JPH04385B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH04385B2 JPH04385B2 JP58031825A JP3182583A JPH04385B2 JP H04385 B2 JPH04385 B2 JP H04385B2 JP 58031825 A JP58031825 A JP 58031825A JP 3182583 A JP3182583 A JP 3182583A JP H04385 B2 JPH04385 B2 JP H04385B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- gate
- frame
- inner mold
- outer mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の樹脂複数層封止方法に
かかり、特にインナモールドにて発生する樹脂バ
リの影響をアウタモールドに及ぼさせないように
改良した封止方法を提供する。
かかり、特にインナモールドにて発生する樹脂バ
リの影響をアウタモールドに及ぼさせないように
改良した封止方法を提供する。
樹脂封止型半導体装置で複数層の樹脂モールド
が施される一例を第１図ないし第４図に示す。第
２図の１はリードフレームでこのリード部２，２
…の１つに半導体チツプがマウントされ、ワイヤ
ボンデイングによつて電極導出が施されたのち、
インナモールドが施される。第１図および第４図
における３はインナモールド体である。そして、
上記インナモールドに供されるモールド樹脂はそ
の要求される特性面から流動性の良い透明樹脂や
浮白色樹脂が一般に用いられており、この外周と
リードフレームの枠部１ａとの間に生じた樹脂バ
リ３ａやゲート残り３ｂが発生しやすい。
が施される一例を第１図ないし第４図に示す。第
２図の１はリードフレームでこのリード部２，２
…の１つに半導体チツプがマウントされ、ワイヤ
ボンデイングによつて電極導出が施されたのち、
インナモールドが施される。第１図および第４図
における３はインナモールド体である。そして、
上記インナモールドに供されるモールド樹脂はそ
の要求される特性面から流動性の良い透明樹脂や
浮白色樹脂が一般に用いられており、この外周と
リードフレームの枠部１ａとの間に生じた樹脂バ
リ３ａやゲート残り３ｂが発生しやすい。
叙上の背景技術によると、インナモールドの外
周とリードフレームの枠部１ａとの間に発生した
薄い樹脂バリ３ａは一般のバリ除去デバイスでは
除去できないので、アウタモールド体４の仕上が
り（外観）に支を来たす。また、フレーム枠上に
付着したゲート残りはアウタモールド時の位置ぎ
めに重大な支障を来たす重大な欠点がある。
周とリードフレームの枠部１ａとの間に発生した
薄い樹脂バリ３ａは一般のバリ除去デバイスでは
除去できないので、アウタモールド体４の仕上が
り（外観）に支を来たす。また、フレーム枠上に
付着したゲート残りはアウタモールド時の位置ぎ
めに重大な支障を来たす重大な欠点がある。
この発明は従来の技術の問題点に鑑み樹脂複数
層にる封止方法を改良するものである。
層にる封止方法を改良するものである。
この発明にかかる樹脂複数層封止方法は、半導
体素子のマウント体に複数層の樹脂封止を施すに
あたり、フレーム枠の一部を内方へ延長させイン
ナモールド体の外側に接触させるように形成する
とともにインナモールド金型のゲートよりも小さ
く形成してインナモールドを施したのち、フレー
ム枠に付着したゲート入口部をダムバーカツト時
においてアウタモールドの側面位に合わせてダム
バーとともに切除し、アウタモールドにおけるそ
の金型のゲート溝にインナモールド時フレーム枠
に付着したゲート残りを収納させてアウタモール
ドを施すことを特徴とする。
体素子のマウント体に複数層の樹脂封止を施すに
あたり、フレーム枠の一部を内方へ延長させイン
ナモールド体の外側に接触させるように形成する
とともにインナモールド金型のゲートよりも小さ
く形成してインナモールドを施したのち、フレー
ム枠に付着したゲート入口部をダムバーカツト時
においてアウタモールドの側面位に合わせてダム
バーとともに切除し、アウタモールドにおけるそ
の金型のゲート溝にインナモールド時フレーム枠
に付着したゲート残りを収納させてアウタモール
ドを施すことを特徴とする。
次にこの発明を１実施例につき図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第５図に示すリードフレーム１１は１実施例の
製造方法に供せられるもので、フレーム枠１１ａ
の一部を内方へ延長させその延長端がのちに形成
される予定のインナモールド体１２（図中に破線
で示す）の側面に接触する延長枠部１１ｂを設け
て、インナモールド金型のゲート上面を覆うよう
に形成している。
製造方法に供せられるもので、フレーム枠１１ａ
の一部を内方へ延長させその延長端がのちに形成
される予定のインナモールド体１２（図中に破線
で示す）の側面に接触する延長枠部１１ｂを設け
て、インナモールド金型のゲート上面を覆うよう
に形成している。
次にインナモールド金型のゲート寸法、就中そ
の幅と高さの夫々をアウタモールドのゲート寸法
の夫々よりも小に形成した金型でインナモールド
を施す。このゲート寸法比は第７図に示すように
インナモールドの幅ｗをアウタモールドの幅Ｗの
ほぼ1/1.5に、また、インナモールドの深さｄを
アウタモールドの深さＤに対しほぼ1/2に形成し、
相互には同心にする。
の幅と高さの夫々をアウタモールドのゲート寸法
の夫々よりも小に形成した金型でインナモールド
を施す。このゲート寸法比は第７図に示すように
インナモールドの幅ｗをアウタモールドの幅Ｗの
ほぼ1/1.5に、また、インナモールドの深さｄを
アウタモールドの深さＤに対しほぼ1/2に形成し、
相互には同心にする。
ついでダムバーカツテイングを施す。このと
き、フレーム枠の延長枠部１１ｂの内側を、のち
に形成されるアウタモールド体の側面位置に合わ
せて切断し延長枠部１１b′にする（第６図）。
き、フレーム枠の延長枠部１１ｂの内側を、のち
に形成されるアウタモールド体の側面位置に合わ
せて切断し延長枠部１１b′にする（第６図）。
叙上の如くアウタモールドにおいては、その金
型のゲート溝にインナモールド時フレーム枠に付
着したゲート残りを収納させてアウタモールドを
施してモールド封止を達成する。
型のゲート溝にインナモールド時フレーム枠に付
着したゲート残りを収納させてアウタモールドを
施してモールド封止を達成する。
この発明によれば、樹脂複数層封止において次
にあげる利点がある。
にあげる利点がある。
インナモールド時に発生する樹脂バリによつて
のちに施されるアウタモールド金型への装填のト
ラブルが回避され、定位に所望の装填が達成でき
る。また、インナモールドにおけるゲート残りに
よつてアウタモールド金型への装填が所望になさ
れない欠点が防止された。
のちに施されるアウタモールド金型への装填のト
ラブルが回避され、定位に所望の装填が達成でき
る。また、インナモールドにおけるゲート残りに
よつてアウタモールド金型への装填が所望になさ
れない欠点が防止された。
さらに、樹脂バリにる製品（半導体装置、フオ
トカプラ）の外観不良が防止された。すなわち、
インナモールド樹脂がアウタモールド施行後にも
一部露出して異色部、異質部を形成したりする事
故が完全に防止できた。
トカプラ）の外観不良が防止された。すなわち、
インナモールド樹脂がアウタモールド施行後にも
一部露出して異色部、異質部を形成したりする事
故が完全に防止できた。
また、樹脂バリ除去装置を必要とせず、バリ除
去工程、ゲート残り除去工程等が省略されて労務
節減と製造工程の能率向上がはかられるなど、経
済上のメリツトが大きい。
去工程、ゲート残り除去工程等が省略されて労務
節減と製造工程の能率向上がはかられるなど、経
済上のメリツトが大きい。
第１図は樹脂複数層封止形成された半導体装置
の一部断面で示す斜視図、第２図はリードフレー
ムの斜視図、第３図はインナモールド後のマウン
ト体の斜視図、第４図は第３図のAA′線に沿う断
面図、第５図以降は１実施例にかかり、第５図は
リードフレームの斜視図、第６図はインナモール
ド後に施されたダムバーカツト後のマウント体の
斜視図、第７図はインナモールドとアウタモール
ドのゲート寸法を説明するための断面図である。 １１…リードフレーム、１１ａ…リードフレー
ムのフレーム枠、１１ｂ…フレーム枠の延長枠
部、１１b′…ダムバーカツト後の延長枠部、１２
…インナモールド体。
の一部断面で示す斜視図、第２図はリードフレー
ムの斜視図、第３図はインナモールド後のマウン
ト体の斜視図、第４図は第３図のAA′線に沿う断
面図、第５図以降は１実施例にかかり、第５図は
リードフレームの斜視図、第６図はインナモール
ド後に施されたダムバーカツト後のマウント体の
斜視図、第７図はインナモールドとアウタモール
ドのゲート寸法を説明するための断面図である。 １１…リードフレーム、１１ａ…リードフレー
ムのフレーム枠、１１ｂ…フレーム枠の延長枠
部、１１b′…ダムバーカツト後の延長枠部、１２
…インナモールド体。
Claims (1)
- １ 半導体素子のマウント体に複数層の樹脂封止
を施すにあたり、フレーム枠を一部内方へ延長さ
せインナモールド体の側面に接触させるように形
成するとともにインナモールド金型のゲートをア
ウタモールド金型のゲートよりも小さく形成して
インナモールドを施したのち、フレーム枠に付着
したゲート入口部をダムバーカツト時においてア
ウタモールドの側面位に合わせてダムバーととも
に切除し、アウタモールドにおけるその金型のゲ
ート溝にインナモールド時フレーム枠に付着した
ゲート残りを収納させてアウタモールドを施すこ
とを特徴とする半導体装置の樹脂複数層封止方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58031825A JPS59158529A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 半導体装置の樹脂複数層封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58031825A JPS59158529A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 半導体装置の樹脂複数層封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158529A JPS59158529A (ja) | 1984-09-08 |
| JPH04385B2 true JPH04385B2 (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=12341852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58031825A Granted JPS59158529A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 半導体装置の樹脂複数層封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158529A (ja) |
-
1983
- 1983-03-01 JP JP58031825A patent/JPS59158529A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59158529A (ja) | 1984-09-08 |
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