JPH0440353A - 溶融Si中の酸素量測定用センサ - Google Patents
溶融Si中の酸素量測定用センサInfo
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- JPH0440353A JPH0440353A JP2146853A JP14685390A JPH0440353A JP H0440353 A JPH0440353 A JP H0440353A JP 2146853 A JP2146853 A JP 2146853A JP 14685390 A JP14685390 A JP 14685390A JP H0440353 A JPH0440353 A JP H0440353A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〉
この発明は、溶融Si中の酸素量を測定するための酸素
センサに関するものである。
センサに関するものである。
〈従来の技術〉
今やIC素子の構成材料等としてSiウエーノ\の存在
はかけがえのない位置を占めているが、このSiウェー
ハの素材となるSi単結晶インゴットは、一般に第1図
で示す如き単結晶引き上げ炉を使用するC Z (Cz
ochralski)法によって製造されている。この
CZ法は、第1図に示すように、単結晶引き上げ炉+1
1内に収納された石英ルツボ(2)中の溶融S i (
31に種結晶を浸し、石英ルツボ(2)を回転させなが
らワイヤー(4)で引き上げることによってSi単結晶
(5)を育成する方法である。なお、この単結晶引き上
げ炉(11内には雰囲気ガスとしてArが満たされるが
、溶融S i (31からSiO蒸気が発生するため炉
内はSiOガスを含むAr雰囲気となる。
はかけがえのない位置を占めているが、このSiウェー
ハの素材となるSi単結晶インゴットは、一般に第1図
で示す如き単結晶引き上げ炉を使用するC Z (Cz
ochralski)法によって製造されている。この
CZ法は、第1図に示すように、単結晶引き上げ炉+1
1内に収納された石英ルツボ(2)中の溶融S i (
31に種結晶を浸し、石英ルツボ(2)を回転させなが
らワイヤー(4)で引き上げることによってSi単結晶
(5)を育成する方法である。なお、この単結晶引き上
げ炉(11内には雰囲気ガスとしてArが満たされるが
、溶融S i (31からSiO蒸気が発生するため炉
内はSiOガスを含むAr雰囲気となる。
ところで、このような方法でSi単結晶を製造する場合
、石英ルツボ(2)中の溶融S i (3)に含まれる
酸素量が製品品質に大きな影響を及ぼすことから、その
酸素量を的確に検出することが極めて重要となる。
、石英ルツボ(2)中の溶融S i (3)に含まれる
酸素量が製品品質に大きな影響を及ぼすことから、その
酸素量を的確に検出することが極めて重要となる。
しかしながら、溶融Si中の酸素量を直接的に測定する
手法は未だ確立されておらず、実際には溶融Siをサン
プリングして凝固させ、この凝固体中の酸素量を放射線
分析等により測定して溶融Si中の酸素量を推定する方
法が採用されている。
手法は未だ確立されておらず、実際には溶融Siをサン
プリングして凝固させ、この凝固体中の酸素量を放射線
分析等により測定して溶融Si中の酸素量を推定する方
法が採用されている。
勿論、これまでにも溶融Si中の酸素量を直接的に測定
しようとの試みが種々なされており、中でも溶融金属中
の酸素分圧や酸素活量を直接的に測定する手段として実
用されている“固体電解質方式による酸素量測定方法”
が有望ではないかと考えられてきたが、現在までのとこ
ろ良好な結果が得られたという報告はない。
しようとの試みが種々なされており、中でも溶融金属中
の酸素分圧や酸素活量を直接的に測定する手段として実
用されている“固体電解質方式による酸素量測定方法”
が有望ではないかと考えられてきたが、現在までのとこ
ろ良好な結果が得られたという報告はない。
なお、上記“固体電解質方式による酸素量測定方法”と
は、固体電解質を用いて酸素濃淡電池を形成させること
で対象物中の酸素分圧や酸素活量を直接的に測定する手
法であり、例えばこの原理に従って溶鉄中の酸素活量を
測定するセンサの使用量は国内だけでも“数十万個7年
1に上っている。そして、溶融金属中の酸素活量測定に
は、船釣にZrO2にMgo、Cab、Y2O2,Ce
01の一種以上を安定化剤として添加したもの”が固体
電解質として用いられている。また、酸素濃淡電池は空
気中の酸素分圧を測定する場合にも使用されており、こ
のとき適用される固体電解質は“ZrO2にY2O,を
数mo1%添加したもの”である。
は、固体電解質を用いて酸素濃淡電池を形成させること
で対象物中の酸素分圧や酸素活量を直接的に測定する手
法であり、例えばこの原理に従って溶鉄中の酸素活量を
測定するセンサの使用量は国内だけでも“数十万個7年
1に上っている。そして、溶融金属中の酸素活量測定に
は、船釣にZrO2にMgo、Cab、Y2O2,Ce
01の一種以上を安定化剤として添加したもの”が固体
電解質として用いられている。また、酸素濃淡電池は空
気中の酸素分圧を測定する場合にも使用されており、こ
のとき適用される固体電解質は“ZrO2にY2O,を
数mo1%添加したもの”である。
このような“安定化剤を含むZrO2”が高温にて酸素
イオン伝導性を示し、酸素濃淡電池として作用する理由
は次の通りである。即ち、Zr0z中にMg O、Ca
O、Y ! O,等が固溶されると該ZrO,中に酸
素格子欠陥が生まれ、酸素の空格子位置が発生する。そ
して、この酸素の空格子位置の存在によって“安定化剤
を含むZrO,“は酸素イオン伝導性固体電解質として
作用することとなり、酸素濃淡電池の形成媒体となる訳
である。
イオン伝導性を示し、酸素濃淡電池として作用する理由
は次の通りである。即ち、Zr0z中にMg O、Ca
O、Y ! O,等が固溶されると該ZrO,中に酸
素格子欠陥が生まれ、酸素の空格子位置が発生する。そ
して、この酸素の空格子位置の存在によって“安定化剤
を含むZrO,“は酸素イオン伝導性固体電解質として
作用することとなり、酸素濃淡電池の形成媒体となる訳
である。
なお、第2図に示すように、溶融金属(6)中での酸素
濃淡電池の構成は〔対極(7)−溶融金属(6)一固体
電解質(8)−標準極物!(9)−標準極り一ドαの〕
となり、対1(71と標準極り一ドaψ間に酸素分圧比
に比例した起電力Eが発生することを利用して溶融金属
中の酸素量を測定する。そして、標準極物質(9)とし
ては一般に(Cr + Crz Os)や(Mo+Mo
0z)等の混合物が使用され、また酸素イオン伝導性固
体電解質(8)としては、前述した如<Zr0zにM、
、o。
濃淡電池の構成は〔対極(7)−溶融金属(6)一固体
電解質(8)−標準極物!(9)−標準極り一ドαの〕
となり、対1(71と標準極り一ドaψ間に酸素分圧比
に比例した起電力Eが発生することを利用して溶融金属
中の酸素量を測定する。そして、標準極物質(9)とし
ては一般に(Cr + Crz Os)や(Mo+Mo
0z)等の混合物が使用され、また酸素イオン伝導性固
体電解質(8)としては、前述した如<Zr0zにM、
、o。
Ca O+ Y z O:1等を添加し一定形状に成形
したものが使用される。そして、上記酸素濃淡電池の対
極(7)としては、溶融金属中の酸素を測定する場合に
はMo又はFeを棒状或いはリング状としたものが、一
方、空気中の酸素を測定する場合にはptのワイヤーを
使用するのがfii!である。
したものが使用される。そして、上記酸素濃淡電池の対
極(7)としては、溶融金属中の酸素を測定する場合に
はMo又はFeを棒状或いはリング状としたものが、一
方、空気中の酸素を測定する場合にはptのワイヤーを
使用するのがfii!である。
このような酸素濃淡電池を利用した酸素センサの起電力
Eは、一般に(1)式で表わされる。
Eは、一般に(1)式で表わされる。
ここで、P Ox(1)とPe’はそれぞれの温度の関
数である。従って、上記(1)式より、起電力Eと温度
Tを測定すれば溶融金属中の酸素分圧Pot(II)を
測定できることが分かる。
数である。従って、上記(1)式より、起電力Eと温度
Tを測定すれば溶融金属中の酸素分圧Pot(II)を
測定できることが分かる。
温度Tは、第2図に示すように、石英管α濁内に入れら
れた熱電対Q41により測定される。なお、図面におけ
る符号11は平衡型起電力記録計(起電力測定)を、1
2は対極リードを、そして15は平衡型温度記録計(温
度測定)を、16はルツボをそれぞれ示す。
れた熱電対Q41により測定される。なお、図面におけ
る符号11は平衡型起電力記録計(起電力測定)を、1
2は対極リードを、そして15は平衡型温度記録計(温
度測定)を、16はルツボをそれぞれ示す。
また、溶融金属中の酸素活量が知りたい場合には、Po
t(If)とTとから熱力学計算により求めることがで
きる。
t(If)とTとから熱力学計算により求めることがで
きる。
〈発明が解決しようとする課題〉
前述したように、現在のところ溶融Si中の酸素量を直
接的に測定する手段は確立されておらず、例え”Zr0
tにMgo、Cab、Y!03+ Ce0zの一種以上
を添加して安定化した固体電解質”を用いた酸素センサ
によって溶融Si中酸素量の測定を試みたとしても、起
電力の表示値は殆んど0IIIvに近い値にしかならな
いため酸素活量又は酸素分圧の測定ができないという問
題があった。
接的に測定する手段は確立されておらず、例え”Zr0
tにMgo、Cab、Y!03+ Ce0zの一種以上
を添加して安定化した固体電解質”を用いた酸素センサ
によって溶融Si中酸素量の測定を試みたとしても、起
電力の表示値は殆んど0IIIvに近い値にしかならな
いため酸素活量又は酸素分圧の測定ができないという問
題があった。
その上、“固体電解質を用いた酸素センサ″によって溶
融Si中酸素量の測定を試みる場合には対極を溶融Si
中に浸漬する必要があるが、そのため対極が溶出して溶
融Siを汚染する懸念もある。特に、CZ法に適用され
るSiは元来高純度のものであって、含まれる不純物は
微量でも問題となるため、対極として前述したMo、
Fe、 ptの如き金属を溶融Si中に浸漬することは
論外であり、この点もCZ法に適用される溶融Si中の
酸素量を直接測定する手法の確立上大きな障壁となって
いた。
融Si中酸素量の測定を試みる場合には対極を溶融Si
中に浸漬する必要があるが、そのため対極が溶出して溶
融Siを汚染する懸念もある。特に、CZ法に適用され
るSiは元来高純度のものであって、含まれる不純物は
微量でも問題となるため、対極として前述したMo、
Fe、 ptの如き金属を溶融Si中に浸漬することは
論外であり、この点もCZ法に適用される溶融Si中の
酸素量を直接測定する手法の確立上大きな障壁となって
いた。
このようなことから、本発明が目的としたのは、溶融S
i中の酸素量を的確に測定することが可能で、しかも測
定対象物たる溶融Siを汚染することのないセンサを提
供することであった。
i中の酸素量を的確に測定することが可能で、しかも測
定対象物たる溶融Siを汚染することのないセンサを提
供することであった。
(課題を解決するための手段〉
そこで、本発明者等は上記目的を達成すべく、まず溶融
Si中の酸素量を測定しようとしても従来の“固体電解
質を用いた酸素センサ”が正常に働かない原因の解明を
試みたところ、次のような事実を確認した。
Si中の酸素量を測定しようとしても従来の“固体電解
質を用いた酸素センサ”が正常に働かない原因の解明を
試みたところ、次のような事実を確認した。
即ち、例えばCZ法の溶融Si中に酸素センサを浸漬し
て測定しようとする場合、゛単結晶引き上げ炉内へは第
1図の想像線で示すように酸素センサ0ηを挿入して溶
融Si内に浸漬するが、この際、溶融S i (3)面
に浸漬されるまでの間に酸素センサQ7+は単結晶引き
上げ炉(1)内の雰囲気に曝されることとなる。ところ
が、この炉内雰囲気中には、先にも述べたように溶融S
i (31から蒸発したSiOガスが存在している。
て測定しようとする場合、゛単結晶引き上げ炉内へは第
1図の想像線で示すように酸素センサ0ηを挿入して溶
融Si内に浸漬するが、この際、溶融S i (3)面
に浸漬されるまでの間に酸素センサQ7+は単結晶引き
上げ炉(1)内の雰囲気に曝されることとなる。ところ
が、この炉内雰囲気中には、先にも述べたように溶融S
i (31から蒸発したSiOガスが存在している。
そして、該SiOガスが酸素センサaηの固体電解質に
触れるとその中の安定化剤であるMgO,Cab、Yz
()+等と反応し、ZrO2中に含まれていたMg O
、Ca O+ Y z O3等の濃度減少を招く。
触れるとその中の安定化剤であるMgO,Cab、Yz
()+等と反応し、ZrO2中に含まれていたMg O
、Ca O+ Y z O3等の濃度減少を招く。
そのため、Zr0t中の酸素の空格子位置が減少して固
体電解質のイオン伝導性の低下を招くので、ZrO□は
固体電解質の特性を失い、酸素濃淡電池として作用しな
くなって起電力がOmVに近づくこととなる。
体電解質のイオン伝導性の低下を招くので、ZrO□は
固体電解質の特性を失い、酸素濃淡電池として作用しな
くなって起電力がOmVに近づくこととなる。
なお、このSiOガスによる悪影響はCZ法の通用時だ
けでなく、溶融Siを取り扱う操業の何れにも共通する
問題であった。
けでなく、溶融Siを取り扱う操業の何れにも共通する
問題であった。
しかも、この反応はSiOガスに起因するものであるた
め、ガスの侵入が気孔や粒界を通って固体電解質の内部
にまで達する。因みに、電解質の気孔率は一般的に1〜
2%程度である。
め、ガスの侵入が気孔や粒界を通って固体電解質の内部
にまで達する。因みに、電解質の気孔率は一般的に1〜
2%程度である。
上記のような事実を確認した本発明者等は、次に、“雰
囲気ガスに含まれるSiOガス”が原因で起きる前記不
都合の防止手段について検討を重ねた結果、特に「固体
電解質が雰囲気ガスと接触する外表面全体を保護カバー
で覆うこと」が極めて効果的であることを見出した。
囲気ガスに含まれるSiOガス”が原因で起きる前記不
都合の防止手段について検討を重ねた結果、特に「固体
電解質が雰囲気ガスと接触する外表面全体を保護カバー
で覆うこと」が極めて効果的であることを見出した。
また、この保護カバーには、雰囲気中では溶解しないが
溶融Si中で溶解して固体電解質と溶融Siとの直接接
触を叶える特性が要求される上、溶解しても溶融Siの
純度に悪影響を及ぼさないものであることが必要である
が、これらの要求特性を満足するものとして“測定対象
溶融Siと同等以上の純度を有するSi (例えばCZ
法においては引き上げられる単結晶Siと同等又はそれ
よりも高純度のSi)”が好適であることも分かった。
溶融Si中で溶解して固体電解質と溶融Siとの直接接
触を叶える特性が要求される上、溶解しても溶融Siの
純度に悪影響を及ぼさないものであることが必要である
が、これらの要求特性を満足するものとして“測定対象
溶融Siと同等以上の純度を有するSi (例えばCZ
法においては引き上げられる単結晶Siと同等又はそれ
よりも高純度のSi)”が好適であることも分かった。
更に、溶融Si中の酸素量を“固体電解質を用いた酸素
センサ(酸素濃淡電池方式のセンサ)”にて測定する際
の対極には、電気伝導性を有すると共に溶融Si中に熔
は出して不純物とならない材質が求められるが、この対
極材としても“測定対象溶融Siと同等以上の純度を有
するSi”が最も好ましく、しかも、そのSi対極とし
てはセンサ内に組み込まれる形式やセンサとは独立して
浸漬する形式のものの何れでも良いことは勿論、CZ法
等により溶融Si中から連続的に引き上げられている単
結晶Siそのものを対極としても何ら問題がないことを
も見出した。
センサ(酸素濃淡電池方式のセンサ)”にて測定する際
の対極には、電気伝導性を有すると共に溶融Si中に熔
は出して不純物とならない材質が求められるが、この対
極材としても“測定対象溶融Siと同等以上の純度を有
するSi”が最も好ましく、しかも、そのSi対極とし
てはセンサ内に組み込まれる形式やセンサとは独立して
浸漬する形式のものの何れでも良いことは勿論、CZ法
等により溶融Si中から連続的に引き上げられている単
結晶Siそのものを対極としても何ら問題がないことを
も見出した。
本発明は、上記知見事項等に基づいてなされたものであ
って、 「固体電解質を使用して溶融物中の酸素量を測定する酸
素センサにおいて、酸素濃淡電池を形成する固体電解質
の“溶融Siと接触する面である外表面″全体を測定対
象溶融Siと同等以上の純度を有するSiのカバーで覆
うことにより、雰囲気ガスと固体電解質との接触を防止
し、雰囲気ガスと固体電解質の反応を抑えるように構成
した点」に特徴を有しており、更には、 「上記固体電解質に対応する対極を“測定対象溶融Si
と同等以上の純度を有するSi”製とするか、或いは“
単結晶Si製造時に溶融Si中から連続的に引き上げら
れている単結晶Siそのものを固体電解質に対応する対
極として組み込んだ構成にし、溶融Siの汚染防止効果
をより完璧化した点」をも特徴としている。
って、 「固体電解質を使用して溶融物中の酸素量を測定する酸
素センサにおいて、酸素濃淡電池を形成する固体電解質
の“溶融Siと接触する面である外表面″全体を測定対
象溶融Siと同等以上の純度を有するSiのカバーで覆
うことにより、雰囲気ガスと固体電解質との接触を防止
し、雰囲気ガスと固体電解質の反応を抑えるように構成
した点」に特徴を有しており、更には、 「上記固体電解質に対応する対極を“測定対象溶融Si
と同等以上の純度を有するSi”製とするか、或いは“
単結晶Si製造時に溶融Si中から連続的に引き上げら
れている単結晶Siそのものを固体電解質に対応する対
極として組み込んだ構成にし、溶融Siの汚染防止効果
をより完璧化した点」をも特徴としている。
ここで、固体電解質を覆うためのSiカバーの形状とし
ては、固体電解質の外表面を覆い得る形であれば何でも
良くて格別に制限は無い。
ては、固体電解質の外表面を覆い得る形であれば何でも
良くて格別に制限は無い。
ところで、これまでにも溶鉄用酸素センサの固体電解質
に金属性カバーを取付けた例はあったが、それは熱ショ
ックに弱いZrO□系固体電解質の破損防止を目的とし
たものであって、「溶融Si中の酸素量を測定する場合
に特有の“センサの作動不能”を打破するという問題を
解消するのに高純度Siのカバーが有効である」との示
唆を与えるものでなかったことは言うまでもない。
に金属性カバーを取付けた例はあったが、それは熱ショ
ックに弱いZrO□系固体電解質の破損防止を目的とし
たものであって、「溶融Si中の酸素量を測定する場合
に特有の“センサの作動不能”を打破するという問題を
解消するのに高純度Siのカバーが有効である」との示
唆を与えるものでなかったことは言うまでもない。
以下、実施例に基づき本発明をその作用と共により具体
的に説明する。
的に説明する。
〈実施例〉
実隻貫−上
まず、第3図に示したような本発明に係る酸素センサを
準備した。
準備した。
この酸素センサでは、内部に標準物質(9)が収容され
た固体電解質(8)は外側全面が高純度Si製カバー〇
ので覆われている。このため、雰囲気中では、雰囲気ガ
ス中に含まれるSiOと固体電解質(8)はカバーα囚
により遮断されることとなる。
た固体電解質(8)は外側全面が高純度Si製カバー〇
ので覆われている。このため、雰囲気中では、雰囲気ガ
ス中に含まれるSiOと固体電解質(8)はカバーα囚
により遮断されることとなる。
前記固体電解質(8)とカバー〇鴫は、熱電対04)及
び対極(7)と共にセメント0匂により保護管(2匂に
固定されている。
び対極(7)と共にセメント0匂により保護管(2匂に
固定されている。
従って、このプローブ全体を溶融Si中に浸漬するとカ
バー〇匂は溶解し、固体電解質(8)の外表面が溶融S
iと直接接触して電池回路が形成され、起電力Eが発生
する。
バー〇匂は溶解し、固体電解質(8)の外表面が溶融S
iと直接接触して電池回路が形成され、起電力Eが発生
する。
なお、本発明に係る上記センサは、カバー顛が存在する
ことと対極の材質が異なることを除けば従来型の酸素セ
ンサと同一である。
ことと対極の材質が異なることを除けば従来型の酸素セ
ンサと同一である。
さて、CZ炉にて上記酸素センサを1450℃の溶融S
i内に浸漬し、起電力を測定する実験を行った。なお、
プローブの浸漬は第1図の仮想線で示すような方向から
行った。
i内に浸漬し、起電力を測定する実験を行った。なお、
プローブの浸漬は第1図の仮想線で示すような方向から
行った。
このとき使用したセンサ各部品の材質は次の通りであっ
た。
た。
固体電解ii:ZrO2+111+o1%Cab。
標準極物質:Mo+20wt%MOO!1カバー:単結
晶Siを加工したもの。
晶Siを加工したもの。
対極:単結晶Siを加工したもの。
CZ炉内への浸漬は自動浸漬機を用いたが、プローブが
下降して溶融Siに達するまでの間、該プローブは約3
0秒間雰囲気に曝されていた。
下降して溶融Siに達するまでの間、該プローブは約3
0秒間雰囲気に曝されていた。
また、これとは別に、固体電解質用カバーが無い従来型
の酸素センサを使用した同様の起電力測定実験をも実施
した。
の酸素センサを使用した同様の起電力測定実験をも実施
した。
このように測定された起電力チャートを第4図に示す。
第4図に示される結果からは、次のことが分かる。即ち
、本発明センサで測定された波形では、浸漬直後に負の
無限大の起電力が発生し、その後約10秒のところで一
旦高い起電力が発生しているが、これは固体電解質(8
)、標準極物質(9)が熱平衡に達するまでの過渡的現
象であり、その後約20秒程で安定した起電力(−53
0mV)となっている。
、本発明センサで測定された波形では、浸漬直後に負の
無限大の起電力が発生し、その後約10秒のところで一
旦高い起電力が発生しているが、これは固体電解質(8
)、標準極物質(9)が熱平衡に達するまでの過渡的現
象であり、その後約20秒程で安定した起電力(−53
0mV)となっている。
ところが、カバーを被せない従来型のセンサで測定され
た波形では過渡的現象後急激に起電力がOmνにシフト
している。このシフトは、前述のように雰囲気中にて固
体電解質内に拡散するが又は固体電解質の気孔内に取り
込まれたSiOと固体電解質のCaOとの反応が測定中
に進行し、ZrO2中のCaO濃度が11+ol程度か
ら0+aolへと減少していったため、ZrO,におけ
る酸素の空格子位置が減少し固体電解質として作用しな
くなったためである。
た波形では過渡的現象後急激に起電力がOmνにシフト
している。このシフトは、前述のように雰囲気中にて固
体電解質内に拡散するが又は固体電解質の気孔内に取り
込まれたSiOと固体電解質のCaOとの反応が測定中
に進行し、ZrO2中のCaO濃度が11+ol程度か
ら0+aolへと減少していったため、ZrO,におけ
る酸素の空格子位置が減少し固体電解質として作用しな
くなったためである。
ス[2
実施例1とは次の条件(固体電解質の組成)のみを変更
した以外は同様の条件でCZ炉中の溶融Siに酸素セン
サを浸漬し、起電力測定の実験を行った。
した以外は同様の条件でCZ炉中の溶融Siに酸素セン
サを浸漬し、起電力測定の実験を行った。
固体電解質:Zr0z+8+++o1%Y t O2゜
この場合、固体電解質の耐熱ショック性が非常に弱くて
割れが入りやすいため、雰囲気にて十分予熱する必要が
ある。それ故、溶融Si中への浸漬は雰囲気中に約20
0秒間曝した後に行った。
この場合、固体電解質の耐熱ショック性が非常に弱くて
割れが入りやすいため、雰囲気にて十分予熱する必要が
ある。それ故、溶融Si中への浸漬は雰囲気中に約20
0秒間曝した後に行った。
測定された起電力チャートを第5図に示す。
第5図に示される結果からは次のことが分かる。
即ち、本発明酸素センサで測定された波形は、実施例1
の波形と相違し、過渡的現象が見られず直ぐに安定した
起電力となっている。これは、予熱により固体電解質(
8)、標準極物質(9)が十分に加熱されたためである
。
の波形と相違し、過渡的現象が見られず直ぐに安定した
起電力となっている。これは、予熱により固体電解質(
8)、標準極物質(9)が十分に加熱されたためである
。
しかも、固体電解質にはカバー〇lがつけられているの
で予熱の間もSiOガスに曝されることがなく、そのた
め安定した起電力が得られている。−方、カバーの無い
従来型の酸素センサで測定された波形では、予熱時間が
実施例1より長かったため電解質とSiOガスとの反応
が進行し、浸漬時には殆んど酸素センサとして作用して
いない。
で予熱の間もSiOガスに曝されることがなく、そのた
め安定した起電力が得られている。−方、カバーの無い
従来型の酸素センサで測定された波形では、予熱時間が
実施例1より長かったため電解質とSiOガスとの反応
が進行し、浸漬時には殆んど酸素センサとして作用して
いない。
このように、固体電解質のカバーは、耐熱ショックに弱
いため予熱時間を必要とする(Zr Oz 十Y!03
)系の電解質を使用する際にも極めて有効な“Si0g
ガスとの反応防止効果”を発揮する。
いため予熱時間を必要とする(Zr Oz 十Y!03
)系の電解質を使用する際にも極めて有効な“Si0g
ガスとの反応防止効果”を発揮する。
大流■−1
第6図は、単結晶Siを加工して製作したカバー〇8)
を対極(7)に兼用した“本発明に係る酸素センサの別
の実施例”を示しており、それ以外の条件は実施例1と
同様である。
を対極(7)に兼用した“本発明に係る酸素センサの別
の実施例”を示しており、それ以外の条件は実施例1と
同様である。
この場合も、実施例1のものと同様の効果が得られた。
実施例 4
第7図は、対極(7)が他の部分(M素センサ部Qυ)
から独立して構成された“本発明に係る酸素センサの別
の実施例”を示しており、それ以外の条件は実施例1と
同様である。
から独立して構成された“本発明に係る酸素センサの別
の実施例”を示しており、それ以外の条件は実施例1と
同様である。
この場合も、実施例1のものと同様の効果が得られた。
スt5
第8図は、本発明の酸素測定方法のCZ法での実施例を
示す。
示す。
本発明の酸素測定方法に使用する酸素センサは、“実施
例3(第7図)におけると同様の酸素センサ部Qυ”に
引き上げられている単結晶S i (5)そのものを対
極として組み合わせた“本発明に係る酸素センサの別の
実施例”を示しており、それ以外の条件は実施例1と同
様である。
例3(第7図)におけると同様の酸素センサ部Qυ”に
引き上げられている単結晶S i (5)そのものを対
極として組み合わせた“本発明に係る酸素センサの別の
実施例”を示しており、それ以外の条件は実施例1と同
様である。
この場合も、実施例1のものと同様の効果が得られた。
(効果の総括)
以上に説明した如く、この発明によれば、これまで直接
的に測定することができなかった溶融Si中の酸素量を
、溶融Si汚染の懸念なく直接的に安定して測定できる
ようになる。しかも、固体電解質のカバー或いはCZ法
により引き上げられている単結晶Siそのものを対極と
することで酸素センサのコストダウンを図ることも可能
となるなど、産業上極めて有用な効果がもたらされる。
的に測定することができなかった溶融Si中の酸素量を
、溶融Si汚染の懸念なく直接的に安定して測定できる
ようになる。しかも、固体電解質のカバー或いはCZ法
により引き上げられている単結晶Siそのものを対極と
することで酸素センサのコストダウンを図ることも可能
となるなど、産業上極めて有用な効果がもたらされる。
第1図は、CZ法の概要説明図である。
第2図は、溶融金属中での酸素濃淡電池の構成を説明し
た概要図である。 第3図は、本発明に係る酸素センサの1例を説明した要
部概要図である。 第4図は、本発明に係る酸素センサと従来型酸素センサ
にて測定された波形例を対比して示すグラフである。 第5図は、別の固体電解質を通用した本発明に係る酸素
センサと従来型酸素センサにて測定された波形例を対比
して示すグラフである。 第6図乃至第8図は、それぞれ本発明に係る酸素センサ
の別個を説明した概要図である。 図面において、 l・・・単結晶引き上げ炉、 2・・・石英ルツボ。 3・・・溶融Si、 4・・・ワイヤー
5・・・Si単結晶、 6・・・溶融金属。 7・・・対極、 8・・・固体電解質。 9・・・標準物質、 10・・・標準リード
。 11・・・平衡型起電力記録計、12・・・対極リード
。 13・・・石英管、14・・・熱電対。 15・・・平衡型温度記録計、16・・・ルツボ。 17・・・酸素センサ、18・・・カバー19・・・セ
メント、20・・・保護管。 21・・・酸素センサ部。
た概要図である。 第3図は、本発明に係る酸素センサの1例を説明した要
部概要図である。 第4図は、本発明に係る酸素センサと従来型酸素センサ
にて測定された波形例を対比して示すグラフである。 第5図は、別の固体電解質を通用した本発明に係る酸素
センサと従来型酸素センサにて測定された波形例を対比
して示すグラフである。 第6図乃至第8図は、それぞれ本発明に係る酸素センサ
の別個を説明した概要図である。 図面において、 l・・・単結晶引き上げ炉、 2・・・石英ルツボ。 3・・・溶融Si、 4・・・ワイヤー
5・・・Si単結晶、 6・・・溶融金属。 7・・・対極、 8・・・固体電解質。 9・・・標準物質、 10・・・標準リード
。 11・・・平衡型起電力記録計、12・・・対極リード
。 13・・・石英管、14・・・熱電対。 15・・・平衡型温度記録計、16・・・ルツボ。 17・・・酸素センサ、18・・・カバー19・・・セ
メント、20・・・保護管。 21・・・酸素センサ部。
Claims (3)
- (1)固体電解質を使用して溶融物中の酸素量を測定す
る酸素センサにおいて、固体電解質の外表面全体を測定
対象溶融Siと同等以上の純度を有するSiで覆って成
ることを特徴とする、溶融Si中の酸素量測定用センサ
。 - (2)固体電解質を使用して溶融物中の酸素量を測定す
る酸素センサにおいて、固体電解質に対応する対極を測
定対象溶融Siと同等以上の純度を有するSiにて構成
したことを特徴とする、請求項1に記載の溶融Si中の
酸素量測定用センサ。 - (3)固体電解質を使用して溶融物中の酸素量を測定す
る酸素センサにおいて、単結晶Si製造時に溶融Si中
から連続的に引き上げられている単結晶Siを固体電解
質に対応する対極として組み込んだことを特徴とする、
請求項1に記載の溶融Si中の酸素量測定用センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146853A JPH0440353A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 溶融Si中の酸素量測定用センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146853A JPH0440353A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 溶融Si中の酸素量測定用センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440353A true JPH0440353A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15417031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146853A Pending JPH0440353A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 溶融Si中の酸素量測定用センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440353A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0696652A3 (de) * | 1994-08-13 | 1996-04-17 | Georg Prof Dr Mueller | Verfahren und Vorrichtung zur Messung und Steuerung bzw. Regelung der Sauerstoffkonzentration in Siliciumschmelzen |
| DE19821787C2 (de) * | 1998-05-14 | 2002-08-01 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Sauerstoffmeßsonde und Verfahren zur Messung des Sauerstoffpartialdrucks |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2146853A patent/JPH0440353A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0696652A3 (de) * | 1994-08-13 | 1996-04-17 | Georg Prof Dr Mueller | Verfahren und Vorrichtung zur Messung und Steuerung bzw. Regelung der Sauerstoffkonzentration in Siliciumschmelzen |
| DE19821787C2 (de) * | 1998-05-14 | 2002-08-01 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Sauerstoffmeßsonde und Verfahren zur Messung des Sauerstoffpartialdrucks |
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