JPH0438330B2

JPH0438330B2 -

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Publication number: JPH0438330B2
Application number: JP60172002A
Authority: JP
Priority date: 1985-08-05
Filing date: 1985-08-05
Publication date: 1992-06-24
Also published as: JPS6232424A; US4738515A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、液晶素子、特に強誘電性液晶素子の
駆動法に関する。

〔従来の技術〕

フラツト・パネル・デイスプレイ・デバイスの
開発は、現在世界中で活発に行なわれている。そ
の中でも、液晶を用いたデイスプレイは、小規模
な分野では、完全に社会に定着したと考えられる
が、CRTに置き替わりうるような高解像度をも
ち、しかも、大画面のものは、従来の液晶方式
（例えばTNやDSMなど）では非常に困難であつ
た。

この様な、液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラー
ク（Clark）およびラガウエル（Lagerwell）に
より提案されている（特開昭56−107216号公報、
米国特許第4367924号明細書等）．双安定性を有す
る液晶としては、一般に、カイラルスメクチツク
Ｃ相（SmC^*）又はＨ相（SmH^*）を有する強誘
電性液晶が用いられる。この液晶は電界に対して
第１の光学的安定状態と第２の光学安定状態から
なる双安定状態を有し、従つて前述のTN型の液
晶素子とは異なり、例えば一方の電界ベクトルに
対して第１の光学的安定状態に液晶が配向し、他
方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。またこの型の液晶は、加
えられる電界に応答して、極めて速やかに上記２
つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加
のないときはその状態を維持する性質を有する。
このような性質を利用することにより、上述した
従来のTN型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前述の双安定状態が付与された強誘電性液晶素
子は、一般的に液晶層が2μｍ以下と極めて薄い
膜厚で形成され、このため素子内に混入した微細
な粒体を通して上電極と下電極の間でシヨートを
発生する問題点があるために、素子に設けた電極
にはシヨートを防止する誘電体層が設けられてい
る。

しかしながら、前述の如く相対向電極間に誘電
体層が形成されているために、液晶層に前述の電
極間から強誘電性液晶が完全反転するに十分なパ
ルス源V_ON（書込みパルス）を印加した時に、液
晶層に実質的に印加される電圧波形は、第１図ｂ
に示す様にパルス印加時のV_Oが時定数π＝R₁（C₁
＋C₂）：〔R₁；液晶層の抵抗値、C₁；液晶層の単
位面積当りの容量、C₂；誘電体層の単位面積当
りの容量〕：の割合でΔV_Oだけの電圧降下を生じ
る。この電圧降下ΔV_Oは、液晶層の抵抗値（R₁）
が小さい程大きくなるが、前述の強誘電性液晶は
一般的に10⁸Ω〜10¹⁴Ω程度であるため、この電圧
降下ΔV_Oが下述するパルス切換時に−ΔV_Oで加算
され、この加算された位相t₂でのパルス切換時の
電圧が位相t₁での書込みによる表示状態（強誘電
性液晶の第１の配向状態に基づく第１表示状態）
を反転した表示状態（強誘電性液晶の第２の配向
状態に基づく第２表示状態）を形成する原因とな
ることが本発明者らの実験により明らかとなつ
た。強誘電性液晶素子に行順次書込み方式を適用
する場合には、例えば行上の全又は所定の画素に
対して第１位相となる位相t₁で強誘電性液晶の第
１の配向状態に基づく第１表示状態を形成するパ
ルスを印加し、次の第２位相となる位相t₂で選択
された画素に対して第１表示状態を強誘電性液晶
の第２の配向状態に基づく第２表示状態に反転す
るパルスを印加する方式がある。

この方式の場合、位相t₂では第１図ａに示す様
に第１表示状態を保持する画素には位相t₁で印加
したパルスとは逆極性のパルスが閾値電圧以下で
印加されることになる。

この様に行順次書込み方式の場合では、位相t₁
で書込まれた表示状態を位相t₂で反転することな
く保持されることが必要である。従つて、位相t₂
で反転閾値電圧を超えた電圧が印加されてはなら
ないはずであるが、本発明者らの研究から明らか
となつたことであるが、位相t₁から位相t₂へのパ
ルス極性切換時に、液晶層には第２図に示す様に
−（aVo＋ΔVo）：〔ａはａ＜｜V₁｜／｜Von｜；
V₁は強誘電性液晶の閥値電圧〕：の電圧が実質的
に印加されることになり、この−（aVo＋ΔVo）
が反転閾値電圧より大きい場合には、第１表示状
態を保持すべき画素が位相t₂で第２表示状態に反
転されることになり、所期の表示を形成すること
ができなくなる問題点があつた。この問題点は、
逆極性パルスの切換時に液晶層に直列接続された
誘電体層の容量からの放電により逆向きの電界
（−ΔVo）を発生することが原因となつているこ
とが判明した。

又、位相t₁とt₂で第１表示状態あるいは第２表
示状態の何れかで書込まれた画素には走査非選択
時であつても、データ線から情報信号が印加され
続け、場合によつては書込まれた画素の表示状態
が反転する問題点を避けるために、書込み後の画
素に閾値電圧以下の交番電圧を印加する方法が考
えられているが、この交番電圧印加時でも逆極性
パルス印加による逆向き電界が加算されることに
なり、前述と同様の問題を包含している。

従つて、本発明の目的は、前述の問題点を解決
した液晶素子の駆動法、特に強誘電性液晶素子に
行順次書込み方式を適用した際に生じる問題点、
すなわち書込み時の表示状態を保持すべき画素に
印加される−（aVo＋ΔVo）の電圧による反転現
象を防止した強誘電性液晶素子の駆動法を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明は、ａ走査電極、該電極上に設けた第１の誘電体層
及び該層上に設けた第１の配向制御膜を有する
第１の基板、該走査電極に対して間隔をおいて
交差した情報電極、該電極上に設けた第２の誘
電体層及び該層上に設けた第２の配向制御膜を
有する第２の基板、並びに第１及び第２の基板
間に配置した、印加電圧の極性に応じて第１の
配向状態と第２の配向状態との何れか一方の状
態を生じる強誘電性液晶を有し、前記走査電極
と情報電極との交差部を画素として液晶パネル
と、ｂ前記走査電極を順次走査し、走査選択された
走査電極上の画素に、前記強誘電性液晶の閾値
電圧（V₁）を越えた一方極性電圧（V_ON）及び
パルス幅ΔT（sec）をもつ第１の駆動パルスを
印加し、該第１の駆動パルスに続けて、前記閾
値電圧（V₁）を越えない他方極性電圧（−
aV_ON）をもつ第２の駆動パルスを印加する駆
動手段とを有し、前記パルス幅ΔT（sec）は exp（−ΔT／Ｒ（C₁＋C₂））＞（１−ｂ＋ａ）（但し、式中、Ｒは前記強誘電性液晶の抵抗値
（Ω）、C₁は前記強誘電性液晶の容量(F)、C₂は前
記第１の誘電体層、前記第２の誘電体層、前記第
１の配向制御膜及び前記第２の配向制御膜の合成
容量(F)、ａはａ＜｜V₁｜／｜V_ON｜の式を満たす定数、ｂはｂ＝｜V₁｜／｜V_ON｜で示される定数である。）を満たすことを特徴とする液晶装置である。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に従つて説明する。

第２図は、本発明で用いる液晶素子の等価回路
を表わしている。C₁は１画素当りの液晶層の容
量、C₂は１画素当りの誘電体層の容量、R₁は液
晶層の抵抗値を表わしている。容量C₂は下述す
る絶縁層、配向制御膜やカラーフイルタなどの誘
電体層によつて形成される。

式(2)のVx（ｔ）に矩形パルスを入力した時の
Vy（ｔ）の電圧波形は、下記式(3)によつて示すこ
とができる。

式 Vx（ｔ）＝V_ON｛μ（ｔ）−μ（ｔ−ΔT）｝ ……(2) Vy（ｔ）＝C₂／C₁＋C₂・V_ONexp（−ｔ／R₁（C₁＋C₂）
）・｛１−exp（ΔT／R₁（C₁＋C₂））・μ（ｔ−ΔT）
｝……(3) ……但し、式中μ（ｔ）はステツプ関数、ｔは
時間、ΔTはパルス幅V_ONは書込み時の電圧値で、
R₁、C₁及びC₂は前述で定義したものである。

前述した様に強誘電性液晶素子に行順次書込み
方式を適用した場合には、第１表示状態と第２表
示状態の書込みが第３図に示す様に位相t₁とt₂の
何れかで行なわれる。第３図は行順次書込み方式
における書込み行の画素に印加する電圧波形を表
わしている。すなわち、第３図ａによれば位相t₁
で行上の画素に対応する強誘電性液晶は相対向電
極間にV_ONが印加されて第１の配向状態を配向
し、これに対応した画素は第１表示状態（「白」
とする）を形成する。（従つて、位相t₁はライン
クリヤー信号４１を印加する位相に相当する。）
次に、第３図ｂによれば位相t₂で選択された画素
が反転した第２表示状態（「黒」とする）を形成
する。すなわち、位相t₂では選択された画素には
反転信号４２が印加され、残りの画素には位相t₁
での表示状態を維持する保持信号が印加されるこ
とになる。この場合、位相t₂における保持信号４
３は、位相t₁における書込み時の信号とは逆極性
の電圧aVoが印加されることになり、前項の〔発
明が解決しようとする問題点〕で述べた問題点を
惹起こすことになる。又、第３図に示す波形を第
５図のマトリクス画素に印加した時の時系列波形
を第４図に示す（但し、第４図では前述ａを1/2
とした）。

又、第６図は別の行順次書込み方式における書
込み行の画素に印加する電圧波形を表わしてい
る。第６図ａは画素も位相t₂で黒に書込み時の電
圧波形で、第６図ｂは画素を位相t₁で白に書込む
時の電圧波形を表わしている。すなわち、位相t₁
は白書込み位相、位相t₂は黒書込み位相に対応し
ている。

第６図に示す書込み方式の好ましい具体例で
は、画素に印加される駆動信号に書込み時の信号
と逆極性信号が連続ことを避けるために、位相t₂
で補助信号７３を印加することができる。この具
体例を第７図に明らかにする。第７図によれば位
相t₂で黒書込み信号７１を画素に印加した後、位
相t₃で画素には補助信号７３が印加されているの
で、連続した逆極性信号を生じることがない。こ
の際、第７図に示す駆動例ではａ＝1/2の例で説
明した（すなわち、補助信号７３のパルス波高値
を書込みパルスの波高値の1/2とした）。

従つて、第７図に示す様に補助信号７３が黒書
込み信号７１とは逆極性で画素に印加されること
になり、このため前述の第３図と第４図に示した
時の問題点と同様の問題点を包含していることに
なる。

この様な行順次書込み方式を用いた場合、第８
図示す様な強誘電性液晶の閥値電圧である反転開
始電圧８１（V₁）をbV_ONとした時、本発明者ら
の実測によれば、5V_ON／６〜V_ONの範囲内に反転
開始電圧V₁８１が包含されることが判明した。
従つて、逆極性電界の耐圧をbV_ON（＝5/6V_ON）以
下とすればよいので、次式(4)が導びかれる。

式 aV_ON＋｛１−exp（−ΔT／R₁（C₁＋C₂））｝・V_ON＜b
V_ON＝5/6V_ON……(4) 前述の式(4)から下記式(1)を導びくことができ
る。

式 exp（−ΔT／R₁（C₁＋C₂））＞（１−ｂ＋ａ）＝（1/6
＋ａ）……(1) 次に、ａ＝1/3とした時、前述の式(1)から下記
式(5)が得られる。

式 ΔT＜R₁（C₁＋C₂）×0.7 ……(5) そこで、画素を構成している強誘電性液晶とし
て膜厚1.8μｍのDOBAMBCを用い、又誘電体層
として上下電極上にそれぞれ設けた1000Åのポリ
イミド膜を用いた時１mm²当り（１画素とした）の
液晶層の容量C₁は11pFで、１mm²当りの誘電体層
の容量C₂は170pFで、又膜厚1.8μｍで液晶層の抵
抗値は1.8×10⁹Ωであつたので、これらを式(5)に
代入すると、パルス幅ΔTは ΔT＜1.8×10⁹.180×10^-12・0.7≒22.7×10^-3（sec
）……(6) の式(6)を満たすことになる。従つて、前述の実施
例ではパルス幅ΔTを22.7msec以下に設定してお
けば、位相t₂で液晶層に印加される駆動電圧が反
転開始電圧V₁（＝5/6V_ON）を超えることがないの
で、行順次書込み方式を適用して所期の表示を画
面に形成することができることになる。

又、第１２図は、本発明で用いる駆動例の別の
態様で、第７図に示す駆動例で用いたａ＝1/2に
代えて、ａ＝1/3とした駆動例である。

第８図に示す反転開始電圧８１とは、１画素中
に反転ドメインが生じる閾値に相当するもので、
又完全反転電圧８２とは１画素が完全に反転ドメ
インで占められた時の飽和電圧に相当している。

又、本発明の実施例では駆動パルスとして矩形
波を用いているが、この矩形波に限らず、三角波
などの他のパルス波形のものを用いることが可能
である。

第９図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描
いたものである。１１ａと１１ｂは、I_o2O₃、S_o
O₂やITO（インジウム−テイン−オキサイド）等
の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であ
り、その間に液晶分子層１２がガラス面に垂直に
なるよう配向したSmC^*相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線１３が液晶分子を表わしてお
り、この液晶分子１３は、その分子に直交した方
向に双極子モーメント（Ｐ⊥）１４を有してい
る。基板１１ａと１１ｂ上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）１４は
すべて電界方向に向くよう、液晶分子１３の配向
方向を変えることができる。液晶分子１３は細長
い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で
屈折率異方性を示し、従つて例えばガラス面の上
下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏
光子を置けば、電圧印加極性によつて光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理
解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くし
た場合（例えば1μ）には、第６図に示すように
電界を印加していない状態でも液晶分子のらせん
構造はほどけ、非らせん構造となり、その双極子
モーメントPa又はPbは上向き２４ａ又は下向き
２４ｂのどちらかの状態をとる。このようなセル
に第１０図に示す如く一定の閾値以上の極性の異
る電界Ea又はEbを付与すると、双極子モーメン
ト電界Ea又はEbは電界ベクトルに対応して上向
き２４ａ又は、下向き２４ｂと向きを変え、それ
に応じて液晶分子は第１の安定状態２３ａかある
いは第２の安定状態２３ｂの何れか一方に配向す
る。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として
用いることの利点は２つある。第１に、応答速度
が極めて速いこと、第２に液晶分子の配向が双安
定性を有することである。第２の点を、例えば第
１０図によつて説明すると、電界Eaを印加する
と液晶分子は第１の安定状態２３ａに配向する
が、この状態は電界を切つても安定である。又、
逆向きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第２
の安定状態２３ｂに配向して、その分子の向きを
変えるが、やはり電界を切つてもこの状態に留つ
ている。又、与える電界Eaが一定の閾値を越え
ない限り、それぞれの配向状態にやはり維持され
ている。このような応答速度の速さと、双安定性
が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には、0.5μ〜20μ、
特に1μ〜5μが適している。この種の強誘電性液
晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電
気光学装置は、例えばクラークとラガバルによ
り、米国特許第4367924号明細書で提案されてい
る。

次に、第１１図に本発明の液晶素子の断面図を
示す。本発明の液晶素子は、基板３１ａと３１ｂ
には、それぞれ支持された相対向する電極３２ａ
と３２ｂが設けられ、さらに電極３２ａと３２ｂ
にはシヨート防止のために誘電体層３３ａと３３
ｂが複覆されている。この誘電体層３３ａと３３
ｂには強誘電性液晶層３４の配向を制御するラビ
ング処理などの一軸性配向処理が施されている。
又、この誘電体層３３ａと３３ｂには、図示して
いないが別に配向制御膜を設けることも可能であ
る。さらに、又、何れか一方の誘電体層の上又は
下側にカラーフイルター層（図示せず）を設ける
ことが可能である。この際、カラーフイルター
は、１画素毎に青色染色フイルター(B)、緑色染色
フイルター(G)と赤色染色フイルター（Ｒ）が配置
され、これらＢ、ＧとＲで１つのカラー画素を構
成することができる。この液晶素子は、基板３１
ａと３１ｂの周辺がエポキシ系接着剤などのシー
ル材３６でシーリングされており、セルの両側に
は光学的変調を検知する１対のクロスニコルス偏
光子３６ａと３６ｂが配置されている。

本発明の誘電体層３３ａと３３ｂで使用する絶
縁物質としては、特に制限されるものではない
が、シリコン窒化物、水素を含有するシリコン窒
化物、シリコン炭化物、水素を含有するシリコン
窒化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含
有する硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウ
ム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物や
フツ化マグネシウムなどの無機絶縁物質、あるい
はポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミ
ドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリ
レン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂や
フオトレジスト樹脂などの有機絶縁物質が絶縁膜
として使用される。これらの絶縁膜の膜厚5000Å
以下、好ましくは100Å〜5000Å、特に500Å〜
3000Åが適している。

又、これらの誘電体層３３ａと３３ｂによつて
形成される容量の場合では、5.5×10³PF／cm²以上
となる様に設定することによつて、前述の反転現
象を一層有効に防止することができる。その好ま
しい容量は、5.5×10³PF／cm²〜3.0×10⁵PF／cm²の
範囲で、特に十分な絶縁性を保持する上で9.0×
10³PF／cm²〜5.5×10⁴PF／cm²が適している。

本発明で用いる強誘電性液晶３４としては、カ
イラルスメクチツク液晶が最好ましく、そのうち
カイラルスメクチツクＣ相（SmC^*）、Ｈ相
（SmH^*）、Ｉ相（SmI^*）、Ｊ相（SmJ^*）、Ｋ相
（SmK^*）、Ｇ相（SmG^*）やＦ相（SmF^*）の液
晶が適している。

より具体的には、強誘電性液晶３４としては、
ｐ−デシロキシベンジリデン−p′−アミノ−２−
メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、ｐ
−ヘキシロキシベンジリデン−p′−アミノ−２−
クロロプロピルシンナメート（HOBACPC）、ｐ
−デシロキシベンジリデン−p′−アミノ−２−メ
チルブチル−α−シアノシンナメート
（DOBAMBCC）、ｐ−テトラデシロキシベンジ
リデン−p′−アミノ−２−メチルブチル−α−シ
アノシンナメート（TDOBAMBCC）、ｐ−オク
チルオキシベンジリデン−p′−アミノ−２−メチ
ルブチル−α−クロロシンナメート
（OOBAMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリ
デン−p′−アミノ−２−メチルブチル−α−メチ
ルシンナメート、４，4′−アソキシシンナミツク
マシツド−ビス（２−メチルブチル）エステル４
−Ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン−
4′−オクチルアニリン（MBRA8）、４−（2′−メ
チルブチル）フエニル−4′−オクチルオキシビフ
エニル−４−カルボキシレート、４−ヘキシルオ
キシフエニル−４−（2″−メチルブチル）ビフエ
ニル−4′−カルボキシレート、４−オクチルオキ
シフエニル−４−（2″−メチルブチル）ビフエニ
ル−4′−カルボキシレート、４−ヘプチルフエニ
ル−４−（4″−メチルヘキシル）ビフエニル−
4′−カルボキシレート、４−（2″−メチルブチル）
フエニル−４−（4″−メチルヘキシル）ビフエニ
ル−4′−カルボキシレートなどを用いることがで
きる。

これらの強誘電性液晶化合物は単独又は２種以
上組合せて用いることができ、又他の非誘電性液
晶、例えばネマチツク液晶、コレステリツク液晶
（カイラルネマチツク液晶）やスメクチツク液晶
と混合することができる。又、前述した強誘電性
液晶３４は、前述の第９図に示すらせん構造を形
成したものでもよく、第１０図に示す非らせん構
造のものであつてもよい。特に、第９図に示すら
せん構造を有している際には、強誘電性液晶とし
て負の誘電異方性をもつものを使用し、両電極間
に交流バイアスを印加することによつて、非らせ
ん構造とした双安定性を付与させる駆動法を適用
するのが好ましい。又、この際、液晶層のセル厚
を十分に小さくそれだけで非らせん構造を形成す
る液晶素子に前述の交流バイアスを印加する駆動
法を適用するも可能である。

〔発明の効果〕

行順次書込み方式を適用した時に伴い、逆極性
パルス切換時に発生する誘電体層の容量からの放
電による逆向き電界（−ΔV_O）の存在にかかわら
ず、１フレーム期間内にその書込み状態を維持す
ることができ、所期の表示を行なうことができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、電極間に印加する駆動矩形パルス波
を示す説明図で、第２図はその時の実質的に液晶
層に印加される電圧波形を表わす説明図である。
第２図は、本発明で用いる液晶素子の等価回路を
表わす説明図である。第３図ａとｂは画素の書込
み駆動信号を表わす説明図で、第４図はその時系
列波形を表わす説明図である。第５図は、走査線
（S₁〜S₅…）とデータ線（I₁〜I₅…）とで形成し
た画素の配列を示す説明図である。第６図ａとｂ
は、画素の別の書込み駆動信号を表わす説明図
で、第７図はその時系列波形を表わす説明図であ
る。第８図は、反転開始電圧と完全反転電圧の関
係を説明する説明図である。第９図及び第１０図
は、本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶素子の
斜視図である。第１１図は、本発明の駆動法で用
いる強誘電性液晶素子の断面図である。第１２図
で、本発明で用いた別の駆動例の時系列波形を表
わす説明図である。

Claims

【特許請求の範囲】１ａ走査電極、該電極上に設けた第１の誘電
体層及び該層上に設けた第１の配向制御膜を有
する第１の基板、該走査電極に対して間隔をお
いて交差した情報電極、該電極上に設けた第２
の誘電体層及び該層上に設けた第２の配向制御
膜を有する第２の基板、並びに第１及び第２の
基板間に配置した、印加電圧の極性に応じて第
１の配向状態と第２の配向状態との何れか一方
の状態を生じる強誘電性液晶を有し、前記走査
電極と情報電極との交差部を画素とした液晶パ
ネルと、ｂ前記走査電極を順次走査し、走査選択された
走査電極上の画素に、前記強誘電性液晶の閾値
電圧（V₁）を越えた一方極性電圧（V_ON）及び
パルス幅ΔT（sec）をもつ第１の駆動パルスを
印加し、該第１の駆動パルスに続けて、前記閾
値電圧（V₁）を越えない他方極性電圧（−
aV_ON）をもつ第２の駆動パルスを印加する駆
動手段とを有し、前記パルス幅ΔT（sec）は exp（−ΔT／Ｒ（C₁＋C₂））＞（１−ｂ＋ａ）（但し、式中、Ｒは前記強誘電性液晶の抵抗
値（Ω）、C₁は前記強誘電性液晶の容量(F)、C₂
は前記第１の誘電体層、前記第２の誘電体層、
前記第１の配向制御膜及び前記第２の配向制御
膜の合成容量(F)、ａはａ＜｜V₁｜／｜V_ON｜の式を満たす定数、ｂはｂ＝｜V₁｜／｜V_ON｜で示される定数である。）を満たすことを特徴とする液晶装置。