JPH044101B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電磁誘導型磁気ヘツド、磁気抵抗
効果型磁気ヘツド等の薄膜磁気ヘツドの研摩装置
に関し、特に研摩量検出用の研摩量モニターの改
良に関するものである。

〔従来技術〕

一般に、電磁誘導型磁気ヘツド、磁気抵抗効果
型磁気ヘツド等の薄膜磁気ヘツドは、薄膜磁気ヘ
ツド本体の薄膜パターンが形成された第１の基板
上に補強用の第２の基板を接合し、両基板の記録
媒体摺動面となる部分に研摩加工を施こすことに
より実用的に動作する状態となる。この研摩加工
は、記録媒体摺動面を平滑な曲面にすることによ
り記録媒体、たとえばビデオテープ等の磁気テー
プとの接触状態を良好にし、同時に、研摩量の制
御により電磁誘導型磁気ヘツドにおけるデプス長
あるいは磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるスト
ライプ幅を制御することを目的として行なわれて
いる。

ところで、通常、薄膜磁気ヘツドの製造工程に
おいては、前述の研摩加工による総研摩量は数十
〜数百μｍであるが、研摩終了時点においては、
前記デプス長あるいはストライプ幅が±１〜数μ
ｍの精度で制御されていなければならず、このた
め、研摩加工過程においては研摩量を高精度でか
つ容易に検知し得る手段、いわゆる研摩量モニタ
ーが必要とされる。

すなわち、前記研摩量モニターは、薄膜磁気ヘ
ツド本体が形成された第１の基板上に該磁気ヘツ
ド本体との相対位置を予め決定した薄膜パターン
として形成され、研摩加工の進行に伴なうモニタ
ーパターンの状態の変化を光学的あるいは電気的
に検出することにより研摩量を制御するものであ
る。

そして、従来の研摩装置においては、たとえ
ば、光学的研摩量モニターとして第１図および第
２図に示すものが考案されており、第１図の場
合、第１の基板（以下単に基板という）１上に該
基板１の研摩の進行に伴なつて断面が順次大きく
なる三角形状の薄膜パターン２が形成され、当該
パターン２の断面を研摩面Ｐから顕微鏡等により
観察し、パターン２の断面長さｌを測定すること
により研摩量を検出するものであり、さらに、第
２図の場合、基板１上の研摩面Ｐからの距離が順
次大なる位置に複数個の帯状薄膜パターン３が研
摩進行方向に直交する方向に配列して形成され、
研摩面Ｐから見えるパターン３の個数を測定する
ことにより研摩量を検出するものである。

また、電気的研摩量モニターとしては、第３図
および第４図に示すものが考案されており、第３
図の場合、基板１上に研摩により削除されて抵抗
値が変化する薄膜抵抗体４と該抵抗体４の抵抗値
変化を取り出す端子５とが形成され、さらに、第
４図の場合、基板１上に研摩面Ｐに対して平行で
研摩面Ｐからの距離が順次大なる位置に配置され
た複数個の帯状薄膜抵抗体６と各抵抗体６を並列
接続するとともに抵抗値変化を取り出す端子７と
が形成され、それぞれ抵抗値変化を測定すること
により研摩量を検出するようになつている。な
お、第３図ｂおよび第４図ｂはそれぞれの研摩量
に対する抵抗値の関係を示したものである。

ところで、通常、この種研摩装置では研摩の機
械化を図る場合、研摩を進行させながらあるいは
少なくとも研摩機に基板を取り付けた状態で研摩
量を検出することが望ましく、この点では電気的
研摩量モニターが適している。

しかし、前述の電気的研摩量モニターによる
と、第３図の場合、測定値、すなわち抵抗体４の
抵抗値が連続変数であり顕著な変化が得られない
ため、研摩量との対応づけが難しい欠点がある。
このことは前記第１図の光学的研摩量モニターの
構成においても同様のことが言える。また、第４
図の場合、測定値が不連続変数であり顕著な変化
が得られるため、研摩量との対応づけが容易であ
る反面、各薄膜抵抗体６が研摩面Ｐに対し平行に
順次間隔を介して配置されるため、抵抗体６の配
置ピツチにより研摩量の検出精度が制限され、研
摩量の検出精度に制約を受ける欠点がある。

さらに、第３図および第４図の構成では、それ
ぞれのｂ図より明らかなように、研摩初期におけ
る抵抗値変化が非常に小さいため、研摩初期での
研摩精度が非常に悪い欠点がある。

ところで、従来より、第５図および第６図に示
すように、研摩の進行に伴なつて順次断面が大き
くなる薄膜抵抗体４′および研摩進行方向に順次
長さが長くなる複数個の薄膜抵抗体６′を設け、
それぞれのｂ図に示すように、研摩量と抵抗値と
の関係を全体として線型、すなわち比例線型に近
づけ、研摩初期における抵抗値変化を大きくする
ようにしたものが考案されている。しかし、第５
図の場合、測定値が連続変数であるため、研摩量
との対応づけが難しく、また、第６図の場合、抵
抗体６′の配置ピツチにより研摩量の検出精度が
制限されてしまい、前述した欠点が依然として解
決されていない。

〔発明の目的〕

この発明は、前記の点に留意してなされたもの
であり、研摩加工の機械化、自動化に適した電気
的研摩量モニターを改良し、研摩量検出作業をよ
り容易かつ高精度に行なうことを目的とする。

〔発明の構成〕

この発明は、薄膜磁気ヘツド本体が形成された
基板上に、該基板の研摩面からの距離が順次大な
る位置に配置され前記基板の研摩により削除され
て抵抗値が変化し遂には断線する複数個の第１薄
膜抵抗体と、前記各第１薄膜抵抗体とそれぞれ対
をなし該各対の第１薄膜抵抗体の断線により抵抗
値が変化することのない複数個の第２薄膜抵抗体
と、前記各第１薄膜抵抗体を短絡し両側に研摩進
行方向に長い電極と前記各第１薄膜抵抗体間を通
る櫛先とを有し前記各対における第１、第２薄膜
抵抗体を直列接続するとともに前記各第２薄膜抵
抗体を並列接続する櫛状薄膜導体とを形成したこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘツドの研摩装置であ
る。

〔発明の効果〕

したがつて、この発明の薄膜磁気ヘツドの研摩
装置によると、基板上の各第１薄膜抵抗体と各第
２薄膜抵抗体と櫛状薄膜導体とにより抵抗回路を
構成し、各第１薄膜抵抗体の研摩による断線によ
りこれと対をなす各第２薄膜抵抗体が順次回路か
ら切り離されるため、薄膜導体の両電極間に研摩
に伴なう不連続な大きい抵抗値変化を得ることが
でき、このため、抵抗値と研摩量との対応づけが
容易に行なえ、しかも、各第１薄膜抵抗体を研摩
進行方向に対して斜め方向に順次配置することが
できるため、研摩進行方向における第１薄膜抵抗
体の配置ピツチを任意に設定でき、高精度の抵抗
値検出、すなわち研摩量検出が行なえるものであ
り、研摩加工の機械化、自動化を図り、高精度な
研摩量制御が実現できる。

また、前記電気的研摩量モニターにおいては、
各第１薄膜抵抗体のみを基板上の薄膜磁気ヘツド
本体に対して精度よく配置することにより高精度
の研摩量の検出が行なえ、各第２薄膜抵抗体にあ
つてはその形状、配置に関する自由度を大きくす
ることができ、前記抵抗回路の抵抗値変化を任意
に設定できるものである。

さらに、基板上に形成された薄膜磁気ヘツド本
体が磁気抵抗効果型磁気ヘツドの磁気抵抗効果素
子層である場合には、該素子層と同時に第１薄膜
抵抗体を成膜、パターン化して形成することがで
き、このため、両者の相対位置を高精度に規制で
きる効果がある。

〔実施例〕

つぎにこの発明を、その実施例を示した第７図
以下の図面とともに詳細に説明する。

まず、１実施例を示した第７図および第８図に
ついて説明する。

第７図は、基板の研摩面に対して平行かつ１列
に並べた薄膜磁気ヘツド本体列の両側にそれぞれ
形成された電気的研摩量モニターの一方を示し、
同図において、８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅは
基板の研摩面Ｐからの距離が順次大なる位置に配
置され研摩の進行方向に対して左方に傾斜した斜
めの方向に間隔を介して配列された５個の第１薄
膜抵抗体であり、各抵抗体８ａ〜８ｅは基板上の
薄膜磁気ヘツド本体との相対位置を予め決定して
研摩の進行方向に一定ピツチで配置されており、
各抵抗体８ａ〜８ｅは基板の研摩とともに順次削
除されてその抵抗値が変化し遂には断線するよう
になつている。９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅは
各第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅとそれぞれ対をなす
５個の第２薄膜抵抗体であり、各第２薄膜抵抗体
９ａ〜９ｅはそれぞれ少なくともこれと対をなす
各第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅより研摩進行方向側
に配置され、各対の第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅの
断線により抵抗値が変化することはない。

そして、各第２薄膜低抗体９ａ〜９ｅの抵抗値
をそれぞれRa、Rb、Rc、Rd、Reとした場合、
Ra＜Rb＜Rc＜RdReの関係にあり、また、各
第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅの抵抗値は第２薄膜抵
抗体９ａ〜９ｅに比べ非常に小さいものである。

１０は櫛状薄膜導体であり、各第１薄膜抵抗体
８ａ〜８ｅを研摩面Ｐ側で短絡する短絡導体部１
１と、短絡導体部１１の両側に一体に設けられそ
れぞれ研摩進行方向に長く形成された抵抗値取り
出し用の電極１２Ａ，１２Ｂと、短絡導体部１１
に一体に形成され各第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅの
右側よりそれぞれ研摩進行方向に延出されるとと
もに隣合う各第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅ間を短絡
する櫛先導体部１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３
ｄ，１３ｅとにより構成され、各櫛先導体部１３
ａ〜１３ｅのそれぞれの先端部と電極１２Ｂ間に
はそれぞれ前記第２薄膜抵抗体９ａ〜９ｅが接続
され、これにより、各対の第１薄膜抵抗体８ａ〜
８ｅと第２薄膜抵抗体９ａ〜９ｅとがそれぞれ直
列接続されるとともに、各第２薄膜抵抗体９ａ〜
９ｅが並列接続されている。なお、１４は短絡導
体部１１と電極１２Ｂとの連結部における研摩断
線位置を示し、該位置１４が、研摩面Ｐに対し最
も近距離の第１薄膜抵抗体８ａの断線位置より研
摩面Ｐ側に各第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅの配置ピ
ツチ分だけずれた位置に形成されている。

そして、研摩を開始すると、薄膜導体１０の短
絡部１１における初期の研摩においては、両電極
１２Ａ，１２Ｂ間が短絡部１１で短絡されるた
め、第８図に示すように、抵抗値は零となり、研
摩が第１薄膜抵抗体８ａに至ると、両電極１２
Ａ，１２Ｂ間が当該抵抗体８ａを介して接続され
ることになるが、この抵抗値は非常に小さいた
め、抵抗値変化はほとんどない。

つぎに、研摩が研摩断線位置１４に至りこれを
断線すると、両電極間１２Ａ，１２Ｂには第１薄
膜抵抗体８ａ，８ｂおよび櫛先導体部１３ａを介
して第２薄膜抵抗体９ａが接続されることにな
り、第８図にｘで示すように、抵抗値が上昇す
る。そして、研摩の進行により第１薄膜抵抗体８
ａ，８ｂが徐々に削除されるため、抵抗値がわず
かながら上昇し、さらに、第１薄膜抵抗体８ａが
断線すると、これと対をなす第２薄膜抵抗体９ａ
が抵抗回路から切り離されるため、今度は、第１
薄膜抵抗体８ｂ，８ｃおよび櫛先導体部１３ｂを
介して第２薄膜抵抗体９ｂが両電極１２Ａ，１２
Ｂ間に接続され、第８図にａで示すように抵抗値
が上昇する。

以下同様に、第１薄膜抵抗体８ｂ，８ｃ，８
ｄ，８ｅが断線する毎にそれぞれ第８図にｂ，
ｃ，ｄ，ｅに示すように抵抗値が得られ、不連続
で比較的大きな抵抗値変化が得られる。

したがつて、前記実施例によると、基板上の薄
膜磁気ヘツドとの相対位置が予め決定されている
各第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅの断線により、これ
とそれぞれ対をなす各第２薄膜抵抗体９ａ〜９ｅ
を回路から順次切り離すことができるため、研摩
量に対し不連続で比較的大きな抵抗値変化を得る
ことができ、研摩量と抵抗値との対応づけが極め
て容易となり、しかも、各第１薄膜抵抗体８ａ〜
８ｅは研摩進行方向に対して斜めの方向に並べて
配置されるため、研摩進行方向に対する第１薄膜
抵抗体８ａ〜８ｅの配置ピツチを任意に設定する
ことができ、高精度の研摩量検出が実現できるも
のである。

また、各第２薄膜抵抗体９ａ〜９ｅは薄膜磁気
ヘツド本体に対する配置、形状に差程制約を受け
ることはなく、自由度が大きいため、抵抗回路の
不連続な抵抗値変化を任意に設定できる利点を有
し、さらに、第１、第２薄膜抵抗体８ａ〜８ｅ，
９ａ〜９ｅを接続する薄膜導体１０には櫛状導体
部１３ａ〜１３ｅが段状に配置されるため、研摩
面Ｐにおける櫛状導体部１３ａ〜１３ｅの断面を
観察することにより研摩量を検出する光学的研摩
量モニターとしても使用できるものである。

なお、前記実施例において、薄膜磁気ヘツドを
磁気抵抗効果型磁気ヘツドとした場合には、磁気
ヘツドの磁気抵抗効果素子層と同時に第１、第２
薄膜抵抗体８ａ〜８ｅ，９ａ〜９ｅを形成すると
ともに、磁気ヘツドの通電用導体層と同時に櫛状
薄膜導体１０を形成すれば、抵抗回路の抵抗値変
化の時期を規制する第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅの
配置と磁気抵抗効果素子層の配置とを１枚のエツ
チングマスクのパターン精度内で精密に対応づけ
ることができ、研摩によるストライプ幅の高精度
な制御が可能になるものである。

つぎに、他の実施例を示した第９図以下の図面
について説明する。

これらの図面において、前記と同一記号は同一
もしくは対応するものを示すものとし、前記と異
なる点は、第１薄膜抵抗体８ａ〜８ｅのそれぞれ
の研摩面Ｐとの反対側に該各抵抗体８ａ〜８ｅが
研摩により消滅する以前に断線するよう凹部を形
成するとともに、各第２薄膜抵抗体９ａ〜９ｅの
パターン形状を変えてそれぞれの抵抗値を変え、
第１０図に示すように、研摩量に対する抵抗値を
全体として直線状に変化するようにした点であ
る。

したがつて、前述と同様の効果を得ることがで
きるのみならず、第２薄膜抵抗体９ａ〜９ｅのパ
ターン形状により抵抗回路の抵抗値変化を任意に
設定できることが明らかとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図はそれぞれ従来の薄膜磁気
ヘツドの研摩装置を示し、第１図および第２図は
それぞれ光学的研摩量モニターを使用した場合の
平面図、第３図ないし第６図はそれぞれ電気的研
摩量モニターを使用した場合を示し、それぞれの
ａは平面図、それぞれのｂは研摩量と抵抗値との
関係図、第７図以下の図面はこの発明の薄膜磁気
ヘツドの研摩装置の実施例を示し、第７図および
第８図は１実施例の要部の平面図および研摩量と
抵抗値との関係図、第９図および第１０図は他の
実施例の要部の平面図および研摩量と抵抗値との
関係図である。 ８ａ〜８ｅ……第１薄膜抵抗体、９ａ〜９ｅ…
…第２薄膜抵抗体、１０……櫛状薄膜導体、１２
Ａ，１２Ｂ……電極、１３ａ〜１３ｅ……櫛先導
体部、Ｐ……研摩面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 薄膜磁気ヘツド本体が形成された基板上に、
   該基板の研摩面からの距離が順次大なる位置に配
   置され前記基板の研摩により削除されて抵抗値が
   変化し遂には断線する複数個の第１薄膜抵抗体
   と、前記各第１薄膜抵抗体とそれぞれ対をなし該
   各対の第１薄膜抵抗体の研摩による削除と同時に
   は抵抗値が変化することのない複数個の第２薄膜
   抵抗体と、前記各第１薄膜抵抗体を短絡し両側に
   研摩進行方向に長い電極と前記各第１薄膜抵抗体
   間を通る櫛先とを有し前記各対における第１、第
   ２薄膜抵抗体を直列接続するとともに前記各２薄
   膜抵抗体を並列接続する櫛状薄膜導体とを形成し
   たことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの研摩装置。