JPH0438833B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0438833B2 JPH0438833B2 JP58161576A JP16157683A JPH0438833B2 JP H0438833 B2 JPH0438833 B2 JP H0438833B2 JP 58161576 A JP58161576 A JP 58161576A JP 16157683 A JP16157683 A JP 16157683A JP H0438833 B2 JPH0438833 B2 JP H0438833B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light
- laser beam
- coherence
- mirror
- Prior art date
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の属する分野
本発明はレーザ装置に係り、特に被照射基板の
高精度な位置合わせが可能なレーザCVD装置に
関する。
高精度な位置合わせが可能なレーザCVD装置に
関する。
(2) 従来技術の説明
レーザCVD技術は、近年光エネルギーを利用
したCVD技術の一つとして注目されている。こ
の方法はシリコン基板などの基板をモノシラン
（SiH4）などの雰囲気中に置き、アルゴンレーザ
などで局所的に加熱して基板の酸化膜（SiO2）
上にアモルフアスシリコン膜を選択的に形成する
ものである。
したCVD技術の一つとして注目されている。こ
の方法はシリコン基板などの基板をモノシラン
（SiH4）などの雰囲気中に置き、アルゴンレーザ
などで局所的に加熱して基板の酸化膜（SiO2）
上にアモルフアスシリコン膜を選択的に形成する
ものである。
従来、このレーザCVD装置は第１図に示すよ
うな構成となつていた。すなわち、レーザ発振器
１からのレーザ光は偏向プリズム２、1/4波長板
３を経てＸステージ１８上のプリズム４でその方
向が変えられ、しかる後にＹステージ１９上に導
びかれてアパーチヤ５を経てハーフミラー６で99
％程度のレーザ光が反射されてメカニカルシヤツ
タ７、投影レンズ８を経てチヤンバ９内のシリコ
ン基板１０上に照射される。その際にシリコン基
板１０上でのレーザ光の位置およびスポツト径の
制御（Ｚ軸方向）の制御は極めて重要あるので、
シリコン基板１０上に予め位置合わせマークを設
け、レーザ照射の際にＸステージ１８、Ｙステー
ジ１９、投影レンズ８を制御してスポツトの調整
を行なう。
うな構成となつていた。すなわち、レーザ発振器
１からのレーザ光は偏向プリズム２、1/4波長板
３を経てＸステージ１８上のプリズム４でその方
向が変えられ、しかる後にＹステージ１９上に導
びかれてアパーチヤ５を経てハーフミラー６で99
％程度のレーザ光が反射されてメカニカルシヤツ
タ７、投影レンズ８を経てチヤンバ９内のシリコ
ン基板１０上に照射される。その際にシリコン基
板１０上でのレーザ光の位置およびスポツト径の
制御（Ｚ軸方向）の制御は極めて重要あるので、
シリコン基板１０上に予め位置合わせマークを設
け、レーザ照射の際にＸステージ１８、Ｙステー
ジ１９、投影レンズ８を制御してスポツトの調整
を行なう。
この調整は、ハーフミラー６を透過したシリコ
ン基板１０からの反射光を第１のミラー１１、集
光レンズ１２、第２のミラー１３、マイクロスコ
ープレンズ１４に導き、テレビカメラ１５でその
パターン、すなわち位置合わせマークのパターン
を検出することにより行なう。ここで、この反射
光を作る光源として前記レーザ光を用いると入射
光と反射光のおのおのもしくは相互の散乱光によ
つてスペツクルパターンなどを生じ、第３図のよ
うに位置合わせパターンが見えなくなり、したが
つて高精度な位置合わせが困難であつた。
ン基板１０からの反射光を第１のミラー１１、集
光レンズ１２、第２のミラー１３、マイクロスコ
ープレンズ１４に導き、テレビカメラ１５でその
パターン、すなわち位置合わせマークのパターン
を検出することにより行なう。ここで、この反射
光を作る光源として前記レーザ光を用いると入射
光と反射光のおのおのもしくは相互の散乱光によ
つてスペツクルパターンなどを生じ、第３図のよ
うに位置合わせパターンが見えなくなり、したが
つて高精度な位置合わせが困難であつた。
そこで、Ｙステージ上にさらに白色光源１６、
可動ミラー１７を設けて、位置合わせの際にこの
可動ミラー１７を動かしてハーフミラー６に白色
光を入射させることによつて位置合わせを行なつ
ていた。しかしながら、このような方法では不所
望な発熱による位置精度の低下、位置合わせ用の
光とCVDに使用する光の波長の違いなどによる
精度の低下が生じるので、高精度なレーザCVD
装置は実現できなかつた。
可動ミラー１７を設けて、位置合わせの際にこの
可動ミラー１７を動かしてハーフミラー６に白色
光を入射させることによつて位置合わせを行なつ
ていた。しかしながら、このような方法では不所
望な発熱による位置精度の低下、位置合わせ用の
光とCVDに使用する光の波長の違いなどによる
精度の低下が生じるので、高精度なレーザCVD
装置は実現できなかつた。
(3) 発明の目的
本発明の目的は、かかる従来の欠点のない、容
易に高精度な位置合わせが可能なレーザCVD装
置を提供することにある。
易に高精度な位置合わせが可能なレーザCVD装
置を提供することにある。
(4) 発明の特徴
本発明の特徴は、レーザ光を所定の導光路を経
て所定のガス雰囲気中に設けられた基板に照射し
て選択的に膜形成を行うレーザCVD装置におい
て、前記レーザ光照射範囲内の位置を光学的に位
置検出する手段と、前記導光路に選択移動可能に
設けられた前記レーザ光のコヒーレンス低下手段
とが設けられ、膜形成時と位置検出時とでレーザ
光のコヒーレンスを変えられるように構成したこ
とにある。そして、このコヒーレンス低下手段は
レーザビームの各点での位相を分布させる散乱
板、たとえば任意の各点で厚みが異なるガラス板
（すりガラス）、所定のパターンにカツトされたガ
ラス板、網、特に金属網などであることが好まし
い。さらにこの散乱板を振動させて、位相の乱れ
を平均化することが好ましい。
て所定のガス雰囲気中に設けられた基板に照射し
て選択的に膜形成を行うレーザCVD装置におい
て、前記レーザ光照射範囲内の位置を光学的に位
置検出する手段と、前記導光路に選択移動可能に
設けられた前記レーザ光のコヒーレンス低下手段
とが設けられ、膜形成時と位置検出時とでレーザ
光のコヒーレンスを変えられるように構成したこ
とにある。そして、このコヒーレンス低下手段は
レーザビームの各点での位相を分布させる散乱
板、たとえば任意の各点で厚みが異なるガラス板
（すりガラス）、所定のパターンにカツトされたガ
ラス板、網、特に金属網などであることが好まし
い。さらにこの散乱板を振動させて、位相の乱れ
を平均化することが好ましい。
(5) 発明の効果
本発明によれば、１つのレーザ光源からの光
を、膜形成時におけるコヒーレント光と、位置合
わせ時におけるインコヒーレント光に切り替え、
精度良く位置合わせでき、かつ、従来用いられて
いた位置合わせ用の光源を削減することができ
る。また、コヒーレンス低下手段を導光路から除
くことによつて成膜時におけるレーザ光の損失を
防止することができる。
を、膜形成時におけるコヒーレント光と、位置合
わせ時におけるインコヒーレント光に切り替え、
精度良く位置合わせでき、かつ、従来用いられて
いた位置合わせ用の光源を削減することができ
る。また、コヒーレンス低下手段を導光路から除
くことによつて成膜時におけるレーザ光の損失を
防止することができる。
(6) 実施例
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例のレーザCVD装置
である。第１図の従来例と同様にレーザ発振器１
からのレーザ光は偏向プリズム２、1/4波長板３
を経てＸステージ１８上のプリズム４でその方向
が変えられ、しかる後にＹステージ１９上に導び
かれてアパーチヤ５を経てハーフミラー６で99％
程度のレーザ光が反射されてメカニカルシヤツタ
７、投影レンズ８を経てチヤンバ９内のシリコン
基板１０上に照射される。その際にシリコン基板
１０上でのレーザ光の位置およびスポツト径の制
御（Ｚ軸方向）の制御はシリコン基板１０上に予
め位置合わせマークを設け、レーザ照射の際にＸ
ステージ１８、Ｙステージ１９、投影レンズ８を
制御してスポツトの調整を行なう。
である。第１図の従来例と同様にレーザ発振器１
からのレーザ光は偏向プリズム２、1/4波長板３
を経てＸステージ１８上のプリズム４でその方向
が変えられ、しかる後にＹステージ１９上に導び
かれてアパーチヤ５を経てハーフミラー６で99％
程度のレーザ光が反射されてメカニカルシヤツタ
７、投影レンズ８を経てチヤンバ９内のシリコン
基板１０上に照射される。その際にシリコン基板
１０上でのレーザ光の位置およびスポツト径の制
御（Ｚ軸方向）の制御はシリコン基板１０上に予
め位置合わせマークを設け、レーザ照射の際にＸ
ステージ１８、Ｙステージ１９、投影レンズ８を
制御してスポツトの調整を行なう。
この調整は、ハーフミラー６を透過したシリコ
ン基板１０からの反射光を第１のミラー１１、集
光レンズ１２、第２のミラー１３、マイクロスコ
ープレンズ１４に導びき、テレビカメラ１５でそ
のパターン、すなわち位置合わせマークのパター
ンを検出することにより行なう。ここで位置合わ
せ時に散乱板２０をハーフミラー６と偏向プリズ
ム４との間に設ける。この散乱板２０によつてレ
ーザ光はインコヒーレント光となり、位置合わせ
パターンは第４図のようになつて見かけ上の精度
が大幅に向上する。さらにこの散乱板２０をレー
ザ光に対して垂直方向に動かすことによつて散乱
は一層平均化され第５図のように位置合わせパタ
ーンの視認性は一層向上する。
ン基板１０からの反射光を第１のミラー１１、集
光レンズ１２、第２のミラー１３、マイクロスコ
ープレンズ１４に導びき、テレビカメラ１５でそ
のパターン、すなわち位置合わせマークのパター
ンを検出することにより行なう。ここで位置合わ
せ時に散乱板２０をハーフミラー６と偏向プリズ
ム４との間に設ける。この散乱板２０によつてレ
ーザ光はインコヒーレント光となり、位置合わせ
パターンは第４図のようになつて見かけ上の精度
が大幅に向上する。さらにこの散乱板２０をレー
ザ光に対して垂直方向に動かすことによつて散乱
は一層平均化され第５図のように位置合わせパタ
ーンの視認性は一層向上する。
なお、この動かす速さは散乱板の表面の変動の
一周期、すなわち同じ位置における変化の周期が
目視した場合にちらつかない程度で十分であり、
散乱板２０に金属線間隔300μｍ以下の金属網を
用いた場合には2.0mm／秒以上で十分である。
一周期、すなわち同じ位置における変化の周期が
目視した場合にちらつかない程度で十分であり、
散乱板２０に金属線間隔300μｍ以下の金属網を
用いた場合には2.0mm／秒以上で十分である。
なお、プラステイツク網などでも十分な効果が
得られる。
得られる。
第１図は従来のレーザCVD装置の概略図、第
２図は本発明の一実施例のレーザCVD装置の概
略図、第３図は散乱板を用いない場合の位置合わ
せパターン像、第４図は散乱板を用いた場合の位
置合わせパターン像、第５図は散乱板を振動させ
た場合の位置合わせパターン像、である。 なお、図において、１……レーザ発振器、２…
…偏向プリズム、３……1/4波長板、４……プリ
ズム、５……アパーチヤ、６……ハーフミラー、
７……メカニカルシヤツタ、８……投影レンズ、
９……チヤンバ、１０……シリコン基板、１１…
…第１のミラー、１２……集光レンズ、１３……
第２のミラー、１４……マイクロスコープレン
ズ、１５……テレビカメラ、１８……Ｘステー
ジ、１９……Ｙステージ、２０……散乱板、であ
る。
２図は本発明の一実施例のレーザCVD装置の概
略図、第３図は散乱板を用いない場合の位置合わ
せパターン像、第４図は散乱板を用いた場合の位
置合わせパターン像、第５図は散乱板を振動させ
た場合の位置合わせパターン像、である。 なお、図において、１……レーザ発振器、２…
…偏向プリズム、３……1/4波長板、４……プリ
ズム、５……アパーチヤ、６……ハーフミラー、
７……メカニカルシヤツタ、８……投影レンズ、
９……チヤンバ、１０……シリコン基板、１１…
…第１のミラー、１２……集光レンズ、１３……
第２のミラー、１４……マイクロスコープレン
ズ、１５……テレビカメラ、１８……Ｘステー
ジ、１９……Ｙステージ、２０……散乱板、であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザ光を所定の導光路を経て所定のガス雰
囲気中に設けられた基板に照射して選択的に膜形
成を行うレーザCVD装置において、 前記レーザ光照射範囲内の位置を光学的に位置
検出する手段と、 前記導光路に選択移動可能に設けられた前記レ
ーザ光のコヒーレンス低下手段とが設けられ、 膜形成時と位置検出時とでレーザ光のコヒーレ
ンスを変えられるように構成したことを特徴とす
るレーザCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58161576A JPS6052822A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | レーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58161576A JPS6052822A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | レーザｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052822A JPS6052822A (ja) | 1985-03-26 |
| JPH0438833B2 true JPH0438833B2 (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=15737740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58161576A Granted JPS6052822A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | レーザｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052822A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08879B2 (ja) * | 1985-03-15 | 1996-01-10 | 株式会社クラレ | 耐水性組成物 |
| JP2677860B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1997-11-17 | 三菱電機株式会社 | レーザ光照射装置 |
| KR100480435B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2005-04-06 | 민성욱 | 레이저 마킹 시스템의 자동 마킹위치 판별장치 |
| WO2009019973A1 (ja) | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Konica Minolta Opto, Inc. | レーザ投射装置および画像投射方法 |
| CN101434005B (zh) | 2008-11-20 | 2011-05-25 | 武汉凌云光电科技有限责任公司 | 多通道非晶硅太阳能板激光刻膜机 |
| US9981457B2 (en) * | 2013-09-18 | 2018-05-29 | Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus of stack |
| JP6753347B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-09-09 | Ａｇｃ株式会社 | ガラス基板の製造方法、ガラス基板に孔を形成する方法、およびガラス基板に孔を形成する装置 |
| US11123822B2 (en) * | 2016-03-31 | 2021-09-21 | AGC Inc. | Manufacturing method for glass substrate, method for forming hole in glass substrate, and apparatus for forming hole in glass substrate |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5423259B2 (ja) * | 1973-10-22 | 1979-08-13 | ||
| JPS5565940A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laser image display device |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58161576A patent/JPS6052822A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6052822A (ja) | 1985-03-26 |
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