、１０，１２……蒸発源、２０……薄
膜、２２，２４……蒸発源用シヤツタ、２８……
光励起用光源、３０……光源用シヤツタ。
第２図はシヤツタ機構を示す概略断面図、第３図
は同実施例の動作を示す波形図である。 ２……チヤンバ、６……基板、８……基板加熱
ホルダー、１０，１２……蒸発源、２０……薄
膜、２２，２４……蒸発源用シヤツタ、２８……
光励起用光源、３０……光源用シヤツタ。
Claims (1)
- 薄膜を成長させる基板と分子線源の間にシヤツ
タを設け、前記基板を照射する光励起用照射手段
を設け、この照射手段と前記基板との間にもシヤ
ツタを設け、前記分子線源用シヤツタと前記照射
手段用シヤツタを交互に開閉動作させる分子線エ
ピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17569886U JPH0437908Y2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17569886U JPH0437908Y2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381868U JPS6381868U (ja) | 1988-05-30 |
| JPH0437908Y2 true JPH0437908Y2 (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=31115265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17569886U Expired JPH0437908Y2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0437908Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP17569886U patent/JPH0437908Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6381868U (ja) | 1988-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0834180B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
| JPS63261832A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01305894A (ja) | 薄膜結晶成長装置および成長方法 | |
| JPH0669025B2 (ja) | 半導体結晶成長装置 | |
| JPH03142921A (ja) | ３―５族化合物半導体薄膜製造装置 | |
| JPH04182317A (ja) | 酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPS632920B2 (ja) | ||
| JPS6272113A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPH03150290A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JP2778137B2 (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPS6122618A (ja) | 気相エピタキシヤル結晶成長装置 | |
| JP3500172B2 (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JPS60240119A (ja) | 分子線結晶成長法 | |
| JPS6213018A (ja) | エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS62211929A (ja) | 真空蒸着方式エピタキシヤル成長法とその装置 | |
| JP2759298B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH042553B2 (ja) | ||
| JPS6014430A (ja) | 選択エピタキシヤル結晶成長法 | |
| JPH04303921A (ja) | 半導体薄膜製造装置 | |
| RU1484191C (ru) | Способ получени монокристаллических пленок полупроводниковых материалов | |
| JPH02180793A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JPH05201792A (ja) | 薄膜結晶製造装置 | |
| JPH0687688A (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JPH06108250A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPH034516A (ja) | 分子線源 |