JPH0438237Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0438237Y2 JPH0438237Y2 JP9384187U JP9384187U JPH0438237Y2 JP H0438237 Y2 JPH0438237 Y2 JP H0438237Y2 JP 9384187 U JP9384187 U JP 9384187U JP 9384187 U JP9384187 U JP 9384187U JP H0438237 Y2 JPH0438237 Y2 JP H0438237Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sagger
- silicon nitride
- sintered
- mgo
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 10
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 6
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この考案は、窒化珪素質セラミツクスを焼結す
るとき使用する匣鉢に関する。
るとき使用する匣鉢に関する。
［従来の技術］
窒化珪素質セラミツクスは、通常１〜50％の金
属酸化物、金属窒化物等を焼結助剤として加えて
成型し、窒素雰囲気中で、1600〜2000℃の高温下
で焼結することによつて得られる。
属酸化物、金属窒化物等を焼結助剤として加えて
成型し、窒素雰囲気中で、1600〜2000℃の高温下
で焼結することによつて得られる。
焼結助剤としては、高温で高強度が要求される
場合、Y2O3−Al2O3系の助剤が用いられ、800℃
以下の温度で使われる製品にはMgO系の安価な
助剤が用いられていた。
場合、Y2O3−Al2O3系の助剤が用いられ、800℃
以下の温度で使われる製品にはMgO系の安価な
助剤が用いられていた。
また、焼結時には、1600℃〜2000℃の高温にな
るため、窒化珪素が蒸発、分解し易いので、窒化
珪素の匣鉢内に入れ、焼結されていた。
るため、窒化珪素が蒸発、分解し易いので、窒化
珪素の匣鉢内に入れ、焼結されていた。
［考案が解決しようとする問題点］
安価なMgO系助剤を用いた場合、焼結時にSi3
N4粒子粒界層に、高温で軟化しやすいMgOを主
体とするガラス層が生成するので、製品の薄肉部
（２mm程度以下）の変形がおこる。一方、Y2O3−
Al2O3系の助剤を用いると、粒界層は結晶化し、
変形はおこらなくなるが、高温での性能を要求し
ない部品にまでY2O3を使用するのは、コスト高
につながるという問題があつた。
N4粒子粒界層に、高温で軟化しやすいMgOを主
体とするガラス層が生成するので、製品の薄肉部
（２mm程度以下）の変形がおこる。一方、Y2O3−
Al2O3系の助剤を用いると、粒界層は結晶化し、
変形はおこらなくなるが、高温での性能を要求し
ない部品にまでY2O3を使用するのは、コスト高
につながるという問題があつた。
本考案は、上記問題点を解決し、安価なMgO
系助剤を用いても、変形をおこさずに焼結可能
な、焼結用匣鉢を提供することを目的とするもの
である。
系助剤を用いても、変形をおこさずに焼結可能
な、焼結用匣鉢を提供することを目的とするもの
である。
［問題点を解決するための手段］
本考案の窒化珪素質匣鉢は、匣鉢の内表面に
Y2O3を55％以上を含み、残部がSi3N4を主体とす
る層が形成されている。
Y2O3を55％以上を含み、残部がSi3N4を主体とす
る層が形成されている。
［作用］
本考案の匣鉢を用いて、MgO系の助剤を使用
した窒化珪素製品を焼結すると、焼結時に製品の
MgOと匣鉢内面に形成された層のY2O3が気相を
通じて僅かに交換されるため、製品薄肉部の変形
がおこらなくなる。この場合、Y2O3の量が55％
より少なくなると、上記交換が少なすぎるため、
変形が起きてしまうのでY2O3の量は55％以上が
必要である。
した窒化珪素製品を焼結すると、焼結時に製品の
MgOと匣鉢内面に形成された層のY2O3が気相を
通じて僅かに交換されるため、製品薄肉部の変形
がおこらなくなる。この場合、Y2O3の量が55％
より少なくなると、上記交換が少なすぎるため、
変形が起きてしまうのでY2O3の量は55％以上が
必要である。
［実施例］
以下、本考案の１実施例を第１図により説明す
る。
る。
第１図は、本考案の窒化珪素質匣鉢１を用い
て、窒化珪素質撹拌機羽根１０を焼結する状態を
示すものである。
て、窒化珪素質撹拌機羽根１０を焼結する状態を
示すものである。
窒化珪素質匣鉢１は、円筒状本体２と、蓋３と
から構成されている。これらの材質はSi3N492
％、MgAl2O3８％の窒化珪素質である。そして、
本体２の被焼結体１０と接触する底面４を除く内
側面５及び蓋３の内面６には、それぞれY2O370
％、Si3N430％の組成の層１５及び１６が形成さ
れている。この場合、被焼結体１０がY2O3を含
む層に直接接触すると焼結助剤の大量の移動がお
こり、製品が変色したり、収縮ムラをおこすので
被焼結体が接触する底面４には上記層を設けてな
い。
から構成されている。これらの材質はSi3N492
％、MgAl2O3８％の窒化珪素質である。そして、
本体２の被焼結体１０と接触する底面４を除く内
側面５及び蓋３の内面６には、それぞれY2O370
％、Si3N430％の組成の層１５及び１６が形成さ
れている。この場合、被焼結体１０がY2O3を含
む層に直接接触すると焼結助剤の大量の移動がお
こり、製品が変色したり、収縮ムラをおこすので
被焼結体が接触する底面４には上記層を設けてな
い。
被焼結体である撹拌機羽根１０は、中央部のボ
ス１１に端部が薄くなつている複数枚の羽根１２
を突設して構成されている。この羽根はMgO系
助剤を用いた窒化珪素で、その組成はSi3N492
％、MgAl2O3８％である。
ス１１に端部が薄くなつている複数枚の羽根１２
を突設して構成されている。この羽根はMgO系
助剤を用いた窒化珪素で、その組成はSi3N492
％、MgAl2O3８％である。
そして、第１図に示す状態で炉に投入し、N2
10Kg／cm2、1700℃で４時間焼結を行つた。
10Kg／cm2、1700℃で４時間焼結を行つた。
その結果、匣鉢内面にY2O3を含む層を形成し
たことにより、撹拌機羽根は１mmの薄肉の先端部
も全く変形せずに焼結されていた。
たことにより、撹拌機羽根は１mmの薄肉の先端部
も全く変形せずに焼結されていた。
次に、他の実施例を第２図により説明する。
これは、上記第１の実施例と異なり、窒化珪素
質匣鉢１の蓋３の内面６並びに本体２の底面４及
び内側面７にY2O360％、Si3N440の層１７が形成
されている。
質匣鉢１の蓋３の内面６並びに本体２の底面４及
び内側面７にY2O360％、Si3N440の層１７が形成
されている。
また、攬拌機羽根２０は、上記第１の実施例と
同様な形状の、MgO系助剤を用いた窒化珪素で
あるが、その組成はSi3N495％、MgAl2O3５％で
ある。
同様な形状の、MgO系助剤を用いた窒化珪素で
あるが、その組成はSi3N495％、MgAl2O3５％で
ある。
そして、この羽根２０が、Y2O3を含む層１７
が形成されたに底面４に直接接触しないように
Si3N495、MgAl2O3５％で焼結させた円筒状の台
１３の上に置かれている。
が形成されたに底面４に直接接触しないように
Si3N495、MgAl2O3５％で焼結させた円筒状の台
１３の上に置かれている。
この羽根を、第２図に示す状態で炉に投入し、
N210Kg／cm2、1700℃で４時間焼結を行つた。そ
の結果、匣鉢内面にY2O3を含む層を形成したこ
とにより、撹拌機羽根は１mmの薄肉の先端部も全
く変形せずに焼結されていた。
N210Kg／cm2、1700℃で４時間焼結を行つた。そ
の結果、匣鉢内面にY2O3を含む層を形成したこ
とにより、撹拌機羽根は１mmの薄肉の先端部も全
く変形せずに焼結されていた。
なお、上記実施例では匣鉢内の内面の全体に亙
つてY2O3を含む層を形成してあるが、部分的に
層を形成してもよい。またY2O3を含む層は、Y2
O3の量が55％以上であれば残部をSi3N4を主体と
して、必要により他の焼結助剤を添加してもよ
い。
つてY2O3を含む層を形成してあるが、部分的に
層を形成してもよい。またY2O3を含む層は、Y2
O3の量が55％以上であれば残部をSi3N4を主体と
して、必要により他の焼結助剤を添加してもよ
い。
［考案の効果］
以上のように、安価なMgO系の焼結助剤を用
い１mmという薄肉部を持つ撹拌機羽根のような製
品も、全く変形せずに焼結が可能となつた。
い１mmという薄肉部を持つ撹拌機羽根のような製
品も、全く変形せずに焼結が可能となつた。
第１図は本考案の１実施例を被焼結体が入れら
れた状態で示す説明図、第２図は他の実施例を第
１図と同様な状態で示す説明図である。 ２……本体、３……蓋、１０，２０……被焼結
体、１５，１６，１７……Y2O3を含む層。
れた状態で示す説明図、第２図は他の実施例を第
１図と同様な状態で示す説明図である。 ２……本体、３……蓋、１０，２０……被焼結
体、１５，１６，１７……Y2O3を含む層。
Claims (1)
- 匣鉢の内表面にY2O3を55％以上を含み、残部
がSi3N4を主体とする層が形成されていることを
特徴とする窒化珪素質匣鉢。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9384187U JPH0438237Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9384187U JPH0438237Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201999U JPS63201999U (ja) | 1988-12-27 |
| JPH0438237Y2 true JPH0438237Y2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=30956767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9384187U Expired JPH0438237Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438237Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310129A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Denso Corp | スパークプラグ製造装置およびスパークプラグの製造方法 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP9384187U patent/JPH0438237Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63201999U (ja) | 1988-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000143289A5 (ja) | ||
| JPH0438237Y2 (ja) | ||
| IE801175L (en) | Ceramic oxide shaft for a pump | |
| JP2002020160A (ja) | 耐摩耗性セラミツクス複合材料とその製造方法 | |
| JPH03275567A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP2001272178A (ja) | 熱処理治具 | |
| JPH0354142A (ja) | 異常粒成長を利用した磁器製造法 | |
| Antona et al. | Nitridation of Silicon in Presence of Oxides | |
| JPH0283266A (ja) | ＡｌＮ焼結体の製造方法 | |
| JPH0624863A (ja) | 軽量セッターの製造方法 | |
| JP2876521B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP2593095B2 (ja) | 遠赤外線放射体 | |
| JP2627922B2 (ja) | 窒化ケイ素焼結体 | |
| JPH101371A (ja) | 焼結用セッター | |
| JPH04319039A (ja) | 純チタンまたはチタン合金鋳造用鋳型材 | |
| JPH0826860A (ja) | 焼成用治具 | |
| Heinrich | Tape casting of oxidic and nonoxidic ceramic powders | |
| JP2002068848A (ja) | セラミック電子部品焼成用匣鉢 | |
| JPH01138173A (ja) | 窒化ケイ素焼結体 | |
| JPH0497946A (ja) | チタン酸アルミニウム複合焼結体 | |
| JPS61186265A (ja) | 窒化けい素焼結体およびその製造方法 | |
| JPS54104599A (en) | High temperature heat sensitive element | |
| Butler et al. | Sintered Silicon Nitride Based Ceramic | |
| JPH07187864A (ja) | 溶射層を有する焼成用治具及びその製造方法 | |
| JPH0369565A (ja) | 焼成セッター |