JPH0439737B2 - - Google Patents

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JPH0439737B2
JPH0439737B2 JP59065654A JP6565484A JPH0439737B2 JP H0439737 B2 JPH0439737 B2 JP H0439737B2 JP 59065654 A JP59065654 A JP 59065654A JP 6565484 A JP6565484 A JP 6565484A JP H0439737 B2 JPH0439737 B2 JP H0439737B2
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  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気ヨークのリムの端部により形成さ
れる磁極面より所定の距離に設けた磁気ヨーク内
に読取素子として作用する磁性抵抗材料の条片を
配置し、かつこれを磁気ヨークによつて形成され
る磁気回路内に連結して有しており、対応の記録
媒体のトラツク上のアナログ情報を読取る磁気ヘ
ツドに関するものである。
2個の平行なリムを有し、これらリムのうちの
1つに非磁性ギヤツプを設けこれを磁性抵抗材料
の条片で橋絡した磁気ヨークは、公開されたオラ
ンダ特許出願第7508533号に記載されている。こ
の磁気ヨークのリムの遊端は動作中これに対応す
る記録媒体に面しており、磁性抵抗材料の条片に
対し、それ自体を記録媒体に接触させないで、す
なわちこれを記録媒体に接触させることを要しな
いで磁束を供給するようにしている。“オープン”
な磁束を供給することによつて、この既知の磁気
ヘツドは、このヨークのリムの間に生じる短い方
の波長の信号に対応する磁束に感度を有し、また
直接でなくヨークに放射される長い方の波長の信
号に対応する磁束にも感度を有し、これら双方に
感度を有する。これによつてこの磁気ヘツドは広
帯域再生特性を有している。しかしながら、この
2つのリムによるヨークを有する磁気ヘツドも欠
点があり、例えば可聴周波(オーデイオ)用途に
対し、比較的に長い方の波長領域に対して読取り
を行うような用途に対しては、オーバードライブ
が起り易いという欠点があるということが判明し
た。従来の書込みヘツドを用いて記録媒体に可聴
周波情報を書込む場合には、高周波領域に対し低
い方の周波数の信号を増幅してこれを行つてい
る。このような可聴周波記録を一方のリムのギヤ
ツプを橋絡する磁性抵抗材料を有する2リムのヨ
ークの磁気ヘツドで読取る場合には、再生特性が
平坦より大きく外れることとなる。例えば6000Hz
の如く高周波の再生レベルを0dBに調節したとす
ると、周波数を下げていくにつれて出力レベルは
まず最初に上がつていき、例えば、場合によつて
10dBも高くなり、次いで約100Hz程度より減少し
ていく。このため、極めて強力な出力信号の平衡
化を必要とする。
本発明の目的は、上述の如くの構造の磁気ヘツ
ドにおいて読取り素子の特性に寄与し、出力信号
の平衡化を殆んど必要とせず、また特にオーバー
ドライブを防止し得るようにした磁気ヘツドを得
るにある。
本発明においては、上述の目的を達成するた
め、明細書前段記載の如くの磁気ヘツドに対し、
磁気ヨークは非磁性層によつて分離された3個の
リムを有し、外側の1つのリムの磁極面を、同じ
面上にある中央のリムと他の1つのリムの磁極面
に比し記録媒体から見てより遠くに離して配置し
たことを特徴とする。
本発明は2リムヨークを有する磁気ヘツドを使
用する場合に生ずる難点は長い方の波長の信号よ
り生ずる磁束は磁気ヨーク内に直接放射され、特
に磁性抵抗材料読取り素子内に直接放射されるこ
とに起因することを発見したことによつて得られ
たものである。磁気ヨーク3個のリムを用いその
内の1つに磁性抵抗読取り素子を連結し、外側の
リムの1つを僅かに“短く”することによつて長
い波長を有する信号より生ずる磁束は中央のリム
の一部のみに放射され、他の部分は短くなつたリ
ムより消費されてしまい、一方短い方の波長を有
する信号より放射される磁束は記録媒体と短い方
のリムの磁極面間の距離の損失によつて妨害を受
けずに受入れられる。このようにして磁性抵抗読
取り素子の特性は所望の方向に向つて改善され、
特性はよりスムースとなりオーバードライブは防
止される。
短くした方のリムと中央のリムの間の間隔を変
えることにより、全体の感度は更に改善される。
これによつて橋絡作用を大にしたり小にしたりす
ることが可能となる。
問題の外側のリムを短くする度合いは極めて厳
密にするを要しない。これは距離が小さい時に短
い方の波長に対して生ずる距離損失が作用するか
らである。一般に10μm以下の短縮が有効な結果
をもたらしている。
磁性抵抗読取り素子は磁気ヨークに対し種々の
方法で連結することができるが、製造技術の観点
よりして極めて好適な1つの構造がある。この構
造は、磁気ヨークの中央リムにその磁極面より一
定の距離において非磁性ギヤツプを設け、これを
磁性抵抗材料の条片によつて橋絡(シヤント)
し、磁性抵抗材料が磁気ヨークより電気的に絶縁
されるようにするものである。
中央リム内に設けた非磁性ギヤツプを磁性抵抗
読取り素子で橋絡した3個のリムを有するヨーク
を持つた磁気ヘツドはドイツ公告特許第2262659
号により既知である。しかしながら、このヨーク
におけるリムはそれぞれ同じ長さを有しており、
このため、それらの磁極面は1つの面内に位置し
ている。この構造は、ヨークの2つの外側のリム
がこれら2つの外側のリム間の領域を超えた部分
に記録された情報によつて磁性抵抗素子に対する
磁気的抵抗を遮蔽する利点があるとされている。
この遮蔽効果によつてこの既知のドイツ公告特許
に記載された磁気ヘツドはヨークの外側のリムの
間において記録媒体に蓄積されている情報にしか
感度を有しない。これらの外側のリムの間の間隔
は極めて小なるものである。特にこの発表された
種類の磁気ヘツドは薄膜構造を有するものであ
り、短い方の波長の信号により表わされる情報の
みしか読取れない。このためこのヘツドはデイジ
タル情報の読取りにしか適していない。これに対
し本発明による磁気ヘツドはアナログ情報の読取
りに適している。
以下図面により本発明を説明する。
第1図は本発明による磁気ヘツドの薄膜磁気ヘ
ツド構造を示すものであり、3個のリムを有する
磁気ヨークの第1リムを形成するNiZnまたは
MnZnのフエライト基板1上に蒸着したNiFeの
第1層2とNiFeの第2層3とを有し、これらの
第1層2と第2層3とは磁気ヨークの第2リムお
よび第3リムをそれぞれ形成する。
フエライト基板1と、NiFeの第1層2と第2
層3との間は、例えばスパツタリング蒸着して形
成したSiO2の如くの非磁性層4および5によつ
て互に分離させる。NiFeの第1層2および第2
層3とはこれら相互間ならびにフエライト基板1
に対し、それぞれ層4,5内に設けた孔6および
7を介して連結する。
NiFeの第1層2内にSiO2等の非磁性層5の材
料で充填されている非磁性ギヤツプ8を形成す
る。このギヤツプ8を読取り素子を形成する磁性
抵抗材料(磁気により抵抗を変化させる材料)の
約100nm(ナノメータ)厚のストリツプ9で橋絡
する。かく形成された磁気ヘツド構造は、動作中
矢印方向に移動する磁気記録媒体10と組合せて
使用する。
磁気ヨークの短くなつている外側リムを形成す
るNiFeの第2層3は磁極面11を有し、この磁
極面11と記録媒体10との間の距離は、基板1
とNiFeの第1層2により形成されるリムの磁極
面13,12と記録媒体10との間の距離より大
である。表現を変えて説明すると、磁極面11が
第1面に位置し、磁極面12,13が第2面に位
置するとするとき、第1面と第2面間の距離S
は、短い方の波長を有する信号より生ずる磁束は
NiFeの第2層3によつてトラツプ(捕捉)され
ず、比較的に長い方の波長を有する信号より生ず
る磁束はこの層3によつてトラツプされるように
する。この結果、長い方の波長を有する信号より
生ずる磁束の特定部分は読取り素子を形成する磁
気抵抗材料ストリツプ9には延長されない。
第2図に示す薄膜磁気ヘツド構造では、NiFe
の第1層21、第2層22、第3層23を非磁性
基板20上に蒸着して3リム磁性ヨークを形成し
たものである。これらの層21,22,23は例
えば蒸着(スパツタリング)によるSiO2によつ
て形成される非磁性層24,25によつて互に分
離させる。NiFeのこれら層21,22,23は、
それぞれ非磁性層24,25内に設けた孔26,
27を通じ相互接続する。
非磁性層25の材料で充填されている非磁性ギ
ヤツプ28を層22内に設ける。このギヤツプ2
8を約100nmの厚さの磁性抵抗材料条片29で橋
絡し、これによつて読取り素子を形成する。かく
形成した磁気ヘツド構造を、動作中矢印方向に走
行する磁気記録媒体30と協動させる。
磁気ヨークの“短かくなつている”外側リムを
形成する層23の磁極面31は、層22,21に
より形成される磁極面32,33の磁気記録媒体
30よりの距離に比し、より大なる距離を有する
よう磁極記録媒体30より離して配置する。これ
を他の表現で表わせば、磁極面31が第1面に位
置し、磁極面32,33が第2面に位置するとし
たとき、第1、第2面間の距離S′は第1図の配置
における距離Sと同じような関係に構成すること
となる。距離SおよびS′に対する典型的な値はほ
ぼ0ないし10μmである。
第1図および第2図に示す構造の磁気ヘツドは
周波数範囲20〜20000Hz内の可聴周波信号を表わ
す情報を有している記録媒体10,30を読取る
に適している。
第3図は第2図の構造を変形した磁気ヘツド構
造を示す。
第3図において、第2図との相違は、層23の
磁極面31を層22の磁極面32と同じ高さとし
ているが、層21の磁極面33は記録媒体より見
てより引つ込んだ位置としていることである。
第1図ないし第3図に示した磁気ヘツド構造の
効果を、第4図および第5図より説明する。
第1図の磁気ヘツドの再生特性を第4図の曲線
bで示す。第4図の曲線aは、第1図の構造中第
3リムに該当するNiFeの第2層3を設けてない
構造の磁気ヘツドの特性を示すものである。この
曲線aに比し、曲線bの特性では低周波領域がオ
ーバードライブされないためよりスムースな特性
が得られる。この場合の距離Sは5μmとした。
第5図は、第1図に示す構造の他の磁気ヘツド
の再生特性を曲線dに示すものである。この磁気
ヘツドでは距離Sを約10μmとした。この場合、
他は同じ造で、NiFeの第2層3を設けていない
磁気ヘツドの特性を対比のため曲線Cに示してあ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による磁気ヘツドの第1例を示
す一部を断面とした斜視図、第2図は同第2例の
斜視図、第3図は同第3例の斜視図、第4図は本
発明の第1例の磁気ヘツドの特性を従来例のもの
と対比して示す再生特性図、第5図は本発明の第
2例の磁気ヘツドの特性を従来例のものと対比し
て示す再生特性図である。 1…フエライト基板、2,21…NiFeの第1
層、3,22…NiFeの第2層、23…NiFeの第
3層、4,5,24,25…非磁性層、6,7,
26,27…孔、8,28…ギヤツプ、9,29
…磁性抵抗材料条片(ストリツプ)、10,30
…磁気記録媒体、20…非磁性基板、11,1
2,13,31,32,33…磁極面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 磁気ヨークのリムの端部により形成される磁
    極面より所定の距離に設けた磁気ヨーク内に読取
    素子として作用する磁性抵抗材料の条片を配置
    し、かつこれを磁気ヨークによつて形成される磁
    気回路内に連結して有しており、対応の記録媒体
    のトラツク上のアナログ情報を読取る磁気ヘツド
    において、 前記磁気ヨークは非磁性層によつて分離された
    3個のリムを有し、外側の1つのリムの磁極面を
    同じ面上にある中央のリムと他の1つのリムの磁
    極面に比し記録媒体から見てより遠くに離して配
    置したことを特徴とする磁気ヘツド。 2 前記磁気ヨークの中央のリムには、その磁極
    面より所定の距離に非磁性ギヤツプを設け、これ
    を磁性抵抗材料の条片で橋絡し、該条片を磁気ヨ
    ークに対し絶縁する如くした特許請求の範囲第1
    項記載の磁気ヘツド。
JP59065654A 1983-04-05 1984-04-02 磁気ヘツド Granted JPS59186115A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8301188A NL8301188A (nl) 1983-04-05 1983-04-05 Magneetkop met een dunne strook magnetoweerstandmateriaal als leeselement.
NL8301188 1983-04-05

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Publication Number Publication Date
JPS59186115A JPS59186115A (ja) 1984-10-22
JPH0439737B2 true JPH0439737B2 (ja) 1992-06-30

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EP (1) EP0122660B1 (ja)
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