JPH01106458A - リードフレームの処理方法 - Google Patents
リードフレームの処理方法Info
- Publication number
- JPH01106458A JPH01106458A JP62262672A JP26267287A JPH01106458A JP H01106458 A JPH01106458 A JP H01106458A JP 62262672 A JP62262672 A JP 62262672A JP 26267287 A JP26267287 A JP 26267287A JP H01106458 A JPH01106458 A JP H01106458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- oxide film
- resin
- copper
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
こ、の発明は半導体チップを樹脂封じする場合に用いら
れるリードフレームの処理方法に関するものである。
れるリードフレームの処理方法に関するものである。
［従来の技術］
図面はリードフレームの一部分を示す拡大平面図で、図
において１はリードフレーム全体を示し１１は外部リー
ドとなる部分、斜線を施し符号１２で示す部分は樹脂封
じ後切り落とされる部分である。図に示すようなりＩＰ
（ｄｕａｌ １ｎｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）型の
、パッケージでは図面の上方のリード部分と下方のリー
ド部分とを連結しておいて樹脂封じ後に切り落とされる
部分があるが、この部分は図示してない。２は半導体チ
ップ、チップ２からのボンディングワイヤは符号１３で
示す点線の内部においてリードフレーム１に接続される
とする。１４ａ、１４ｂは樹脂封じされる境界を示し、
１４ａから上部と１４ｂから下部は樹脂の外に出る。
において１はリードフレーム全体を示し１１は外部リー
ドとなる部分、斜線を施し符号１２で示す部分は樹脂封
じ後切り落とされる部分である。図に示すようなりＩＰ
（ｄｕａｌ １ｎｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）型の
、パッケージでは図面の上方のリード部分と下方のリー
ド部分とを連結しておいて樹脂封じ後に切り落とされる
部分があるが、この部分は図示してない。２は半導体チ
ップ、チップ２からのボンディングワイヤは符号１３で
示す点線の内部においてリードフレーム１に接続される
とする。１４ａ、１４ｂは樹脂封じされる境界を示し、
１４ａから上部と１４ｂから下部は樹脂の外に出る。
樹脂封じにおいては樹脂が１４ａ、１４ｂの境界外に溢
れ出るという現象が発生する。この現象を樹脂フラッシ
ュ（ｆｌｕｓｈ）という。リードフレームには４２アロ
イ系のものと銅系のものとがあるが、銅系のものの方が
樹脂フラッシュで付着した樹脂を除去することが困難で
ある。それは銅の表面の方が４２７０イの表面より狙い
からである。
れ出るという現象が発生する。この現象を樹脂フラッシ
ュ（ｆｌｕｓｈ）という。リードフレームには４２アロ
イ系のものと銅系のものとがあるが、銅系のものの方が
樹脂フラッシュで付着した樹脂を除去することが困難で
ある。それは銅の表面の方が４２７０イの表面より狙い
からである。
リード１１の部分には予備半田付けの処理が必要であり
、そのため樹脂フラッシュによって付着した樹脂を除去
しておかねばならぬ。これをデフラッシュというが、従
来はデフラッシュは高圧のウォータジェットなどを用い
て行っていた。
、そのため樹脂フラッシュによって付着した樹脂を除去
しておかねばならぬ。これをデフラッシュというが、従
来はデフラッシュは高圧のウォータジェットなどを用い
て行っていた。
［発明が解決しようとする問題点］
以上のように従来の方法では、高圧つオータジェットな
どのデフラッシュ装置を用いていたが、リードフレーム
が銅の場合は完全な樹脂の除去が困難であり、デフラッ
シュ装置自体が高価であり、かつデフラッシュ作業がコ
スト高になるという問題点があった。
どのデフラッシュ装置を用いていたが、リードフレーム
が銅の場合は完全な樹脂の除去が困難であり、デフラッ
シュ装置自体が高価であり、かつデフラッシュ作業がコ
スト高になるという問題点があった。
この発明は従来のものにおける上述の問題点を解決する
ためになされたもので、デフラッシュのための処理時間
を短縮し処理コストを低減することができるリードフレ
ーム゛処理方法を得ることを目的としている。
ためになされたもので、デフラッシュのための処理時間
を短縮し処理コストを低減することができるリードフレ
ーム゛処理方法を得ることを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
この発明では、リードフレームの中でデフラッシュを必
要とする領域の銅の表面に銅の酸化膜を形成した。
要とする領域の銅の表面に銅の酸化膜を形成した。
［作用］
銅の酸化膜は樹脂フラッシュによ、る樹脂が付着し難く
なり、またリード仕上げの場合、酸化膜を化学処理によ
って容易に除去することができる。
なり、またリード仕上げの場合、酸化膜を化学処理によ
って容易に除去することができる。
［実施例コ
以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。樹脂
封じの後にデフラッシュを行う必要の有る領域は図に示
す線１４ａ、１４ｂより外方の部分である。また、ｔａ
、１３の内方の部分には半導体チップ２からのボンディ
ングワイヤが接続される部分を含んでおり、この部分に
は銅の酸化膜を形成してはいけない。線１３の外側で線
１４ａ、１４ｂの内側の部分は銅の表面に酸化膜を形成
せず、樹脂が付着しやすい状態にしておいた方がよい。
封じの後にデフラッシュを行う必要の有る領域は図に示
す線１４ａ、１４ｂより外方の部分である。また、ｔａ
、１３の内方の部分には半導体チップ２からのボンディ
ングワイヤが接続される部分を含んでおり、この部分に
は銅の酸化膜を形成してはいけない。線１３の外側で線
１４ａ、１４ｂの内側の部分は銅の表面に酸化膜を形成
せず、樹脂が付着しやすい状態にしておいた方がよい。
この発明の処理方法では、例えば、線１４ａ。
１４ｂの間のリードフレームの部分を銀メッキした後、
または線１４ａ、１４ｂの間の部分をマスクした後、リ
ードフレーム１を２００度〜５００度の温度で空気中に
適当な時間放置してその表面に銅の酸化膜を形成する。
または線１４ａ、１４ｂの間の部分をマスクした後、リ
ードフレーム１を２００度〜５００度の温度で空気中に
適当な時間放置してその表面に銅の酸化膜を形成する。
その後で樹脂封じをすると樹脂フラッシュにより溢れ出
た樹脂は銅の酸化膜の上には付着し難く、デフラッシュ
が容易になる。リード１１の部分に形成されている銅の
酸化膜は半田や錫によりリード仕上げを行う前にハロゲ
ン化水素酸、オキソ酸等による化学処理で除去すること
ができ、この時に有効なデフラッシュ効果が得られる。
た樹脂は銅の酸化膜の上には付着し難く、デフラッシュ
が容易になる。リード１１の部分に形成されている銅の
酸化膜は半田や錫によりリード仕上げを行う前にハロゲ
ン化水素酸、オキソ酸等による化学処理で除去すること
ができ、この時に有効なデフラッシュ効果が得られる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、デフラッシュ作業の容
易なリードフレームを得ることが出来る
易なリードフレームを得ることが出来る
図面はリードフレームの一部を示す平面図。
１・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、１１
・−−リード、１４ａ、１４ｂ・−−マスクの境界線。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
・−−リード、１４ａ、１４ｂ・−−マスクの境界線。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）半導体チップとこの半導体チップからのリードの
一部とを樹脂封じする製造方法に用いられるリードフレ
ームに銅板が使用される場合のリードフレームの処理方
法において、 上記樹脂封じの外側に出るリードフレームの領域の銅の
表面に銅の酸化膜を形成する酸化膜形成工程、 この酸化膜形成工程の後、樹脂封じを済ませ、樹脂封じ
後、半田や錫によって仕上げを行う部分のリードの表面
の銅の酸化膜を化学処理で除去する酸化膜除去工程、 を備えたことを特徴とするリードフレームの処理方法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載のリードフレームの処
理方法において、酸化膜形成工程は、酸化膜の形成から
除外すべき部分を銀メッキ又はマスキングした後、２０
０度〜５００度の温度で空気中に放置する工程を含むこ
とを特徴とするリードフレームの処理方法。 - （３）特許請求の範囲第１項記載のリードフレームの処
理方法において、酸化膜除去工程は、ハロゲン化水素酸
、オキソ酸による化学処理を含むことを特徴とするリー
ドフレームの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262672A JPH01106458A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | リードフレームの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262672A JPH01106458A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | リードフレームの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106458A true JPH01106458A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17378996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262672A Pending JPH01106458A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | リードフレームの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106458A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8298869B2 (en) | 2008-03-21 | 2012-10-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin package and production method thereof |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62262672A patent/JPH01106458A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8298869B2 (en) | 2008-03-21 | 2012-10-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin package and production method thereof |
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