JPH0440873B2 - - Google Patents
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- JPH0440873B2 JPH0440873B2 JP60294951A JP29495185A JPH0440873B2 JP H0440873 B2 JPH0440873 B2 JP H0440873B2 JP 60294951 A JP60294951 A JP 60294951A JP 29495185 A JP29495185 A JP 29495185A JP H0440873 B2 JPH0440873 B2 JP H0440873B2
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- diode chip
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に半導体レー
ザダイオード装置におけるパツケージ構造の改良
に係るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to semiconductor devices, and particularly to improvements in the package structure of semiconductor laser diode devices.
従来例によるこの種の半導体レーザダイオード
装置の概要構造を第2図に示す。
FIG. 2 shows a schematic structure of a conventional semiconductor laser diode device of this type.
すなわち、この第2図従来例構造において、符
号1は装置保持のためのFe−NiなどにAuメツキ
を施したステム本体、2はこのステム本体1にガ
ラス融着などで固定されたFe−Niなどによるそ
れぞれのリード、3は前記ステム本体1上に半田
などで装着させた熱伝導性の良好なAgなどによ
るブロツク体であり、また4はこのブロツク体3
に半田などで接着されたSiなどのサブマウント、
5はこのサブマウント4に半田などで接着された
半導体レーザダイオードチツプ、6は前記ステム
本体1上に半田、あるいは導電性樹脂などで接着
されたホトダイオード、7は前記リード2と半導
体レーザダイオードチツプ5の電極とを接続する
金属細線、8はこれらの各部を覆うように前記ス
テム本体1に被嵌止着されたコバールなどからな
るキヤツプ体、9はこのキヤツプ体8に設けられ
たガラス窓である。 That is, in the conventional structure shown in FIG. 2, reference numeral 1 denotes a stem body made of Fe-Ni plated with Au for holding the device, and 2 denotes a Fe-Ni stem body fixed to the stem body 1 by glass welding or the like. 3 is a block body made of Ag or the like having good thermal conductivity, which is attached to the stem body 1 by soldering or the like, and 4 is this block body 3.
Submount such as Si, which is bonded with solder etc.
5 is a semiconductor laser diode chip bonded to the submount 4 with solder, 6 is a photodiode bonded to the stem body 1 with solder or conductive resin, and 7 is the lead 2 and the semiconductor laser diode chip 5. 8 is a cap body made of Kovar or the like which is fitted onto the stem body 1 so as to cover each part thereof, and 9 is a glass window provided in this cap body 8. .
しかしてこの従来例構造において、半導体レー
ザダイオードチツプ5は、リード2を通して図示
しない外部回路により順方向にバイアズされ、そ
のバイアス電流がしきい値電流を越えたときに、
レーザ光を出射してガラス窓9から図示しない外
部の光学系に入力させ、そしてホトダイオード6
は、リード2を通して外部回路により逆方向にバ
イアスされるが、その表面にレーザ光が照射され
ると、そのリーク電流が光量にほゞ比例して増加
するために、このリーク電流の増減を検出して、
半導体レーザダイオードチツプ5のバイアス電流
を制御させることにより、可及的にレーザ光出力
を一定に維持させるのである。 However, in this conventional structure, the semiconductor laser diode chip 5 is biased in the forward direction by an external circuit (not shown) through the leads 2, and when the bias current exceeds the threshold current,
A laser beam is emitted and input into an external optical system (not shown) through a glass window 9, and then a photodiode 6
is biased in the opposite direction by an external circuit through lead 2, but when its surface is irradiated with laser light, its leakage current increases approximately in proportion to the amount of light, so the increase or decrease in this leakage current is detected. do,
By controlling the bias current of the semiconductor laser diode chip 5, the laser light output is maintained as constant as possible.
しかしながら、従来の半導体レーザダイオード
装置は、このように構成されているため、一般的
に部品点数が非常に多いほか、自動組立てし得な
い部分もあつて、材料費、組立加工費が高価にな
り、また必然的に全体が大型化するなどの問題点
があり、小型、低価格の装置構成が得られないと
いう不都合があつた。
However, because conventional semiconductor laser diode devices are configured in this way, they generally have a very large number of parts, and some parts cannot be assembled automatically, resulting in high material costs and assembly processing costs. In addition, there is a problem that the overall size is inevitably increased, and it is not possible to obtain a compact and low-cost device configuration.
この発明は従来の半導体レーザダイオード装置
でのこのよう問題点を改善するためになされたも
のであつて、その目的とするところは、部品点数
の削減と共に、自動組立てし易い半導体レーザダ
イオード装置を得ることである。 This invention was made to improve these problems in conventional semiconductor laser diode devices, and its purpose is to reduce the number of parts and provide a semiconductor laser diode device that is easy to assemble automatically. That's true.
前記目的を達成するために、この発明において
は、1本のリード上に半導体レーザダイオードチ
ツプとホトダイオードとを相互の端面が平行しな
いようにかつ半導体レーザダイオードチツプの端
面とこのリードの端面とが平行にならないように
マウントさせると共に、これらの半導体レーザダ
イオードチツプとホトダイオードとの各電極を、
他のリードにそれぞれ各別に接続させ、かつこれ
らの各リードの一部を含んで、半導体レーザダイ
オードチツプとホトダイオードとを、透明合成樹
脂体によりモールドしたものである。
In order to achieve the above object, in the present invention, a semiconductor laser diode chip and a photodiode are arranged on one lead so that their end faces are not parallel to each other, and the end faces of the semiconductor laser diode chip and the end face of this lead are parallel to each other. At the same time, each electrode of the semiconductor laser diode chip and photodiode is
A semiconductor laser diode chip and a photodiode are molded with a transparent synthetic resin body, each connected to other leads separately, and including a portion of each lead.
従つてこの発明では、所要部品が、必要数のリ
ードと、半導体レーザダイオードチツプおよびホ
トダイオードと、これらをモールドする透明合成
樹脂体だけとなつて極めて少なく、全体を小型化
でき、かつまた各部品がそれぞれに取扱い易い形
態であるために、自動組立てを可能にする。
Therefore, in this invention, the number of required parts is extremely small, consisting of only the required number of leads, a semiconductor laser diode chip, a photodiode, and a transparent synthetic resin body for molding these, and the whole can be miniaturized. Each of them has an easy-to-handle form, which enables automatic assembly.
できるのである。It can be done.
以下この発明に係る半導体装置の一実施例につ
き、第1図を参照して詳細に説明する。
Hereinafter, one embodiment of a semiconductor device according to the present invention will be described in detail with reference to FIG.
第1図はこの発明の一実施例を適用した半導体
レーザダイオード装置の概要構造を示す斜視図で
ある。 FIG. 1 is a perspective view showing the general structure of a semiconductor laser diode device to which an embodiment of the present invention is applied.
この第1図において、符号10,11,12は
それぞれに熱伝導性の良好なCuなどによる3本
の各リード、13は一つのリード10の端部上に
あつて、その端面10a,13aの相互が平行に
ならないように半田などで接着させた半導体レー
ザダイオードチツプ、14は同様にこのリード1
0上にあつて、半導体レーザダイオードチツプ1
3とは端面13a,14aの相互が平行しないよ
うに半田などで接着させたホトダイオード、15
はこれらの半導体レーザダイオードチツプ13、
およびホトダイオード14の各電極と、他のリー
ド11、および12とを接続する金属細線であ
り、また16は前記各リード10,11,12の
該当する一部を含んで、これらの半導体レーザダ
イオードチツプ13、およびホトダイオード14
の全体を覆うようにしてモールドさせた透明合成
樹脂体である。 In FIG. 1, numerals 10, 11, and 12 are three leads each made of copper or the like having good thermal conductivity, and numeral 13 is on the end of one lead 10, and the end faces 10a, 13a of the lead 13 are on the end. Semiconductor laser diode chips are bonded with solder or the like so that they are not parallel to each other, and 14 is also connected to this lead 1.
0, semiconductor laser diode chip 1
3 is a photodiode whose end surfaces 13a and 14a are bonded with solder or the like so that they are not parallel to each other; 15;
are these semiconductor laser diode chips 13,
and thin metal wires connecting each electrode of the photodiode 14 and the other leads 11 and 12, and 16 includes a corresponding part of each of the leads 10, 11, and 12, and connects these semiconductor laser diode chips. 13, and photodiode 14
It is a transparent synthetic resin body molded to cover the entire body.
従つてこの第1図実施例構造においても、前記
従来例と同様に、半導体レーザダイオードチツプ
13は、リード10,11を通して図示しない外
部回路により順方向にバイアスされ、そのバイア
ス電流がしきい値電流を越えたときに、レーザ光
を出射してモールドされた透明合成樹脂体16か
ら、図示しない外部の光学系に入力させ、そして
ホトダイオード14は、リード10,12を通し
て外部回路により逆方向にバイアスされ、そのリ
ーク電流の増減を検出して、半導体レーザダイオ
ードチツプ13のバイアス電流を制御させること
により、可及的にレーザ光出力を一定に維持させ
るように作用するのである。 Therefore, in the structure of the embodiment shown in FIG. 1, the semiconductor laser diode chip 13 is biased forward in the forward direction by an external circuit (not shown) through the leads 10 and 11, and the bias current is equal to the threshold current. , the laser beam is emitted and input from the molded transparent synthetic resin body 16 to an external optical system (not shown), and the photodiode 14 is biased in the opposite direction by an external circuit through the leads 10 and 12. By detecting increases and decreases in the leakage current and controlling the bias current of the semiconductor laser diode chip 13, the laser light output is maintained as constant as possible.
すなわち、この第1図の構造では、構成部品と
して要求されるのは、必要数だけ、こゝでは3本
のリード10,11,12と、半導体レーザダイ
オードチツプ13、およびホトダイオード14
と、これらをモールドする透明合成樹脂体16だ
けであるために、前記従来例構造に比較するとき
極めて少なくて済み、装置全体を小型化できるほ
か、各構成部品がそれぞれに単品で取扱い易い形
態であることから、機械装置による自動組立てを
図ることができるのである。 That is, in the structure shown in FIG. 1, only the required number of component parts are required, in this case three leads 10, 11, 12, a semiconductor laser diode chip 13, and a photodiode 14.
Since there is only a transparent synthetic resin body 16 for molding these, the number of parts is extremely small compared to the conventional structure described above, and the entire device can be downsized, and each component can be easily handled individually. Because of this, automatic assembly using mechanical equipment can be achieved.
また、半導体レーザダイオードチツプ13の端
面13aとこれを接着するリード10の端面10
aとが平行にならないように構成してあるので、
AV機器に適応した場合に実用上の効果が大き
い。すなわち、CD(コンパクトデイスク)用の3
ビーム方式の光ピツクアツプに使用した場合、半
導体レーザダイオードチツプ13の端面13aか
ら出た光は3ビームに分かれ、中央が信号読み取
り用、左右がトラツキング用となる。このトラツ
キング用ビームの一方のビームの戻り光が、リー
ド10の端面10aに到達して反射する。この端
面10aが端面13aと平行であると、端面10
aの反射光は再びレーザ光の光路に戻つてノイズ
となつて、トラツキング信号のバランスをくずし
てしまう。しかし、本発明のように端面10aが
端面13aに対して傾斜していると、反射光は再
びレーザ光の光路に戻ることはなく、ノイズは生
じない。 Further, the end face 13a of the semiconductor laser diode chip 13 and the end face 10 of the lead 10 bonded thereto.
Since it is configured so that a is not parallel to
It has great practical effects when applied to AV equipment. In other words, 3 for CD (compact disc)
When used in a beam-type optical pickup, the light emitted from the end face 13a of the semiconductor laser diode chip 13 is divided into three beams, with the center beam used for signal reading and the left and right beams used for tracking. The returned light of one of the tracking beams reaches the end face 10a of the lead 10 and is reflected. When this end surface 10a is parallel to the end surface 13a, the end surface 10a is parallel to the end surface 13a.
The reflected light a returns to the optical path of the laser beam and becomes noise, which upsets the balance of the tracking signal. However, when the end surface 10a is inclined with respect to the end surface 13a as in the present invention, the reflected light does not return to the optical path of the laser beam, and no noise is generated.
以上詳述したようにこの発明によれば、1本の
リード上に半導体レーザダイオードチツプとホト
ダイオードとを相互の端面が平行しないようにマ
ウントさせ、それぞれの電極を他のリードに各別
に接続させて上で、これらの各リードの一部を含
んで、半導体レーザダイオードチツプとホトダイ
オードとを、透明合成樹脂体によつてモールドさ
せるようにしたから、装置構造での所要部品が、
必要数のリードと、半導体レーザダイオードチツ
プ、およびホトダイオードと、これらをモールド
する透明合成樹脂体だけであつて、結果的に極め
て少ない部品点数で装置構造を構成できるのであ
り、しかも各所要部品がそれぞれに取扱い易い形
態であることから、従来例での装置構造に比較す
るとき、一方では、装置構造全体の小型化を簡単
に達成できると共に、他方、機械装置による自動
組立てが容易に適用可能となつて、装置構造自体
の材料費、加工組立費を格段に低減し得て安価に
提供でき、併せて機能的な面でも、リードに対す
る半導体レーザダイオードチツプ、ひいてはレー
ザ発振源の位置精度を向上し得るなどの優れた特
長を有するものである。
As detailed above, according to the present invention, a semiconductor laser diode chip and a photodiode are mounted on one lead so that their end faces are not parallel to each other, and each electrode is connected to the other lead separately. Since the semiconductor laser diode chip and photodiode, including a portion of each of these leads, are molded with a transparent synthetic resin body, the required parts in the device structure are as follows.
The required number of leads, a semiconductor laser diode chip, a photodiode, and a transparent synthetic resin body for molding them are all that is needed, and as a result, the device structure can be configured with an extremely small number of parts, and each required part can be assembled individually. Since it is in a form that is easy to handle, on the one hand, the overall device structure can be easily miniaturized when compared to the conventional device structure, and on the other hand, automatic assembly using mechanical devices can be easily applied. As a result, the material cost and processing and assembly cost of the device structure itself can be significantly reduced, making it possible to provide the device at a low cost.In addition, from a functional standpoint, it is possible to improve the positional accuracy of the semiconductor laser diode chip and, ultimately, the laser oscillation source with respect to the lead. It has excellent features such as:
また、半導体レーザダイオードチツプの端面と
これを接着するリードの端面とが平行にならない
ように構成したので、S/N比を高めるという点
で非常に有効であり、AV機器に適応した場合に
実用上の効果が大きい。 In addition, since the end face of the semiconductor laser diode chip and the end face of the leads to which it is bonded are not parallel to each other, it is extremely effective in increasing the S/N ratio, and is useful when applied to AV equipment. The above effect is great.
第1図はこの発明の実施例を適用した半導体レ
ーザダイオード装置の概要構造を示す斜視図、第
2図は従来例による同上半導体レーザダイオード
装置の概要構成を一部を切り欠いて示す斜視図で
ある。
10,11,12……リード、10a……リー
ドの端面、13……半導体レーザダイオードチツ
プ、13a……チツプの端面、14……ホトダイ
オード、14a……ホトダイオードの端面、15
……金属細線、16……透明合成樹脂体。
FIG. 1 is a perspective view showing the general structure of a semiconductor laser diode device to which an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing the general structure of the same semiconductor laser diode device according to the conventional example. be. 10, 11, 12... Lead, 10a... End face of lead, 13... Semiconductor laser diode chip, 13a... End face of chip, 14... Photodiode, 14a... End face of photodiode, 15
...Thin metal wire, 16...Transparent synthetic resin body.
Claims (1)
ードとを備える半導体装置において、少なくとも
3本のリードを有し、これらの各リードのうち、
1本のリード上に前記半導体レーザダイオードチ
ツプとホトダイオードとを相互の端面が平行しな
いように、かつ半導体レーザダイオードチツプの
端面とこのリードの端面とが平行にならないよう
にマウントさせると共に、これらの半導体レーザ
ダイオードチツプとホトダイオードとの各電極
を、他のリードにそれぞれ各別に接続させ、かつ
前記各リードの一部を含んで、半導体レーザダイ
オードチツプとホトダイオードとを、透明合成樹
脂によりモールドしたことを特徴とする半導体装
置。1. A semiconductor device including a semiconductor laser diode chip and a photodiode, which has at least three leads, and of each of these leads,
The semiconductor laser diode chip and the photodiode are mounted on one lead so that their end faces are not parallel to each other, and the end faces of the semiconductor laser diode chip and the end face of this lead are not parallel to each other. Each electrode of the laser diode chip and the photodiode is connected to another lead separately, and the semiconductor laser diode chip and the photodiode, including a part of each lead, are molded with transparent synthetic resin. semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29495185A JPS62150796A (en) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | semiconductor equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29495185A JPS62150796A (en) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | semiconductor equipment |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS62150796A JPS62150796A (en) | 1987-07-04 |
| JPH0440873B2 true JPH0440873B2 (en) | 1992-07-06 |
Family
ID=17814399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29495185A Granted JPS62150796A (en) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | semiconductor equipment |
Country Status (1)
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-
1985
- 1985-12-24 JP JP29495185A patent/JPS62150796A/en active Granted
Also Published As
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