JPH0438614A - 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび記録再生装置Info
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- JPH0438614A JPH0438614A JP14126590A JP14126590A JPH0438614A JP H0438614 A JPH0438614 A JP H0438614A JP 14126590 A JP14126590 A JP 14126590A JP 14126590 A JP14126590 A JP 14126590A JP H0438614 A JPH0438614 A JP H0438614A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
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- G11B5/3964—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement for transducing on a single track
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に記録された情報を読取るため
の専用の感磁素子に係り、さらに詳しくは強磁性体膜の
磁気抵抗効果を利用した高感度の磁気抵抗効果型の感磁
素子およびそれを用いた磁気ヘッドならびに磁気記録再
生装置に関する。
の専用の感磁素子に係り、さらに詳しくは強磁性体膜の
磁気抵抗効果を利用した高感度の磁気抵抗効果型の感磁
素子およびそれを用いた磁気ヘッドならびに磁気記録再
生装置に関する。
従来の例えば、バイアス磁界印加手段として軟磁性体膜
を用いた磁気抵抗効果素子は、特開昭５０−６５２１３
号公報において記載されているように、磁気抵抗効果膜
の両端部に２本の導体部を設けた構成になっており、こ
の形式の磁気抵抗効果素子の出力は、外部磁界に対して
放物線的な出力を示すものである。一方、特開昭６１−
１９９６８４号公報には、ダイナミックレンジの拡大と
雑音の低減等を目的とした磁気抵抗効果素子が提案され
ており、これは上記特開昭５０−６５２１３号公報記載
の放物線的な出力をもつ２つの磁気抵抗効果素子の出力
を、差動化させた構成の軟磁性体を用いたバイアス型の
磁気抵抗効果素子である。この磁気抵抗効果素子は、差
動化させるために磁気抵抗効果膜の中央部に共通の導体
部を設け、さらに上記磁気抵抗効果膜の両端部に設けら
れている２本の導体部とを合わせて、計３本の導体部を
設けた構成の磁気抵抗効果素子である。
を用いた磁気抵抗効果素子は、特開昭５０−６５２１３
号公報において記載されているように、磁気抵抗効果膜
の両端部に２本の導体部を設けた構成になっており、こ
の形式の磁気抵抗効果素子の出力は、外部磁界に対して
放物線的な出力を示すものである。一方、特開昭６１−
１９９６８４号公報には、ダイナミックレンジの拡大と
雑音の低減等を目的とした磁気抵抗効果素子が提案され
ており、これは上記特開昭５０−６５２１３号公報記載
の放物線的な出力をもつ２つの磁気抵抗効果素子の出力
を、差動化させた構成の軟磁性体を用いたバイアス型の
磁気抵抗効果素子である。この磁気抵抗効果素子は、差
動化させるために磁気抵抗効果膜の中央部に共通の導体
部を設け、さらに上記磁気抵抗効果膜の両端部に設けら
れている２本の導体部とを合わせて、計３本の導体部を
設けた構成の磁気抵抗効果素子である。
磁気記録密度の増加の要求にともなって記録トラック幅
も減少させる必要が生じる。上述した従来技術である特
開昭５０−６５２１３号公報に記載されている磁気抵抗
効果素子は、導体部が２本であるため狭トラック化され
た磁気記録媒体に対しては有利であるが、出力が放物線
的であるためにダイナミツトレンジが狭いという欠点が
あった。
も減少させる必要が生じる。上述した従来技術である特
開昭５０−６５２１３号公報に記載されている磁気抵抗
効果素子は、導体部が２本であるため狭トラック化され
た磁気記録媒体に対しては有利であるが、出力が放物線
的であるためにダイナミツトレンジが狭いという欠点が
あった。
一方、従来の特開昭６１−１９９６８４号公報に４一
記載の差動型の磁気抵抗効果素子においては、ダイナミ
ックレンジが広いという点では有利であるが、磁気記録
媒体の狭トラック化が進むにつれて、それに対応した３
本の導体部を有する磁気抵抗効果素子を作製することは
、特に磁気抵抗効果膜の中央に接続される導体部の幅を
小さくする必要があって、これはパターニング精度、エ
レクトロマイグレーションなどの点から言って極めて困
難であるという問題があった。また、両者共通の問題点
として、狭トラック化すると磁気抵抗効果膜中の電流密
度分布が素子の再生出力に影響を与えると言うことがあ
った。
ックレンジが広いという点では有利であるが、磁気記録
媒体の狭トラック化が進むにつれて、それに対応した３
本の導体部を有する磁気抵抗効果素子を作製することは
、特に磁気抵抗効果膜の中央に接続される導体部の幅を
小さくする必要があって、これはパターニング精度、エ
レクトロマイグレーションなどの点から言って極めて困
難であるという問題があった。また、両者共通の問題点
として、狭トラック化すると磁気抵抗効果膜中の電流密
度分布が素子の再生出力に影響を与えると言うことがあ
った。
本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解消す
るものであって、高密度磁気記録媒体の狭トラック化に
対応した３本の導体部を有する磁気抵抗効果素子を構成
し、かつ差動型の素子出力が得られ、ダイナミックレン
ジの広い磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッ
ドならびに磁気記録再生装置を提供することにある。
るものであって、高密度磁気記録媒体の狭トラック化に
対応した３本の導体部を有する磁気抵抗効果素子を構成
し、かつ差動型の素子出力が得られ、ダイナミックレン
ジの広い磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッ
ドならびに磁気記録再生装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記本発明の目的を達成するために、磁気抵抗効果素子
に接続した導体に流れる信号検出電流の方向が、少なく
とも磁気抵抗効果膜の上では磁気記録媒体のトラック幅
方向にほぼ平行となるように構成する。すなわち、具体
的には磁気抵抗効果素子を差動化させるために設けた磁
気抵抗効果膜の中央部に設ける共通の導体部を、少なく
とも磁気抵抗効果膜の上においてはトラック幅方向にほ
ぼ平行となるように形成することにより本発明の磁気抵
抗効果素子を実現することができる。
に接続した導体に流れる信号検出電流の方向が、少なく
とも磁気抵抗効果膜の上では磁気記録媒体のトラック幅
方向にほぼ平行となるように構成する。すなわち、具体
的には磁気抵抗効果素子を差動化させるために設けた磁
気抵抗効果膜の中央部に設ける共通の導体部を、少なく
とも磁気抵抗効果膜の上においてはトラック幅方向にほ
ぼ平行となるように形成することにより本発明の磁気抵
抗効果素子を実現することができる。
磁気抵抗効果素子を差動化させるために設けた磁気抵抗
効果膜の中央部の導体を、磁気抵抗効果膜上に平行に設
けることにより、導体部と磁気抵抗効果膜の接続部付近
では、検出電流の密度分布が磁気抵抗効果膜の全面で均
一となる。これにより、媒体からの磁界信号が磁気抵抗
効果膜に加わったとき、上記膜全面で磁化の向きが変化
するため、狭トラック化を行っても検出電流の電流密度
分布による再生出力の低下を抑制することができる。
効果膜の中央部の導体を、磁気抵抗効果膜上に平行に設
けることにより、導体部と磁気抵抗効果膜の接続部付近
では、検出電流の密度分布が磁気抵抗効果膜の全面で均
一となる。これにより、媒体からの磁界信号が磁気抵抗
効果膜に加わったとき、上記膜全面で磁化の向きが変化
するため、狭トラック化を行っても検出電流の電流密度
分布による再生出力の低下を抑制することができる。
また、磁気抵抗効果膜上に形成された導体部はスルーホ
ールから右側と左側では、それぞれ逆向きのバイアス磁
界を発生する。この逆向きのバイアス磁界により、中央
から左側の磁気抵抗効果膜と右側の磁気抵抗効果膜の電
圧変化が磁界０（ゼロ）のときのバイアス点を基準にし
て、磁気記録媒体からの信号磁界に対して増加あるいは
減少するように作用する。その結果、両者を合成した磁
気抵抗効果膜全体の電圧変化は、差動化させたときに得
られる電圧変化と同様の変化を示すことになる。
ールから右側と左側では、それぞれ逆向きのバイアス磁
界を発生する。この逆向きのバイアス磁界により、中央
から左側の磁気抵抗効果膜と右側の磁気抵抗効果膜の電
圧変化が磁界０（ゼロ）のときのバイアス点を基準にし
て、磁気記録媒体からの信号磁界に対して増加あるいは
減少するように作用する。その結果、両者を合成した磁
気抵抗効果膜全体の電圧変化は、差動化させたときに得
られる電圧変化と同様の変化を示すことになる。
以下に本発明の一実施例を挙げ、図面に基づいてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
（実施例 １）
第１図は、本実施例において例示する磁気抵抗効果素子
の構成の概略を示す斜視図で、第２図（ａ）は本実施例
における磁気抵抗効果素子の構成の一例を示す平面図で
、第２図（ｂ）は第２図（、）のＡ−Ａ断面図である。
の構成の概略を示す斜視図で、第２図（ａ）は本実施例
における磁気抵抗効果素子の構成の一例を示す平面図で
、第２図（ｂ）は第２図（、）のＡ−Ａ断面図である。
本実施例においては、基板１上にＮ ｉ −Ｆ ｅ合金
などの軟磁性体膜よりなる磁気シールド２を０．５〜３
μｍの厚さに、真空蒸着法やスパッタ法などの手段で積
層し、ホトリソグラフィの手法により、所定の形状にパ
ターニングした。その上に、絶縁層３となるＳｉｎ、や
ＡＱ２０３を０．０５〜０．５μｍの厚さに、スパッタ
法を用いて積層した。
などの軟磁性体膜よりなる磁気シールド２を０．５〜３
μｍの厚さに、真空蒸着法やスパッタ法などの手段で積
層し、ホトリソグラフィの手法により、所定の形状にパ
ターニングした。その上に、絶縁層３となるＳｉｎ、や
ＡＱ２０３を０．０５〜０．５μｍの厚さに、スパッタ
法を用いて積層した。
磁気抵抗効果膜４となるＮｉ−Ｆｅ合金などを真空蒸着
法やスパッタ法などを用いて絶縁層３の上に積層した後
、ホトリソグラフィの手法により所定の形状にパターニ
ングした。なお、磁気抵抗効果膜３としてはＮｉ−Ｆｅ
合金のほかに、例えばＮ ｉ −Ｇ ｏ合金など磁気抵
抗効果をもつ他の合金系材料を使用してもなんら差し支
えない。そして、引き続き磁気抵抗効果膜４の端部に検
出電流を流すための導体部５を、Ｃｕなどの良導体を用
いて積層しホトリソグラフィの手法によりパターニング
して作製した。ここで、２本の導体部５の間隔すなわち
トラック幅は５μｍとした。また、導体部５の材料とし
てはＣｕの他にＡｕやＡｇなども好適に用いることがで
きる。
法やスパッタ法などを用いて絶縁層３の上に積層した後
、ホトリソグラフィの手法により所定の形状にパターニ
ングした。なお、磁気抵抗効果膜３としてはＮｉ−Ｆｅ
合金のほかに、例えばＮ ｉ −Ｇ ｏ合金など磁気抵
抗効果をもつ他の合金系材料を使用してもなんら差し支
えない。そして、引き続き磁気抵抗効果膜４の端部に検
出電流を流すための導体部５を、Ｃｕなどの良導体を用
いて積層しホトリソグラフィの手法によりパターニング
して作製した。ここで、２本の導体部５の間隔すなわち
トラック幅は５μｍとした。また、導体部５の材料とし
てはＣｕの他にＡｕやＡｇなども好適に用いることがで
きる。
次に、絶縁層６となるＳｉｎ、やＡｆｌ、０３をスパッ
タ法などにより０．０５〜１．０μｍの厚さに積層し、
ホトリソグラフィの手法によりスルーホール７を開けた
後、磁気抵抗効果膜４の中央部から検出電流を流しバイ
アス印加手段ともなる導体部８をＣｕなどの良導体を用
いて積層し、ホトリソグラフィの手法により所定の形状
にパターニングすることにより作製した。ここで、スル
ーホール７より左側の磁気抵抗効果膜４と、右側の磁気
抵抗効果膜４で得られる出力波形が対称となるように、
スルーホール７の位置は磁気抵抗効果膜４の中央に設け
る必要がある。また、導体部８はバイアス印加手段とし
ても用いることができるように、磁気抵抗効果膜４の上
部または下部に平行に設ける。ここで、スルーホール７
の幅は０．８μｍとした。導体部８の材料としてはＣｕ
の他にＡｕやＡｇなども好適に用いることができる。
タ法などにより０．０５〜１．０μｍの厚さに積層し、
ホトリソグラフィの手法によりスルーホール７を開けた
後、磁気抵抗効果膜４の中央部から検出電流を流しバイ
アス印加手段ともなる導体部８をＣｕなどの良導体を用
いて積層し、ホトリソグラフィの手法により所定の形状
にパターニングすることにより作製した。ここで、スル
ーホール７より左側の磁気抵抗効果膜４と、右側の磁気
抵抗効果膜４で得られる出力波形が対称となるように、
スルーホール７の位置は磁気抵抗効果膜４の中央に設け
る必要がある。また、導体部８はバイアス印加手段とし
ても用いることができるように、磁気抵抗効果膜４の上
部または下部に平行に設ける。ここで、スルーホール７
の幅は０．８μｍとした。導体部８の材料としてはＣｕ
の他にＡｕやＡｇなども好適に用いることができる。
次に、絶縁層９となるＳｉｎ、やＡｆ１２０３などを０
．０５〜１．０μｍ積層する。その上に、磁気シールド
１０となるＮｉ−Ｆｅ合金などの軟磁性体を０．５〜３
．０μｍ積層し、ホトリソグラフィの手法により所定の
形状にパターニングした。
．０５〜１．０μｍ積層する。その上に、磁気シールド
１０となるＮｉ−Ｆｅ合金などの軟磁性体を０．５〜３
．０μｍ積層し、ホトリソグラフィの手法により所定の
形状にパターニングした。
さらに、導体部５．８上に検出電流導入用のパッド部１
２を、Ｃｕなどの良導体を用いて積層することにより作
製し、最後に保護層１１をＳｉＯ□やＡｆ１２０．を１
０〜５０μｍ積層することにより磁気抵抗効果素子１３
を作製した。
２を、Ｃｕなどの良導体を用いて積層することにより作
製し、最後に保護層１１をＳｉＯ□やＡｆ１２０．を１
０〜５０μｍ積層することにより磁気抵抗効果素子１３
を作製した。
次に、上述の手法で作製した磁気抵抗効果素子１３の動
作について説明する。まず、パッド部１２ａと１２ｂ、
１２ｃと１２ｄの間に導体部８と５を通して、それぞれ
検出電流１１．１２を流す。
作について説明する。まず、パッド部１２ａと１２ｂ、
１２ｃと１２ｄの間に導体部８と５を通して、それぞれ
検出電流１１．１２を流す。
このとき、ｉ□と１２の大きさは等しくする。この検出
電流１１．１２が導体部８で作るバイアス磁界は、スル
ーホール７より左側と右側では互いに逆向きとなる。こ
の結果、両者の磁気抵抗効果膜４中の磁化の向きは、Ｍ
ｌおよびＭ２に示すように、電流１１．１２とは互いに
逆方向のある角度θをなす方向となる。この状態に磁気
記録媒体１４からの磁界信号１５が加わると、スルーホ
ール７より左側の磁気抵抗効果膜４を通して測定した電
圧変化は、信号磁界に対して第３図に示す曲線１６のよ
うに＋ΔＶの変化を生じる。一方、右側の磁気抵抗効果
膜４を通して測定した電圧変化は、信号磁界に対して同
図に示す曲線１７のように、全く１８０°対称の−ΔＶ
の変化を示すことになる。
電流１１．１２が導体部８で作るバイアス磁界は、スル
ーホール７より左側と右側では互いに逆向きとなる。こ
の結果、両者の磁気抵抗効果膜４中の磁化の向きは、Ｍ
ｌおよびＭ２に示すように、電流１１．１２とは互いに
逆方向のある角度θをなす方向となる。この状態に磁気
記録媒体１４からの磁界信号１５が加わると、スルーホ
ール７より左側の磁気抵抗効果膜４を通して測定した電
圧変化は、信号磁界に対して第３図に示す曲線１６のよ
うに＋ΔＶの変化を生じる。一方、右側の磁気抵抗効果
膜４を通して測定した電圧変化は、信号磁界に対して同
図に示す曲線１７のように、全く１８０°対称の−ΔＶ
の変化を示すことになる。
そして、結局、パッド部１２ａ〜１２ｄより読み取られ
る、磁気抵抗効果膜全体の電圧変化ΔＶは、第３図に示
す曲線１８のように、信号磁界Ｈの正（プラス）側と負
（マイナス）側とで対称の形となり、媒体に書き込まれ
た正負の信号磁界Ｈは曲線１８の波形に対応した出力波
形として検出することができる。
る、磁気抵抗効果膜全体の電圧変化ΔＶは、第３図に示
す曲線１８のように、信号磁界Ｈの正（プラス）側と負
（マイナス）側とで対称の形となり、媒体に書き込まれ
た正負の信号磁界Ｈは曲線１８の波形に対応した出力波
形として検出することができる。
上記の本実施例において作製した磁気抵抗効果素子１３
によって得られる第３図の曲線１８のような出力波形は
、ちょうど従来の磁気抵抗効果膜４を差動化した磁気抵
抗効果素子によって得られる波形とほぼ同等である。す
なわち、信号磁界Ｈに対するダイナミックレンジを広げ
ると同時に、雑音を低減できる効果がある。さらにまた
、導体部８に流れる検出電流ｉ□、１２の方向が磁気抵
抗効果膜４の上では、トラック幅方向に平行となるため
、検出電流は磁気抵抗効果膜４の全面に均一に流れ、狭
トラック化によって生じる電流密度の分布による再生出
力の低下を防止する効果がある。
によって得られる第３図の曲線１８のような出力波形は
、ちょうど従来の磁気抵抗効果膜４を差動化した磁気抵
抗効果素子によって得られる波形とほぼ同等である。す
なわち、信号磁界Ｈに対するダイナミックレンジを広げ
ると同時に、雑音を低減できる効果がある。さらにまた
、導体部８に流れる検出電流ｉ□、１２の方向が磁気抵
抗効果膜４の上では、トラック幅方向に平行となるため
、検出電流は磁気抵抗効果膜４の全面に均一に流れ、狭
トラック化によって生じる電流密度の分布による再生出
力の低下を防止する効果がある。
ここで、スルーホール７の幅とダイナミックレンジの幅
は密接な関係があり、スルーホール７の幅を２倍、３倍
と大きくするとダイナミックレンジは１／２．１／３と
減少してしまう。トラック幅が同じ２端子のヘッドと３
端子のヘッドで、ダイナミックレンジが同じになっては
差動型ヘッドを形成する意味がなくなる。そこで、スル
ーホール７の幅はできるかぎり狭くする必要がある。現
在のホトリソグラフィ技術ならば、エキシマレーザ光を
用いることにより０．５μｍ＠のパターンを形成可能で
あり、スルーホール７の幅も０．５μｍとすることがで
きる。そこで、狭トラック化しつつ、スルーホール７の
幅をトラック幅の１／２から最小０．５μｍとするため
には、スルーホール７の幅とトラック幅の比は１／２〜
１／４０の範囲が望ましい。
は密接な関係があり、スルーホール７の幅を２倍、３倍
と大きくするとダイナミックレンジは１／２．１／３と
減少してしまう。トラック幅が同じ２端子のヘッドと３
端子のヘッドで、ダイナミックレンジが同じになっては
差動型ヘッドを形成する意味がなくなる。そこで、スル
ーホール７の幅はできるかぎり狭くする必要がある。現
在のホトリソグラフィ技術ならば、エキシマレーザ光を
用いることにより０．５μｍ＠のパターンを形成可能で
あり、スルーホール７の幅も０．５μｍとすることがで
きる。そこで、狭トラック化しつつ、スルーホール７の
幅をトラック幅の１／２から最小０．５μｍとするため
には、スルーホール７の幅とトラック幅の比は１／２〜
１／４０の範囲が望ましい。
なお、本実施例においてはバイアス印加手段として導体
部８を磁気抵抗効果膜４の上部に平行に設ける場合を示
したが、その他にシャント膜や電流線あるいは永久磁石
などを併用しても本発明の効果は変わらない。
部８を磁気抵抗効果膜４の上部に平行に設ける場合を示
したが、その他にシャント膜や電流線あるいは永久磁石
などを併用しても本発明の効果は変わらない。
また、本実施例においては磁気シールド２．１０用に軟
磁性体薄膜を使用する例を挙げたが、これの代りにバル
クの軟磁性体を用いても上記と同様の効果が得られるこ
とは言うまでもない。
磁性体薄膜を使用する例を挙げたが、これの代りにバル
クの軟磁性体を用いても上記と同様の効果が得られるこ
とは言うまでもない。
（実施例 ２）
第４図は、本実施例において例示する磁気抵抗効果素子
の構成の概略を示す斜視図である。本実施例においては
、上記実施例１で示した磁気抵抗効果素子１３の導体部
５．８において、磁気抵抗効果膜４と接続する部分また
はその近傍の幅を後部よりも細くするようにしたもので
ある。本実施例によれば、導体部８．５に検出電流１１
．１２を流したとき、幅の狭くなった導体部では電流密
度が高くなり、磁気抵抗効果膜４の左側ではＨ工の磁界
が、右側ではＨ２の磁界が発生する。これにより、磁気
抵抗効果膜４の両端に永久磁石を設けた場合と同様の効
果があり、磁気記録媒体からの信号磁界が入ってきたと
きに、磁気抵抗効果膜の磁区構造のゆらぎを防止するこ
とが可能となって、再生出力波形に生じるバルクハウゼ
ンノイズなどの波形歪をなくすことができるようになる
。
の構成の概略を示す斜視図である。本実施例においては
、上記実施例１で示した磁気抵抗効果素子１３の導体部
５．８において、磁気抵抗効果膜４と接続する部分また
はその近傍の幅を後部よりも細くするようにしたもので
ある。本実施例によれば、導体部８．５に検出電流１１
．１２を流したとき、幅の狭くなった導体部では電流密
度が高くなり、磁気抵抗効果膜４の左側ではＨ工の磁界
が、右側ではＨ２の磁界が発生する。これにより、磁気
抵抗効果膜４の両端に永久磁石を設けた場合と同様の効
果があり、磁気記録媒体からの信号磁界が入ってきたと
きに、磁気抵抗効果膜の磁区構造のゆらぎを防止するこ
とが可能となって、再生出力波形に生じるバルクハウゼ
ンノイズなどの波形歪をなくすことができるようになる
。
得られた磁気抵抗効果素子について、その特性を調べた
結果、上記実施例１の磁気抵抗効果素子１３とほぼ同等
の性能が得られ、動作ならびに効果の点においても全く
同様の結果が得られた。
結果、上記実施例１の磁気抵抗効果素子１３とほぼ同等
の性能が得られ、動作ならびに効果の点においても全く
同様の結果が得られた。
なお、本実施例においても、バイアス印加手段として導
体膜を磁気抵抗効果膜４の上部に平行に設ける場合を示
したが、その他にシャント膜や電流線あるいは永久磁石
などを用いても本発明の効果は変わらない。また、磁気
シールド用に軟磁性体膜を使用する例を挙げたが、これ
の代わりにバルクの軟磁性体を用いても上記と同様の効
果が得られることは言うまでもない。
体膜を磁気抵抗効果膜４の上部に平行に設ける場合を示
したが、その他にシャント膜や電流線あるいは永久磁石
などを用いても本発明の効果は変わらない。また、磁気
シールド用に軟磁性体膜を使用する例を挙げたが、これ
の代わりにバルクの軟磁性体を用いても上記と同様の効
果が得られることは言うまでもない。
（実施例 ３）
第５図（、）は、本実施例において例示する磁気抵抗効
果素子の構成の概略を示す斜視図で、第５図（ｂ）は第
５図（ａ）のＢ−Ｂ断面図であって、基板１、絶縁層３
．９、磁気シールド２．１０と保護層１１により構成さ
れている。本実施例においては、上記実施例１において
示した磁気抵抗効果素子１３の磁気抵抗効果膜４の形状
をＴ字型にしたものである。本実施例によれば、磁気抵
抗効果膜４の先端が飛び出しているため、第５図（ｂ）
に示したように磁気シールド２．１０を形成したときに
ギャップ長１９を短くすることができる。得られた磁気
抵抗効果素子について、その特性を調べた結果、上記実
施例１の磁気抵抗効果素子１３とほぼ同等の性能が得ら
れ、動作ならびに効果の点においても全く同様の結果が
得られた。
果素子の構成の概略を示す斜視図で、第５図（ｂ）は第
５図（ａ）のＢ−Ｂ断面図であって、基板１、絶縁層３
．９、磁気シールド２．１０と保護層１１により構成さ
れている。本実施例においては、上記実施例１において
示した磁気抵抗効果素子１３の磁気抵抗効果膜４の形状
をＴ字型にしたものである。本実施例によれば、磁気抵
抗効果膜４の先端が飛び出しているため、第５図（ｂ）
に示したように磁気シールド２．１０を形成したときに
ギャップ長１９を短くすることができる。得られた磁気
抵抗効果素子について、その特性を調べた結果、上記実
施例１の磁気抵抗効果素子１３とほぼ同等の性能が得ら
れ、動作ならびに効果の点においても全く同様の結果が
得られた。
なお、本実施例においても、バイアス印加手段として導
体膜を磁気抵抗効果膜の上部に平行に設置５ ける場合を示したが、その他にシャント膜や電流線ある
いは永久磁石などを用いても本発明の効果は変わらない
。また、磁気シールド用に軟磁性体膜を使用する例を挙
げたが、これの代わりにバルクの軟磁性体を用いても上
記と同様の効果が得られることは言うまでもない。
体膜を磁気抵抗効果膜の上部に平行に設置５ ける場合を示したが、その他にシャント膜や電流線ある
いは永久磁石などを用いても本発明の効果は変わらない
。また、磁気シールド用に軟磁性体膜を使用する例を挙
げたが、これの代わりにバルクの軟磁性体を用いても上
記と同様の効果が得られることは言うまでもない。
（実施例 ４）
第６図は、本実施例において例示する磁気抵抗効果素子
の構成の概略を示す斜視図である。本実施例は、上記実
施例１において示した磁気抵抗効果素子１３の導体部８
を導体部５と平行に設け、かつ、導体部８の幅はスルー
ホールの幅２０よりも広くしたものである。
の構成の概略を示す斜視図である。本実施例は、上記実
施例１において示した磁気抵抗効果素子１３の導体部８
を導体部５と平行に設け、かつ、導体部８の幅はスルー
ホールの幅２０よりも広くしたものである。
本実施例では、まず、導体部８から導体部５に向かって
検出電流ｉを流す。導体部８の幅は、スルーホールの幅
２０に比べて広いため、検出電流ｉは導体部８の幅方向
からスルーホール中心へ向かって、ちょうど磁気抵抗効
果膜４に平行となるように流れる。これにより、上記実
施例１のように導体部８を磁気抵抗効果膜４と平行に設
けた場合と同様、導体部８がバイアス印加手段ともなり
得る。
検出電流ｉを流す。導体部８の幅は、スルーホールの幅
２０に比べて広いため、検出電流ｉは導体部８の幅方向
からスルーホール中心へ向かって、ちょうど磁気抵抗効
果膜４に平行となるように流れる。これにより、上記実
施例１のように導体部８を磁気抵抗効果膜４と平行に設
けた場合と同様、導体部８がバイアス印加手段ともなり
得る。
得られた磁気抵抗効果素子について、その特性を調べた
結果、上記実施例１の磁気抵抗効果素子１３とほぼ同等
の性能が得られ、動作ならびに効果の点においても全く
同様の結果が得られた。
結果、上記実施例１の磁気抵抗効果素子１３とほぼ同等
の性能が得られ、動作ならびに効果の点においても全く
同様の結果が得られた。
なお、本実施例においても、磁気抵抗効果膜の上部にシ
ャント膜や電流線あるいは永久磁石などを用いても本発
明の効果は変わらない。また、磁気シールド用に軟磁性
体膜を使用する例を挙げたが、これの代わりにバルクの
軟磁性体を用いても上記と同様の効果が得られることは
言うまでもない。
ャント膜や電流線あるいは永久磁石などを用いても本発
明の効果は変わらない。また、磁気シールド用に軟磁性
体膜を使用する例を挙げたが、これの代わりにバルクの
軟磁性体を用いても上記と同様の効果が得られることは
言うまでもない。
以上詳細に説明したごとく、本発明の磁気抵抗効果素子
は、磁気抵抗効果膜の中央部膜面上に１本と両端に２本
の導体部を設けることで、従来の差動型の磁気抵抗効果
素子と同様の効果が得られるので、狭トラック化に対応
して高密度記録再生を実現できると同時に、狭トラック
化してもダイナミックレンジの拡大および低雑音化を達
成できる効果がある。
は、磁気抵抗効果膜の中央部膜面上に１本と両端に２本
の導体部を設けることで、従来の差動型の磁気抵抗効果
素子と同様の効果が得られるので、狭トラック化に対応
して高密度記録再生を実現できると同時に、狭トラック
化してもダイナミックレンジの拡大および低雑音化を達
成できる効果がある。
第１図は本発明の実施例１において例示した磁気抵抗効
果素子の構成の概略を示す斜視図、第２図（ａ）は第１
図の構成を示す平面図、第２図（ｂ）は第２図（、）の
Ａ−Ａ断面図、第３図は実施例１に示した磁気抵抗効果
素子の動作を示す説明図、第４図は本発明の実施例２に
おいて例示した磁気抵抗効果素子の構成の概略を示す斜
視図、第５図（ａ）は本発明の実施例３において例示し
た磁気抵抗効果素子の構成の概略を示す斜視図、第５図
（ｂ）は第５図（ａ）のＢ−Ｂ断面図、第６図は本発明
の実施例４において例示した磁気抵抗効果素子の構成の
概略を示す斜視図である。 １・・・基板 ２．１０・・・磁気シール
ド３．６．９・・・絶縁層 ４・・・磁気抵抗効果膜
５．８・・・導体部 ７・・・スルーホール１１
・・・保護層 １２・・・パッド部１３・・・
磁気抵抗効果素子 ４・・・磁気記録媒体 １５・・・磁界信号６・・・
正側に変化した電圧変化 ７・・・負側に変化した電圧変化
果素子の構成の概略を示す斜視図、第２図（ａ）は第１
図の構成を示す平面図、第２図（ｂ）は第２図（、）の
Ａ−Ａ断面図、第３図は実施例１に示した磁気抵抗効果
素子の動作を示す説明図、第４図は本発明の実施例２に
おいて例示した磁気抵抗効果素子の構成の概略を示す斜
視図、第５図（ａ）は本発明の実施例３において例示し
た磁気抵抗効果素子の構成の概略を示す斜視図、第５図
（ｂ）は第５図（ａ）のＢ−Ｂ断面図、第６図は本発明
の実施例４において例示した磁気抵抗効果素子の構成の
概略を示す斜視図である。 １・・・基板 ２．１０・・・磁気シール
ド３．６．９・・・絶縁層 ４・・・磁気抵抗効果膜
５．８・・・導体部 ７・・・スルーホール１１
・・・保護層 １２・・・パッド部１３・・・
磁気抵抗効果素子 ４・・・磁気記録媒体 １５・・・磁界信号６・・・
正側に変化した電圧変化 ７・・・負側に変化した電圧変化
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気記録媒体からの漏洩磁束信号を検出する磁気抵
抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜にバイアスを印加する手
段と、上記磁気抵抗効果膜に電流を流すと同時に、その
電圧を読取る導体部を、上記磁気抵抗効果膜の両端部と
中央部の３箇所に設け、さらに上記磁気抵抗効果膜を磁
気的にシールドする一対の磁気シールド部材よりなる磁
気抵抗効果素子であって、少なくとも上記磁気抵抗効果
膜上では、上記中央部の導体部により形成される電極部
を、磁気記録媒体のトラック幅方向にほぼ平行に構成し
たことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 ２、請求の範囲第１項において、磁気抵抗効果膜の中央
部に接続した導体部に流れる信号検出電流の方向が、少
なくとも磁気抵抗効果膜上では、磁気記録媒体のトラッ
ク幅方向にほぼ平行となるように構成したことを特徴と
する磁気抵抗効果素子。 ３、請求の範囲第１項または第２項において、中央部に
設けた導体部と磁気抵抗効果膜の接続部の幅とトラック
幅の比を１／２〜１／４０としたことを特徴とする磁気
抵抗効果素子。 ４、請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の磁気
抵抗効果素子の磁気抵抗効果膜の両端部に接続する２本
の導体部において、磁気抵抗効果膜と接続する部分また
はその近傍の導体部の幅を、該導体部の後部の幅よりも
小さくしたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 ５、請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項記載
の磁気抵抗効果素子において、磁気抵抗効果膜の形状を
Ｔ字型としたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 ６、請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項記載
の磁気抵抗効果素子において、磁気抵抗効果膜の両側に
薄膜もしくはバルクの磁気シールド部材を設けたことを
特徴とする磁気抵抗効果素子。 ７、請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項記載
の磁気抵抗効果素子において、バイアス印加手段として
、シャント膜、電流線、永久磁石のうちから選ばれる少
なくとも１つ以上を組合せて用いて構成したことを特徴
とする磁気抵抗効果素子。 ８、請求の範囲第１項ないし第７項のいずれか１項記載
の磁気抵抗効果素子において、導体部を磁気抵抗効果膜
の上部もしくは下部に設けたことを特徴とする磁気抵抗
効果素子。９、請求の範囲第１項ないし第８項のいずれ
か１項記載の磁気抵抗効果素子を用いて、狭トラック化
された高密度磁気記録媒体からの漏洩磁束信号を、高感
度に検出して記録情報を読取る磁気ヘッドを構成したこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 １０、請求の範囲第９項記載の磁気ヘッドを用いて、高
密度磁気記録媒体からの漏洩磁束信号を検出して、上記
磁気記録媒体に記録されている情報の読取りを行う手段
を設けたことを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14126590A JPH0438614A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14126590A JPH0438614A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438614A true JPH0438614A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15287881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14126590A Pending JPH0438614A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438614A (ja) |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP14126590A patent/JPH0438614A/ja active Pending
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