JPH0441938B2 - - Google Patents
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- JPH0441938B2 JPH0441938B2 JP61144798A JP14479886A JPH0441938B2 JP H0441938 B2 JPH0441938 B2 JP H0441938B2 JP 61144798 A JP61144798 A JP 61144798A JP 14479886 A JP14479886 A JP 14479886A JP H0441938 B2 JPH0441938 B2 JP H0441938B2
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- fet
- voltage
- photodiode
- compression
- transistor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、ホトダイオードを利用した光電変
換回路に関し、例えば、電子シヤツタカメラの測
光回路に組み入れて有効な光電変換回路である。
換回路に関し、例えば、電子シヤツタカメラの測
光回路に組み入れて有効な光電変換回路である。
「従来の技術」
電子シヤツタカメラに備えられた測光回路の一
部として機能する光電変換回路については既に各
種の回路構成のものが知られているが、その一例
を第５図に示す。
部として機能する光電変換回路については既に各
種の回路構成のものが知られているが、その一例
を第５図に示す。
この従来例では、ホトダイオード１が抵抗２と
共にソースホロア回路を形成するFET３のゲー
トとソースとの間に接続されている。そして、上
記FET３のゲートにコレクタを接続したトラン
ジスタ４のベース〜コレクタ間には、上記FET
３、トランジスタ５、露出因子設定用の可変抵抗
６，７からなる高入力インピーダンス回路が帰還
回路として接続され、このトランジスタ４が光電
変換電圧の圧縮作用を行なう構成となつている。
共にソースホロア回路を形成するFET３のゲー
トとソースとの間に接続されている。そして、上
記FET３のゲートにコレクタを接続したトラン
ジスタ４のベース〜コレクタ間には、上記FET
３、トランジスタ５、露出因子設定用の可変抵抗
６，７からなる高入力インピーダンス回路が帰還
回路として接続され、このトランジスタ４が光電
変換電圧の圧縮作用を行なう構成となつている。
帰還回路に含むトランジスタ５がFET８及び
ダイオード接続のトランジスタ９によりバイアス
されるトランジスタ１０の定電流作用によつて定
電流駆動される結果、可変抵抗６，７がリニア抵
抗として構成されている。
ダイオード接続のトランジスタ９によりバイアス
されるトランジスタ１０の定電流作用によつて定
電流駆動される結果、可変抵抗６，７がリニア抵
抗として構成されている。
上記した光電変換回路では、ホトダイオード１
が逆方向電圧によつて常時負バイアスされてお
り、この光電流が圧縮用トランジスタ４に流れ込
むことによつて、このトランジスタ４のベース・
エミツタ間に圧縮電圧E1が発生する。この圧縮
電圧E1は被写体輝度のアペツク表示量に対応し
た電圧となる。
が逆方向電圧によつて常時負バイアスされてお
り、この光電流が圧縮用トランジスタ４に流れ込
むことによつて、このトランジスタ４のベース・
エミツタ間に圧縮電圧E1が発生する。この圧縮
電圧E1は被写体輝度のアペツク表示量に対応し
た電圧となる。
この圧縮電圧E1は絞り値、フイルム感度など
の露出因子にしたがつて設定される可変抵抗６，
７の端子電圧E2，E3と演算されて出力線路１１
より出力される。
の露出因子にしたがつて設定される可変抵抗６，
７の端子電圧E2，E3と演算されて出力線路１１
より出力される。
なお、上記した光電変換回路は、特公昭59−
22167号公報によつて開示されている。
22167号公報によつて開示されている。
「発明が解決しようとする問題点」
上記した光電変換回路の場合、次に述べる２点
において解決すべき問題点がある。
において解決すべき問題点がある。
(1) ホトダイオード１が常時所定電圧によつて負
バイアスされている関係で、このホトダイオー
ド１には300〜600PF程度の固有の接合容量が
見込まれ、そのため、正常動作に移るまでの時
間が長くなつて応答速度が低下する。
バイアスされている関係で、このホトダイオー
ド１には300〜600PF程度の固有の接合容量が
見込まれ、そのため、正常動作に移るまでの時
間が長くなつて応答速度が低下する。
一般に、ホトダイオードをホトセルとして使
用する場合には、アノードとカソードとを等電
位として使用することが好ましい。
用する場合には、アノードとカソードとを等電
位として使用することが好ましい。
(2) 帰還回路はゲインがほぼ１の高入力インピー
ダンス回路とすることが望ましいが、しかし、
上記した光電変換回路の場合には、圧縮電圧
E1、可変抵抗６，７の端子電圧E2，E3の変化
がFET３のドレイン・ソース間電圧VDｓに帰
還されるために、ゲインの値が低下しやすい。
ダンス回路とすることが望ましいが、しかし、
上記した光電変換回路の場合には、圧縮電圧
E1、可変抵抗６，７の端子電圧E2，E3の変化
がFET３のドレイン・ソース間電圧VDｓに帰
還されるために、ゲインの値が低下しやすい。
その結果、ホトダイオード１の接合容量の影
響がなお大きく現われる。
響がなお大きく現われる。
ゲインに関する上記のような問題は、FETが
備える接合容量、接地容量にも関係するが、実際
にはこのような容量は無視できる程度であり、主
にホトダイオード１の接合容量に影響を与える。
備える接合容量、接地容量にも関係するが、実際
にはこのような容量は無視できる程度であり、主
にホトダイオード１の接合容量に影響を与える。
そして、この接合容量による応答速度の遅れ
は、電源の投入時に特に著しく現われる。
は、電源の投入時に特に著しく現われる。
「問題点を解決するための手段」
本発明は上記した問題点を解決することを目的
として、次の第１、第２発明を開発した。
として、次の第１、第２発明を開発した。
第１発明に係る光電変換回路は、第1FETと自
己バイアスされた第2FETとのゲート間に、第
1FET側をアノード、第2FET側をカソードとし
てホトダイオードを接続すると共に、コレクタを
上記第1FETのゲートに接続し、上記第１、第
2FETを含む高入力インピーダンス回路を帰還回
路としてベースに接続した圧縮用トランジスタを
設け、第2FETのドレイン電流を予め定めて上記
ホトダイオードの端子間に小値の逆方向電圧を発
生させ、このホトダイオードの光電流が流れ込む
圧縮用トランジスタのベース・エミツタ間より圧
縮電圧を出力させる構成とした。
己バイアスされた第2FETとのゲート間に、第
1FET側をアノード、第2FET側をカソードとし
てホトダイオードを接続すると共に、コレクタを
上記第1FETのゲートに接続し、上記第１、第
2FETを含む高入力インピーダンス回路を帰還回
路としてベースに接続した圧縮用トランジスタを
設け、第2FETのドレイン電流を予め定めて上記
ホトダイオードの端子間に小値の逆方向電圧を発
生させ、このホトダイオードの光電流が流れ込む
圧縮用トランジスタのベース・エミツタ間より圧
縮電圧を出力させる構成とした。
第２発明に係る光電変換回路は、第1FETと自
己バイアスされた第2FETとのゲート間に、第
1FET側をアノードに、第2FET側をカソードに
して接続したホトダイオード、コレクタを上記第
1FETのゲートに接続し、上記第１、第2FETを
含む高入力インピーダンス回路を帰還回路として
ベースに接続した圧縮用トランジスタ、上記第
1FETのドレイン電流路に接続し、上記圧縮用ト
ランジスタの圧縮電圧に応じて第1FETのドレイ
ン・ソース間の電圧変動を抑制する上記帰還回路
のゲイン調整用トランジスタを備えた構成として
ある。
己バイアスされた第2FETとのゲート間に、第
1FET側をアノードに、第2FET側をカソードに
して接続したホトダイオード、コレクタを上記第
1FETのゲートに接続し、上記第１、第2FETを
含む高入力インピーダンス回路を帰還回路として
ベースに接続した圧縮用トランジスタ、上記第
1FETのドレイン電流路に接続し、上記圧縮用ト
ランジスタの圧縮電圧に応じて第1FETのドレイ
ン・ソース間の電圧変動を抑制する上記帰還回路
のゲイン調整用トランジスタを備えた構成として
ある。
「作用」
第１発明では、ホトダイオードに小値の逆方向
電圧を与えて負バイアスとしてある。
電圧を与えて負バイアスとしてある。
そして、このホトダイオードの光電流が圧縮用
トランジスタに流れ、このトランジスタのベー
ス・エミツタより圧縮電圧が出力される。
トランジスタに流れ、このトランジスタのベー
ス・エミツタより圧縮電圧が出力される。
ホトダイオードは既に説明したようにアノード
とカソードとを等電位として使用することが望ま
しいが、負荷として予め使用した場合、回路部品
個々の特性の違い、回路部分に発生する浮遊容
量、電気的ノイズなど予期できない障害原因によ
つてホトダイオードのバイアスが順方向電圧とな
り、光起電力素子として動作しないことがある。
負バイアスを大きく設定するようにすれば、この
ような問題は解決することができるが、これでは
接合容量の影響が増すことは上記した通りであ
る。
とカソードとを等電位として使用することが望ま
しいが、負荷として予め使用した場合、回路部品
個々の特性の違い、回路部分に発生する浮遊容
量、電気的ノイズなど予期できない障害原因によ
つてホトダイオードのバイアスが順方向電圧とな
り、光起電力素子として動作しないことがある。
負バイアスを大きく設定するようにすれば、この
ような問題は解決することができるが、これでは
接合容量の影響が増すことは上記した通りであ
る。
上記した第１発明はこの点を解決している。す
なわち、ホトダイオードには小値の逆方向電圧を
与え、上記した障害原因によつて順方向電圧が加
わつた場合に電圧が相殺されてアノードとカソー
ドがほぼ等電位状態となるようになつている。
なわち、ホトダイオードには小値の逆方向電圧を
与え、上記した障害原因によつて順方向電圧が加
わつた場合に電圧が相殺されてアノードとカソー
ドがほぼ等電位状態となるようになつている。
障害原因によつて発生する電圧は大きな電圧値
のものではないが、何等かの形ちで必ず影響す
る。そのため、この電圧がホトダイオードに対し
て逆方向電圧として加わる場合と順方向電圧とし
て加わる場合とがある。
のものではないが、何等かの形ちで必ず影響す
る。そのため、この電圧がホトダイオードに対し
て逆方向電圧として加わる場合と順方向電圧とし
て加わる場合とがある。
逆方向電圧となつたときには予め設定してある
ホトダイオードの負バイアス電圧に加算されるこ
とがあるため、多少接合容量の影響があるが、加
算された電圧値が少ないのでこの接合容量による
応答遅れの問題は少ない。
ホトダイオードの負バイアス電圧に加算されるこ
とがあるため、多少接合容量の影響があるが、加
算された電圧値が少ないのでこの接合容量による
応答遅れの問題は少ない。
順方向電圧として加わる場合には、電圧の相殺
の結果、ホトダイオードが僅かな逆方向バイアス
となるか、アノードとカソードが等電位となる
か、多少順方向にバイアスされるかのいずれかの
状態となる。
の結果、ホトダイオードが僅かな逆方向バイアス
となるか、アノードとカソードが等電位となる
か、多少順方向にバイアスされるかのいずれかの
状態となる。
ただ、このようにして加わる順方向バイアスは
極めて少ない電圧値のものとなるから、ホトダイ
オードは正常に動作する。
極めて少ない電圧値のものとなるから、ホトダイ
オードは正常に動作する。
第２発明は、第１発明の光電変換回路におい
て、帰還回路のゲインをほぼ１に維持するための
ゲイン調整用トランジスタを設けた点が特徴とな
つている。
て、帰還回路のゲインをほぼ１に維持するための
ゲイン調整用トランジスタを設けた点が特徴とな
つている。
すなわち、ゲイン調製用トランジスタは圧縮電
圧の変化に応じて第1FETのドレイン・ソース間
の電圧変動を抑制するように働く。その結果、第
1FETのドレイン電流は圧縮電圧の変化に関係し
ないから、第1FETのゲート・ソース間電圧が予
め設定した一定の値に保たれ、圧縮電圧の変化が
ホトダイオードの負バイアスに対して負帰還され
ることがない。
圧の変化に応じて第1FETのドレイン・ソース間
の電圧変動を抑制するように働く。その結果、第
1FETのドレイン電流は圧縮電圧の変化に関係し
ないから、第1FETのゲート・ソース間電圧が予
め設定した一定の値に保たれ、圧縮電圧の変化が
ホトダイオードの負バイアスに対して負帰還され
ることがない。
「実施例」
次に、本発明の実施例について図面に沿つて説
明する。
明する。
第１図は第１発明の実施例を示す光電変換回路
で、第1FET２１と第2FET２２は第１の定電流
源２３によつて定電流駆動される回路を形成し、
第1FET２１のゲートと第2FET２２のドレイン
との間に、第1FET側をアノード、第2FET側を
カソードとしたホトダイオード２４が接続してあ
る。なお、第2FET２２はゲート・ドレイン間を
接続して自己バイアスしてあるので、ホトダイオ
ード２４のカソードを第2FET２２のゲートに接
続しても同じことである。
で、第1FET２１と第2FET２２は第１の定電流
源２３によつて定電流駆動される回路を形成し、
第1FET２１のゲートと第2FET２２のドレイン
との間に、第1FET側をアノード、第2FET側を
カソードとしたホトダイオード２４が接続してあ
る。なお、第2FET２２はゲート・ドレイン間を
接続して自己バイアスしてあるので、ホトダイオ
ード２４のカソードを第2FET２２のゲートに接
続しても同じことである。
また、上記した第2FET２２はドレインに接続
した第２の定電流源２５によつて、予めドレイン
電流ID2を定め、このドレイン電流ID2が第1FET２
１のドレイン電流ID1に比べて小値となるように
構成してある。
した第２の定電流源２５によつて、予めドレイン
電流ID2を定め、このドレイン電流ID2が第1FET２
１のドレイン電流ID1に比べて小値となるように
構成してある。
ドレイン電流に上記のような差を設ければ、第
２図に示すVGｓ−ID特性から分かる通り、第
2FET２２のゲート・ソース間電圧VGs2が第
1FET２１のゲート・ソース間電圧VGs1に比べて
多少小電圧値となり、ホトダイオード２４がこれ
らの電圧VGs1，VGs2の差にしたがつて負バイア
スされる。
２図に示すVGｓ−ID特性から分かる通り、第
2FET２２のゲート・ソース間電圧VGs2が第
1FET２１のゲート・ソース間電圧VGs1に比べて
多少小電圧値となり、ホトダイオード２４がこれ
らの電圧VGs1，VGs2の差にしたがつて負バイア
スされる。
ゲート・ソース間電圧VGs1，VGs2の電圧差は
第２の定電流源２５によつて予め設定するが、ホ
トダイオード２４のアノードとカソードが等電位
に近い逆方向電圧でバイアスされるように設定す
る。
第２の定電流源２５によつて予め設定するが、ホ
トダイオード２４のアノードとカソードが等電位
に近い逆方向電圧でバイアスされるように設定す
る。
上記のように構成すれば、ホトダイオード２４
の接合容量による影響が少なく、障害原因による
電圧が加わつた場合でもホトダイオード２４を充
分に正常動作させることができる。
の接合容量による影響が少なく、障害原因による
電圧が加わつた場合でもホトダイオード２４を充
分に正常動作させることができる。
ただ、上記光電変換回路を電子シヤツタカメラ
の測光回路に組込み、ホトダイオード２４の光電
流から圧縮用トランジスタ２６を使つて圧縮電圧
を得る構成とする場合には多少問題がある。
の測光回路に組込み、ホトダイオード２４の光電
流から圧縮用トランジスタ２６を使つて圧縮電圧
を得る構成とする場合には多少問題がある。
すなわち、図示する回路では、圧縮用トランジ
スタ２６は、第1FET２１と第2FET２２とから
なる回路、第３の定電流源２７により定電流駆動
される出力用のトランジスタ２８、ダイオード２
９から形成される高入力インピーダンス回路によ
つてコレクタからベースに帰還させる構成として
ある。したがつて、光電流が圧縮用トランジスタ
２６に流れ込むことにより、このトランジスタ２
６のベース・エミツタ間には圧縮電圧E1が現わ
れ、この圧縮電圧E1が被写体輝度のアペツク表
示量に対応した電圧として出力線路３０より出力
させることができる。
スタ２６は、第1FET２１と第2FET２２とから
なる回路、第３の定電流源２７により定電流駆動
される出力用のトランジスタ２８、ダイオード２
９から形成される高入力インピーダンス回路によ
つてコレクタからベースに帰還させる構成として
ある。したがつて、光電流が圧縮用トランジスタ
２６に流れ込むことにより、このトランジスタ２
６のベース・エミツタ間には圧縮電圧E1が現わ
れ、この圧縮電圧E1が被写体輝度のアペツク表
示量に対応した電圧として出力線路３０より出力
させることができる。
しかし、上記した帰還回路では、圧縮電圧E1
の変化が出力用のトランジスタ２８のベース・エ
ミツタ、第2FET２２のゲート・ソースを介して
第1FET２１のソースに伝わり、第1FET２１の
ドレイン・ソース間電圧VDｓを変動させる。
の変化が出力用のトランジスタ２８のベース・エ
ミツタ、第2FET２２のゲート・ソースを介して
第1FET２１のソースに伝わり、第1FET２１の
ドレイン・ソース間電圧VDｓを変動させる。
第３図はドレイン特性を示したものであるが、
ドレイン・ソース間電圧が、例えば、VDs1から
V′Ds1に変動すれば、ドレイン電流がID1からI′D1に
変わり、ドレイン電流ID1のこのような変化がゲ
ート・ソース間電圧VGs1に移りホトダイオード
２４のバイアス電圧に影響する。
ドレイン・ソース間電圧が、例えば、VDs1から
V′Ds1に変動すれば、ドレイン電流がID1からI′D1に
変わり、ドレイン電流ID1のこのような変化がゲ
ート・ソース間電圧VGs1に移りホトダイオード
２４のバイアス電圧に影響する。
このことは帰還回路に負帰還作用があるため
で、ゲインを低下させることになり、ホトダイオ
ード２４の応答精度を悪くする。
で、ゲインを低下させることになり、ホトダイオ
ード２４の応答精度を悪くする。
この点について今少し詳述する。
上記した負帰還作用のためにホトダイオード２
４のバイアス電圧がVpd＝300mV、接合容量が
Cpd＝300PFとなつたと仮定し、ホトダイオード
２４にはｉ＝30PAの光電流が流れたとする。な
お、図中のＰ〜Ｑ間の合成容量は、ミラー積分効
果より考えて、 Ｃ＝（１−Ａ）Cpd＋CGｓ＋CGD＋Co となるが、CGｓ、CGD、Coは通常数10PF以下で
あるから無視すると、 Ｃ≒（１−Ａ）Cpd と考えることができる。
４のバイアス電圧がVpd＝300mV、接合容量が
Cpd＝300PFとなつたと仮定し、ホトダイオード
２４にはｉ＝30PAの光電流が流れたとする。な
お、図中のＰ〜Ｑ間の合成容量は、ミラー積分効
果より考えて、 Ｃ＝（１−Ａ）Cpd＋CGｓ＋CGD＋Co となるが、CGｓ、CGD、Coは通常数10PF以下で
あるから無視すると、 Ｃ≒（１−Ａ）Cpd と考えることができる。
上記の条件のもとに、Ｃ・Vpd＝ｉ・ｔの式よ
り算出してみると、 ｔ＝（300PF×300mV）／30PA＝３秒 となる。
り算出してみると、 ｔ＝（300PF×300mV）／30PA＝３秒 となる。
このように、ホトダイオード２４が正常動作に
移るまでの時間が長くなる。この現象は電源の投
入時に大きく現われる。
移るまでの時間が長くなる。この現象は電源の投
入時に大きく現われる。
以上より分かる如く、ゲインＡを１に近づける
ほど容量Ｃが小さくなつて、ホトダイオード２４
の応答速度が早められて有利となる。
ほど容量Ｃが小さくなつて、ホトダイオード２４
の応答速度が早められて有利となる。
第２発明の光電変換回路は上記の問題点を解決
しており、その実施例を第４図に示す。
しており、その実施例を第４図に示す。
第４図は、圧縮電圧E1をベースに受けるゲイ
ン調整用のPNP形トランジスタ３１を、第1FET
２１のドレインに接続した光電変換回路図で、他
の構成は第１図と同じ回路構成となつている。
ン調整用のPNP形トランジスタ３１を、第1FET
２１のドレインに接続した光電変換回路図で、他
の構成は第１図と同じ回路構成となつている。
上記トランジスタ３１は圧縮電圧E1が上昇す
れば、この電圧E1に対応させてドレイン電位を
上昇させ、この逆に、圧縮電圧E1が降下すると、
この電圧E1に対応してドレイン電位を下げるよ
うに働く。
れば、この電圧E1に対応させてドレイン電位を
上昇させ、この逆に、圧縮電圧E1が降下すると、
この電圧E1に対応してドレイン電位を下げるよ
うに働く。
その結果、ドレイン・ソース間電圧VDs1が圧
縮電圧E1の変化に関係なく、所定の電圧に保た
れ、帰還回路のゲインがほぼ１となる。
縮電圧E1の変化に関係なく、所定の電圧に保た
れ、帰還回路のゲインがほぼ１となる。
上記した実施例では、MOS形のＰチヤンネル
電界効果トランジスタFETを使用したが、Ｎチ
ヤンネルのFETを使用する場合は回路部品の極
性を反転させることによつて同様に実施し得る
し、また、FETはMOS形にかぎらず、同様の機
能を備える半導体素子に置き換えることができ
る。
電界効果トランジスタFETを使用したが、Ｎチ
ヤンネルのFETを使用する場合は回路部品の極
性を反転させることによつて同様に実施し得る
し、また、FETはMOS形にかぎらず、同様の機
能を備える半導体素子に置き換えることができ
る。
「発明の効果」
上記した通り、第１発明に係る光電変換回路
は、ホトダイオードが小値の逆方向電圧状態で受
光し、このホトダイオードの光電流から圧縮電圧
を出力させる構成としたので、応答遅れがなく、
回路部品固有の特性の違いなどの障害原因による
電圧の影響によつてホトダイオードの光起電力能
力が損なわれることもない。
は、ホトダイオードが小値の逆方向電圧状態で受
光し、このホトダイオードの光電流から圧縮電圧
を出力させる構成としたので、応答遅れがなく、
回路部品固有の特性の違いなどの障害原因による
電圧の影響によつてホトダイオードの光起電力能
力が損なわれることもない。
また、第２発明の光電変換回路では、帰還回路
のゲインをほぼ１に保つことができ、この帰還回
路にもとづくホトダイオードの応答遅れの問題が
効果的に解決される。
のゲインをほぼ１に保つことができ、この帰還回
路にもとづくホトダイオードの応答遅れの問題が
効果的に解決される。
第１図は第１発明の一実施例を示す光電変換回
路図、第２図はFETのVGｓ−ID特性を示す図、
第３図はFETのドレイン特性を示す図、第４図
は第２発明の一実施例を示す光電変換回路図、第
５図は従来例として示した光電変換回路図であ
る。 ２１……第1FET、２２……第2FET、２３…
…第１の定電流源、２４……ホトダイオード、２
５……第２の定電流源、２６……圧縮用トランジ
スタ、３１……ゲイン調整用のトランジスタ。
路図、第２図はFETのVGｓ−ID特性を示す図、
第３図はFETのドレイン特性を示す図、第４図
は第２発明の一実施例を示す光電変換回路図、第
５図は従来例として示した光電変換回路図であ
る。 ２１……第1FET、２２……第2FET、２３…
…第１の定電流源、２４……ホトダイオード、２
５……第２の定電流源、２６……圧縮用トランジ
スタ、３１……ゲイン調整用のトランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第1FETと自己バイアスされた第2FETとの
ゲート間に、第1FET側をアノード、第2FET側
をカソードとしてホトダイオードを接続すると共
に、コレクタを上記第1FETのゲートに接続し、
上記第１、第2FETを含む高入力インピーダンス
回路を帰還回路としてベースに接続した圧縮用ト
ランジスタを設け、第2FETのドレイン電流を予
め定めて上記ホトダイオードの端子間に小値の逆
方向電圧を発生させ、このホトダイオードの光電
流が流れ込む圧縮用トランジスタのベース・エミ
ツタ間より圧縮電圧を出力させる構成としたこと
を特徴とする光電変換回路。 ２ 第1FETと自己バイアスされた第2FETとの
ゲート間に、第1FET側をアノードに、第2FET
側をカソードにして接続したホトダイオード、コ
レクタを上記第1FETのゲートに接続し、上記第
１、第2FETを含む高入力インピーダンス回路を
帰還回路としてベースに接続した圧縮用トランジ
スタ、上記第1FETのドレイン電流路に接続し、
上記圧縮用トランジスタの圧縮電圧に応じて第
1FETのドレイン・ソース間の電圧変動を抑制す
る上記帰還回路のゲイン調製用トランジスタを備
えたことを特徴とする光電変換回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61144798A JPS631936A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 光電変換回路 |
| US07/065,436 US4806748A (en) | 1986-06-23 | 1987-06-23 | Photo-electric conversion circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61144798A JPS631936A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 光電変換回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631936A JPS631936A (ja) | 1988-01-06 |
| JPH0441938B2 true JPH0441938B2 (ja) | 1992-07-09 |
Family
ID=15370705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61144798A Granted JPS631936A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 光電変換回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4806748A (ja) |
| JP (1) | JPS631936A (ja) |
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- 1986-06-23 JP JP61144798A patent/JPS631936A/ja active Granted
-
1987
- 1987-06-23 US US07/065,436 patent/US4806748A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4806748A (en) | 1989-02-21 |
| JPS631936A (ja) | 1988-01-06 |
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