JPH0440644B2 - - Google Patents
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- JPH0440644B2 JPH0440644B2 JP62219200A JP21920087A JPH0440644B2 JP H0440644 B2 JPH0440644 B2 JP H0440644B2 JP 62219200 A JP62219200 A JP 62219200A JP 21920087 A JP21920087 A JP 21920087A JP H0440644 B2 JPH0440644 B2 JP H0440644B2
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- Japan
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- resistor
- temperature
- level
- heat
- compensating
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- Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明はレベルセンサーに係り、更に詳細には
温度補償と傾斜補償を同時に行えるようにしたレ
ベルセンサーに関する。
温度補償と傾斜補償を同時に行えるようにしたレ
ベルセンサーに関する。
(従来の技術)
従来、レベルセンサーとして、傾斜補償を行う
ものと、温度補償を行うものとが全く別々に開発
されている。
ものと、温度補償を行うものとが全く別々に開発
されている。
その傾斜補償を行うレベルセンサーとして、当
出願人は特願昭62−143994号として出願してい
る。すなわち、支持体に少なくとも一対以上のレ
ベルセンサーを平行配置すると共に、各レベルセ
ンサーが液体収納容器内の仮想的に定まる液面の
変動中心から直線に横切るように支持体を変動中
心から所定間隔をおいて液体収納容器に垂設した
レベルセンサーである。
出願人は特願昭62−143994号として出願してい
る。すなわち、支持体に少なくとも一対以上のレ
ベルセンサーを平行配置すると共に、各レベルセ
ンサーが液体収納容器内の仮想的に定まる液面の
変動中心から直線に横切るように支持体を変動中
心から所定間隔をおいて液体収納容器に垂設した
レベルセンサーである。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、前述した傾斜補償を行うレベルセン
サーに放熱式レベルセンサーを使用すると、周囲
の温度によつて放熱式レベルセンサーの抵抗値が
変わり、液面レベルの測定精度が低下し、傾斜補
償を施した意味がなくなつてしまうという問題が
ある。
サーに放熱式レベルセンサーを使用すると、周囲
の温度によつて放熱式レベルセンサーの抵抗値が
変わり、液面レベルの測定精度が低下し、傾斜補
償を施した意味がなくなつてしまうという問題が
ある。
本発明の目的は、レベル測定の精度を悪くする
周囲温度や傾斜の影響をなくした温度補償と傾斜
補償を同時に行えるようにしたレベルセンサーを
提供することにある。
周囲温度や傾斜の影響をなくした温度補償と傾斜
補償を同時に行えるようにしたレベルセンサーを
提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記目的を達成するために、支持体に
少なくとも一対以上の放熱式レベル測定用抵抗体
を平行配置すると共に、その放熱式レベル測定用
抵抗体の温度補償を行う適数の温度補償用抵抗体
を前記放熱式レベル測定用抵抗体の近傍に配置
し、前記各放熱式レベル測定用抵抗体が、液体収
納容器内の仮想的に定まる液面の変動中心からの
直線上に位置しかつ変動中心に対し同一側にある
ように前記支持体を前記変動中心から所定間隔を
おいて液体収納容器内に垂設してレベルセンサー
を構成した。
少なくとも一対以上の放熱式レベル測定用抵抗体
を平行配置すると共に、その放熱式レベル測定用
抵抗体の温度補償を行う適数の温度補償用抵抗体
を前記放熱式レベル測定用抵抗体の近傍に配置
し、前記各放熱式レベル測定用抵抗体が、液体収
納容器内の仮想的に定まる液面の変動中心からの
直線上に位置しかつ変動中心に対し同一側にある
ように前記支持体を前記変動中心から所定間隔を
おいて液体収納容器内に垂設してレベルセンサー
を構成した。
(作用)
本発明のレベルセンサーを採用することによ
り、液体収納容器内に収納した液体のレベルを検
出する際、液体収納容器内に垂設した少なくとも
一対以上の放熱式レベル測定用抵抗体と適数の温
度補償用抵抗体とにより、各放熱式レベル測定用
抵抗体の温度補償を行うと同時に、傾斜補償を行
うことができる。
り、液体収納容器内に収納した液体のレベルを検
出する際、液体収納容器内に垂設した少なくとも
一対以上の放熱式レベル測定用抵抗体と適数の温
度補償用抵抗体とにより、各放熱式レベル測定用
抵抗体の温度補償を行うと同時に、傾斜補償を行
うことができる。
したがつて、放熱式レベル測定用抵抗体は周囲
温度の変化による抵抗値の変化をなくして、傾斜
補償ができるようになり、液面レベルの測定精度
を向上させることができる。
温度の変化による抵抗値の変化をなくして、傾斜
補償ができるようになり、液面レベルの測定精度
を向上させることができる。
また、各放熱式レベル測定用抵抗体を変動中心
に対し同一側に配置することにより、浸漬深さ、
周囲温度などを近似した状態に保つことができ、
その結果出力電圧の誤差を減じ、温度補償を簡
単、正確に行うことができる。
に対し同一側に配置することにより、浸漬深さ、
周囲温度などを近似した状態に保つことができ、
その結果出力電圧の誤差を減じ、温度補償を簡
単、正確に行うことができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第1図および第2図は本発明のレベルセンサー
を装着した液体収納容器としての燃料タンクを示
している。第1図および第2図において、例えば
矩形状に形成された燃料タンク1内には、レベル
センサー3が配設されている。
を装着した液体収納容器としての燃料タンクを示
している。第1図および第2図において、例えば
矩形状に形成された燃料タンク1内には、レベル
センサー3が配設されている。
レベルセンサー3は燃料タンク1の上部中心、
すなわち変動中心Oから適宜位置に離隔した状態
で内部に嵌入して垂設された支持体5と、その支
持体5に所定間隔離して平行配置された一対の放
熱式レベル測定用抵抗体7A,7Bと、その放熱
式レベル測定用抵抗体7A,7Bの近傍に垂設さ
れた温度補償用抵抗体9とからなつている。ま
た、これら放熱式レベル測定用抵抗体7A,7B
は変動中心Oから直線上に位置し、かつ変動中心
Oに対し同一側に配置されている。例えば第1図
に示す如く、変動中心Oからの直線上に位置して
円周上の相対向した位置に一対の放熱式レベル測
定用抵抗体7A,7Bを平行に配置し、その一対
の放熱式レベル測定用抵抗体7A,7Bの円周上
におけるほぼ中央部に温度補償用抵抗体9が平行
に配置されている。
すなわち変動中心Oから適宜位置に離隔した状態
で内部に嵌入して垂設された支持体5と、その支
持体5に所定間隔離して平行配置された一対の放
熱式レベル測定用抵抗体7A,7Bと、その放熱
式レベル測定用抵抗体7A,7Bの近傍に垂設さ
れた温度補償用抵抗体9とからなつている。ま
た、これら放熱式レベル測定用抵抗体7A,7B
は変動中心Oから直線上に位置し、かつ変動中心
Oに対し同一側に配置されている。例えば第1図
に示す如く、変動中心Oからの直線上に位置して
円周上の相対向した位置に一対の放熱式レベル測
定用抵抗体7A,7Bを平行に配置し、その一対
の放熱式レベル測定用抵抗体7A,7Bの円周上
におけるほぼ中央部に温度補償用抵抗体9が平行
に配置されている。
前記一対の放熱式レベル測定用抵抗体7A,7
Bおよび温度補償用抵抗体9はいずれも基体とし
ての例えばポリイミドからなるフイルム上にNi
の薄膜を蒸着あるいはスパツタなどの手段で形成
されている。しかも、第3図に示されているよう
に、一対の放熱式レベル測定用抵抗体7A,7B
は、幅広の形状とし、温度補償用抵抗体9は前記
一対の放熱式レベル測定用抵抗体7A,7Bとほ
ぼ同一の厚さで幅が細く、全長が長くなるような
折り返しパターンとなつている。
Bおよび温度補償用抵抗体9はいずれも基体とし
ての例えばポリイミドからなるフイルム上にNi
の薄膜を蒸着あるいはスパツタなどの手段で形成
されている。しかも、第3図に示されているよう
に、一対の放熱式レベル測定用抵抗体7A,7B
は、幅広の形状とし、温度補償用抵抗体9は前記
一対の放熱式レベル測定用抵抗体7A,7Bとほ
ぼ同一の厚さで幅が細く、全長が長くなるような
折り返しパターンとなつている。
すなわち、温度補償用抵抗体9は一対の放熱式
レベル測定用抵抗体7A,7Bに比べて、断面積
が小で、長さが大であつて、抵抗値が大となるよ
うに形成されている。
レベル測定用抵抗体7A,7Bに比べて、断面積
が小で、長さが大であつて、抵抗値が大となるよ
うに形成されている。
また、各抵抗体が形成された前記フイルムを第
1図に示すように丸めて円筒状にすることによ
り、レベルセンサーが構成されている。
1図に示すように丸めて円筒状にすることによ
り、レベルセンサーが構成されている。
前記各放熱式レベル測定用抵抗体7A,7Bお
よび温度補償用抵抗体9の一端には定電流源I1,
I2およびI3が供給され、その他端は夫々接地され
ている。各放熱式レベル測定用抵抗体7A,7B
に供給する定電流源I1,I2の電流値は液面レベル
を検出できる程度例えば100mA〜200mAとし、
一方温度補償用抵抗体9に供給する定電流源I3の
電流値は温度補償用抵抗体9の端子電圧が液面レ
ベルに依存しない程度の充分小さな値例えば
2mA程度に夫々設定されている。
よび温度補償用抵抗体9の一端には定電流源I1,
I2およびI3が供給され、その他端は夫々接地され
ている。各放熱式レベル測定用抵抗体7A,7B
に供給する定電流源I1,I2の電流値は液面レベル
を検出できる程度例えば100mA〜200mAとし、
一方温度補償用抵抗体9に供給する定電流源I3の
電流値は温度補償用抵抗体9の端子電圧が液面レ
ベルに依存しない程度の充分小さな値例えば
2mA程度に夫々設定されている。
放熱式レベル測定用抵抗体7Aの端子電圧V10
と温度補償用抵抗体9の端子電圧V30は温度補償
装置11に、放熱式レベル測定用抵抗体7Bの端
子電圧V20と温度補償用抵抗体9の端子電圧V30
は温度補償装置13に入力される。
と温度補償用抵抗体9の端子電圧V30は温度補償
装置11に、放熱式レベル測定用抵抗体7Bの端
子電圧V20と温度補償用抵抗体9の端子電圧V30
は温度補償装置13に入力される。
その温度補償装置11,13は第4図に示すご
とき構成となつている。すなわち、第4図におけ
る温度補償装置11,13において、各放熱式レ
ベル測定用抵抗体7A,7Bの端子電圧V10,
V20はインバータA1を介して電圧V11,V21として
加算器A3の一方の入力に印加され、温度補償用
抵抗体9の端子電圧V30はオペアンプOP、可変
抵抗VR1によつて構成される可変利得増巾器A2
を介して電圧V31として加算器A3の他方の入力に
印加される。
とき構成となつている。すなわち、第4図におけ
る温度補償装置11,13において、各放熱式レ
ベル測定用抵抗体7A,7Bの端子電圧V10,
V20はインバータA1を介して電圧V11,V21として
加算器A3の一方の入力に印加され、温度補償用
抵抗体9の端子電圧V30はオペアンプOP、可変
抵抗VR1によつて構成される可変利得増巾器A2
を介して電圧V31として加算器A3の他方の入力に
印加される。
かかる構成において、放熱式レベル測定用抵抗
体7A,7Bにはこれを加熱するに充分な一定電
流が定電流源I1,I2により供給されており、液面
レベルの変化に応じて端子電圧V10,V20は変化
するので、液面レベルの測定が可能である。この
端子電圧V10,V20は周囲の空気中の温度や被測
定物の液体の温度の変化により変化する。
体7A,7Bにはこれを加熱するに充分な一定電
流が定電流源I1,I2により供給されており、液面
レベルの変化に応じて端子電圧V10,V20は変化
するので、液面レベルの測定が可能である。この
端子電圧V10,V20は周囲の空気中の温度や被測
定物の液体の温度の変化により変化する。
一方、温度補償用抵抗体9には定電流源I3から
微小の一定電流しか供給されないために、液面レ
ベルに依存せずに端子電圧V30は変化しない。し
かし、温度補償用抵抗体9は各放熱式レベル測定
用抵抗体7A,7Bの抵抗温度係数とほぼ同一で
あり、抵抗値は各放熱式レベル測定用抵抗体7
A,7Bに比して充分大きく設定してあるため
に、端子電圧V30も周囲温度および液体の温度変
化に応じ大きく変化する。
微小の一定電流しか供給されないために、液面レ
ベルに依存せずに端子電圧V30は変化しない。し
かし、温度補償用抵抗体9は各放熱式レベル測定
用抵抗体7A,7Bの抵抗温度係数とほぼ同一で
あり、抵抗値は各放熱式レベル測定用抵抗体7
A,7Bに比して充分大きく設定してあるため
に、端子電圧V30も周囲温度および液体の温度変
化に応じ大きく変化する。
上記の端子電圧V30の温度勾配は端子電圧V10,
V20の勾配と必ずしも一致しないことがある。そ
こで、端子電圧V30を可変利得増巾器A2に入力
し、可変抵抗器VR1を調整することによつて、そ
の出力電圧V31の勾配が端子電圧V10,V20と同一
となるように設定する。また、端子電圧V10,
V20はインバータA1に入力され、所定の基準電圧
を基準として反転出力電圧V11,V21を得る。こ
の電圧V11,V21とV31とは同一温度特性を有する
ことにより、両電圧を加算器A3で加算して出力
電圧VA,VBが得られる。この出力電圧VA,
VBは周囲温度や液体温度に依存しない液面レベ
ルに対してのみの関数となり、温度補償が図られ
る。
V20の勾配と必ずしも一致しないことがある。そ
こで、端子電圧V30を可変利得増巾器A2に入力
し、可変抵抗器VR1を調整することによつて、そ
の出力電圧V31の勾配が端子電圧V10,V20と同一
となるように設定する。また、端子電圧V10,
V20はインバータA1に入力され、所定の基準電圧
を基準として反転出力電圧V11,V21を得る。こ
の電圧V11,V21とV31とは同一温度特性を有する
ことにより、両電圧を加算器A3で加算して出力
電圧VA,VBが得られる。この出力電圧VA,
VBは周囲温度や液体温度に依存しない液面レベ
ルに対してのみの関数となり、温度補償が図られ
る。
こうして温度補償が図られた出力電圧VA,
VBは第2図に示されているように、電圧測定部
15,17に入力される。各電圧測定部15,1
7の出力端は演算部19に接続され、ここでそれ
ぞれの電圧値および配置間隔、放熱式レベル測定
用抵抗体7A,7Bの長さなどの諸元に基づき前
記燃料タンク1の液面WLを演算処理する。さら
に、演算部19の出力端には、レベル表示器21
が接続され演算結果を表示する。
VBは第2図に示されているように、電圧測定部
15,17に入力される。各電圧測定部15,1
7の出力端は演算部19に接続され、ここでそれ
ぞれの電圧値および配置間隔、放熱式レベル測定
用抵抗体7A,7Bの長さなどの諸元に基づき前
記燃料タンク1の液面WLを演算処理する。さら
に、演算部19の出力端には、レベル表示器21
が接続され演算結果を表示する。
演算部19の構成としては、各電圧測定部1
5,17から出力された電圧値VAe,VBeを入
力し、(VBe−VAe)×G(但し、Gは定数)を乗
算する乗算部23と、その乗算部23から出力さ
れた値△Ve・Gと放熱式レベル測定用抵抗体7
B側からの出力値VBeを加算する加算部25と
からなつている。この加算部25からの出力値を
レベル表示器21で液面レベルとして表示する。
5,17から出力された電圧値VAe,VBeを入
力し、(VBe−VAe)×G(但し、Gは定数)を乗
算する乗算部23と、その乗算部23から出力さ
れた値△Ve・Gと放熱式レベル測定用抵抗体7
B側からの出力値VBeを加算する加算部25と
からなつている。この加算部25からの出力値を
レベル表示器21で液面レベルとして表示する。
演算部19では、第5図に示した幾何図形およ
びこれに基づいて算出される前記定数Gをフアク
タとする論理演算手段を実行し、各放熱式レベル
測定用抵抗体7A,7Bの液面変化に応じた抵抗
値変化を取込み、レベル表示器21に仮想的に定
めた変動中心Oにおける液面WLのレベルを表示
する。
びこれに基づいて算出される前記定数Gをフアク
タとする論理演算手段を実行し、各放熱式レベル
測定用抵抗体7A,7Bの液面変化に応じた抵抗
値変化を取込み、レベル表示器21に仮想的に定
めた変動中心Oにおける液面WLのレベルを表示
する。
第5図において、各放熱式レベル測定用抵抗体
7A,7Bの長さをL、液面WLからの嵌入深さ
をX、前記抵抗体7Aと7Bとの間の距離をl1、
変動中心Oと変動中心Oに近い抵抗体7Bとの間
の長さをl2とする。
7A,7Bの長さをL、液面WLからの嵌入深さ
をX、前記抵抗体7Aと7Bとの間の距離をl1、
変動中心Oと変動中心Oに近い抵抗体7Bとの間
の長さをl2とする。
液面WLが水平状態であつた場合には、各抵抗
体7A,7Bの嵌入深さXは等しい。また、各抵
抗体7A,7Bの両者に一定の電流が流れている
とすれば、両者の抵抗は等しいので、測定される
電圧は等しい。したがつて、第2図に示した乗算
部23から出力される値は0であり、加算部25
からの出力は抵抗体7B側から出力される電圧に
等しい。
体7A,7Bの嵌入深さXは等しい。また、各抵
抗体7A,7Bの両者に一定の電流が流れている
とすれば、両者の抵抗は等しいので、測定される
電圧は等しい。したがつて、第2図に示した乗算
部23から出力される値は0であり、加算部25
からの出力は抵抗体7B側から出力される電圧に
等しい。
すなわち、水平状態では抵抗体7B側からの出
力のみが測定対象となり、レベル表示器21に表
示されることになる。
力のみが測定対象となり、レベル表示器21に表
示されることになる。
燃料タンク1が傾き、または揺れなどによつて
液面WLが移動し、実際に測定される液面WLが
仮想する真の液面である変動中心Oから相対的に
角度θ゜分傾くと、抵抗体7Aの浸漬深さは抵抗体
7Bの浸漬深さより深くなり、それぞれの浸漬深
さを(X+X1)、(X+X2)とすると、各抵抗体
7A,7Bは各浸漬深さ分の抵抗値およびこれに
応じた電圧値となる。
液面WLが移動し、実際に測定される液面WLが
仮想する真の液面である変動中心Oから相対的に
角度θ゜分傾くと、抵抗体7Aの浸漬深さは抵抗体
7Bの浸漬深さより深くなり、それぞれの浸漬深
さを(X+X1)、(X+X2)とすると、各抵抗体
7A,7Bは各浸漬深さ分の抵抗値およびこれに
応じた電圧値となる。
すなわち、傾斜することによつて、抵抗体7B
および7Aからの測定電圧は水平状態Xの電圧値
に比べて減少する。したがつて、この減少分を水
平のときの値に加算すれば、真の値となる。
および7Aからの測定電圧は水平状態Xの電圧値
に比べて減少する。したがつて、この減少分を水
平のときの値に加算すれば、真の値となる。
また、幾何図形から、抵抗体7A,7B間の距
離l1と、変動中心Oとこれに近い抵抗体7B間の
長さl2の比はあらかじめ一定なので、この値を定
数Gとして傾きに応じたそれぞれの深さの差
(X1−X2)が解れば抵抗体7Bと変動中心Oまで
の深さの差X1が算出できる。
離l1と、変動中心Oとこれに近い抵抗体7B間の
長さl2の比はあらかじめ一定なので、この値を定
数Gとして傾きに応じたそれぞれの深さの差
(X1−X2)が解れば抵抗体7Bと変動中心Oまで
の深さの差X1が算出できる。
したがつて、実際上は、両者の検出電圧差
(VBe−VAe)に前述の定数Gを乗ずれば、補正
値△VeGが算出でき、これに元の検出電圧VBe
を加算すれば補償出力が得られる。
(VBe−VAe)に前述の定数Gを乗ずれば、補正
値△VeGが算出でき、これに元の検出電圧VBe
を加算すれば補償出力が得られる。
なお、第5図において図示とは反対側に液面
WLが傾くと乗算部23から出力される値は負と
なり、加算部25では当然減算した値を出力す
る。
WLが傾くと乗算部23から出力される値は負と
なり、加算部25では当然減算した値を出力す
る。
いずれにあつても仮想的に定めた変動中心Oを
基点として液面WLが傾く限りは前記補償演算に
よつて、正確な液面が表示されることになるので
ある。
基点として液面WLが傾く限りは前記補償演算に
よつて、正確な液面が表示されることになるので
ある。
しかしながら、この限度を越えた傾きの場合変
動中心Oは移動する。
動中心Oは移動する。
例えば第6図の想像線で示すように、液面の一
端が燃料タンク1の天井面にまで至るような大傾
斜角度の場合には、その変動中心はあらかじめ定
めた変動中心Oからずれ、以上のべた補償の範囲
を越えている。
端が燃料タンク1の天井面にまで至るような大傾
斜角度の場合には、その変動中心はあらかじめ定
めた変動中心Oからずれ、以上のべた補償の範囲
を越えている。
但し、実際上はこのような大傾斜角度となるこ
とは瞬間的にはあるだろうが、通常状態では起こ
る可能性は少ないので、実用上は障害を生じない
ものとなる。
とは瞬間的にはあるだろうが、通常状態では起こ
る可能性は少ないので、実用上は障害を生じない
ものとなる。
また仮想変動中心Oを定めるにあたつて、本実
施例では比較的形状の簡単な矩形状タンクを用い
た。
施例では比較的形状の簡単な矩形状タンクを用い
た。
しかし、その他の形状であつても、実際に傾け
た場合の変動中心は、作図または計算上(比較的
幾何形状が簡単な燃料タンク)や、実験(幾何形
状が複雑な燃料タンク)により容易に求めること
ができる。
た場合の変動中心は、作図または計算上(比較的
幾何形状が簡単な燃料タンク)や、実験(幾何形
状が複雑な燃料タンク)により容易に求めること
ができる。
したがつて、本発明では燃料タンクの形状に限
定されるものでなく、変動中心が正しく特定で
き、センサーと変動中心間の位置が正しく位置決
めされていさえすれば、液面が傾いた場合でも精
度のよい測定値が得られるのである。
定されるものでなく、変動中心が正しく特定で
き、センサーと変動中心間の位置が正しく位置決
めされていさえすれば、液面が傾いた場合でも精
度のよい測定値が得られるのである。
なお、本発明は前述した実施例に限定されるこ
となく、適宜の変更を行うことにより、その他の
態様で実施し得るものである。例えば、前述の実
施例において、放熱式レベル測定用抵抗体7A,
7Bおよび温度補償用抵抗体9の端子電圧V10,
V20,V30を入力とする演算回路は、可変利得増
巾器A2により端子電圧V30の温度特性を端子電圧
V10,V20と一致させ、この電圧V31と端子電圧
V11,V21とを作動増巾器に入力して両電圧の差
をとるように構成してもよい。この場合には、温
度補償用の電圧V31は全ての液面レベルに対して
端子電圧V11,V21より小さくなるように、必要
ならばアツテネータにより電圧V11,V21を減衰
して作動増巾器に入力する。
となく、適宜の変更を行うことにより、その他の
態様で実施し得るものである。例えば、前述の実
施例において、放熱式レベル測定用抵抗体7A,
7Bおよび温度補償用抵抗体9の端子電圧V10,
V20,V30を入力とする演算回路は、可変利得増
巾器A2により端子電圧V30の温度特性を端子電圧
V10,V20と一致させ、この電圧V31と端子電圧
V11,V21とを作動増巾器に入力して両電圧の差
をとるように構成してもよい。この場合には、温
度補償用の電圧V31は全ての液面レベルに対して
端子電圧V11,V21より小さくなるように、必要
ならばアツテネータにより電圧V11,V21を減衰
して作動増巾器に入力する。
また、傾斜補償用の演算部19の構成として
は、説明の便宜を図るため、デイスクリートなど
の専用の演算回路として説明しているが、実用化
にあたつては、ワンチツプマイクロコンピユータ
のごとき演算手段を採用しても構わない。
は、説明の便宜を図るため、デイスクリートなど
の専用の演算回路として説明しているが、実用化
にあたつては、ワンチツプマイクロコンピユータ
のごとき演算手段を採用しても構わない。
さらに、本実施例において、放熱式レベル測定
用抵抗体7A,7Bは一対とし、温度補償用抵抗
体9は1本とした例を示したが、放熱式レベル測
定用抵抗体は一対以上、温度補償用抵抗体は2本
以上であつても構わない。
用抵抗体7A,7Bは一対とし、温度補償用抵抗
体9は1本とした例を示したが、放熱式レベル測
定用抵抗体は一対以上、温度補償用抵抗体は2本
以上であつても構わない。
以上のごとき実施例の説明より理解されるよう
に、本発明によれば、特許請求の範囲に記載され
たとおりの構成であるから、液体収納容器内に垂
設した少なくとも一対以上の放熱式レベル測定用
抵抗体と適数の温度補償用抵抗体とにより、各放
熱式レベル測定用抵抗体の温度補償を行うと同時
に、傾斜補償を行うことができる。
に、本発明によれば、特許請求の範囲に記載され
たとおりの構成であるから、液体収納容器内に垂
設した少なくとも一対以上の放熱式レベル測定用
抵抗体と適数の温度補償用抵抗体とにより、各放
熱式レベル測定用抵抗体の温度補償を行うと同時
に、傾斜補償を行うことができる。
したがつて、放熱式レベル測定用抵抗体は周囲
温度の変化による抵抗値の変化をなくして、傾斜
補償ができるようになり、液面レベルの測定精度
を向上させることができる。
温度の変化による抵抗値の変化をなくして、傾斜
補償ができるようになり、液面レベルの測定精度
を向上させることができる。
また、各放熱式レベル測定用抵抗体を変動中心
に対し同一側に配置することにより、浸漬深さ、
周囲温度などを近似した状態に保つことができ、
その結果出力電圧の誤差を減じ、温度補償を簡
単、正確に行うことができる。
に対し同一側に配置することにより、浸漬深さ、
周囲温度などを近似した状態に保つことができ、
その結果出力電圧の誤差を減じ、温度補償を簡
単、正確に行うことができる。
第1図は本発明に係るレベルセンサーを液体収
納容器に固定した状態を示す平面説明図、第2図
は第1図の−線断面において、演算処理手段
を付加するために一部模式化した説明図である。
第3図は本発明に係るレベルセンサーに使用され
る放熱式レベル測定用抵抗体および温度補償用抵
抗体の構成を示す図、第4図は温度補償装置の具
体的な構成を示す図、第5図はレベルセンサーと
変動中心との関係を表わす幾何図形説明図および
第6図は本発明の測定可能領域を説明するための
略図である。 1…燃料タンク、3…レベルセンサー、5…支
持体、7A,7B…放熱式レベル測定用抵抗体、
9…温度補償用抵抗体、11,13…温度補償装
置、15,17…電圧測定部、19…演算部、2
1…レベル表示器。
納容器に固定した状態を示す平面説明図、第2図
は第1図の−線断面において、演算処理手段
を付加するために一部模式化した説明図である。
第3図は本発明に係るレベルセンサーに使用され
る放熱式レベル測定用抵抗体および温度補償用抵
抗体の構成を示す図、第4図は温度補償装置の具
体的な構成を示す図、第5図はレベルセンサーと
変動中心との関係を表わす幾何図形説明図および
第6図は本発明の測定可能領域を説明するための
略図である。 1…燃料タンク、3…レベルセンサー、5…支
持体、7A,7B…放熱式レベル測定用抵抗体、
9…温度補償用抵抗体、11,13…温度補償装
置、15,17…電圧測定部、19…演算部、2
1…レベル表示器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 支持体に少なくとも一対以上の放熱式レベル
測定用抵抗体を平行配置すると共に、その放熱式
レベル測定用抵抗体の温度補償を行う適数の温度
補償用抵抗体を前記放熱式レベル測定用抵抗体の
近傍に配置し、前記各放熱式レベル測定用抵抗体
が、液体収納容器内の仮想的に定まる液面の変動
中心からの直線上に位置しかつ変動中心に対し同
一側にあるように前記支持体を前記変動中心から
所定間隔をおいて液体収納容器内に垂設したこと
を特徴とするレベルセンサー。 2 各放熱式レベル測定用抵抗体と温度補償用抵
抗体は、各放熱式レベル測定用抵抗体に温度補償
を行うための温度補償装置に接続されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレベル
センサー。 3 前記放熱式レベル測定用抵抗体および温度補
償用抵抗体は、それぞれ基体上にNiの薄膜で形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のレベルセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219200A JPS6463820A (en) | 1987-09-03 | 1987-09-03 | Level sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219200A JPS6463820A (en) | 1987-09-03 | 1987-09-03 | Level sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6463820A JPS6463820A (en) | 1989-03-09 |
| JPH0440644B2 true JPH0440644B2 (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=16731774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62219200A Granted JPS6463820A (en) | 1987-09-03 | 1987-09-03 | Level sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6463820A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5007288A (en) * | 1988-12-02 | 1991-04-16 | Yazaki Corporation | Heat-radiation type level sensor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2841889B2 (de) * | 1978-09-26 | 1980-09-25 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zur kontinuierlichen Messung des Füllstandes in einem mit Flüssigkeit zumindest teilweise gefüllten Behälter |
| JPS61155731U (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-27 |
-
1987
- 1987-09-03 JP JP62219200A patent/JPS6463820A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6463820A (en) | 1989-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |