JPH0439025B2 - - Google Patents
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- JPH0439025B2 JPH0439025B2 JP57045120A JP4512082A JPH0439025B2 JP H0439025 B2 JPH0439025 B2 JP H0439025B2 JP 57045120 A JP57045120 A JP 57045120A JP 4512082 A JP4512082 A JP 4512082A JP H0439025 B2 JPH0439025 B2 JP H0439025B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- polarizing film
- workpiece
- polarized light
- polarized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリズム面に蒸着した偏光膜の性能を
測定する検査装置に関する。
測定する検査装置に関する。
偏光膜を有するプリズムが商品化された場合
に、偏光膜蒸着技法等の問題から、偏光膜が入射
した偏光に対して示す透過性あるいは反射性が完
全でないため、この期待されるとの逆の状態をあ
る程度以下に限定する必要がある。このため蒸着
を完成した上記偏光膜プリズム（いわゆる偏光プ
リズム）について検査を行つて性能を確認する必
要が生ずる。
に、偏光膜蒸着技法等の問題から、偏光膜が入射
した偏光に対して示す透過性あるいは反射性が完
全でないため、この期待されるとの逆の状態をあ
る程度以下に限定する必要がある。このため蒸着
を完成した上記偏光膜プリズム（いわゆる偏光プ
リズム）について検査を行つて性能を確認する必
要が生ずる。
本発明の目的は上述の偏光膜プリズムの性能を
簡単に検査する装置を提供するにある。
簡単に検査する装置を提供するにある。
本発明を例示とした実施例並びに図面について
説明する。
説明する。
第１，２図は本実施例による偏光膜プリズム測
定装置を示し、ハウジンク１内の下部から順に光
源装置２、偏光の切換えを行う偏光膜装置３、検
査すべき偏光膜プリズムのワーク取付装置４、受
光装置５，６，７を取付ける。受光装置６光軸は
受光装置７の光軸と直交し、受光装置５の光軸は
受光装置６の光軸と直交して、即ち、いずれか１
つの受光装置の光軸に対して他の２つの受光装置
の光軸がいずれも直交して配置される。
定装置を示し、ハウジンク１内の下部から順に光
源装置２、偏光の切換えを行う偏光膜装置３、検
査すべき偏光膜プリズムのワーク取付装置４、受
光装置５，６，７を取付ける。受光装置６光軸は
受光装置７の光軸と直交し、受光装置５の光軸は
受光装置６の光軸と直交して、即ち、いずれか１
つの受光装置の光軸に対して他の２つの受光装置
の光軸がいずれも直交して配置される。
光源装置２は半導体レーザーとし、内蔵のレン
ズ系１０によつて平行レーザ光として偏光膜装置
３内の偏光膜プリズム８に装置光軸９に沿つて供
給する。光源装置２を取付けた取付板１１は偏光
膜装置３の基板１２に対して角度調整可能とす
る。
ズ系１０によつて平行レーザ光として偏光膜装置
３内の偏光膜プリズム８に装置光軸９に沿つて供
給する。光源装置２を取付けた取付板１１は偏光
膜装置３の基板１２に対して角度調整可能とす
る。
これによつて光軸９を一致させ、かつプリズム
８の偏光膜における法線と装置光軸９とを含む平
面に対してレーザー光の偏光面を一致させる。
８の偏光膜における法線と装置光軸９とを含む平
面に対してレーザー光の偏光面を一致させる。
偏光膜装置３は、ハウジング１の側壁に固着し
た長方形のブランケツト１３に対して筒状の支持
部材１５具備した取付板１４を介して取付けてい
る。この支持部材１５内には、軸受１６を介して
偏光膜支持部材１７を回転自在に取付ける。偏光
膜支持部材１７には、偏光膜を有する偏光膜プリ
ズム８を保持部材１８よつて取付ける。また、偏
光膜部材１７の下端に取付けた基板１２の外周面
に、回動操作用のハンドル１９を取付ける。この
ハンドル１９は偏光膜支持部材１７を90゜回動さ
れせることにより、光軸９を通るレーザ光にＰ偏
光、またはＳ偏光を与える。
た長方形のブランケツト１３に対して筒状の支持
部材１５具備した取付板１４を介して取付けてい
る。この支持部材１５内には、軸受１６を介して
偏光膜支持部材１７を回転自在に取付ける。偏光
膜支持部材１７には、偏光膜を有する偏光膜プリ
ズム８を保持部材１８よつて取付ける。また、偏
光膜部材１７の下端に取付けた基板１２の外周面
に、回動操作用のハンドル１９を取付ける。この
ハンドル１９は偏光膜支持部材１７を90゜回動さ
れせることにより、光軸９を通るレーザ光にＰ偏
光、またはＳ偏光を与える。
上記ブランケツト１３における光軸９上に穿設
した孔には、絞り２０を取付け、偏光膜プリズム
８を通つたレーザ光に所要の絞りを与える。
した孔には、絞り２０を取付け、偏光膜プリズム
８を通つたレーザ光に所要の絞りを与える。
図示を測定装置に使用するワーク２１，２２を
第３，４図に示す。
第３，４図に示す。
ワーク２１はほぼ直方体の本体２３一端に全反
射面２４を設けて、下方から入射した光線を左方
に反射させる。本体２３の左端部にＰ偏光用また
はＳ偏光用偏光膜２５を設ける。従つてＰ偏光用
の偏光の場合に、Ｐ偏光が入射すればそのまま透
過し、Ｓ偏光が入射すれば反射する。しかし、Ｐ
偏光入射の場合でも一部は反射し、またＳ偏光入
射の場合でも、理論上は全反射であるが実際上は
一部が透過する。これはレーザ光線の反射透過を
偏光膜で制御する場合に不適当であり、透過分が
できるだけ小さい許容値内にあることが望まし
い。本発明測定装置はこの透過分と反射分とを測
定してワークの偏光膜の良否を判定する。
射面２４を設けて、下方から入射した光線を左方
に反射させる。本体２３の左端部にＰ偏光用また
はＳ偏光用偏光膜２５を設ける。従つてＰ偏光用
の偏光の場合に、Ｐ偏光が入射すればそのまま透
過し、Ｓ偏光が入射すれば反射する。しかし、Ｐ
偏光入射の場合でも一部は反射し、またＳ偏光入
射の場合でも、理論上は全反射であるが実際上は
一部が透過する。これはレーザ光線の反射透過を
偏光膜で制御する場合に不適当であり、透過分が
できるだけ小さい許容値内にあることが望まし
い。本発明測定装置はこの透過分と反射分とを測
定してワークの偏光膜の良否を判定する。
ワークの別の例を第４図に示し、俗称サイコロ
プリズム２２とした立方体プリズムとし、偏光膜
２６を有する。従つて下方から入射した光線が透
過すれば上方に通過し、反射すれば左方に反射す
る。従つて第３図のプリズム２１とは受光装置を
別の位置とする必要がある。
プリズム２２とした立方体プリズムとし、偏光膜
２６を有する。従つて下方から入射した光線が透
過すれば上方に通過し、反射すれば左方に反射す
る。従つて第３図のプリズム２１とは受光装置を
別の位置とする必要がある。
第３，４図のワーク２１，２２を取付けるため
のワーク取付装置４には、ハウジング１の側壁に
固着したほぼＬ型ブロツクの支持部材３１を有す
る。Ｌ型の支持部材３１の直角な内側に形成した
肩部３２および取付面（受面）３７に、ワーク２
１の側面および底面を接触させてワーク２１を保
持、位置きめする。支持部材３１に通し孔３３，
３４を設けてレーザ光通路とする。
のワーク取付装置４には、ハウジング１の側壁に
固着したほぼＬ型ブロツクの支持部材３１を有す
る。Ｌ型の支持部材３１の直角な内側に形成した
肩部３２および取付面（受面）３７に、ワーク２
１の側面および底面を接触させてワーク２１を保
持、位置きめする。支持部材３１に通し孔３３，
３４を設けてレーザ光通路とする。
また、支持部材３１の側面にワーク２１を固定
するための抑えばね３５を取付けて上方に延長さ
せ、ばね３５の上端のローラ３６がワーク２１を
取付面３７および肩部３２に押圧するようになつ
ている。
するための抑えばね３５を取付けて上方に延長さ
せ、ばね３５の上端のローラ３６がワーク２１を
取付面３７および肩部３２に押圧するようになつ
ている。
受光装置５，６，７はそれぞれ集光レンズ４
０、受光素子４１を有し、反射または透過したレ
ーザ光を受けてレンズ４０によつて集光し、ホト
ダイオードの受光素子４１に電気出力を発生させ
る。この出力は図示しない演算記憶装置に供給し
て所要の記録、表示を行う。
０、受光素子４１を有し、反射または透過したレ
ーザ光を受けてレンズ４０によつて集光し、ホト
ダイオードの受光素子４１に電気出力を発生させ
る。この出力は図示しない演算記憶装置に供給し
て所要の記録、表示を行う。
装置を動作について説明する。
最初にワーク２１を取付装置４の取付面３７に
抑えばね３５によつて保持する。ワーク２１の偏
光膜２５は説明上Ｐ偏光を透過しＳ偏光を反射す
る構造と仮定する。
抑えばね３５によつて保持する。ワーク２１の偏
光膜２５は説明上Ｐ偏光を透過しＳ偏光を反射す
る構造と仮定する。
受光装置５，６を使用する。第１にハンドル
１，９によつて偏光膜支持部材１７を回転して、
偏光膜プリズム８をＰ偏光位置としてレーザ装置
２からレンズ系１０を通つて平行光線とした光束
にＰ偏光を与える。絞り２０を通つた平行光束は
ワーク２１の反射面２４で反射されて左方に行
き、Ｐ偏光を透過する偏光膜２５を透過して受光
装置６に入りレンズ４０によつてフオトダイオー
ドの受光素子４１に入射にする。受光素子４１の
光入力は電気出力に変換されて測定値として表示
される。この時に偏光膜２５でＰ偏光光束の一部
は反射し、受光装置５内の受光素子４１も電気出
力を発生し、測定値として表示される。この場合
の反射測定値をＡ、透過測定値をＢとすれば演算
値、 Ａ／Ａ＋ＢがワークのＰ偏光に対する性能として表 示される。
１，９によつて偏光膜支持部材１７を回転して、
偏光膜プリズム８をＰ偏光位置としてレーザ装置
２からレンズ系１０を通つて平行光線とした光束
にＰ偏光を与える。絞り２０を通つた平行光束は
ワーク２１の反射面２４で反射されて左方に行
き、Ｐ偏光を透過する偏光膜２５を透過して受光
装置６に入りレンズ４０によつてフオトダイオー
ドの受光素子４１に入射にする。受光素子４１の
光入力は電気出力に変換されて測定値として表示
される。この時に偏光膜２５でＰ偏光光束の一部
は反射し、受光装置５内の受光素子４１も電気出
力を発生し、測定値として表示される。この場合
の反射測定値をＡ、透過測定値をＢとすれば演算
値、 Ａ／Ａ＋ＢがワークのＰ偏光に対する性能として表 示される。
次にハンドル１９を90゜回動させて偏光膜装置
３、偏光膜プリズム８を回動させ、光源２からの
レーザ光をＳ偏光とする。Ｓ偏光された平行光線
はワーク２１反射面２４で反射し、偏光膜２５に
達する。偏光２５はＳ偏光を反射するため、Ｓ偏
光の光束は偏光膜２５で反射されて受光装置５に
入り、レンズ４０によつて受光素子４１に集光す
る。受光素子４１は同様に電気出力を発生して測
定値として表示させる。この時に偏光膜２５でＳ
偏光光束の一部は透過し、受光装置６内の受光素
子４１も電気出力を発生し、測定として表示され
る。この場合の反射測定値をＡ、透過測定値をＢ
とすれば演算値、 Ａ／Ａ＋ＢがワークのＳ偏光に対する性能として表 示される。
３、偏光膜プリズム８を回動させ、光源２からの
レーザ光をＳ偏光とする。Ｓ偏光された平行光線
はワーク２１反射面２４で反射し、偏光膜２５に
達する。偏光２５はＳ偏光を反射するため、Ｓ偏
光の光束は偏光膜２５で反射されて受光装置５に
入り、レンズ４０によつて受光素子４１に集光す
る。受光素子４１は同様に電気出力を発生して測
定値として表示させる。この時に偏光膜２５でＳ
偏光光束の一部は透過し、受光装置６内の受光素
子４１も電気出力を発生し、測定として表示され
る。この場合の反射測定値をＡ、透過測定値をＢ
とすれば演算値、 Ａ／Ａ＋ＢがワークのＳ偏光に対する性能として表 示される。
ワーク２２を使用する場合は受光装置６，７を
使用する。ワーク２２偏光膜２６も上述と同様Ｐ
偏光を透過すると仮定する。偏光膜装置３の偏光
膜をＰ偏光として、レーザー光からの平行光束を
Ｐ偏光光束とする。ワーク２２の偏光膜２６にお
いてＰ偏光光束の大部分は透過して受光装置７の
受光素子４１に電気出力を発生させ、一部は偏光
膜２６を反射して受光装置６のレンズ４０を通つ
て集光し、受光素子４１に電気出力を発生させ
る。次に、偏光膜装置３の偏光膜プリズム８をＳ
偏光としてレーザ光からの平行光束をＳ偏光光束
とする。ワーク２２の偏光膜２６においてＳ偏光
光束の大部分は反射して受光装置６の受光素子４
１に電気出力を発生させ、一部は偏光膜２６を透
過して直進し受光装置７のレンズ４０を通つて集
光され、受光素子４１に電気出力を発生させる。
前と同様の演算値によつてワーク２２の性能を示
し、限界値を超えた場合には不良品となる。
使用する。ワーク２２偏光膜２６も上述と同様Ｐ
偏光を透過すると仮定する。偏光膜装置３の偏光
膜をＰ偏光として、レーザー光からの平行光束を
Ｐ偏光光束とする。ワーク２２の偏光膜２６にお
いてＰ偏光光束の大部分は透過して受光装置７の
受光素子４１に電気出力を発生させ、一部は偏光
膜２６を反射して受光装置６のレンズ４０を通つ
て集光し、受光素子４１に電気出力を発生させ
る。次に、偏光膜装置３の偏光膜プリズム８をＳ
偏光としてレーザ光からの平行光束をＳ偏光光束
とする。ワーク２２の偏光膜２６においてＳ偏光
光束の大部分は反射して受光装置６の受光素子４
１に電気出力を発生させ、一部は偏光膜２６を透
過して直進し受光装置７のレンズ４０を通つて集
光され、受光素子４１に電気出力を発生させる。
前と同様の演算値によつてワーク２２の性能を示
し、限界値を超えた場合には不良品となる。
本発明によれば、レーザ装置２、偏光膜装置３
は一度調整すれば以後の調整は必要がなく、正確
の平行光線としたレーザ光束を所要に応じてＰ偏
光、またはＳ偏光に切換えて供給できる。従つ
て、Ｐ偏光まはたはＳ偏光に切換えるだけで各偏
光に対するワークの偏光膜の性能を容易に確認で
き、この際検査すべきワークをワーク取付部材に
取付けるだけでよいから、所定の偏光とした偏光
膜プリズムの完成検査用として著しく有効に使用
できる。
は一度調整すれば以後の調整は必要がなく、正確
の平行光線としたレーザ光束を所要に応じてＰ偏
光、またはＳ偏光に切換えて供給できる。従つ
て、Ｐ偏光まはたはＳ偏光に切換えるだけで各偏
光に対するワークの偏光膜の性能を容易に確認で
き、この際検査すべきワークをワーク取付部材に
取付けるだけでよいから、所定の偏光とした偏光
膜プリズムの完成検査用として著しく有効に使用
できる。
尚、受光素子出力の測定値表示、演算値表示は
簡単な回路装置を使用できる。
簡単な回路装置を使用できる。
第１図は本発明偏光膜プリズム測定装置の構成
を示す側面図、第２図は第１図の平行図、第３
図、第４図は測定すべきプリズムの測面図であ
る。 １……ハウジング、２……光源装置、３……偏
光膜装置、４……ワーク取付装置、５，６，７…
…受光装置、８……偏光膜プリズム、９……装置
光軸、１０……レンズ系、１１，１４……取付
板、１３……ブランケツト、１７……支持部材、
１９……ハンドル、２０……絞り、２１，２２…
…ワーク、２３……本体、２４……反射面、２
５，２６……偏光膜、３１……支持部材、３２…
…肩部、３３，３４……通し孔、３５……抑えば
ね、３７……取付面、４０……集光レンズ、４１
……受光素子。
を示す側面図、第２図は第１図の平行図、第３
図、第４図は測定すべきプリズムの測面図であ
る。 １……ハウジング、２……光源装置、３……偏
光膜装置、４……ワーク取付装置、５，６，７…
…受光装置、８……偏光膜プリズム、９……装置
光軸、１０……レンズ系、１１，１４……取付
板、１３……ブランケツト、１７……支持部材、
１９……ハンドル、２０……絞り、２１，２２…
…ワーク、２３……本体、２４……反射面、２
５，２６……偏光膜、３１……支持部材、３２…
…肩部、３３，３４……通し孔、３５……抑えば
ね、３７……取付面、４０……集光レンズ、４１
……受光素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 偏光膜を有するプリズムから成るワークの偏
光膜の性能を測定する装置であつて、 半導体レーザと、この半導体レーザからの光束
を装置光軸に沿う平行光束にするレンズ装置と、
上記装置光軸を中心として前記半導体レーザとと
もに回動自在とし、上記平行光束を選択的にＳ偏
光またはＰ偏光に切換えする偏光膜を有する偏光
膜支持部材と、上記偏光した平行光束を受けるワ
ークのワーク取付部材と、上記偏光した平行光束
のワークにおける偏光膜の透過光および反射光を
それぞれ受けて電気出力を発生する少なくとも２
つの受光素子を、１つの受光素子の光軸に対して
他の受光素子の光軸が直交するようにそれぞれ配
置した受光装置と、 前記反射光を受ける受光素子から発生する電気
出力と前記透過光を受ける受光素子から発生する
電気出力との測定値に基づいて、Ｓ偏光およびＰ
偏光に対してそれぞれの測定値の和に対する一方
の測定値の比を演算表示する装置とを備えること
を特徴とする偏光膜プリズム測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4512082A JPS58161838A (ja) | 1982-03-20 | 1982-03-20 | 偏光膜プリズム測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4512082A JPS58161838A (ja) | 1982-03-20 | 1982-03-20 | 偏光膜プリズム測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161838A JPS58161838A (ja) | 1983-09-26 |
| JPH0439025B2 true JPH0439025B2 (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=12710406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4512082A Granted JPS58161838A (ja) | 1982-03-20 | 1982-03-20 | 偏光膜プリズム測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161838A (ja) |
-
1982
- 1982-03-20 JP JP4512082A patent/JPS58161838A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58161838A (ja) | 1983-09-26 |
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