JPH0441186Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0441186Y2 JPH0441186Y2 JP1986047370U JP4737086U JPH0441186Y2 JP H0441186 Y2 JPH0441186 Y2 JP H0441186Y2 JP 1986047370 U JP1986047370 U JP 1986047370U JP 4737086 U JP4737086 U JP 4737086U JP H0441186 Y2 JPH0441186 Y2 JP H0441186Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- upper edge
- quartz glass
- single crystal
- pulling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、チヨクラルスキー法による半導体単
結晶引上に使用される石英ガラスルツボに関する
ものである。
結晶引上に使用される石英ガラスルツボに関する
ものである。
（従来の技術とこの問題点）
チヨクラルスキー法における単結晶引上では、
従来、主に深さ200〜400mm位の石英ガラスルツボ
中に原料となるシリコンを入れ、これを外部ヒー
ターにより加熱融解し、単結晶を引き上げ成長さ
せている。この方法に使用される石英ガラスルツ
ボは、一般につぎの方法によりつくられる。すな
わち、回転する中空体に水晶粉を供給して所定の
形状に成形した後、内部より加熱融解して製造さ
れるが、内部に気泡を多数含有するうえ、ルツボ
の外側部に未溶融の結晶層が残存し、その結果半
透明な外観を呈する。この未溶融の結晶層は、半
導体単結晶引き上げ時に、外部ヒーターからの熱
線を散乱するので、シリコン融液に接しないルツ
ボ壁上縁部付近の内面温度は、かかる散乱層のな
い透明石英ガラスルツボに比べて低くなりがちで
あつた。
従来、主に深さ200〜400mm位の石英ガラスルツボ
中に原料となるシリコンを入れ、これを外部ヒー
ターにより加熱融解し、単結晶を引き上げ成長さ
せている。この方法に使用される石英ガラスルツ
ボは、一般につぎの方法によりつくられる。すな
わち、回転する中空体に水晶粉を供給して所定の
形状に成形した後、内部より加熱融解して製造さ
れるが、内部に気泡を多数含有するうえ、ルツボ
の外側部に未溶融の結晶層が残存し、その結果半
透明な外観を呈する。この未溶融の結晶層は、半
導体単結晶引き上げ時に、外部ヒーターからの熱
線を散乱するので、シリコン融液に接しないルツ
ボ壁上縁部付近の内面温度は、かかる散乱層のな
い透明石英ガラスルツボに比べて低くなりがちで
あつた。
このため、原料融液であるシリコンとルツボの
主成分であるSiO2が反応して生成する一酸化珪
素の蒸気が、ルツボ壁上縁部内面に凝結、析出、
成長し、原料融液内に落下して結晶成長端に付着
し、単結晶化が阻害されるという欠点があつた。
主成分であるSiO2が反応して生成する一酸化珪
素の蒸気が、ルツボ壁上縁部内面に凝結、析出、
成長し、原料融液内に落下して結晶成長端に付着
し、単結晶化が阻害されるという欠点があつた。
（問題点を解決するための手段と作用）
本考案者らは、この問題点を解決するために
種々検討を重ねた結果、本考案に到達したもの
で、これは半透明石英ガラスルツボにおいて、ル
ツボ上縁部付近の外側面をフアイアポリツシユま
たは研削することにより、該上縁部の透明性を向
上せてなることを特徴とする半導体単結晶引上用
石英ガラスルツボである。
種々検討を重ねた結果、本考案に到達したもの
で、これは半透明石英ガラスルツボにおいて、ル
ツボ上縁部付近の外側面をフアイアポリツシユま
たは研削することにより、該上縁部の透明性を向
上せてなることを特徴とする半導体単結晶引上用
石英ガラスルツボである。
かかるルツボでは、外側上縁部の前記未溶融結
晶層がフアイアポリツシユまたは研削によりなく
なるため、上縁部の熱透過性が高まり、これによ
つてルツボ上縁部付近の内面温度が上昇して、問
題となつていた一酸化珪素蒸気が上縁部に凝結、
析出、成長することなく系外へ排出され、良好な
単結晶を引き上げることができる。
晶層がフアイアポリツシユまたは研削によりなく
なるため、上縁部の熱透過性が高まり、これによ
つてルツボ上縁部付近の内面温度が上昇して、問
題となつていた一酸化珪素蒸気が上縁部に凝結、
析出、成長することなく系外へ排出され、良好な
単結晶を引き上げることができる。
以下に本考案の実施例を示す。
（実施例）
第１図に示すように、ルツボ１の上縁より下に
約50mmまでの部分２をフアイアポリツシユし、反
対側が透けて見える程度まで透明性を高め、これ
をチヨクラルスキー法による引上装置（図示せ
ず）にセツトし、原料を入れ加熱融解した後、ル
ツボ壁上縁内面の温度を測定したところ、1420℃
であつた。これに対し従来のルツボでは1350℃
で、明らかに差異が認められた。前記本考案のル
ツボを引上装置に使用すると、ルツボ上縁部への
一酸化珪素の析出物はほとんどなく、良好な単結
晶を引き上げることができた。
約50mmまでの部分２をフアイアポリツシユし、反
対側が透けて見える程度まで透明性を高め、これ
をチヨクラルスキー法による引上装置（図示せ
ず）にセツトし、原料を入れ加熱融解した後、ル
ツボ壁上縁内面の温度を測定したところ、1420℃
であつた。これに対し従来のルツボでは1350℃
で、明らかに差異が認められた。前記本考案のル
ツボを引上装置に使用すると、ルツボ上縁部への
一酸化珪素の析出物はほとんどなく、良好な単結
晶を引き上げることができた。
透明化する上縁部の幅は10〜50mmあれば充分有
効である。
効である。
またルツボの直径に大小があつても、融液面と
ルツボ上縁との距離は変らないので、前記上縁部
の幅もルツボの直径には左右されない。
ルツボ上縁との距離は変らないので、前記上縁部
の幅もルツボの直径には左右されない。
（考案の効果）
本考案のルツボでは上縁部の熱透過性が高ま
り、上縁部分内面の温度が上昇して、問題となつ
ていた一酸化珪素の蒸気は凝結、析出、成長する
ことなく系外へ排出され、単結晶化は阻害され
ず、非常に良好な単結晶を成長させることができ
た。しかも本考案のルツボはきわめて簡単な工程
でつくることができるもので、産業上優れた考案
である。
り、上縁部分内面の温度が上昇して、問題となつ
ていた一酸化珪素の蒸気は凝結、析出、成長する
ことなく系外へ排出され、単結晶化は阻害され
ず、非常に良好な単結晶を成長させることができ
た。しかも本考案のルツボはきわめて簡単な工程
でつくることができるもので、産業上優れた考案
である。
第１図は本考案の一例である石英ガラスルツボ
の側面図を示す。 １……ルツボ、２……ルツボ上縁より下に約50
mm程度までの部分。
の側面図を示す。 １……ルツボ、２……ルツボ上縁より下に約50
mm程度までの部分。
Claims (1)
- 半透明石英ガラスルツボにおいて、ルツボ上縁
部付近の外側面をフアイアポリツシユまたは研削
することにより、該上縁部の透明性を向上せてな
ることを特徴とする半導体単結晶引上用石英ガラ
スルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986047370U JPH0441186Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986047370U JPH0441186Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62162267U JPS62162267U (ja) | 1987-10-15 |
| JPH0441186Y2 true JPH0441186Y2 (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=30867913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986047370U Expired JPH0441186Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0441186Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653634B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1994-07-20 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボの再生方法 |
| JPH0816039B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1996-02-21 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2259353C3 (de) * | 1972-12-04 | 1975-07-10 | Heraeus-Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Tiegel aus Quarzglas oder Quarzgut zur Verwendung beim Züchten von Einkristallen |
| JPS55140800A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Crucible for crystal growing crucible device |
| JPS5678118A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Quartz glass plate for manufacture of semiconductor |
| JPS5934659A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-25 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP1986047370U patent/JPH0441186Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62162267U (ja) | 1987-10-15 |
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