JPH0440873B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0440873B2 JPH0440873B2 JP60294951A JP29495185A JPH0440873B2 JP H0440873 B2 JPH0440873 B2 JP H0440873B2 JP 60294951 A JP60294951 A JP 60294951A JP 29495185 A JP29495185 A JP 29495185A JP H0440873 B2 JPH0440873 B2 JP H0440873B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- semiconductor laser
- diode chip
- photodiode
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に半導体レー
ザダイオード装置におけるパツケージ構造の改良
に係るものである。
ザダイオード装置におけるパツケージ構造の改良
に係るものである。
従来例によるこの種の半導体レーザダイオード
装置の概要構造を第２図に示す。
装置の概要構造を第２図に示す。
すなわち、この第２図従来例構造において、符
号１は装置保持のためのFe−NiなどにAuメツキ
を施したステム本体、２はこのステム本体１にガ
ラス融着などで固定されたFe−Niなどによるそ
れぞれのリード、３は前記ステム本体１上に半田
などで装着させた熱伝導性の良好なAgなどによ
るブロツク体であり、また４はこのブロツク体３
に半田などで接着されたSiなどのサブマウント、
５はこのサブマウント４に半田などで接着された
半導体レーザダイオードチツプ、６は前記ステム
本体１上に半田、あるいは導電性樹脂などで接着
されたホトダイオード、７は前記リード２と半導
体レーザダイオードチツプ５の電極とを接続する
金属細線、８はこれらの各部を覆うように前記ス
テム本体１に被嵌止着されたコバールなどからな
るキヤツプ体、９はこのキヤツプ体８に設けられ
たガラス窓である。
号１は装置保持のためのFe−NiなどにAuメツキ
を施したステム本体、２はこのステム本体１にガ
ラス融着などで固定されたFe−Niなどによるそ
れぞれのリード、３は前記ステム本体１上に半田
などで装着させた熱伝導性の良好なAgなどによ
るブロツク体であり、また４はこのブロツク体３
に半田などで接着されたSiなどのサブマウント、
５はこのサブマウント４に半田などで接着された
半導体レーザダイオードチツプ、６は前記ステム
本体１上に半田、あるいは導電性樹脂などで接着
されたホトダイオード、７は前記リード２と半導
体レーザダイオードチツプ５の電極とを接続する
金属細線、８はこれらの各部を覆うように前記ス
テム本体１に被嵌止着されたコバールなどからな
るキヤツプ体、９はこのキヤツプ体８に設けられ
たガラス窓である。
しかしてこの従来例構造において、半導体レー
ザダイオードチツプ５は、リード２を通して図示
しない外部回路により順方向にバイアズされ、そ
のバイアス電流がしきい値電流を越えたときに、
レーザ光を出射してガラス窓９から図示しない外
部の光学系に入力させ、そしてホトダイオード６
は、リード２を通して外部回路により逆方向にバ
イアスされるが、その表面にレーザ光が照射され
ると、そのリーク電流が光量にほゞ比例して増加
するために、このリーク電流の増減を検出して、
半導体レーザダイオードチツプ５のバイアス電流
を制御させることにより、可及的にレーザ光出力
を一定に維持させるのである。
ザダイオードチツプ５は、リード２を通して図示
しない外部回路により順方向にバイアズされ、そ
のバイアス電流がしきい値電流を越えたときに、
レーザ光を出射してガラス窓９から図示しない外
部の光学系に入力させ、そしてホトダイオード６
は、リード２を通して外部回路により逆方向にバ
イアスされるが、その表面にレーザ光が照射され
ると、そのリーク電流が光量にほゞ比例して増加
するために、このリーク電流の増減を検出して、
半導体レーザダイオードチツプ５のバイアス電流
を制御させることにより、可及的にレーザ光出力
を一定に維持させるのである。
しかしながら、従来の半導体レーザダイオード
装置は、このように構成されているため、一般的
に部品点数が非常に多いほか、自動組立てし得な
い部分もあつて、材料費、組立加工費が高価にな
り、また必然的に全体が大型化するなどの問題点
があり、小型、低価格の装置構成が得られないと
いう不都合があつた。
装置は、このように構成されているため、一般的
に部品点数が非常に多いほか、自動組立てし得な
い部分もあつて、材料費、組立加工費が高価にな
り、また必然的に全体が大型化するなどの問題点
があり、小型、低価格の装置構成が得られないと
いう不都合があつた。
この発明は従来の半導体レーザダイオード装置
でのこのよう問題点を改善するためになされたも
のであつて、その目的とするところは、部品点数
の削減と共に、自動組立てし易い半導体レーザダ
イオード装置を得ることである。
でのこのよう問題点を改善するためになされたも
のであつて、その目的とするところは、部品点数
の削減と共に、自動組立てし易い半導体レーザダ
イオード装置を得ることである。
前記目的を達成するために、この発明において
は、１本のリード上に半導体レーザダイオードチ
ツプとホトダイオードとを相互の端面が平行しな
いようにかつ半導体レーザダイオードチツプの端
面とこのリードの端面とが平行にならないように
マウントさせると共に、これらの半導体レーザダ
イオードチツプとホトダイオードとの各電極を、
他のリードにそれぞれ各別に接続させ、かつこれ
らの各リードの一部を含んで、半導体レーザダイ
オードチツプとホトダイオードとを、透明合成樹
脂体によりモールドしたものである。
は、１本のリード上に半導体レーザダイオードチ
ツプとホトダイオードとを相互の端面が平行しな
いようにかつ半導体レーザダイオードチツプの端
面とこのリードの端面とが平行にならないように
マウントさせると共に、これらの半導体レーザダ
イオードチツプとホトダイオードとの各電極を、
他のリードにそれぞれ各別に接続させ、かつこれ
らの各リードの一部を含んで、半導体レーザダイ
オードチツプとホトダイオードとを、透明合成樹
脂体によりモールドしたものである。
従つてこの発明では、所要部品が、必要数のリ
ードと、半導体レーザダイオードチツプおよびホ
トダイオードと、これらをモールドする透明合成
樹脂体だけとなつて極めて少なく、全体を小型化
でき、かつまた各部品がそれぞれに取扱い易い形
態であるために、自動組立てを可能にする。
ードと、半導体レーザダイオードチツプおよびホ
トダイオードと、これらをモールドする透明合成
樹脂体だけとなつて極めて少なく、全体を小型化
でき、かつまた各部品がそれぞれに取扱い易い形
態であるために、自動組立てを可能にする。
できるのである。
以下この発明に係る半導体装置の一実施例につ
き、第１図を参照して詳細に説明する。
き、第１図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例を適用した半導体
レーザダイオード装置の概要構造を示す斜視図で
ある。
レーザダイオード装置の概要構造を示す斜視図で
ある。
この第１図において、符号１０，１１，１２は
それぞれに熱伝導性の良好なCuなどによる３本
の各リード、１３は一つのリード１０の端部上に
あつて、その端面１０ａ，１３ａの相互が平行に
ならないように半田などで接着させた半導体レー
ザダイオードチツプ、１４は同様にこのリード１
０上にあつて、半導体レーザダイオードチツプ１
３とは端面１３ａ，１４ａの相互が平行しないよ
うに半田などで接着させたホトダイオード、１５
はこれらの半導体レーザダイオードチツプ１３、
およびホトダイオード１４の各電極と、他のリー
ド１１、および１２とを接続する金属細線であ
り、また１６は前記各リード１０，１１，１２の
該当する一部を含んで、これらの半導体レーザダ
イオードチツプ１３、およびホトダイオード１４
の全体を覆うようにしてモールドさせた透明合成
樹脂体である。
それぞれに熱伝導性の良好なCuなどによる３本
の各リード、１３は一つのリード１０の端部上に
あつて、その端面１０ａ，１３ａの相互が平行に
ならないように半田などで接着させた半導体レー
ザダイオードチツプ、１４は同様にこのリード１
０上にあつて、半導体レーザダイオードチツプ１
３とは端面１３ａ，１４ａの相互が平行しないよ
うに半田などで接着させたホトダイオード、１５
はこれらの半導体レーザダイオードチツプ１３、
およびホトダイオード１４の各電極と、他のリー
ド１１、および１２とを接続する金属細線であ
り、また１６は前記各リード１０，１１，１２の
該当する一部を含んで、これらの半導体レーザダ
イオードチツプ１３、およびホトダイオード１４
の全体を覆うようにしてモールドさせた透明合成
樹脂体である。
従つてこの第１図実施例構造においても、前記
従来例と同様に、半導体レーザダイオードチツプ
１３は、リード１０，１１を通して図示しない外
部回路により順方向にバイアスされ、そのバイア
ス電流がしきい値電流を越えたときに、レーザ光
を出射してモールドされた透明合成樹脂体１６か
ら、図示しない外部の光学系に入力させ、そして
ホトダイオード１４は、リード１０，１２を通し
て外部回路により逆方向にバイアスされ、そのリ
ーク電流の増減を検出して、半導体レーザダイオ
ードチツプ１３のバイアス電流を制御させること
により、可及的にレーザ光出力を一定に維持させ
るように作用するのである。
従来例と同様に、半導体レーザダイオードチツプ
１３は、リード１０，１１を通して図示しない外
部回路により順方向にバイアスされ、そのバイア
ス電流がしきい値電流を越えたときに、レーザ光
を出射してモールドされた透明合成樹脂体１６か
ら、図示しない外部の光学系に入力させ、そして
ホトダイオード１４は、リード１０，１２を通し
て外部回路により逆方向にバイアスされ、そのリ
ーク電流の増減を検出して、半導体レーザダイオ
ードチツプ１３のバイアス電流を制御させること
により、可及的にレーザ光出力を一定に維持させ
るように作用するのである。
すなわち、この第１図の構造では、構成部品と
して要求されるのは、必要数だけ、こゝでは３本
のリード１０，１１，１２と、半導体レーザダイ
オードチツプ１３、およびホトダイオード１４
と、これらをモールドする透明合成樹脂体１６だ
けであるために、前記従来例構造に比較するとき
極めて少なくて済み、装置全体を小型化できるほ
か、各構成部品がそれぞれに単品で取扱い易い形
態であることから、機械装置による自動組立てを
図ることができるのである。
して要求されるのは、必要数だけ、こゝでは３本
のリード１０，１１，１２と、半導体レーザダイ
オードチツプ１３、およびホトダイオード１４
と、これらをモールドする透明合成樹脂体１６だ
けであるために、前記従来例構造に比較するとき
極めて少なくて済み、装置全体を小型化できるほ
か、各構成部品がそれぞれに単品で取扱い易い形
態であることから、機械装置による自動組立てを
図ることができるのである。
また、半導体レーザダイオードチツプ１３の端
面１３ａとこれを接着するリード１０の端面１０
ａとが平行にならないように構成してあるので、
AV機器に適応した場合に実用上の効果が大き
い。すなわち、CD（コンパクトデイスク）用の３
ビーム方式の光ピツクアツプに使用した場合、半
導体レーザダイオードチツプ１３の端面１３ａか
ら出た光は３ビームに分かれ、中央が信号読み取
り用、左右がトラツキング用となる。このトラツ
キング用ビームの一方のビームの戻り光が、リー
ド１０の端面１０ａに到達して反射する。この端
面１０ａが端面１３ａと平行であると、端面１０
ａの反射光は再びレーザ光の光路に戻つてノイズ
となつて、トラツキング信号のバランスをくずし
てしまう。しかし、本発明のように端面１０ａが
端面１３ａに対して傾斜していると、反射光は再
びレーザ光の光路に戻ることはなく、ノイズは生
じない。
面１３ａとこれを接着するリード１０の端面１０
ａとが平行にならないように構成してあるので、
AV機器に適応した場合に実用上の効果が大き
い。すなわち、CD（コンパクトデイスク）用の３
ビーム方式の光ピツクアツプに使用した場合、半
導体レーザダイオードチツプ１３の端面１３ａか
ら出た光は３ビームに分かれ、中央が信号読み取
り用、左右がトラツキング用となる。このトラツ
キング用ビームの一方のビームの戻り光が、リー
ド１０の端面１０ａに到達して反射する。この端
面１０ａが端面１３ａと平行であると、端面１０
ａの反射光は再びレーザ光の光路に戻つてノイズ
となつて、トラツキング信号のバランスをくずし
てしまう。しかし、本発明のように端面１０ａが
端面１３ａに対して傾斜していると、反射光は再
びレーザ光の光路に戻ることはなく、ノイズは生
じない。
以上詳述したようにこの発明によれば、１本の
リード上に半導体レーザダイオードチツプとホト
ダイオードとを相互の端面が平行しないようにマ
ウントさせ、それぞれの電極を他のリードに各別
に接続させて上で、これらの各リードの一部を含
んで、半導体レーザダイオードチツプとホトダイ
オードとを、透明合成樹脂体によつてモールドさ
せるようにしたから、装置構造での所要部品が、
必要数のリードと、半導体レーザダイオードチツ
プ、およびホトダイオードと、これらをモールド
する透明合成樹脂体だけであつて、結果的に極め
て少ない部品点数で装置構造を構成できるのであ
り、しかも各所要部品がそれぞれに取扱い易い形
態であることから、従来例での装置構造に比較す
るとき、一方では、装置構造全体の小型化を簡単
に達成できると共に、他方、機械装置による自動
組立てが容易に適用可能となつて、装置構造自体
の材料費、加工組立費を格段に低減し得て安価に
提供でき、併せて機能的な面でも、リードに対す
る半導体レーザダイオードチツプ、ひいてはレー
ザ発振源の位置精度を向上し得るなどの優れた特
長を有するものである。
リード上に半導体レーザダイオードチツプとホト
ダイオードとを相互の端面が平行しないようにマ
ウントさせ、それぞれの電極を他のリードに各別
に接続させて上で、これらの各リードの一部を含
んで、半導体レーザダイオードチツプとホトダイ
オードとを、透明合成樹脂体によつてモールドさ
せるようにしたから、装置構造での所要部品が、
必要数のリードと、半導体レーザダイオードチツ
プ、およびホトダイオードと、これらをモールド
する透明合成樹脂体だけであつて、結果的に極め
て少ない部品点数で装置構造を構成できるのであ
り、しかも各所要部品がそれぞれに取扱い易い形
態であることから、従来例での装置構造に比較す
るとき、一方では、装置構造全体の小型化を簡単
に達成できると共に、他方、機械装置による自動
組立てが容易に適用可能となつて、装置構造自体
の材料費、加工組立費を格段に低減し得て安価に
提供でき、併せて機能的な面でも、リードに対す
る半導体レーザダイオードチツプ、ひいてはレー
ザ発振源の位置精度を向上し得るなどの優れた特
長を有するものである。
また、半導体レーザダイオードチツプの端面と
これを接着するリードの端面とが平行にならない
ように構成したので、Ｓ／Ｎ比を高めるという点
で非常に有効であり、AV機器に適応した場合に
実用上の効果が大きい。
これを接着するリードの端面とが平行にならない
ように構成したので、Ｓ／Ｎ比を高めるという点
で非常に有効であり、AV機器に適応した場合に
実用上の効果が大きい。
第１図はこの発明の実施例を適用した半導体レ
ーザダイオード装置の概要構造を示す斜視図、第
２図は従来例による同上半導体レーザダイオード
装置の概要構成を一部を切り欠いて示す斜視図で
ある。 １０，１１，１２……リード、１０ａ……リー
ドの端面、１３……半導体レーザダイオードチツ
プ、１３ａ……チツプの端面、１４……ホトダイ
オード、１４ａ……ホトダイオードの端面、１５
……金属細線、１６……透明合成樹脂体。
ーザダイオード装置の概要構造を示す斜視図、第
２図は従来例による同上半導体レーザダイオード
装置の概要構成を一部を切り欠いて示す斜視図で
ある。 １０，１１，１２……リード、１０ａ……リー
ドの端面、１３……半導体レーザダイオードチツ
プ、１３ａ……チツプの端面、１４……ホトダイ
オード、１４ａ……ホトダイオードの端面、１５
……金属細線、１６……透明合成樹脂体。
Claims (1)
- １ 半導体レーザダイオードチツプとホトダイオ
ードとを備える半導体装置において、少なくとも
３本のリードを有し、これらの各リードのうち、
１本のリード上に前記半導体レーザダイオードチ
ツプとホトダイオードとを相互の端面が平行しな
いように、かつ半導体レーザダイオードチツプの
端面とこのリードの端面とが平行にならないよう
にマウントさせると共に、これらの半導体レーザ
ダイオードチツプとホトダイオードとの各電極
を、他のリードにそれぞれ各別に接続させ、かつ
前記各リードの一部を含んで、半導体レーザダイ
オードチツプとホトダイオードとを、透明合成樹
脂によりモールドしたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29495185A JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29495185A JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150796A JPS62150796A (ja) | 1987-07-04 |
| JPH0440873B2 true JPH0440873B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=17814399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29495185A Granted JPS62150796A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150796A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2899286B2 (ja) * | 1988-04-06 | 1999-06-02 | 松下電器産業株式会社 | 光半導体装置 |
| JPH01286484A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| DE68912512T2 (de) * | 1988-10-28 | 1994-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleiterlaser-Vorrichtung. |
| JPH02125688A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| KR100787280B1 (ko) | 2006-10-13 | 2007-12-20 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저 다이오드 패키징 및 그 제조방법 |
| JP7412945B2 (ja) * | 2019-10-01 | 2024-01-15 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313885A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emitting device |
| JPS6063977A (ja) * | 1983-09-17 | 1985-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP29495185A patent/JPS62150796A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62150796A (ja) | 1987-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100780522B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
| JPH06203403A (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| JPH0440873B2 (ja) | ||
| JP2001111159A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5539767A (en) | Semiconductor laser device | |
| US7067854B2 (en) | Optical receiver | |
| KR100763068B1 (ko) | 몰드형 반도체레이저 | |
| JP2736197B2 (ja) | 光半導体素子用パッケージ | |
| JPH06290476A (ja) | 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド | |
| JPS63136684A (ja) | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム | |
| JP3483807B2 (ja) | 発光装置及びこれを用いた回折素子集積型発光ユニット | |
| JPH04252082A (ja) | 光結合装置 | |
| JP3048818B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6271289A (ja) | 光電子装置 | |
| JP3508396B2 (ja) | バーコード読み取り用複合光学装置の製造方法 | |
| JP2746504B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| KR102239822B1 (ko) | 다채널 구동 표면실장 타입 레이저 다이오드 | |
| JPH02297988A (ja) | 光半導体装置を用いた光結合系 | |
| JPS6130092A (ja) | レ−ザ装置 | |
| JPH0749807Y2 (ja) | 光集積回路装置 | |
| JP3318083B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3642535B2 (ja) | 半導体レーザアレイ | |
| JPH02296388A (ja) | 半導体発光素子の実装方法 | |
| JPH03217067A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0510373Y2 (ja) |