JPH04416B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH04416B2 JPH04416B2 JP59237838A JP23783884A JPH04416B2 JP H04416 B2 JPH04416 B2 JP H04416B2 JP 59237838 A JP59237838 A JP 59237838A JP 23783884 A JP23783884 A JP 23783884A JP H04416 B2 JPH04416 B2 JP H04416B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- current
- base
- whose
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
- H03K17/952—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
- H03K17/9537—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit
- H03K17/9542—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator
- H03K17/9547—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator with variable amplitude
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、高周波発振・損失検出形近接スイ
ツチの発振回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application This invention relates to an oscillation circuit for a high frequency oscillation/loss detection type proximity switch.
(ロ) 従来技術
高周波発振・損失検出形近接スイツチの発振回
路は検出コイルに金属体等が接近することによつ
て検出コイルの高周波損失が増加することを利用
しており、検出コイルを含んで発振回路を構成し
ておき近接体の接近によつてこの発振回路の振幅
が減衰したりあるいは発振停止したりすることに
よつて検出動作を行なうものである。この高周波
発振・損失検出形近接スイツチの発振回路では
イ 広い周波数範囲で発振可能であること、
ロ 検出コイルの損失変化に対する発振振幅の変
化が急峻であること、
ハ 検出コイルはできる限り単純な構成でかつ発
振回路への接続も簡単であること、
ニ 発振周波数の決定も簡単に可変できること、
ホ 発振振幅が減衰し始めあるいは発振停止する
検出コイルの損失の値も簡単に可変できるこ
と、
ヘ 発振振幅(検出コイルの両端)はできる限り
大きいこと、
の各点が要望されている。(b) Prior art The oscillation circuit of a high-frequency oscillation/loss detection type proximity switch utilizes the fact that the high-frequency loss of the detection coil increases when a metal object approaches the detection coil. An oscillation circuit is constructed and the detection operation is performed by attenuating the amplitude of the oscillation circuit or stopping the oscillation due to the approach of a nearby object. The oscillation circuit of this high-frequency oscillation/loss detection type proximity switch must be able to (a) oscillate over a wide frequency range, (b) have a steep change in oscillation amplitude in response to a change in loss in the detection coil, and (c) have the detection coil have the simplest possible configuration. (d) The oscillation frequency can be easily determined; (e) The loss value of the detection coil at which the oscillation amplitude begins to attenuate or oscillation stops can also be easily varied; (f) The oscillation amplitude (Both ends of the detection coil) are required to be as large as possible.
これらの各点をある程度満足しかつより簡単な
回路構成という観点から、IC化に適した回路構
成として、従来より第1図の回路が提案されてい
る。この回路について説明すると、トランジスタ
Tr1はエミツタホロワ接続されており、その出力
電流IcがトランジスタTr2,Tr3でなる電流ミラ
ー回路を経て帰還電流IFとして帰還されている。
この帰還電流IFは検出コイルLとコンデンサCと
でなる共振回路に供給される。検出コイルLは2
端子であり一端は電源の0V側に接続されている。
この並列共振回路(タンク回路)にVTなる電圧
が発生したとすると、トランジスタTr1で構成さ
れるエミツタホロワ回路によつてトランジスタ
Tr1のコレクタには、ほぼVT/Re(Reはトランジ
スタTr1のエミツタに接続された抵抗Reの値)の
電流Icが流れる。この電流Icとほぼ等しい電流IF
が電流ミラー回路の働きによりトランジスタTr3
のコレクタに流れ、並列共振回路に供給される。
電流ミラー回路を経て並列共振回路に帰還される
電流IFは抵抗Reの値によつて調整できるので帰
還電流の大きさは抵抗Reにより可変できる。す
なわち発振の強さは抵抗Reによりよつて可変で
きる。また発振周波数はエミツタホロワ回路およ
び電流ミラー回路での位相遅れを無視すれば並列
共振回路の共振周波数で決定され検出コイルLの
インダクタンスとコンデンサCの容量により決定
される。 From the viewpoint of satisfying each of these points to some extent and having a simpler circuit configuration, the circuit shown in FIG. 1 has been proposed as a circuit configuration suitable for IC implementation. To explain this circuit, the transistor
Tr 1 is connected as an emitter follower, and its output current Ic is fed back as a feedback current IF through a current mirror circuit made up of transistors Tr 2 and Tr 3 .
This feedback current I F is supplied to a resonant circuit consisting of a detection coil L and a capacitor C. Detection coil L is 2
It is a terminal, and one end is connected to the 0V side of the power supply.
If a voltage V T is generated in this parallel resonant circuit (tank circuit), the emitter follower circuit consisting of transistor Tr1
A current Ic of approximately V T /Re (Re is the value of the resistor Re connected to the emitter of the transistor Tr 1 ) flows through the collector of Tr 1 . A current I F that is approximately equal to this current Ic
is the transistor Tr 3 due to the action of the current mirror circuit.
The current flows into the collector of , and is supplied to the parallel resonant circuit.
The current I F fed back to the parallel resonant circuit via the current mirror circuit can be adjusted by the value of the resistor Re, so the magnitude of the feedback current can be varied by the resistor Re. That is, the strength of oscillation can be varied by changing the resistance Re. Further, the oscillation frequency is determined by the resonant frequency of the parallel resonant circuit, and is determined by the inductance of the detection coil L and the capacitance of the capacitor C, if phase delays in the emitter follower circuit and the current mirror circuit are ignored.
この第1図の回路は極めて単純な回路であるな
ど近接スイツチの発振回路として特にIC化する
のに適している。しかしながら次に述べるような
欠点がある。トランジスタTr1のベース直線バイ
アスが低く、そのためベース入力電圧VTとコレ
クタ電流Icとの関係が直線的でなくVTが正弦波
であつてもIcは歪み波形となり、帰還電流IFもそ
の結果、当然に歪み波形となつてしまう。このよ
うに帰還電流IFが歪み波形となつた場合には並列
共振回路を励起できる成分は基本波成分だけであ
るから発振回路の能力としてはVTに対するIFの基
本波成分IF1の大きさで評価しなければならない。
すなわち並列共振回路の両端より見た能動回路の
負性コンダクタンスGOSCは
GOSC=IF1/VT=Ic1/VT
(ただしIc1はトランジスタTr1のコレクタ電流Ic
の基本波成分)として表わされる。この負性コン
ダクタンスGOSCの値が振幅VTの大きさに対して
一定の値を保てば発振振幅の変化は検出コイルL
の損失変化に対して急峻なものとなる。トランジ
スタTr1のベース直流バイアスが不適当な場合に
は振幅VTに応じて歪み成分が増え、基本波成分
が減少するのでGOSCが振幅VTの大きさに依存し
てしまい急峻な発振振幅の変化が得られない。 The circuit shown in FIG. 1 is an extremely simple circuit and is particularly suitable for IC implementation as an oscillation circuit for a proximity switch. However, there are drawbacks as described below. The base linear bias of transistor Tr 1 is low, so the relationship between base input voltage V T and collector current Ic is not linear.Even if V T is a sine wave, Ic has a distorted waveform, and as a result, the feedback current I F also becomes , which naturally results in a distorted waveform. When the feedback current I F has a distorted waveform in this way, the only component that can excite the parallel resonant circuit is the fundamental wave component, so the ability of the oscillation circuit is determined by the magnitude of the fundamental wave component I F1 of I F with respect to V T. must be evaluated accordingly.
In other words, the negative conductance G OSC of the active circuit viewed from both ends of the parallel resonant circuit is G OSC = I F1 /V T = Ic 1 /V T (However, Ic 1 is the collector current Ic of transistor Tr 1 .
fundamental wave component). If the value of this negative conductance G OSC remains constant with respect to the magnitude of the amplitude V T , the change in the oscillation amplitude will be
It becomes steep as the loss changes. If the base DC bias of transistor Tr 1 is inappropriate, the distortion component will increase according to the amplitude V T and the fundamental wave component will decrease, so G OSC will depend on the magnitude of the amplitude V T and a steep oscillation amplitude will occur. No change can be obtained.
第2図は振幅VTに直流にバイアス電圧Ebを加
えた場合、振幅VTに対するGOSCの特性がどのよ
うに変化するかを調べた結果を示すデータであ
る。バイアス電圧Ebが0の場合にはGOSCは著し
く非直線的であり、またトランジスタTr1のベー
ス・エミツタ間電圧VBEを補償する程度にバイア
ス電圧Ebを加えた場合でもまだ不十分であり、
非直線特性が現われることが示されている。この
第2図からGOSCの振幅VTに対する依存性をなく
し直線特性とするためにはすくなくとも発振振幅
VTの全振幅に等しいバイアス電圧Ebが必要であ
ることがわかる。 FIG. 2 shows data showing the results of investigating how the characteristics of G OSC change with respect to the amplitude V T when a direct current bias voltage Eb is applied to the amplitude V T . When the bias voltage Eb is 0, G OSC is extremely nonlinear, and even if the bias voltage Eb is applied to compensate for the base-emitter voltage V BE of the transistor Tr 1 , it is still insufficient.
It has been shown that nonlinear characteristics appear. From this figure 2, it is clear that in order to eliminate the dependence of G OSC on the amplitude V T and obtain a linear characteristic, at least the oscillation amplitude is
It can be seen that a bias voltage Eb equal to the total amplitude of V T is required.
(ハ) 目的
この発明は、最適なバイアス電圧を加えること
により検出コイルの損失変化に対する発振振幅の
変化が急峻となるよう改善し、かつこのバイアス
電圧を安定化して発振振幅を安定化し、これによ
り発振振幅変化の弁別が正確にできるよう改善し
た近接スイツチの発振回路を提供することを目的
とする。(c) Purpose This invention improves the oscillation amplitude by applying an optimal bias voltage so that the change in oscillation amplitude with respect to a change in loss in a detection coil becomes steeper, and also stabilizes the oscillation amplitude by stabilizing this bias voltage. It is an object of the present invention to provide an oscillation circuit for a proximity switch that is improved so as to be able to accurately discriminate changes in oscillation amplitude.
(ニ) 構成
この発明による近接スイツチの発振回路は、
エミツタホロワ接続された第1のトランジスタ
と、
この第1のトランジスタの出力電流を帰還する
ための第1の電流ミラー回路と、
この第1の電流ミラー回路によつて帰還された
電流が供給されている検出コイルとコンデンサと
からなる並列共振回路と、
前記第1のトランジスタのベースに出力電流側
が接続された第2の電流ミラー回路と、
前記第2の電流ミラー回路の基準電流側に接続
された定電流回路と、
複数個の抵抗の直列回路と、この直列回路の途
中にベースが接続されるとともに前記直列回路の
一端にエミツタが接続された第2のトランジスタ
と、この第2のトランジスタのコレクタにベース
が接続されるとともに前記直列回路の他端にエミ
ツタが接続され、かつコレクタが電源に接続され
る第3のトランジスタとを含んで構成され、この
第3のトランジスタのベースと前記第2のトラン
ジスタのコレクタとの接続点を一端とし、前記第
2のトランジスタのエミツタと前記直列回路の一
端との接続点を他端として、これらの両端が前記
第1のトランジスタのベースと前記共振回路の第
1の電流ミラー回路接続側との間に接続されてい
る、前記第1のトランジスタのベースバイアス用
のレベルシフト回路と
により構成されることが特徴となつている。(D) Structure The oscillation circuit of the proximity switch according to the present invention includes: a first transistor connected as an emitter follower; a first current mirror circuit for feeding back the output current of the first transistor; and a first current mirror circuit for feeding back the output current of the first transistor. a parallel resonant circuit consisting of a detection coil and a capacitor to which a current fed back by a mirror circuit is supplied; a second current mirror circuit whose output current side is connected to the base of the first transistor; A constant current circuit connected to the reference current side of the current mirror circuit No. 2, a series circuit of a plurality of resistors, a base connected in the middle of this series circuit, and an emitter connected to one end of the series circuit. The transistor includes a second transistor, and a third transistor whose base is connected to the collector of the second transistor, whose emitter is connected to the other end of the series circuit, and whose collector is connected to the power supply. , one end is the connection point between the base of the third transistor and the collector of the second transistor, and the other end is the connection point between the emitter of the second transistor and one end of the series circuit, and both ends thereof are connected to each other. A level shift circuit for base bias of the first transistor is connected between the base of the first transistor and the first current mirror circuit connection side of the resonant circuit. It is becoming.
(ホ) 実施例
第3図において、トランジスタTr1がエミツタ
ホロワ接続されており、その出力電流がトランジ
スタTr2,Tr3でなる電流ミラー回路を経て検出
コイルLとコンデンサCとでなる並列共振回路に
帰還されている。そして、この並列共振回路とト
ランジスタTr1のベースとの間には、ベースバイ
アス用のレベルシフト回路が挿入されている。こ
のベースバイアス用のレベルシフト回路は、トラ
ンジスタTr1のベースにベースが接続されコレク
タが電源に接続されたトランジスタTr7と、この
トランジスタTr7のエミツタに一端が接続された
2個の抵抗R1,R2の直列回路と、前記トランジ
スタTr7のベースにコレクタが接続されベースが
前記直列回路の途中に接続されるトランジスタ
Tr6とを有する定電圧回路により構成される。こ
のレベルシフト回路には、トランジスタTr4,
Tr5よりなる電流ミラー回路を経て定電流回路の
電流IBを流している。(E) Embodiment In Fig. 3, the transistor Tr 1 is connected as an emitter follower, and its output current passes through a current mirror circuit consisting of transistors Tr 2 and Tr 3 to a parallel resonant circuit consisting of a detection coil L and a capacitor C. He has been returned. A level shift circuit for base bias is inserted between this parallel resonant circuit and the base of transistor Tr1 . This base bias level shift circuit consists of a transistor Tr 7 whose base is connected to the base of the transistor Tr 1 and whose collector is connected to the power supply, and two resistors R 1 whose one end is connected to the emitter of the transistor Tr 7 . , R2 , and a transistor whose collector is connected to the base of the transistor Tr 7 and whose base is connected to the middle of the series circuit.
It is composed of a constant voltage circuit with Tr 6 . This level shift circuit includes transistors Tr 4 ,
Current I B of the constant current circuit flows through a current mirror circuit consisting of Tr 5 .
ここで、抵抗R2の両端に生じる電圧がトラン
ジスタTr6のベース・エミツタ間電圧VBE(約
0.6V)以上になろうとするとトランジスタTr6が
導通状態になつてそのコレクタ・エミツタ間電圧
を減少させるように働き定電圧特性を示す。この
トランジスタTr6のコレクタ・エミツタ間電圧だ
けトランジスタTr1の直流的なベース電圧がレベ
ルシフトされたことになる。 Here, the voltage generated across the resistor R 2 is the base-emitter voltage V BE of the transistor Tr 6 (approximately
When the voltage exceeds 0.6V, the transistor Tr6 becomes conductive and works to reduce the voltage between its collector and emitter, exhibiting constant voltage characteristics. This means that the DC base voltage of the transistor Tr 1 is level-shifted by the collector-emitter voltage of the transistor Tr 6 .
このベースバイアス電圧は抵抗R1,R2により
容易に調整できる。抵抗R1に流れる電流をI1、抵
抗R2に流れる電流をI2とすると、トランジスタ
Tr6のコレクタ・エミツタ間電圧Voutは
Vout=I1・R1+2VBE
I2=VBE/R2
であり、ここで、I1≒I2とすることができるの
で、
Vout={2+(R1/R2)}VBE
となり、バイアス電圧を(R1/R2)で調整でき
る。このように抵抗の比で調整できるため、ダイ
オードなどの定電圧素子を用いたバイアス回路で
はその素子特有の値でバイアス電圧が固定される
ことに比較して、最適なバイアス電圧の調整がで
きる点で極めて有利である。 This base bias voltage can be easily adjusted using resistors R 1 and R 2 . If the current flowing through resistor R 1 is I 1 and the current flowing through resistor R 2 is I 2 , then the transistor
The collector-emitter voltage Vout of Tr 6 is Vout=I 1・R 1 +2V BE I 2 =V BE /R 2 , and since I 1 ≒ I 2 can be established, Vout={2+( R 1 /R 2 )}V BE , and the bias voltage can be adjusted with (R 1 /R 2 ). Since it can be adjusted by the resistance ratio in this way, the bias voltage can be adjusted optimally compared to bias circuits that use constant voltage elements such as diodes, where the bias voltage is fixed at a value specific to that element. This is extremely advantageous.
なお、第3図で、トランジスタTr4,Tr5より
なる電流ミラー回路により電流IBを供給するよう
にしたのは次のような理由による。並列共振回路
の振幅VTを大きくとるためにはトランジスタTr1
のダイナミツクレンジを広くとつておく必要があ
る。そのためにはトランジスタTr1のベースバイ
アス電圧を高くする必要がある。そして振幅VT
が大きく変化した場合には定電流回路に悪影響が
あり、電流のドリフトが生じるのでこれをなくす
ために電流ミラー回路を設けたのである。 The reason why the current I B is supplied by the current mirror circuit composed of transistors Tr 4 and Tr 5 in FIG. 3 is as follows. In order to increase the amplitude V T of the parallel resonant circuit, the transistor Tr 1
It is necessary to keep a wide range of dynamite cleanses. For this purpose, it is necessary to increase the base bias voltage of transistor Tr1 . and the amplitude V T
If there is a large change in the constant current circuit, this will have an adverse effect on the constant current circuit and cause a current drift, so a current mirror circuit was provided to eliminate this.
(ヘ) 効果
この発明によれば、第1のトランジスタのベー
スにベースが接続されコレクタが電源に接続され
た第2のトランジスタと、この第2のトランジス
タのエミツタに一端が接続された複数個の抵抗の
直列回路と、前記第2のトランジスタのベースに
コレクタが接続されベースが前記直列回路の途中
に接続される第3のトランジスタとを有する定電
圧回路によりベースバイアス用レベルシフト回路
を構成したので、バイアス電圧の調整が容易で、
最適なバイアス電圧を加えることが可能であり、
これにより検出コイルの損失変化に対する発振振
幅の変化が急峻となるように改善することができ
る。(F) Effect According to the present invention, a second transistor whose base is connected to the base of the first transistor and whose collector is connected to a power supply, and a plurality of transistors whose one end is connected to the emitter of the second transistor are connected. The base bias level shift circuit is configured by a constant voltage circuit having a series circuit of resistors and a third transistor whose collector is connected to the base of the second transistor and whose base is connected in the middle of the series circuit. , easy to adjust bias voltage,
It is possible to apply the optimal bias voltage,
As a result, it is possible to improve the oscillation amplitude so that the change in oscillation amplitude with respect to the loss change in the detection coil becomes steep.
第1図は従来例の回路図、第2図は振幅VTに
対する負性コンダクタンスGOSCの関係を示すグラ
フ、第3図はこの発明の一実施例の回路図であ
る。
L……検出コイル、C……検出コイルLととも
に並列共振回路を構成するコンデンサ、Tr1……
エミツタホロワ接続されたトランジスタ、Tr2,
Tr3……帰還回路を構成する電流ミラー回路をな
すトランジスタ、Tr4,Tr5……レベルシフト回
路に電流を供給するための電流ミラー回路をなす
トランジスタ、R1,R2……抵抗、Tr6,Tr7……
抵抗R1,R2とともにレベルシフト回路として機
能する定電圧回路をなすトランジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional example, FIG. 2 is a graph showing the relationship between negative conductance G OSC and amplitude V T , and FIG. 3 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. L...detection coil, C...capacitor that forms a parallel resonant circuit with detection coil L, Tr 1 ...
Emitter follower connected transistor, Tr 2 ,
Tr 3 ... Transistors forming a current mirror circuit constituting the feedback circuit, Tr 4 , Tr 5 ... Transistors forming a current mirror circuit for supplying current to the level shift circuit, R 1 , R 2 ... Resistors, Tr 6 , Tr7 ...
A transistor that forms a constant voltage circuit that functions as a level shift circuit together with resistors R 1 and R 2 .
Claims (1)
タと、 この第1のトランジスタの出力電流を帰還する
ための第1の電流ミラー回路と、 この第1の電流ミラー回路によつて帰還された
電流が供給されている検出コイルとコンデンサと
からなる並列共振回路と、 前記第1のトランジスタのベースに出力電流側
が接続された第2の電流ミラー回路と、 前記第2の電流ミラー回路の基準電流側に接続
された定電流回路と、 複数個の抵抗の直列回路と、この直列回路の途
中にベースが接続されるとともに前記直列回路の
一端にエミツタが接続された第2のトランジスタ
と、この第2のトランジスタのコレクタにベース
が接続されるとともに前記直列回路の他端にエミ
ツタが接続され、かつコレクタが電源に接続され
る第3のトランジスタとを含んで構成され、この
第3のトランジスタのベースと前記第2のトラン
ジスタのコレクタとの接続点を一端とし、前記第
2のトランジスタのエミツタと前記直列回路の一
端との接続点を他端として、これらの両端が前記
第1のトランジスタのベースと前記共振回路の第
1の電流ミラー回路接続側との間に接続されてい
る、前記第1のトランジスタのベースバイアス用
のレベルシフト回路と により構成されることを特徴とする近接スイツチ
の発振回路。[Claims] 1. A first transistor connected as an emitter follower; a first current mirror circuit for feeding back the output current of the first transistor; and a current mirror circuit for feeding back the output current of the first transistor; a parallel resonant circuit consisting of a detection coil and a capacitor to which a current is supplied; a second current mirror circuit whose output current side is connected to the base of the first transistor; and a reference for the second current mirror circuit. A constant current circuit connected to the current side, a series circuit of a plurality of resistors, a second transistor whose base is connected in the middle of this series circuit and whose emitter is connected to one end of the series circuit, and this transistor. a third transistor whose base is connected to the collector of the second transistor, whose emitter is connected to the other end of the series circuit, and whose collector is connected to the power supply; One end is the connection point between the base and the collector of the second transistor, the other end is the connection point between the emitter of the second transistor and one end of the series circuit, and both ends are the base of the first transistor. and a level shift circuit for base bias of the first transistor, which is connected between the resonant circuit and the first current mirror circuit connection side of the resonant circuit. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23783884A JPS60121818A (en) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | Oscillation circuit of proximity switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23783884A JPS60121818A (en) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | Oscillation circuit of proximity switch |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9334378A Division JPS596454B2 (en) | 1978-07-31 | 1978-07-31 | Proximity switch oscillation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121818A JPS60121818A (en) | 1985-06-29 |
| JPH04416B2 true JPH04416B2 (en) | 1992-01-07 |
Family
ID=17021158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23783884A Granted JPS60121818A (en) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | Oscillation circuit of proximity switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121818A (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027755U (en) * | 1973-07-06 | 1975-03-31 |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP23783884A patent/JPS60121818A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60121818A (en) | 1985-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4609882A (en) | Oscillator/demodulator circuit arrangement for an inductive proximity switch | |
| US5144263A (en) | Method for amplitude control of an oscillator output signal, and circuit configuration for performing the method | |
| US4639659A (en) | DC-DC converter | |
| US3855552A (en) | Oscillator utilizing complementary transistors in a push-pull circuit | |
| US4003000A (en) | Sinusoidal oscillator with electronically variable frequency | |
| JPH04416B2 (en) | ||
| JP4042246B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
| US4071832A (en) | Current controlled oscillator | |
| KR930002035B1 (en) | Oscillator | |
| JPS60121817A (en) | Oscillation circuit of proximity switch | |
| US5825255A (en) | Oscillator starting circuit | |
| JPS596454B2 (en) | Proximity switch oscillation circuit | |
| US3732482A (en) | Two terminal network with negative impedance | |
| JPH069583Y2 (en) | Constant voltage power supply circuit | |
| DE2803430B2 (en) | Frequency-stable, amplitude-controlled oscillator | |
| JPS5921228B2 (en) | oscillation circuit | |
| JPS60121819A (en) | Oscillation circuit of proximity switch | |
| JPH11196581A (en) | Self-excited push-pull power supply circuit | |
| JP3316374B2 (en) | Oscillator | |
| JP2782748B2 (en) | Oscillation circuit | |
| JPH0897688A (en) | Clamp circuit for triangle wave signal | |
| JPS6228884B2 (en) | ||
| JPH0563442A (en) | Oscillation circuit | |
| JPS5924627B2 (en) | switching power supply | |
| JPH0722248B2 (en) | Limiter circuit |