JPH0438147B2 - - Google Patents
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- JPH0438147B2 JPH0438147B2 JP59031140A JP3114084A JPH0438147B2 JP H0438147 B2 JPH0438147 B2 JP H0438147B2 JP 59031140 A JP59031140 A JP 59031140A JP 3114084 A JP3114084 A JP 3114084A JP H0438147 B2 JPH0438147 B2 JP H0438147B2
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- JP
- Japan
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- silicon oxide
- oxide film
- solar cell
- substrate
- film
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
ａ 産業上の利用分野
本発明は太陽電池基板に関し、特に光電変換効
率の良好な太陽電池基板に関する。 ｂ 従来技術 近年シランガスをグロー放電分解することなど
により作製される非晶質シリコン（ａ−si）を用
いた太陽電池が低コストで製造可能な光電変換装
置の一つとして注目を浴びている。しかしかかる
ａ−si太陽電池においては、その光電変換効率が
他の結晶半導体（結晶Si、GaAsなど）に比べ極
めて低いことが問題となり、これを解決するため
作製方法や電池の構造に対し種々の対策が考案さ
れている。特に電池の表面における光反射損失を
低減し短絡電流を増大させることは重要であり、
このため太陽電池を凹凸構造にして、入射光を電
池内で多重反射屈折させることにより長波長光に
対する収集効率を向上させることが考えられてい
る。しかしながら凹凸の度合いが大き過ぎるとピ
ンホール等の欠陥が発生したり膜厚が不均一にな
りやすく、かえつて太陽電池の特性（特に開放電
圧・良品率）が低下する。従つてこの様な凹凸構
造を有する太陽電池においては、凹凸の程度を最
適化する必要があつた。 ｃ 発明の目的 本発明の目的は、太陽光の収集効率の高い太陽
電池基板を提供することであり、さらに詳しくは
開放電圧および良品率の高い凹凸形状被膜を有す
る太陽電池が得られる太陽電池基板を提供するこ
とである。 ｄ 発明の構成 本発明は、ヘイズ率が１％以上であり、直径
300〜5000Å、高さ200〜3000Åの多数の凸部を持
つた酸化珪素被膜を有することを特徴とする太陽
電池基板である。 ここで本発明の酸化珪素被膜のヘイズ率は航空
機用メタクリル樹脂板の曇価測定法（JIS、Ｋ−
6714（1977））により測定して１％以上であるが、
ヘイズ率１％より小さな酸化珪素被膜では上述の
様な多重反射屈折による太陽電池の効率の向上が
あまり得られないため好ましくない。又本発明の
酸化珪素被膜の有する凹凸形状は、直径300〜
5000Å、高さ200〜3000Åの略おわん状の凹凸形
状である。直径300Åより小さいもの、高さ200Å
より低いものでは高いヘイズ率を実現するため
に、数多い凹凸を必要とし、数多い凹凸形状を形
成することは、生産性が悪くなることが多いので
好ましくない。又直径5000Åより大きなもの、高
さ3000Åより高いものではその上に順次積層する
ａ−SiのＰ層（膜厚約150Å）に亀裂を生じやす
くなるなどの欠点となるため好ましくない。凹凸
の形状は、上部からの圧力などによつて上記ａ−
Si層に亀裂等が生じにくい略おわん状の凹凸が好
まれる。 ここで太陽電池基板として使用出来る基板材料
としては、酸化珪素を含むガラス、セラミツク
ス、プラスチツク等の透明材料があげられる。基
板の厚みは基板材がガラスの場合0.3〜８mmが好
まれ、特に1.1〜3.0mmが好ましい。プラスチツク
材の場合フイルム状から５mm厚程度の板厚を持つ
た状態まで使用出来る。ここで基板の厚みは光の
透過率の極端な低下が起こらず、又太陽電池とし
ての強度の得られる厚みであればどの様な厚みで
あつても良い。 ここで、上記凹凸形状を有する酸化珪素被膜の
形成には、例えば珪弗化水素酸の酸化珪素飽和水
溶液にホウ酸を添加して酸化珪素のかたまりが浮
遊している状態にした処理液中に、処理液が浸漬
した基材表面で0.2〜8.0cm／minの速度で流動す
る状態で基材を浸漬し、基材表面に凹凸形状を有
する酸化珪素被膜を折出させる方法が利用出来
る。 上記透明基材を上記方法で処理することによ
り、直径300〜5000Å、高さ200〜3000Åの略おわ
ん状の凹凸形状を持つた酸化珪素被膜が実現され
る。 又、本発明の酸化珪素被膜は、上記透明基材を
上記方法で処理し、その後さらにその上に酸化珪
素被膜を均一な厚みで作成する事によつても得ら
れる。 ２層目の均一な厚みを有する酸化珪素被膜の作
成には通常の酸化珪素被膜の製造方法が使用出来
る。具体的には、(1)有機シリコン化合物をコーテ
イングした後に400〜500℃に加熱してSiO2焼成
膜を得る方法(2)スパツタ法(3)CVD法(4)珪弗化水
素酸の酸化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加させ
SiO2膜を析出させる方法（特開昭57−196744）
などが挙げられる。 酸化珪素被膜を２層構造とする事は、第１層の
凹凸形状の急傾斜を有する部分を平滑化して、上
部に積層するａ−Si層に亀裂等が発生するのを防
止するため、得られる太陽電池の欠点が少なくな
り、好ましい。ここで第２層を形成する時の好ま
しい厚みは50〜2000Åである。50Åよりうすい厚
みでは上記第２層の効果が十分でなく、又2000Å
より厚いと第１層の凹凸形状がつぶされる事とな
るので好ましくない。特に1000Å前後の膜厚が望
ましい。又第２層の形成は第１層により得られる
ヘイズ率の低下を導くために、酸化珪素被膜を２
層の構造とする時には第１層目においてヘイズ率
が2.5％以上であることが望ましい。第１層のヘ
イズ率が2.5％より少ないと２層目の被覆により
ヘイズ率が小さくなりすぎて凹凸形状の効果が小
さくなり好ましくない。 以下に本発明を実施例に基き説明する。 ｅ 実施例 実施例 １ 大きさが100（mm）×100（mm）の厚味１（mm）のソ
ーダライムガラスを0.5％濃度（重量％）のHF水
溶液中に10分間浸漬した後、十分に洗浄し乾燥し
試料ガラスとした。次に試料を浸漬するための浸
漬槽を用意する。 浸漬槽は外槽１と内槽２から成り、内槽と外槽
の間には水３が満してある。実験では、この水の
温度が35℃となるよう、水はヒーター４で加熱さ
れ、かつ温度分布均一化のため撹拌器５で撹拌さ
れている。内槽は前部６、中部７、後部８から成
り、その各部には２モル／の珪弗化水素酸に酸
化珪素を飽和し、しかる後水で１モル／に希釈
した３の処理液が満たしてある。内槽後部８の
処理液は循環ポンプ１０により内槽前部６へ戻さ
れる。ここで全処理液量に対する１分間当りの処
理液循環量の割合は８％に設定した。（ここで全
処理液量は約３であり、処理槽中部の底面積は
約150cm2であるので、浸漬する基材ガラス表面で
の液流速は約1.6cm／minと予想される。） この反応液に0.5モル／の濃度のホウ酸水溶
液１１を0.2ml／分で連続的に滴下し、10時間保
持した。 その後この反応液に試料９を内槽中央部７に垂
直状に浸漬・保持する。反応処理液の循環および
ホウ酸水溶液の添加を続けながら４時間保持し、
その後試料を取り出し洗浄乾燥した。 得られた被膜の厚みは約1000Åであり、同被膜
の電子顕微鏡観察の結果直径300〜5000Å、高さ
200〜3000Åの略おわん形をした多数の凹凸が見
られた。約10700倍の倍率の電子顕微鏡写真を第
２図に示す。 凹凸の形状、および単位面積あたりの数はその
総合効果として、入射光に対する散乱度合（ヘイ
ズ率）として表わすことが出来る。ここで、得ら
れた表裏両面に凹凸形状を持つた上記試料のヘイ
ズ率は２％であり、試料の両面に凹凸のない
SiO2膜をコートした試料のヘイズ率0.2％とくら
べると大きな値であつた。ここでヘイズ率の測定
は航空機用メタクリル樹脂板の曇価測定法（JIS、
Ｋ−6714（1977））により測定した。 実施例 ２ 処理液の循環量を全処理液量に対し１分間当り
３％（処理液の流速約0.6cm／min）となる様に
変更し、試料の浸漬時間を３時間に変更した以外
は実施例１と同様の方法により試料上に約1000Å
の厚さの酸化珪素被膜を形成した。 得られた酸化珪素被膜は厚み約1000Åの膜であ
り、試料の電子顕微鏡観察により試料には実施例
１と同様の直径300〜5000Å、高さ200〜3000Åの
略おわん形をした多数の凹凸が存在することが確
認された。 又得られた試料両面に凹凸形状を持つた上記試
料のヘイズ率は７％であり、実施例２により得ら
れた試料は実施例１により得られた試料より深い
弧を持つ凹凸の割合または凹凸の数が増加してい
ることが予想される。 実施例 ３ 実施例２によつて製造された凹凸形状を有する
酸化珪素被膜つき基板ガラス（以後A0と呼ぶ）
をリン入り酸化珪素形成液（東京応化工業社製
OCD溶液）に浸漬し、その後500℃で焼成を行な
い膜厚約1000Åの酸化珪素被膜を試料両面に形成
した。（以後この基板をA1と呼ぶ）ヘイズ率は７
％から３％へと変化した。 又同様にA0のガラス基板上にスパツタ法によ
り約200Åの膜厚の酸化珪素被膜を試料片面に形
成した。（以後この基板をA2と呼ぶ）ヘイズ率は
７％から６％へ変化した。 又別に実施例２と同様なガラス基板を珪弗化水
素酸の酸化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加した処
理液に浸漬し平滑度の高い酸化珪素被膜約1000Å
を作成した比較用基板Ｂを作成した。（特願昭58
−137217） これらA0、A1、２層構造側のA2基板、Ｂ基板
を用いてアモルフアスSiの太陽電池を作成した。
作成手順を以下に示す。 基板A0、A1、A2、Ｂ上にモノブチル錫トリク
ロライドの蒸気及びドーパントとしてCH3CHF2
ガスを用いCVD法によつて2000Åの酸化錫透明
導電膜を形成した。次いでモノシラン（SiH4）
ガスを主成分とする原料ガスを用いて100Pa程度
の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装置によ
り、 (1) Ｐ型半導体層（ホウ素ドープのａ−SiC：
Ｈ、約150Å厚） (2) 真性半導体層（ａ−Si：Ｈ、約5000Å厚） (3) ｎ型半導体層（リンドープのマイクロクリス
タリンSi（μc−Si）：Ｈ、約300Å厚） をそれぞれ順番に推積させ、最後にAl電極（約
500Å）を真空中（約10-4Pa）で蒸着法により作
成した。 上記Al電極を作成する際基板上に直径２mmの
穴があいたマスクをのせておき、直径２mmの太陽
電池を20ケ作成した。 得られた太陽電池にAM1の100ｍＷ／cm2の光を
照射し、負荷を無限大とした時の起電力（開放電
圧；Ｖ）および負荷を０とした時の太陽電池単位
表面積あたりの電流値（短絡電流；ｍＡ／cm2）お
よび正常な特性を示す太陽電池の割合（生存率；
％）を測定した。 第１表に得られた測定結果を示す。表より明ら
かな様に凹凸形状を持つ酸化珪素被膜を用いた基
板A0、A1、A2が平滑な酸化珪素被膜を用いた基
板Ｂよりも大きな短絡電流値を示していることが
わかる。又、酸化珪素被膜を２層の構造とするこ
とにより、太陽電池を作成した時により性能が高
く（開放電圧低下の度合が少ない）、より生存率
の高い太陽電池基板が提供されていることがわか
る。 ここで上記実施例では基材として酸化珪素を含
むガラスを用い、又形状も100mm×100mmとし、処
理工程も断続的に行なつたが、前記酸化珪素被膜
は付着被膜であるのでその他のガラス板、プラス
チツク板、セラミツクス板などあらゆる材料を使
用することができる。又形状も100mm×100mmに限
らず大型化出来、又処理工程も酸化珪素の飽和
率の良好な太陽電池基板に関する。 ｂ 従来技術 近年シランガスをグロー放電分解することなど
により作製される非晶質シリコン（ａ−si）を用
いた太陽電池が低コストで製造可能な光電変換装
置の一つとして注目を浴びている。しかしかかる
ａ−si太陽電池においては、その光電変換効率が
他の結晶半導体（結晶Si、GaAsなど）に比べ極
めて低いことが問題となり、これを解決するため
作製方法や電池の構造に対し種々の対策が考案さ
れている。特に電池の表面における光反射損失を
低減し短絡電流を増大させることは重要であり、
このため太陽電池を凹凸構造にして、入射光を電
池内で多重反射屈折させることにより長波長光に
対する収集効率を向上させることが考えられてい
る。しかしながら凹凸の度合いが大き過ぎるとピ
ンホール等の欠陥が発生したり膜厚が不均一にな
りやすく、かえつて太陽電池の特性（特に開放電
圧・良品率）が低下する。従つてこの様な凹凸構
造を有する太陽電池においては、凹凸の程度を最
適化する必要があつた。 ｃ 発明の目的 本発明の目的は、太陽光の収集効率の高い太陽
電池基板を提供することであり、さらに詳しくは
開放電圧および良品率の高い凹凸形状被膜を有す
る太陽電池が得られる太陽電池基板を提供するこ
とである。 ｄ 発明の構成 本発明は、ヘイズ率が１％以上であり、直径
300〜5000Å、高さ200〜3000Åの多数の凸部を持
つた酸化珪素被膜を有することを特徴とする太陽
電池基板である。 ここで本発明の酸化珪素被膜のヘイズ率は航空
機用メタクリル樹脂板の曇価測定法（JIS、Ｋ−
6714（1977））により測定して１％以上であるが、
ヘイズ率１％より小さな酸化珪素被膜では上述の
様な多重反射屈折による太陽電池の効率の向上が
あまり得られないため好ましくない。又本発明の
酸化珪素被膜の有する凹凸形状は、直径300〜
5000Å、高さ200〜3000Åの略おわん状の凹凸形
状である。直径300Åより小さいもの、高さ200Å
より低いものでは高いヘイズ率を実現するため
に、数多い凹凸を必要とし、数多い凹凸形状を形
成することは、生産性が悪くなることが多いので
好ましくない。又直径5000Åより大きなもの、高
さ3000Åより高いものではその上に順次積層する
ａ−SiのＰ層（膜厚約150Å）に亀裂を生じやす
くなるなどの欠点となるため好ましくない。凹凸
の形状は、上部からの圧力などによつて上記ａ−
Si層に亀裂等が生じにくい略おわん状の凹凸が好
まれる。 ここで太陽電池基板として使用出来る基板材料
としては、酸化珪素を含むガラス、セラミツク
ス、プラスチツク等の透明材料があげられる。基
板の厚みは基板材がガラスの場合0.3〜８mmが好
まれ、特に1.1〜3.0mmが好ましい。プラスチツク
材の場合フイルム状から５mm厚程度の板厚を持つ
た状態まで使用出来る。ここで基板の厚みは光の
透過率の極端な低下が起こらず、又太陽電池とし
ての強度の得られる厚みであればどの様な厚みで
あつても良い。 ここで、上記凹凸形状を有する酸化珪素被膜の
形成には、例えば珪弗化水素酸の酸化珪素飽和水
溶液にホウ酸を添加して酸化珪素のかたまりが浮
遊している状態にした処理液中に、処理液が浸漬
した基材表面で0.2〜8.0cm／minの速度で流動す
る状態で基材を浸漬し、基材表面に凹凸形状を有
する酸化珪素被膜を折出させる方法が利用出来
る。 上記透明基材を上記方法で処理することによ
り、直径300〜5000Å、高さ200〜3000Åの略おわ
ん状の凹凸形状を持つた酸化珪素被膜が実現され
る。 又、本発明の酸化珪素被膜は、上記透明基材を
上記方法で処理し、その後さらにその上に酸化珪
素被膜を均一な厚みで作成する事によつても得ら
れる。 ２層目の均一な厚みを有する酸化珪素被膜の作
成には通常の酸化珪素被膜の製造方法が使用出来
る。具体的には、(1)有機シリコン化合物をコーテ
イングした後に400〜500℃に加熱してSiO2焼成
膜を得る方法(2)スパツタ法(3)CVD法(4)珪弗化水
素酸の酸化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加させ
SiO2膜を析出させる方法（特開昭57−196744）
などが挙げられる。 酸化珪素被膜を２層構造とする事は、第１層の
凹凸形状の急傾斜を有する部分を平滑化して、上
部に積層するａ−Si層に亀裂等が発生するのを防
止するため、得られる太陽電池の欠点が少なくな
り、好ましい。ここで第２層を形成する時の好ま
しい厚みは50〜2000Åである。50Åよりうすい厚
みでは上記第２層の効果が十分でなく、又2000Å
より厚いと第１層の凹凸形状がつぶされる事とな
るので好ましくない。特に1000Å前後の膜厚が望
ましい。又第２層の形成は第１層により得られる
ヘイズ率の低下を導くために、酸化珪素被膜を２
層の構造とする時には第１層目においてヘイズ率
が2.5％以上であることが望ましい。第１層のヘ
イズ率が2.5％より少ないと２層目の被覆により
ヘイズ率が小さくなりすぎて凹凸形状の効果が小
さくなり好ましくない。 以下に本発明を実施例に基き説明する。 ｅ 実施例 実施例 １ 大きさが100（mm）×100（mm）の厚味１（mm）のソ
ーダライムガラスを0.5％濃度（重量％）のHF水
溶液中に10分間浸漬した後、十分に洗浄し乾燥し
試料ガラスとした。次に試料を浸漬するための浸
漬槽を用意する。 浸漬槽は外槽１と内槽２から成り、内槽と外槽
の間には水３が満してある。実験では、この水の
温度が35℃となるよう、水はヒーター４で加熱さ
れ、かつ温度分布均一化のため撹拌器５で撹拌さ
れている。内槽は前部６、中部７、後部８から成
り、その各部には２モル／の珪弗化水素酸に酸
化珪素を飽和し、しかる後水で１モル／に希釈
した３の処理液が満たしてある。内槽後部８の
処理液は循環ポンプ１０により内槽前部６へ戻さ
れる。ここで全処理液量に対する１分間当りの処
理液循環量の割合は８％に設定した。（ここで全
処理液量は約３であり、処理槽中部の底面積は
約150cm2であるので、浸漬する基材ガラス表面で
の液流速は約1.6cm／minと予想される。） この反応液に0.5モル／の濃度のホウ酸水溶
液１１を0.2ml／分で連続的に滴下し、10時間保
持した。 その後この反応液に試料９を内槽中央部７に垂
直状に浸漬・保持する。反応処理液の循環および
ホウ酸水溶液の添加を続けながら４時間保持し、
その後試料を取り出し洗浄乾燥した。 得られた被膜の厚みは約1000Åであり、同被膜
の電子顕微鏡観察の結果直径300〜5000Å、高さ
200〜3000Åの略おわん形をした多数の凹凸が見
られた。約10700倍の倍率の電子顕微鏡写真を第
２図に示す。 凹凸の形状、および単位面積あたりの数はその
総合効果として、入射光に対する散乱度合（ヘイ
ズ率）として表わすことが出来る。ここで、得ら
れた表裏両面に凹凸形状を持つた上記試料のヘイ
ズ率は２％であり、試料の両面に凹凸のない
SiO2膜をコートした試料のヘイズ率0.2％とくら
べると大きな値であつた。ここでヘイズ率の測定
は航空機用メタクリル樹脂板の曇価測定法（JIS、
Ｋ−6714（1977））により測定した。 実施例 ２ 処理液の循環量を全処理液量に対し１分間当り
３％（処理液の流速約0.6cm／min）となる様に
変更し、試料の浸漬時間を３時間に変更した以外
は実施例１と同様の方法により試料上に約1000Å
の厚さの酸化珪素被膜を形成した。 得られた酸化珪素被膜は厚み約1000Åの膜であ
り、試料の電子顕微鏡観察により試料には実施例
１と同様の直径300〜5000Å、高さ200〜3000Åの
略おわん形をした多数の凹凸が存在することが確
認された。 又得られた試料両面に凹凸形状を持つた上記試
料のヘイズ率は７％であり、実施例２により得ら
れた試料は実施例１により得られた試料より深い
弧を持つ凹凸の割合または凹凸の数が増加してい
ることが予想される。 実施例 ３ 実施例２によつて製造された凹凸形状を有する
酸化珪素被膜つき基板ガラス（以後A0と呼ぶ）
をリン入り酸化珪素形成液（東京応化工業社製
OCD溶液）に浸漬し、その後500℃で焼成を行な
い膜厚約1000Åの酸化珪素被膜を試料両面に形成
した。（以後この基板をA1と呼ぶ）ヘイズ率は７
％から３％へと変化した。 又同様にA0のガラス基板上にスパツタ法によ
り約200Åの膜厚の酸化珪素被膜を試料片面に形
成した。（以後この基板をA2と呼ぶ）ヘイズ率は
７％から６％へ変化した。 又別に実施例２と同様なガラス基板を珪弗化水
素酸の酸化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加した処
理液に浸漬し平滑度の高い酸化珪素被膜約1000Å
を作成した比較用基板Ｂを作成した。（特願昭58
−137217） これらA0、A1、２層構造側のA2基板、Ｂ基板
を用いてアモルフアスSiの太陽電池を作成した。
作成手順を以下に示す。 基板A0、A1、A2、Ｂ上にモノブチル錫トリク
ロライドの蒸気及びドーパントとしてCH3CHF2
ガスを用いCVD法によつて2000Åの酸化錫透明
導電膜を形成した。次いでモノシラン（SiH4）
ガスを主成分とする原料ガスを用いて100Pa程度
の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装置によ
り、 (1) Ｐ型半導体層（ホウ素ドープのａ−SiC：
Ｈ、約150Å厚） (2) 真性半導体層（ａ−Si：Ｈ、約5000Å厚） (3) ｎ型半導体層（リンドープのマイクロクリス
タリンSi（μc−Si）：Ｈ、約300Å厚） をそれぞれ順番に推積させ、最後にAl電極（約
500Å）を真空中（約10-4Pa）で蒸着法により作
成した。 上記Al電極を作成する際基板上に直径２mmの
穴があいたマスクをのせておき、直径２mmの太陽
電池を20ケ作成した。 得られた太陽電池にAM1の100ｍＷ／cm2の光を
照射し、負荷を無限大とした時の起電力（開放電
圧；Ｖ）および負荷を０とした時の太陽電池単位
表面積あたりの電流値（短絡電流；ｍＡ／cm2）お
よび正常な特性を示す太陽電池の割合（生存率；
％）を測定した。 第１表に得られた測定結果を示す。表より明ら
かな様に凹凸形状を持つ酸化珪素被膜を用いた基
板A0、A1、A2が平滑な酸化珪素被膜を用いた基
板Ｂよりも大きな短絡電流値を示していることが
わかる。又、酸化珪素被膜を２層の構造とするこ
とにより、太陽電池を作成した時により性能が高
く（開放電圧低下の度合が少ない）、より生存率
の高い太陽電池基板が提供されていることがわか
る。 ここで上記実施例では基材として酸化珪素を含
むガラスを用い、又形状も100mm×100mmとし、処
理工程も断続的に行なつたが、前記酸化珪素被膜
は付着被膜であるのでその他のガラス板、プラス
チツク板、セラミツクス板などあらゆる材料を使
用することができる。又形状も100mm×100mmに限
らず大型化出来、又処理工程も酸化珪素の飽和
【表】
状態が続く限り連続的に基材を浸漬することが出
来る。 ここで、又上記実施例では、太陽電池基板とし
て基板の両面に凸凹形状の酸化珪素被膜を作成し
たが、少なくとも太陽電池を積層する側に凹凸形
状を持つていれば、太陽電池としての性能向上に
効果があることは言うまでもない。又太陽電池を
積層していない側の基板表面には、反射防止膜を
設けることが好ましいが、なくてもかまわない。
又、上記実施例のヘイズ率の測定値は基板両面に
凹凸を形成したものであり、片面に凹凸を制限し
た場合には約半分のヘイズ率を示すと考えられ
る。 ｆ 発明の効果 本発明によれば、太陽電池基板として適当な凹
凸形状を有する太陽電池基板が、簡単な方法によ
り得られている。又２重のコート膜を作成するこ
とにより、特性のより向上した、生産性の高い太
陽電池基板を提供している。
来る。 ここで、又上記実施例では、太陽電池基板とし
て基板の両面に凸凹形状の酸化珪素被膜を作成し
たが、少なくとも太陽電池を積層する側に凹凸形
状を持つていれば、太陽電池としての性能向上に
効果があることは言うまでもない。又太陽電池を
積層していない側の基板表面には、反射防止膜を
設けることが好ましいが、なくてもかまわない。
又、上記実施例のヘイズ率の測定値は基板両面に
凹凸を形成したものであり、片面に凹凸を制限し
た場合には約半分のヘイズ率を示すと考えられ
る。 ｆ 発明の効果 本発明によれば、太陽電池基板として適当な凹
凸形状を有する太陽電池基板が、簡単な方法によ
り得られている。又２重のコート膜を作成するこ
とにより、特性のより向上した、生産性の高い太
陽電池基板を提供している。
第１図は本願発明の実施例を示す循環系統説明
図、第２図は実施例１により得られた太陽電池基
板表面の略おわん形粒子の構造を示す図面に代る
電子顕微鏡写真である。 １……外槽、２……内槽、３……水、４……ヒ
ーター、５……撹拌器、６……内槽前部、７……
内槽中央部、８……内槽後部、９……ガラス、１
０……循環ポンプ、１１……ホウ酸水溶液。
図、第２図は実施例１により得られた太陽電池基
板表面の略おわん形粒子の構造を示す図面に代る
電子顕微鏡写真である。 １……外槽、２……内槽、３……水、４……ヒ
ーター、５……撹拌器、６……内槽前部、７……
内槽中央部、８……内槽後部、９……ガラス、１
０……循環ポンプ、１１……ホウ酸水溶液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ヘイズ率が１％以上であり、直径300〜5000
Å高さ200〜3000Åの多数の凸部を持つた酸化珪
素被膜を有することを特徴とする太陽電池基板。 ２ 直径300〜5000Å、高さ200〜3000Åの多数の
凸部を持つた酸化珪素被膜が、珪弗化水素酸の酸
化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加した処理液から
の析出膜である特許請求の範囲第１項記載の太陽
電池基板。 ３ 直径300〜5000Å、高さ200〜3000Åの多数の
凸部を持つた酸化珪素被膜が、珪弗化水素酸の酸
化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加した処理液から
の析出膜上に、厚さ50〜2000Åの均一厚の酸化珪
素の被膜を設けたものである特許請求の範囲第１
項記載の太陽電池基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031140A JPS60175465A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 太陽電池基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031140A JPS60175465A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 太陽電池基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175465A JPS60175465A (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0438147B2 true JPH0438147B2 (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=12323130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59031140A Granted JPS60175465A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 太陽電池基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175465A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4732621A (en) * | 1985-06-17 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for producing a transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device including such a layer |
| JPS6245079A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池用基板およびその製法 |
| JPH01219043A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-01 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明電導ガラス基板及び太陽電池モジュール |
| JP2550177Y2 (ja) * | 1992-11-30 | 1997-10-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージ端子修正治具 |
| JP3227449B2 (ja) | 1999-05-28 | 2001-11-12 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 |
| JP2002237610A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2003060217A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電膜付きガラス板 |
| EP2357675A4 (en) | 2008-10-29 | 2012-07-11 | Ulvac Inc | METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL, DEVICE AND CVD DEVICE |
-
1984
- 1984-02-21 JP JP59031140A patent/JPS60175465A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60175465A (ja) | 1985-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |