JPH0438523Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0438523Y2 JPH0438523Y2 JP1986195390U JP19539086U JPH0438523Y2 JP H0438523 Y2 JPH0438523 Y2 JP H0438523Y2 JP 1986195390 U JP1986195390 U JP 1986195390U JP 19539086 U JP19539086 U JP 19539086U JP H0438523 Y2 JPH0438523 Y2 JP H0438523Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- frame
- metal base
- metal frame
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体素子を収納するための半導体素
子収納用パツケージの改良に関するものである。
子収納用パツケージの改良に関するものである。
従来、半導体素子、特に半導体集積回路素子を
収納するための半導体素子収納用パツケージは上
面に、切欠部を有する金属枠体が取着された金属
基体と、前記金属枠体の切欠部に絶縁物を介し取
着された入出力端子と蓋体とから構成されてお
り、金属基体上面の金属枠体で囲繞される部位に
半導体素子を取着収納するとともに半導体素子の
各電極と入出力端子とをワイヤを介し電気的に接
続し、しかる後、金属枠体上面に蓋体を封止部材
を介し取着させ内部を気密に封止することによつ
て半導体装置となる。
収納するための半導体素子収納用パツケージは上
面に、切欠部を有する金属枠体が取着された金属
基体と、前記金属枠体の切欠部に絶縁物を介し取
着された入出力端子と蓋体とから構成されてお
り、金属基体上面の金属枠体で囲繞される部位に
半導体素子を取着収納するとともに半導体素子の
各電極と入出力端子とをワイヤを介し電気的に接
続し、しかる後、金属枠体上面に蓋体を封止部材
を介し取着させ内部を気密に封止することによつ
て半導体装置となる。
しかし乍ら、この従来の半導体素子収納用パツ
ケージは、通常金属基体及び金属枠体が無酸素銅
（Cu）やコバール（Fe−Ni−Co合金）、銅−タン
グステン（15％Cu−85％Ｗ）等の金属より形成
されており、該無酸素銅等の金属は比重が8.36以
上と大きいことから半導体素子収納用パツケージ
の重量を重くするという欠点を有していた。
ケージは、通常金属基体及び金属枠体が無酸素銅
（Cu）やコバール（Fe−Ni−Co合金）、銅−タン
グステン（15％Cu−85％Ｗ）等の金属より形成
されており、該無酸素銅等の金属は比重が8.36以
上と大きいことから半導体素子収納用パツケージ
の重量を重くするという欠点を有していた。
また金属基体及び金属枠体がコバール（Fe−
Ni−Co合金）から成る場合、コバールは磁性体
であることから内部に収納する半導体素子を作動
させる際に金属基体もしくは金属枠体に電流が流
れると不要な磁界を発生し、該磁界が半導体素子
に作用して半導体素子の特性に劣化を来すという
欠点を有していた。
Ni−Co合金）から成る場合、コバールは磁性体
であることから内部に収納する半導体素子を作動
させる際に金属基体もしくは金属枠体に電流が流
れると不要な磁界を発生し、該磁界が半導体素子
に作用して半導体素子の特性に劣化を来すという
欠点を有していた。
更に無酸素銅、コバール、銅−タングステンは
いずれも耐酸化性に劣ることから、これらの金属
を使用して金属基体や金属枠体を形成した場合、
金属基体及び金属枠体を酸化から保護するために
その外表面にニツケル（Ni）や金（Au）等の酸
化性に優れた金属をめつきにより被着しておかな
ければならず、耐酸化性に優れた金属の被着作業
は極めて煩雑で、かつ面倒であり製品としての半
導体素子収納用パツケージを高価とする欠点も有
していた。
いずれも耐酸化性に劣ることから、これらの金属
を使用して金属基体や金属枠体を形成した場合、
金属基体及び金属枠体を酸化から保護するために
その外表面にニツケル（Ni）や金（Au）等の酸
化性に優れた金属をめつきにより被着しておかな
ければならず、耐酸化性に優れた金属の被着作業
は極めて煩雑で、かつ面倒であり製品としての半
導体素子収納用パツケージを高価とする欠点も有
していた。
本考案は上記欠点に鑑み案出されたもので、そ
の目的は内部に収納する半導体素子を長期間にわ
たり安定に作動させることができる軽量、かつ安
価な半導体素子収納用パツケージを提供すること
にある。
の目的は内部に収納する半導体素子を長期間にわ
たり安定に作動させることができる軽量、かつ安
価な半導体素子収納用パツケージを提供すること
にある。
本考案は金属基体上に切欠部を有する金属枠体
を取着するとともに該枠体の切欠部にメタライズ
金属層を埋設したセラミツクから成る入出力端子
取着部材を嵌着して成る半導体素子収納用パツケ
ージにおいて、前記金属基体及び金属枠体をアル
ミニウムを主体とする金属により形成したことを
特徴とするものである。
を取着するとともに該枠体の切欠部にメタライズ
金属層を埋設したセラミツクから成る入出力端子
取着部材を嵌着して成る半導体素子収納用パツケ
ージにおいて、前記金属基体及び金属枠体をアル
ミニウムを主体とする金属により形成したことを
特徴とするものである。
次に本考案を添付図面に基づき詳細に説明す
る。
る。
第１図は本考案の半導体素子収納用パツケージ
として電界効果トランジスタを収納するための半
導体素子収納用パツケージを例に採つて示した斜
視図、第２図は第１図の分解斜視図である。
として電界効果トランジスタを収納するための半
導体素子収納用パツケージを例に採つて示した斜
視図、第２図は第１図の分解斜視図である。
図において１は金属基体、２は蓋体であり、金
属基体１の上面中央部には金属枠体３が取着され
ている。
属基体１の上面中央部には金属枠体３が取着され
ている。
前記金属基体１にはその上面で、金属枠体３に
より囲繞される部位に電界効果トランジスタ（不
図示）が取着収納され、該金属基体１は収納する
電界効果トランジスタの接地端子及び放熱板とし
て作用する。
より囲繞される部位に電界効果トランジスタ（不
図示）が取着収納され、該金属基体１は収納する
電界効果トランジスタの接地端子及び放熱板とし
て作用する。
前記金属基体１及び金属枠体３はアルミニウム
を主体とする金属（アルミニウム単独もしくはア
ルミニウムに若干の不純物を含んだ金属）から成
り、該アルミニウムを主体とする金属はその比重
が約2.7で無酸素銅やコバール等の比重（比重
8.36以上）と比較すると約1/3であり、これによ
つて金属基体１及び金属枠体３はその重みが従来
品よりも約1/3の軽量となる。
を主体とする金属（アルミニウム単独もしくはア
ルミニウムに若干の不純物を含んだ金属）から成
り、該アルミニウムを主体とする金属はその比重
が約2.7で無酸素銅やコバール等の比重（比重
8.36以上）と比較すると約1/3であり、これによ
つて金属基体１及び金属枠体３はその重みが従来
品よりも約1/3の軽量となる。
またアルミニウムを主体とする金属は非磁性体
であり、電界効果トランジスタを作動させる際等
において金属基体１や金属枠体３に電流が流れた
としても金属基体１や金属枠体３より不要な磁界
を発生することは一切なく、該不要な磁界によつ
て電界効果トランジスタの特性に劣化を来すこと
もない。
であり、電界効果トランジスタを作動させる際等
において金属基体１や金属枠体３に電流が流れた
としても金属基体１や金属枠体３より不要な磁界
を発生することは一切なく、該不要な磁界によつ
て電界効果トランジスタの特性に劣化を来すこと
もない。
更に、アルミニウムを主体とする金属は耐酸化
性に優れていることから金属基体１や金属枠体３
の外表面に酸化防止のための耐酸化性に優れた金
属を被着させる必要がまつたくなく、半導体素子
収納用パツケージの製作工程を簡素として安価と
なすこともできる。
性に優れていることから金属基体１や金属枠体３
の外表面に酸化防止のための耐酸化性に優れた金
属を被着させる必要がまつたくなく、半導体素子
収納用パツケージの製作工程を簡素として安価と
なすこともできる。
尚、前記金属基体１及び金属枠体３はアルミニ
ウムを主体とする金属を従来周知のプレス成型法
によつて板状や枠状に形成され、金属枠体３は金
属基体１の上面中央部にアルミニウムロウ材を介
してロウ付け取着される。
ウムを主体とする金属を従来周知のプレス成型法
によつて板状や枠状に形成され、金属枠体３は金
属基体１の上面中央部にアルミニウムロウ材を介
してロウ付け取着される。
また前記金属基体１の両端には貫通孔ａが設け
られており、該貫通孔ａは電界効果トランジスタ
を収納した半導体素子収納用パツケージを外部電
気回路基板に螺子止めにより固着する際、螺子を
挿通させる孔として作用する。
られており、該貫通孔ａは電界効果トランジスタ
を収納した半導体素子収納用パツケージを外部電
気回路基板に螺子止めにより固着する際、螺子を
挿通させる孔として作用する。
前記金属基体１の上面中央部に取着される金属
枠体３はその相対向する２箇所の部位に切欠部３
ａが設けてあり、該切欠部３ａにはアルミナ
（Al2O3）等の電気絶縁材料から成る入出力端子
取着部材４が嵌着されている。
枠体３はその相対向する２箇所の部位に切欠部３
ａが設けてあり、該切欠部３ａにはアルミナ
（Al2O3）等の電気絶縁材料から成る入出力端子
取着部材４が嵌着されている。
前記入出力端子取着部材４にはその内部に、半
導体素子収納用パツケージの内部と外部とを電気
的に接続するためのメタライズ金属層４ａが埋設
されており、該メタライズ金属層４ａの露出部分
にはコバール（Fe−Ni−Co合金）や42 Alloy
（Fe−Ni合金）等から成る入出力端子５が銀ロウ
材によりロウ付けされている。
導体素子収納用パツケージの内部と外部とを電気
的に接続するためのメタライズ金属層４ａが埋設
されており、該メタライズ金属層４ａの露出部分
にはコバール（Fe−Ni−Co合金）や42 Alloy
（Fe−Ni合金）等から成る入出力端子５が銀ロウ
材によりロウ付けされている。
また前記入出力端子取着部材４にはその底面、
側面及び上面にメタライズ金属層４ｂが被着され
ており、該メタライズ金属層４ｂは金属枠体３の
切欠部３ａ内壁にアルミニウムロウ材を介しロウ
付けされ、これによつて入出力端子取着部材４は
金属枠体３の切欠部３ａに嵌着されることとな
る。
側面及び上面にメタライズ金属層４ｂが被着され
ており、該メタライズ金属層４ｂは金属枠体３の
切欠部３ａ内壁にアルミニウムロウ材を介しロウ
付けされ、これによつて入出力端子取着部材４は
金属枠体３の切欠部３ａに嵌着されることとな
る。
前記メタライズ金属層４ａ，４ｂはタングステ
ン（Ｗ）、モリブデン（Mo）、マンガン（Mn）
等の高融点金属から成り、従来周知のMo−Mn
法によつてアルミニウム等の電気絶縁材料から成
る入出力端子取着部材４に埋設、被着される。
ン（Ｗ）、モリブデン（Mo）、マンガン（Mn）
等の高融点金属から成り、従来周知のMo−Mn
法によつてアルミニウム等の電気絶縁材料から成
る入出力端子取着部材４に埋設、被着される。
かくして金属基体１の金属枠体３内に電界効果
トランジスタを取着するとともに電界効果トラン
ジスタの各電極と入出力端子取着部材４のメタラ
イズ金属層４ａとをワイヤを介し電気的に接続
し、しかる後、金属枠体３の上面に金属や絶縁物
から成る枠体２をガラスや樹脂等の封止部材を介
し取着させ、内部を気密に封止することによつて
半導体装置となる。
トランジスタを取着するとともに電界効果トラン
ジスタの各電極と入出力端子取着部材４のメタラ
イズ金属層４ａとをワイヤを介し電気的に接続
し、しかる後、金属枠体３の上面に金属や絶縁物
から成る枠体２をガラスや樹脂等の封止部材を介
し取着させ、内部を気密に封止することによつて
半導体装置となる。
本考案の半導体素子収納用パツケージによれば
金属基体と該金属基体に取着される金属枠体を、
比重が小さく、非磁性体で、かつ耐酸化性に優れ
たアルミニウムを主体とする金属により形成した
ことから半導体素子収納用パツケージの重量を従
来品の約1/3に軽量化することができるとともに
不要な磁界の発生を極小として内部に収納する半
導体素子の作動を長期間にわたり安定なものとな
すことができる。また更には半導体素子収納用パ
ツケージの製作工程を簡素として極めて安価なも
のとなすこともできる。
金属基体と該金属基体に取着される金属枠体を、
比重が小さく、非磁性体で、かつ耐酸化性に優れ
たアルミニウムを主体とする金属により形成した
ことから半導体素子収納用パツケージの重量を従
来品の約1/3に軽量化することができるとともに
不要な磁界の発生を極小として内部に収納する半
導体素子の作動を長期間にわたり安定なものとな
すことができる。また更には半導体素子収納用パ
ツケージの製作工程を簡素として極めて安価なも
のとなすこともできる。
第１図は本考案の半導体素子収納用パツケージ
の一実施例を示す分解斜視図、第２図は第１図の
パツケージを更に細かく分解した状態の斜視図で
ある。 １……金属基体、２……蓋体、３……金属枠
体、３ａ……切欠部、４……入出力端子取着部
材。
の一実施例を示す分解斜視図、第２図は第１図の
パツケージを更に細かく分解した状態の斜視図で
ある。 １……金属基体、２……蓋体、３……金属枠
体、３ａ……切欠部、４……入出力端子取着部
材。
Claims (1)
- アルミニウム製金属基体上に取着させた切欠部
を有するアルミニウム製金属枠体に蓋体を接合さ
せることによつて枠体内部の基体上に半導体素子
を封止するとともに前記枠体の切欠部に、メタラ
イズ金属層を埋設したセラミツクから成る入出力
端子取付部材をアルミニウムロウ材を介してロウ
付けしたことを特徴とする半導体素子収納用パツ
ケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986195390U JPH0438523Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986195390U JPH0438523Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100840U JPS63100840U (ja) | 1988-06-30 |
| JPH0438523Y2 true JPH0438523Y2 (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=31153238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986195390U Expired JPH0438523Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438523Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59224146A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP1986195390U patent/JPH0438523Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63100840U (ja) | 1988-06-30 |
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