JPH0438705A - マルチトラック再生回路 - Google Patents
マルチトラック再生回路Info
- Publication number
- JPH0438705A JPH0438705A JP2144711A JP14471190A JPH0438705A JP H0438705 A JPH0438705 A JP H0438705A JP 2144711 A JP2144711 A JP 2144711A JP 14471190 A JP14471190 A JP 14471190A JP H0438705 A JPH0438705 A JP H0438705A
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- JP
- Japan
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- track
- bias
- magnetoresistive element
- magnetic field
- reproducing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば音声信号等のデジタル信号をマルチト
ラック記録再生方式を用いて記録再生する記録再生装置
における磁気抵抗素子を用いたマルチトラック再生回路
に関するものである。
ラック記録再生方式を用いて記録再生する記録再生装置
における磁気抵抗素子を用いたマルチトラック再生回路
に関するものである。
従来の技術
近年、DAT(デジタルオーディオテープレコーダ)を
始めとした高密度デジタル磁気記録を行う機器が商品化
されてきている。このような機器において、高密度記録
を実現するためマルチトラック記録再生方式が採用され
ている。
始めとした高密度デジタル磁気記録を行う機器が商品化
されてきている。このような機器において、高密度記録
を実現するためマルチトラック記録再生方式が採用され
ている。
マルチトラック記録再生方式を実現する再生ヘッドの一
例として、第6図に磁気抵抗素子を用いたマルチトラッ
ク再生ヘッドの4トラツクの場合の構造の一例を示す路
線的拡大斜視図を示す。
例として、第6図に磁気抵抗素子を用いたマルチトラッ
ク再生ヘッドの4トラツクの場合の構造の一例を示す路
線的拡大斜視図を示す。
第6図中15.16.17及び18はそれぞれ第1トラ
ツク、第2トラツク、第3トラツク及び第4トラツクの
磁界を再生する磁気抵抗素子である。また11,12.
13及び14はそれぞれ磁気抵抗素子15,16.17
及び18へバイアス磁界を与えるバイアス導体である。
ツク、第2トラツク、第3トラツク及び第4トラツクの
磁界を再生する磁気抵抗素子である。また11,12.
13及び14はそれぞれ磁気抵抗素子15,16.17
及び18へバイアス磁界を与えるバイアス導体である。
また20は、M n −Z n系フェライト等より成る
基板、21゜22.23及び24はそれぞれ第1トラツ
ク、第2トラツク、第3トラツク及び第4トラツクの磁
界を磁気抵抗素子15.16.17及び18へ導くため
のN i −F e系合金等より成るヨークである。
基板、21゜22.23及び24はそれぞれ第1トラツ
ク、第2トラツク、第3トラツク及び第4トラツクの磁
界を磁気抵抗素子15.16.17及び18へ導くため
のN i −F e系合金等より成るヨークである。
第6図に示したヘッドを用いて構成した従来のマルチト
ラック再生回路のブロック図を第5図に示す。
ラック再生回路のブロック図を第5図に示す。
第5図において、破線で囲んだ50が第6図に示したヘ
ッドであり、それ以外の部分が周辺回路である。マルチ
トラック再生ヘッド50の内部の11.12. 13,
14,15,18.17及び18は第6図と同じである
ので説明を省略する。
ッドであり、それ以外の部分が周辺回路である。マルチ
トラック再生ヘッド50の内部の11.12. 13,
14,15,18.17及び18は第6図と同じである
ので説明を省略する。
51はバイアス導体11〜14へ一定のバイアス電流を
与えるバイアス電流源、3は磁気抵抗素子15〜18へ
一定電流を与えるセンス電流源、4は直流カットのため
のカップリングコンデンサ、52は磁気抵抗素子15〜
18の出力を選択する選択回路、5は再生信号の出力端
子、6はコモン端子である。
与えるバイアス電流源、3は磁気抵抗素子15〜18へ
一定電流を与えるセンス電流源、4は直流カットのため
のカップリングコンデンサ、52は磁気抵抗素子15〜
18の出力を選択する選択回路、5は再生信号の出力端
子、6はコモン端子である。
次に第5図及び第6図を参照しながらその動作を説明す
る。記録済みの磁気テープ(図示せず)を再生する場合
を考える。磁気テープ上の第1トラツク、第2トラツク
、第3トラツク及び第4トラツクの再生磁界は、それぞ
れヨーク21,22゜23及び24と、磁気抵抗素子1
5. 16. 17及び18と、基板20とで、各トラ
ックに対応した閉磁路を形成する。各閉磁路中の磁気抵
抗素子15〜18は各トラックの再生磁界を電気抵抗に
変換する。
る。記録済みの磁気テープ(図示せず)を再生する場合
を考える。磁気テープ上の第1トラツク、第2トラツク
、第3トラツク及び第4トラツクの再生磁界は、それぞ
れヨーク21,22゜23及び24と、磁気抵抗素子1
5. 16. 17及び18と、基板20とで、各トラ
ックに対応した閉磁路を形成する。各閉磁路中の磁気抵
抗素子15〜18は各トラックの再生磁界を電気抵抗に
変換する。
磁気抵抗素子の磁界に対する電気抵抗の特性例を第3図
に示す。効率よくかつ歪の少ない変換を実現するために
は、磁界変化に対して抵抗変化が線形である領域の中央
、すなわぢ第3図(a)点で動作するように一定磁界H
bを与えればよい。
に示す。効率よくかつ歪の少ない変換を実現するために
は、磁界変化に対して抵抗変化が線形である領域の中央
、すなわぢ第3図(a)点で動作するように一定磁界H
bを与えればよい。
そこでバイアス導体11〜14がHbを発生するように
バイアス電流源51はバイアス導体11〜14ヘバイア
ス電流き呼ばれる一定電流を流す。
バイアス電流源51はバイアス導体11〜14ヘバイア
ス電流き呼ばれる一定電流を流す。
一方、磁気抵抗素子15〜18の抵抗変化は、センス電
流源3より一定電流を与えることにより、電圧変化とし
て出力される。各電圧変化はカップリングコンデンサ4
で直流成分をカットされた後、選択回路52によりその
時点で必要なトラックの再生信号が選択され、出力端子
5より出力される。
流源3より一定電流を与えることにより、電圧変化とし
て出力される。各電圧変化はカップリングコンデンサ4
で直流成分をカットされた後、選択回路52によりその
時点で必要なトラックの再生信号が選択され、出力端子
5より出力される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では再生信号を選択する
選択回路を必要とし、またカップリングコンデンサがト
ラック数分必要となり、回路規模が大きくなるという課
題があった。
選択回路を必要とし、またカップリングコンデンサがト
ラック数分必要となり、回路規模が大きくなるという課
題があった。
本発明は上記課題に鑑み、回路規模の非常に小さいマル
チトラック再生回路を提供することを目的とするもので
ある。
チトラック再生回路を提供することを目的とするもので
ある。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明のマルチトラック再生
回路は、磁気テープ上の複数の記録トラックのそれぞれ
の磁界により形成される複数の閉磁路に共通となる磁気
抵抗素子と、上記磁気抵抗素子の、各閉磁路にバイアス
磁界を与える複数のバイアス導体と、所定の閉磁路に対
応するバイアス導体へは第1の電流値を供給し、他のバ
イアス導体へは第2の電流値を供給する電流源回路とで
構成され、」1記磁気抵抗素子の出力として上記所定の
閉磁路を形成する磁界の変化に対応した抵抗変化を得る
ことを特徴とするものである。
回路は、磁気テープ上の複数の記録トラックのそれぞれ
の磁界により形成される複数の閉磁路に共通となる磁気
抵抗素子と、上記磁気抵抗素子の、各閉磁路にバイアス
磁界を与える複数のバイアス導体と、所定の閉磁路に対
応するバイアス導体へは第1の電流値を供給し、他のバ
イアス導体へは第2の電流値を供給する電流源回路とで
構成され、」1記磁気抵抗素子の出力として上記所定の
閉磁路を形成する磁界の変化に対応した抵抗変化を得る
ことを特徴とするものである。
作用
本発明のマルチトラック再生回路は上記した構成により
、磁気抵抗素子の各閉磁路に対応する部分が各トラック
の再生磁界を電気抵抗に変換する。
、磁気抵抗素子の各閉磁路に対応する部分が各トラック
の再生磁界を電気抵抗に変換する。
磁気抵抗素子の各閉磁路に対応する部分の磁界−抵抗変
換特性は、電流源回路がバイアス導体へ供給する第1ま
たは第2の電流値により決定される。
換特性は、電流源回路がバイアス導体へ供給する第1ま
たは第2の電流値により決定される。
実施例
第2図は本発明の一実施例のマルチトラック再生回路を
実現するためのマルチトラック再生ヘッドの4トラツク
の場合の構造の一例を示す路線的拡大斜視図である。
実現するためのマルチトラック再生ヘッドの4トラツク
の場合の構造の一例を示す路線的拡大斜視図である。
第2図中11. 12. 13. 14. 20. 2
1゜23及び24は従来例の第6図と同じであるので説
明を省略する。10は第1トラツク、第2トラツク、第
3トラツク及び第4トラツクに共通となるひとつの磁気
抵抗素子である。
1゜23及び24は従来例の第6図と同じであるので説
明を省略する。10は第1トラツク、第2トラツク、第
3トラツク及び第4トラツクに共通となるひとつの磁気
抵抗素子である。
また、第1図は本発明の一実施例のマルチトラツク再生
回路を示すブロック図であって、第2図に示した再生ヘ
ッドを用いて構成した4トラツクの場合の例である。
回路を示すブロック図であって、第2図に示した再生ヘ
ッドを用いて構成した4トラツクの場合の例である。
第1図において、破線で囲んた1がマルチトラック再生
ヘッドであり、2はバイアス導体11〜14へ第1また
は第2の電流値を与える電流源回路、3は磁気抵抗素子
10へ一定電流を与えるセンス電流源、4はカップリン
グコンデンサ、5は再生信号の出力端子、6はコモン端
子である。
ヘッドであり、2はバイアス導体11〜14へ第1また
は第2の電流値を与える電流源回路、3は磁気抵抗素子
10へ一定電流を与えるセンス電流源、4はカップリン
グコンデンサ、5は再生信号の出力端子、6はコモン端
子である。
以下、第1図及び第2図を参照しながらその動作につい
て説明する。
て説明する。
まず、記録済みの磁気テープ(図示せず)を再生する場
合を考えてみると、磁気テープ上の第1トラツク、第2
トラツク、第3トラツク及び第4トラツクの再生磁界は
、それぞれヨーク21,22.23及び24と、各トラ
ックに共通な磁気抵抗素子10が各ヨークに重なった部
分と基板20とで、各トラックに対応した閉磁路を形成
する。
合を考えてみると、磁気テープ上の第1トラツク、第2
トラツク、第3トラツク及び第4トラツクの再生磁界は
、それぞれヨーク21,22.23及び24と、各トラ
ックに共通な磁気抵抗素子10が各ヨークに重なった部
分と基板20とで、各トラックに対応した閉磁路を形成
する。
磁気抵抗素子10の各ヨークに重なった部分が各トラッ
クの再生磁界を電気抵抗に変換する。
クの再生磁界を電気抵抗に変換する。
ここで、例えば第3トラツクの再生信号を得る場合は、
第3トラツクに対応するバイアス導体13へ第1の電流
値を供給する。第1の電流値としては第3図(a)点を
動作点とする磁界Hbを生ずる電流値を選ぶ。その他の
バイアス導体11,12及び14については、感度が最
小となる動作点、例えば第3図(b)点を動作点とする
磁界Hsを生ずる第2の電流値を供給する。これにより
、磁気抵抗素子10の第3トラツクに対応する閉磁路を
構成する部分のみが動作状態となる。すなわち、磁気抵
抗素子10は第3トラツクの磁界のみを抵抗変化に変換
する。
第3トラツクに対応するバイアス導体13へ第1の電流
値を供給する。第1の電流値としては第3図(a)点を
動作点とする磁界Hbを生ずる電流値を選ぶ。その他の
バイアス導体11,12及び14については、感度が最
小となる動作点、例えば第3図(b)点を動作点とする
磁界Hsを生ずる第2の電流値を供給する。これにより
、磁気抵抗素子10の第3トラツクに対応する閉磁路を
構成する部分のみが動作状態となる。すなわち、磁気抵
抗素子10は第3トラツクの磁界のみを抵抗変化に変換
する。
磁気抵抗素子10の抵抗変化はセンス電流源3からの一
定電流により電圧変化に変換され、電圧変化はカップリ
ングコンデンサ4で直流成分をカットされた後、出力端
子5より出力される。
定電流により電圧変化に変換され、電圧変化はカップリ
ングコンデンサ4で直流成分をカットされた後、出力端
子5より出力される。
ここで、電流源回路の第2の電流値としては、第3図(
b)点に限らず、磁気抵抗素子の感度が小さくなる動作
点であればどんな値でもよい。
b)点に限らず、磁気抵抗素子の感度が小さくなる動作
点であればどんな値でもよい。
第4図は本発明の他の実施例のマルチトラック再生回路
を示すブロック図であって、第1図における各閉磁路に
共通のひとつの磁気抵抗素子10の代わりに、各閉磁路
それぞれに対応する磁気抵抗素子15〜18を直列に接
続したものである。
を示すブロック図であって、第1図における各閉磁路に
共通のひとつの磁気抵抗素子10の代わりに、各閉磁路
それぞれに対応する磁気抵抗素子15〜18を直列に接
続したものである。
動作は第1図とまったく同様である。
発明の効果
以上述べてきたように本発明のマルチトラック再生回路
によれば、選択回路を必要とせず、カップリングコンデ
ンサもトラック数にかかわらず一つでよいので、周辺回
路規模は大幅に小さくなり装置の小型化に寄与し、実用
上きわめて有用である。
によれば、選択回路を必要とせず、カップリングコンデ
ンサもトラック数にかかわらず一つでよいので、周辺回
路規模は大幅に小さくなり装置の小型化に寄与し、実用
上きわめて有用である。
第1図は本発明の一実施例におけるマルチトラック再生
回路のブロック図、第2図は第1図中のマルチトラック
再生ヘッドの構造の一例を示す路線的拡大斜視図、第3
図は磁気抵抗素子の磁界変化に対する抵抗変化の一例を
示す特性図、第4図は本発明の他の実施例におけるマル
チトラック再生回路のブロック図、第5図は従来のマル
チトラック再生回路のブロック図、第6図は第5図中の
マルチトラック再生ヘッドの構造の一例を示す路線的拡
大斜視図である。 1・・・マルチトラック再生ヘッド、 2・・・電流
源回路、 10・・・磁気抵抗素子、 11〜14
・・・バイアス導体。
回路のブロック図、第2図は第1図中のマルチトラック
再生ヘッドの構造の一例を示す路線的拡大斜視図、第3
図は磁気抵抗素子の磁界変化に対する抵抗変化の一例を
示す特性図、第4図は本発明の他の実施例におけるマル
チトラック再生回路のブロック図、第5図は従来のマル
チトラック再生回路のブロック図、第6図は第5図中の
マルチトラック再生ヘッドの構造の一例を示す路線的拡
大斜視図である。 1・・・マルチトラック再生ヘッド、 2・・・電流
源回路、 10・・・磁気抵抗素子、 11〜14
・・・バイアス導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気テープ上の複数の記録トラックのそれぞれの磁界に
より形成される複数の閉磁路に共通となる磁気抵抗素子
と、 上記磁気抵抗素子の各閉磁路にバイアス磁界を与える複
数のバイアス導体と、 所定の閉磁路に対応するバイアス導体へは第1の電流値
を供給し、他のバイアス導体へは第2の電流値を供給す
る電流源回路とで構成され、上記磁気抵抗素子の出力と
して上記所定の閉磁路を形成する磁界の変化に対応した
抵抗変化を得ることを特徴とするマルチトラック再生回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144711A JPH0438705A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | マルチトラック再生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144711A JPH0438705A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | マルチトラック再生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438705A true JPH0438705A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15368514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144711A Pending JPH0438705A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | マルチトラック再生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438705A (ja) |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP2144711A patent/JPH0438705A/ja active Pending
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