JPH0441604Y2 - - Google Patents
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- JPH0441604Y2 JPH0441604Y2 JP16663084U JP16663084U JPH0441604Y2 JP H0441604 Y2 JPH0441604 Y2 JP H0441604Y2 JP 16663084 U JP16663084 U JP 16663084U JP 16663084 U JP16663084 U JP 16663084U JP H0441604 Y2 JPH0441604 Y2 JP H0441604Y2
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、磁気記録再生装置(VTR)又はビ
デオデイスク等に使用するRFコンバータに最適
な電圧制御発振回路に関する。
(ロ) 従来の技術
一般に電子機器、例えばVTR又はビデオ・デ
イスクの如くRFコンバータ(RFモジユレータ)
と呼ばれる変換器には必ず電圧制御発振回路が設
けられている。
この場合、構成素子を集積回路化(IC化)す
る技術が進み、その一例として特公昭59−10081
号公報が上げられる。
そこで前記特許公報の第3図について説明する
と、差動増幅器をQ31,Q32で構成し、そのベー
スに制御電圧VCを加え、二段接続した差動対3
5及び36に並列共振回路46直流阻止用コンデ
ンサ47と共に、抵抗48とコンデンサ49より
成る移相回路を接続し、所定の発振周波数を生成
する方法が提案されている。
ところが近年前記抵抗48及びコンデンサ49
はいずれもIC化可能となり、移相回路を構成す
る前記素子をIC内に設けたICがVTR等に採用さ
れ始めた。
これは第2図に示す通り第1及び第2のトラン
ジスタ1,2のベース側に直流電源3,4からの
直流電圧(E1及びE2)を各々印加し、第1のト
ランジスタ1のベースに制御信号源5を接続し、
発振部6にて所定の発振周波数を生成する。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
前記第2図の従来例によれば単に電圧E1,E2
から抵抗7,8によつて所定のバイアス電圧を得
て、第1のトランジスタ1及び第2のトランジス
タ2のベースに同一電圧を与えるものであるが、
発振部6を構成する抵抗及びコンデンサはいずれ
も温度特性が生じないように構成しているが、特
にIC化抵抗の温度係数による発振周波数の温度
ドリフトが避けられず、電源スイツチオン直後に
おける前記発振周波数の温度ドリフトが大きく、
VTR等のセツトの調整工程上時間と共に前記発
振周波数のドリフトが調整作業時に障害となつて
いた。
この模様は第3図に示す通り、中心周波数
4.5MHzに対し、電源スイツチオンから、特にIC
化抵抗の温度上昇に伴う移相回路の移相量の増大
による発振周波数の低下が現われこれが問題とな
る。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は、前述の構成素子の温度特性によつて
生ずる発振周波数の温度ドリフトを極減するため
先ず電圧制御発振回路を構成する第1及び第2の
トランジスタのベースに加わるベースバイアス回
路を設け、更に第2のトランジスタのいずれか一
方に温度補償回路を接続した構成である。
(ホ) 作用
本考案の構成により、前述の第2のトランジス
タのベース側に設けたベースバイアス回路を、バ
イアス用トランジスタと分圧回路にて形成し、電
圧設定を最適に得ると共に、前記温度補償回路に
より、発振周波数の温度ドリフトを抑制し得る。
(ヘ) 実施例
図面に従つて本考案を説明すると、第1図は本
考案の電圧制御発振回路を示し、9,10は各々
第1及び第2のトランジスタ、11はエミツタ抵
抗、12,13,14,15は定電流源、16,
17はバイアス用トランジスタ、18は抵抗1
9,20より成る分圧回路、21はダイオード2
2,23及び抵抗24より成る温度補償回路、2
5は増幅段26,27、移相手段28,29、ベ
クトル合成段30、共振回路31を含む発振部で
ある。
次の動作を説明すると、発振部25において、
共振回路31で生じた共振成分を移相段28及び
29により各々+φ、−φなる移相を施し、その
出力信号は増幅段26,27にて増幅され、ベク
トル合成段30によりベクトル合成した成分が共
振回路31に加わり、制御信号源5からの制御信
号VCにより発振部25における発振周波数が制
御される。
ここで第1及び第2のトランジスタ9,10の
各エミツタに流れる電流が等しければ、増幅段2
6,27の増幅率も等しい場合、ベクトル合成段
30で合成された信号の位相はゼロとなる。
前記第1のトランジスタ9のベースの直流電位
について見るとバイアス用トランジスタ16を介
してE1−VBEにほぼ等しい電圧が現われ一方第2
のトランジスタ10のベースの直流電圧について
見ると、バイアス用トランジスタ17を介して
E2−VBEにほぼ等しい電圧が現われる。
上式でVBEは各トランジスタのベース・エミツ
タ間電圧であり、E1<E2となるが、温度補償回
路21に対して電流が流れるので、第2のトラン
ジスタ10のベース抵抗32による電圧降下IBRB
が生じ第2のトランジスタ10のベース電位は
E2−VBE−IBRBとなる。(IBはベース抵抗32に流
れる電流、RBは抵抗32の抵抗値を示す。)
第4図a,b,cのベクトル図を用いて、温度
補償動作について説明する。温度による影響をう
けない場合を第4図aに示す。ベクトル30は、第
1図のベクトル合成段30の出力を、ベクトル28
は、同移相手段28の出力を、ベクトル29は、同
移相手段29の出力を、ベクトル26は、同増幅手
段26の出力を、ベクトル27は、同増幅手段27
の出力を示している。第4図aの状態で温度が上
昇し、移相手段28,29の移相量が遅れたとす
る。この時の移相手段28,29の移相遅れ量
Δθは、互いに等しくその変化はθ1=θ−Δθ、θ2
=−θ+Δθとなる。そのため、ベクトル26及び
27が移相し、その合成ベクトルは第4図bに示す
ように元の位相に対し遅れる。この時、第1図の
温度補償回路21は温度上昇につれてダイオード
22,23の両端電圧VDが低下し、前記電流IBが
増加する。すると、上式より第2のトランジスタ
10のベース電圧が低下し、そのコレクタ電流が
減少する。一方、第1のトランジスタ9のコレク
タ電流は、その減少分だけ増加する。そのため、
増幅手段26の利得は大となり、増幅手段27の
利得は小となる。すると、第4図bのベクトル26
が大、ベクトル27が小となり、変化後の合成ベク
トルは第4図cの如く元の位相に戻る。
従つて、第1図の回路によれば、温度補償を行
うことが可能である。
前記第1及び第2のトランジスタ9,10のベ
ース電位を等しく設定しておくと、前記電源スイ
ツチのオンに伴つてセツト内の温度上昇により、
発振周波数がドリフトするのを、前記温度補償回
路21により、ダイオード22,23の順方向電
圧Vfが負の温度係数を有していることから、相
殺するように働く。
(ト) 考案の効果
本考案によれば、直流電源から分圧回路を介し
てバイアス用トランジスタにて、所定の電圧を、
電圧制御発振回路を構成しかつ基準電圧が加えら
れる第2のトランジスタに加え、前記第2のトラ
ンジスタに温度補償回路を接続してあるので、従
来の様に電源スイツチオン直後の発振周波数のド
リフトは、極減でき、特にセツトの組立時調整工
程での支障は削除できる。 [Detailed Description of the Invention] (a) Industrial Application Field The present invention relates to a voltage controlled oscillation circuit that is most suitable for an RF converter used in a magnetic recording/reproducing device (VTR) or a video disk. (b) Prior art RF converters (RF modulators) generally used in electronic equipment, such as VTRs or video disks.
A converter called a oscillator is always equipped with a voltage controlled oscillation circuit. In this case, the technology to integrate the constituent elements into integrated circuits (IC) has progressed, and one example is the
The issue is published. Therefore, to explain Fig. 3 of the above-mentioned patent publication, a differential amplifier is composed of Q 31 and Q 32 , a control voltage V C is applied to the base of the differential amplifier, and a differential pair 3 is connected in two stages.
A method has been proposed in which a phase shift circuit consisting of a resistor 48 and a capacitor 49 is connected to the parallel resonant circuit 46 and the DC blocking capacitor 47 to generate a predetermined oscillation frequency. However, in recent years, the resistor 48 and capacitor 49
Both of these can now be integrated into ICs, and ICs in which the above-mentioned elements constituting the phase shift circuit are installed have begun to be used in VTRs and the like. This is done by applying DC voltages (E 1 and E 2 ) from DC power supplies 3 and 4 to the base sides of the first and second transistors 1 and 2, respectively, as shown in Connect the control signal source 5 to
The oscillation unit 6 generates a predetermined oscillation frequency. (c) Problems to be solved by the invention According to the conventional example shown in FIG. 2, the voltages E 1 and E 2 are simply
A predetermined bias voltage is obtained from the resistors 7 and 8, and the same voltage is applied to the bases of the first transistor 1 and the second transistor 2.
Although the resistor and capacitor constituting the oscillation unit 6 are constructed so as not to exhibit temperature characteristics, temperature drift in the oscillation frequency due to the temperature coefficient of the IC resistor cannot be avoided, and the oscillation frequency immediately after the power switch is turned on is unavoidable. The temperature drift of
The drift of the oscillation frequency over time has been an obstacle during the adjustment process of a VTR set. This pattern is shown in Figure 3, with the center frequency
For 4.5MHz, from the power switch, especially the IC
This poses a problem as the oscillation frequency decreases due to an increase in the amount of phase shift of the phase shift circuit as the temperature of the resistor increases. (d) Means for solving the problem The present invention first improves the first and second components of the voltage controlled oscillation circuit in order to minimize the temperature drift of the oscillation frequency caused by the temperature characteristics of the above-mentioned components. This configuration includes a base bias circuit applied to the base of the transistor, and a temperature compensation circuit connected to either one of the second transistors. (E) Effect With the configuration of the present invention, the base bias circuit provided on the base side of the second transistor described above is formed by a bias transistor and a voltage dividing circuit, and the voltage setting is optimally obtained and the temperature compensation The circuit can suppress temperature drift in the oscillation frequency. (F) Embodiment To explain the present invention according to the drawings, FIG. 1 shows a voltage controlled oscillation circuit of the present invention, 9 and 10 are first and second transistors, respectively, 11 is an emitter resistor, and 12 and 13 are , 14, 15 are constant current sources, 16,
17 is a bias transistor, 18 is a resistor 1
Voltage divider circuit consisting of 9 and 20, 21 is diode 2
a temperature compensation circuit consisting of 2, 23 and a resistor 24;
Reference numeral 5 denotes an oscillation section including amplification stages 26 and 27, phase shift means 28 and 29, a vector synthesis stage 30, and a resonant circuit 31. To explain the next operation, in the oscillation section 25,
The resonance component generated in the resonant circuit 31 is phase-shifted by +φ and -φ by the phase shift stages 28 and 29, respectively, and the output signal is amplified by the amplifier stages 26 and 27, and then vector-combined by the vector combination stage 30. is added to the resonant circuit 31, and the oscillation frequency in the oscillation section 25 is controlled by the control signal V C from the control signal source 5. If the currents flowing through the emitters of the first and second transistors 9 and 10 are equal, then the amplifier stage 2
When the amplification factors of 6 and 27 are also equal, the phase of the signal synthesized by the vector synthesis stage 30 becomes zero. Looking at the DC potential at the base of the first transistor 9, a voltage approximately equal to E 1 -V BE appears through the bias transistor 16, while the second
Looking at the DC voltage at the base of the transistor 10, the voltage is applied via the bias transistor 17.
A voltage approximately equal to E 2 −V BE appears. In the above equation, V BE is the voltage between the base and emitter of each transistor, and E 1 <E 2. However, since current flows to the temperature compensation circuit 21, the voltage drop due to the base resistor 32 of the second transistor 10 I B R B
occurs, and the base potential of the second transistor 10 becomes
E 2 −V BE −I B R B. (I B indicates the current flowing through the base resistor 32, and R B indicates the resistance value of the resistor 32.) The temperature compensation operation will be explained using the vector diagrams shown in FIGS. 4a, b, and c. A case not affected by temperature is shown in Figure 4a. The vector 30 is the output of the vector synthesis stage 30 in FIG.
is the output of the phase shift means 28, vector 29 is the output of the phase shift means 29, vector 26 is the output of the amplification means 26, and vector 27 is the output of the amplification means 27.
shows the output of Assume that the temperature rises in the state shown in FIG. 4a and the amount of phase shift of the phase shift means 28 and 29 is delayed. At this time, the phase shift delay amounts Δθ of the phase shift means 28 and 29 are equal to each other, and the change thereof is θ 1 =θ−Δθ, θ 2
=-θ+Δθ. Therefore, vector 26 and
27 is phase-shifted, and the resultant vector lags behind the original phase as shown in FIG. 4b. At this time, in the temperature compensation circuit 21 of FIG. 1, as the temperature rises, the voltage V D across the diodes 22 and 23 decreases, and the current I B increases. Then, according to the above equation, the base voltage of the second transistor 10 decreases, and its collector current decreases. On the other hand, the collector current of the first transistor 9 increases by the amount of the decrease. Therefore,
The gain of the amplifying means 26 becomes large, and the gain of the amplifying means 27 becomes small. Then, the vector 26 in Figure 4b
is large, vector 27 is small, and the composite vector after the change returns to its original phase as shown in FIG. 4c. Therefore, according to the circuit of FIG. 1, it is possible to perform temperature compensation. If the base potentials of the first and second transistors 9 and 10 are set equal, the temperature inside the set increases as the power switch is turned on.
The temperature compensation circuit 21 works to offset the drift of the oscillation frequency because the forward voltage V f of the diodes 22 and 23 has a negative temperature coefficient. (g) Effects of the invention According to the invention, a predetermined voltage can be applied from a DC power supply through a voltage divider circuit to a bias transistor.
In addition to the second transistor that constitutes the voltage controlled oscillator circuit and to which the reference voltage is applied, a temperature compensation circuit is connected to the second transistor. This can be minimized, and in particular, problems in the adjustment process during assembly can be eliminated.
第1図は本考案の電圧制御発振回路を示す回路
図、第2図は従来の電圧制御発振回路を示す回路
図、第3図は中心周波数の温度ドリフトを示す特
性図、第4図a,b,cは第1図の説明に供する
ためのベクトル図である。
主な図番の説明、5……制御信号源、9……第
1のトランジスタ、10……第2のトランジス
タ、16,17……バイアス用トランジスタ、2
1……温度補償回路、22,23……ダイオー
ド、25……発振部。
Fig. 1 is a circuit diagram showing the voltage controlled oscillation circuit of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram showing a conventional voltage controlled oscillation circuit, Fig. 3 is a characteristic diagram showing the temperature drift of the center frequency, Fig. 4 a, b and c are vector diagrams for explaining FIG. 1; Explanation of main figure numbers, 5... Control signal source, 9... First transistor, 10... Second transistor, 16, 17... Bias transistor, 2
1... Temperature compensation circuit, 22, 23... Diode, 25... Oscillation section.
Claims (1)
する第1移相回路と、前記共振回路の出力信号を
−θ度移相する第2移相回路と、前記第1移相回
路の出力信号を増幅する第1増幅器と、前記第2
移相回路の出力信号を増幅する第2増幅器と、前
記第1及び第2増幅器の出力信号をベクトル合成
し、合成した信号を前記共振回路に印加するベク
トル合成回路とを備える電圧制御発振回路におい
て、エミツタが共通接続された第1及び第2トラ
ンジスタからなり、前記第1トランジスタのコレ
クタが前記第1増幅器に、前記第2トランジスタ
のコレクタが前記第2増幅器に接続された差動増
幅器と、前記第1トランジスタのベースに印加す
る第1直流電圧と前記第2トランジスタのベース
に印加する前記第1直流電圧より大なる第2直流
電圧とを発生する分圧回路と、発振周波数調整用
の制御信号を前記第1トランジスタのベースに印
加する制御信号源と、ダイオード及び抵抗の直列
回路から成り前記第2直流電圧を分圧して作成し
た温度補償電圧を前記第2トランジスタのベース
に印加する温度補償回路とを設け、発振周波数を
安定化するようにしたことを特徴とする電圧制御
発振回路。 a resonant circuit, a first phase shift circuit that shifts the phase of the output signal of the resonant circuit by θ degrees, a second phase shift circuit that shifts the phase of the output signal of the resonant circuit by -θ degrees, and the first phase shift circuit of the first phase shift circuit. a first amplifier that amplifies the output signal; and a first amplifier that amplifies the output signal;
A voltage controlled oscillator circuit comprising: a second amplifier that amplifies the output signal of the phase shift circuit; and a vector synthesis circuit that performs vector synthesis of the output signals of the first and second amplifiers and applies the synthesized signal to the resonant circuit. , a differential amplifier comprising first and second transistors whose emitters are commonly connected, the collector of the first transistor being connected to the first amplifier, and the collector of the second transistor being connected to the second amplifier; a voltage divider circuit that generates a first DC voltage applied to the base of the first transistor and a second DC voltage greater than the first DC voltage applied to the base of the second transistor; and a control signal for adjusting the oscillation frequency. a control signal source that applies the voltage to the base of the first transistor, and a temperature compensation circuit that includes a series circuit of a diode and a resistor and applies a temperature compensation voltage created by dividing the second DC voltage to the base of the second transistor. A voltage controlled oscillation circuit characterized in that the oscillation frequency is stabilized.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16663084U JPH0441604Y2 (en) | 1984-11-02 | 1984-11-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16663084U JPH0441604Y2 (en) | 1984-11-02 | 1984-11-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183316U JPS6183316U (en) | 1986-06-02 |
| JPH0441604Y2 true JPH0441604Y2 (en) | 1992-09-30 |
Family
ID=30724438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16663084U Expired JPH0441604Y2 (en) | 1984-11-02 | 1984-11-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0441604Y2 (en) |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP16663084U patent/JPH0441604Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6183316U (en) | 1986-06-02 |
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