JPS5922167B2 - 測光・演算回路 - Google Patents
測光・演算回路Info
- Publication number
- JPS5922167B2 JPS5922167B2 JP50050470A JP5047075A JPS5922167B2 JP S5922167 B2 JPS5922167 B2 JP S5922167B2 JP 50050470 A JP50050470 A JP 50050470A JP 5047075 A JP5047075 A JP 5047075A JP S5922167 B2 JPS5922167 B2 JP S5922167B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- variable resistor
- collector
- base
- voltage
- Prior art date
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- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/081—Analogue circuits
- G03B7/083—Analogue circuits for control of exposure time
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は受光素子として光起電力素子を用いたカメラの
測光・演算回路に関する。
測光・演算回路に関する。
従来この種装置として第１図に示す如き回路が提案され
ている。第１図において、フィルム感度により設定可能
な可変抵抗１とダイオード２、３は電源１４に対して直
列に配置され、可変抵抗１とダイオード２の接続点はボ
ルテージホロア回路構成される演算増巾器４に接続され
ている。絞り値により設定可能な可変抵抗１１とダイオ
ード１２、１３は電源１４に対して直列に配置され、可
変抵抗１１とダイオード１２の接続点はボルテージホロ
ア回路構成される演算増巾器１０に接続される。光起電
力素子５をコレクタに、エミッタを演算増巾器４の出力
に接続されたトランジスタ６のコレクタよりボルテージ
ホロア回路構成される高入力抵抗演算増巾器１を介して
トランジスタ６のベースに帰還がなされている。ベース
をトランジスタ６のベースに、エミッタを演算増巾器１
０の出力に接続されたトランジスタ９のコレクタには積
分コンデンサ８が接続される。次に上記構成による動作
を説明すると、逆バイアスされた光起電力素子５の光電
流ｉｐをコレクタに受けるトランジスタ６のコレクタよ
りベースに高入力抵抗演算増巾器Ｔにより帰還されるこ
とにより、トランジスタ６のベース・エミッタ間電圧Ｖ
Ｂは光電流ｉｐに対応した圧縮電圧、すなわち被写体輝
度Ｂのアペックス表示量Ｂｖに対応した電圧となる。
ている。第１図において、フィルム感度により設定可能
な可変抵抗１とダイオード２、３は電源１４に対して直
列に配置され、可変抵抗１とダイオード２の接続点はボ
ルテージホロア回路構成される演算増巾器４に接続され
ている。絞り値により設定可能な可変抵抗１１とダイオ
ード１２、１３は電源１４に対して直列に配置され、可
変抵抗１１とダイオード１２の接続点はボルテージホロ
ア回路構成される演算増巾器１０に接続される。光起電
力素子５をコレクタに、エミッタを演算増巾器４の出力
に接続されたトランジスタ６のコレクタよりボルテージ
ホロア回路構成される高入力抵抗演算増巾器１を介して
トランジスタ６のベースに帰還がなされている。ベース
をトランジスタ６のベースに、エミッタを演算増巾器１
０の出力に接続されたトランジスタ９のコレクタには積
分コンデンサ８が接続される。次に上記構成による動作
を説明すると、逆バイアスされた光起電力素子５の光電
流ｉｐをコレクタに受けるトランジスタ６のコレクタよ
りベースに高入力抵抗演算増巾器Ｔにより帰還されるこ
とにより、トランジスタ６のベース・エミッタ間電圧Ｖ
Ｂは光電流ｉｐに対応した圧縮電圧、すなわち被写体輝
度Ｂのアペックス表示量Ｂｖに対応した電圧となる。
ダイオード２、３端子電圧はフィルム感度により設定可
能な可変抵抗１により決定される電流に対応する電圧と
なり、ダイオード２、３端子電圧は演算増巾器４の出力
電圧ＶＡに等しい電圧となる。すなわちＶＡはフィルム
感度Ｓのアペックス表示量Ｓｖに対応した電圧となる。
同様にＶＤは絞り値Ａのアペックス表示量Ａｖに対応し
た電圧となるから、トランジスタ９のベース・エミッタ
間電圧ＶｃはＶＣ＝ＶＢ＋（ＶＡ−ＶＤ）（ｌ） …式においてＶＢ、ＶＡ、ＶＤは被写体輝度Ｂ）フィル
ム感度Ｓ）絞り値Ａの各アペックス表示量Ｂ，Ｓ，Ａに
対応しているから、ＶｃはＢ＋Ｓ−Ａｖに対応した電圧
、すなわち露出時間Ｔのアペツクス表示量Ｔに対応した
電圧となる。
能な可変抵抗１により決定される電流に対応する電圧と
なり、ダイオード２、３端子電圧は演算増巾器４の出力
電圧ＶＡに等しい電圧となる。すなわちＶＡはフィルム
感度Ｓのアペックス表示量Ｓｖに対応した電圧となる。
同様にＶＤは絞り値Ａのアペックス表示量Ａｖに対応し
た電圧となるから、トランジスタ９のベース・エミッタ
間電圧ＶｃはＶＣ＝ＶＢ＋（ＶＡ−ＶＤ）（ｌ） …式においてＶＢ、ＶＡ、ＶＤは被写体輝度Ｂ）フィル
ム感度Ｓ）絞り値Ａの各アペックス表示量Ｂ，Ｓ，Ａに
対応しているから、ＶｃはＢ＋Ｓ−Ａｖに対応した電圧
、すなわち露出時間Ｔのアペツクス表示量Ｔに対応した
電圧となる。
トランジスタ９のベース・エミツタ間電圧・対コレクタ
電流特性により、トランジスタ９のコレクタ こ電流は
１／Ｔに比例した電流に変換される。カメラのタイミン
グスイツチ１５が開くことにより、積分コンデンサ８に
充電がなされ、スイツチング回路１６のしきい値電圧に
達した時点で、マグネツト１７への通電が断たれる。タ
イミングスイツ １チ１５が開いてから、マグネツト１
７への通電が断たれるまでの時間、すなわち露出時間は
前記演算されたＴに比例する。上記構成による測光演算
回路においては、下記の欠点を有している。
電流特性により、トランジスタ９のコレクタ こ電流は
１／Ｔに比例した電流に変換される。カメラのタイミン
グスイツチ１５が開くことにより、積分コンデンサ８に
充電がなされ、スイツチング回路１６のしきい値電圧に
達した時点で、マグネツト１７への通電が断たれる。タ
イミングスイツ １チ１５が開いてから、マグネツト１
７への通電が断たれるまでの時間、すなわち露出時間は
前記演算されたＴに比例する。上記構成による測光演算
回路においては、下記の欠点を有している。
（１）演算増巾器の構成が複雑であり、コスト高となる
。
。
（２）演算増巾器およびトランジスタのしきい値電圧の
ために電源電圧が高くなる。
ために電源電圧が高くなる。
（３）演算増巾器・可変抵抗１，１１のため消費電３流
が大である。
が大である。
（４）絞り値、フイルム感度に対応する可変抵抗値が広
範囲であるため抵抗が作りづらい。
範囲であるため抵抗が作りづらい。
本発明は上記欠点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、第１に上記測光・演算回路を演算増
巾器を用いずに簡単な構成にて実現し、コストの低減を
図ると共に低電圧、低消費電涜１屏ｉを可能ならしめ、
第２にフイルム感度Ｓ１絞り値Ａに対応する可変抵抗を
リニア抵抗にて構成して抵抗値の可動範囲を減少し、可
変抵抗を作り易くした測光・演算回路を提供することに
ある。
的とするところは、第１に上記測光・演算回路を演算増
巾器を用いずに簡単な構成にて実現し、コストの低減を
図ると共に低電圧、低消費電涜１屏ｉを可能ならしめ、
第２にフイルム感度Ｓ１絞り値Ａに対応する可変抵抗を
リニア抵抗にて構成して抵抗値の可動範囲を減少し、可
変抵抗を作り易くした測光・演算回路を提供することに
ある。
次に本発明の原理を第２図により説明する。光起電力素
子１８をコレクタに接続された圧縮トランジスタ１９の
コレクタよりバツフア回路２０、可変抵抗２１，２２を
介して圧縮トランジスタ１９のベースに帰還されており
、可変抵抗２１，２２には定電流源２３による電流が流
れている。なおバツフア回路２０は高入力インピーダン
ス、低出力インピーダンスを有するインピーダンス変換
回路により構成される。バツフア回路２０の出力は伸張
トランジスタ２４のベースに接続されており、コレクタ
には積分コンデンサ２５が接続されている。２６は定電
圧源である。
子１８をコレクタに接続された圧縮トランジスタ１９の
コレクタよりバツフア回路２０、可変抵抗２１，２２を
介して圧縮トランジスタ１９のベースに帰還されており
、可変抵抗２１，２２には定電流源２３による電流が流
れている。なおバツフア回路２０は高入力インピーダン
ス、低出力インピーダンスを有するインピーダンス変換
回路により構成される。バツフア回路２０の出力は伸張
トランジスタ２４のベースに接続されており、コレクタ
には積分コンデンサ２５が接続されている。２６は定電
圧源である。
上記構成による動作は、逆バイアスされた光起電力素子
１８の光電流１ｐ１をコレクタに受ける圧縮トランジス
タ１９のコレクタよりベースに帰還がなされることによ
り、圧縮トランジスタ１９のベース・エミツタ間電圧Ｖ
Ｅは光電流１ｐＶに対応した電圧となる。すなわちＥは
Ｑ ｑ：電子の電荷 Ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度 ＶＢＥ（ＩＯ）：トランジ又夕１９のコレクタ電流１０
時のベース・エミツタ間電圧光電流１ｐ！と被写体輝度
Ｂのアペツクス表示量Ｂとの関係はＩｐＩ＝ＩｐＯ声Ｖ
（３）ＩｐＯ：Ｂ二Ｏにおける光電流 ゆえに圧縮トランジスタ１９のベース・エミツタ間電圧
Ｅはここで可変抵抗２１をフイルム感度Ｓのアペツクス
表示量ＳＶｌ可変抵抗２２を絞り値Ａのアペツクス表示
量に対応せしめ、可変抵抗２１の抵抗値をＲ，、可変抵
抗２２の抵抗値をＲ２とすればＲ，＝Ｒｓ−Ｓ
（５）Ｒ２＝Ｒｓ・（Ｋ−Ａｖ）
（６）Ｒｓ：Ｓｖ，ＡｖｌＳｔｅｐ当りの抵
抗値Ｋ：定数 定電流源２３の電流値１ｓを（７）式の如く設定する。
１８の光電流１ｐ１をコレクタに受ける圧縮トランジス
タ１９のコレクタよりベースに帰還がなされることによ
り、圧縮トランジスタ１９のベース・エミツタ間電圧Ｖ
Ｅは光電流１ｐＶに対応した電圧となる。すなわちＥは
Ｑ ｑ：電子の電荷 Ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度 ＶＢＥ（ＩＯ）：トランジ又夕１９のコレクタ電流１０
時のベース・エミツタ間電圧光電流１ｐ！と被写体輝度
Ｂのアペツクス表示量Ｂとの関係はＩｐＩ＝ＩｐＯ声Ｖ
（３）ＩｐＯ：Ｂ二Ｏにおける光電流 ゆえに圧縮トランジスタ１９のベース・エミツタ間電圧
Ｅはここで可変抵抗２１をフイルム感度Ｓのアペツクス
表示量ＳＶｌ可変抵抗２２を絞り値Ａのアペツクス表示
量に対応せしめ、可変抵抗２１の抵抗値をＲ，、可変抵
抗２２の抵抗値をＲ２とすればＲ，＝Ｒｓ−Ｓ
（５）Ｒ２＝Ｒｓ・（Ｋ−Ａｖ）
（６）Ｒｓ：Ｓｖ，ＡｖｌＳｔｅｐ当りの抵
抗値Ｋ：定数 定電流源２３の電流値１ｓを（７）式の如く設定する。
ここで可変抵抗２１，２２に発生する電圧ＶＧ，ＶＦは
それぞれ一方伸張トランジスタ２４のベース・エミツタ
間電圧ＶＨとコレクタ電流１Ｃとの関係は（圧縮トラン
ジスタと伸張トランジスタをベース・エミツタ電圧対コ
レクタ電流特性の等しいものを用いれば）ＫＴｌＣＨ＝
−１０ｇ丁＋ＶＢＥ（ＩＯ） （自）ＱｌＯ ここで露出時間Ｔのアペツクス表示量Ｔｖと伸張トラン
ジスタのコレクタ電流１ｃとの関係はＩｃ＝ＩｃＯ・２
ＴＶ（自）ＩｃＯ：Ｔｖ＝０における伸張トランジスタ
のコレクタ電流ゆえに伸張トランジスタ２４のベース・
エミツタ間電圧ＶＨは一方圧縮トランジスタ１９のベー
ス・エミツタ間電圧Ｅ１可変抵抗２１，２２の端子電圧
Ｇ，ＶＦより、伸張トランジスタ２４のベース・エミツ
タ間電圧はＶＨ−ＶＥ＋ＶＦ＋ＶＧＯ３） （自）式に（４），（８），（９），０２）式を代入す
ればリＴｖＴｖ＝Ｂ＋Ｓ−Ａなるアペツクス演算を行な
うためにはＩｃＯ−１ｐ０・２Ｎ０５） すなわち（自）式を満足するＮを設定することにより本
発明の測光・演算回路は理論付けされる。
それぞれ一方伸張トランジスタ２４のベース・エミツタ
間電圧ＶＨとコレクタ電流１Ｃとの関係は（圧縮トラン
ジスタと伸張トランジスタをベース・エミツタ電圧対コ
レクタ電流特性の等しいものを用いれば）ＫＴｌＣＨ＝
−１０ｇ丁＋ＶＢＥ（ＩＯ） （自）ＱｌＯ ここで露出時間Ｔのアペツクス表示量Ｔｖと伸張トラン
ジスタのコレクタ電流１ｃとの関係はＩｃ＝ＩｃＯ・２
ＴＶ（自）ＩｃＯ：Ｔｖ＝０における伸張トランジスタ
のコレクタ電流ゆえに伸張トランジスタ２４のベース・
エミツタ間電圧ＶＨは一方圧縮トランジスタ１９のベー
ス・エミツタ間電圧Ｅ１可変抵抗２１，２２の端子電圧
Ｇ，ＶＦより、伸張トランジスタ２４のベース・エミツ
タ間電圧はＶＨ−ＶＥ＋ＶＦ＋ＶＧＯ３） （自）式に（４），（８），（９），０２）式を代入す
ればリＴｖＴｖ＝Ｂ＋Ｓ−Ａなるアペツクス演算を行な
うためにはＩｃＯ−１ｐ０・２Ｎ０５） すなわち（自）式を満足するＮを設定することにより本
発明の測光・演算回路は理論付けされる。
以上述べた如く、本発明では光起電力素子１８をコレタ
タに接続された圧縮トランジスタ１９のコレタタよりベ
ースにバツフア回路２０を接続し、該バツフア回路２０
の出力より可変抵抗２１及び２２を介して上記圧縮トラ
ンジスタ１９のベースに帰還をなすと共に上記可変抵抗
２１，２２を定電流源２３により定電流１駆動したこと
により、被写体輝度Ｂに対応する光電流１Ｐ１フイルム
感度Ｓ１絞り値Ａに対応する可変抵抗の対数に比例した
測光・演算回路が構成できる。又、（７）式に示す如く
定電流源２３の電流値をＳｖ，Ａｌステツプ当りの抵抗
両端に（ＫＴ／ｑ）１０ｇ２なる電圧を発生させるよう
な電流値とすることにより、バツフア回路２０の出力電
圧を伸長トランジスタ２４の温度特性と相殺することが
可能となり伸長トランジスタ２４のコレクタ電流は温度
特性を有しない構成とすることができる。尚、以上の説
明中で用いた対数は全て自然対数である。次に本発明の
実施例を第３図により説明する。
タに接続された圧縮トランジスタ１９のコレタタよりベ
ースにバツフア回路２０を接続し、該バツフア回路２０
の出力より可変抵抗２１及び２２を介して上記圧縮トラ
ンジスタ１９のベースに帰還をなすと共に上記可変抵抗
２１，２２を定電流源２３により定電流１駆動したこと
により、被写体輝度Ｂに対応する光電流１Ｐ１フイルム
感度Ｓ１絞り値Ａに対応する可変抵抗の対数に比例した
測光・演算回路が構成できる。又、（７）式に示す如く
定電流源２３の電流値をＳｖ，Ａｌステツプ当りの抵抗
両端に（ＫＴ／ｑ）１０ｇ２なる電圧を発生させるよう
な電流値とすることにより、バツフア回路２０の出力電
圧を伸長トランジスタ２４の温度特性と相殺することが
可能となり伸長トランジスタ２４のコレクタ電流は温度
特性を有しない構成とすることができる。尚、以上の説
明中で用いた対数は全て自然対数である。次に本発明の
実施例を第３図により説明する。
光起電力素子２８をコレクタに接続された圧縮トランジ
スタ２７のコレクタより、抵抗３０と共にソース・ホロ
ア回路を構成するＦＥＴ２９、エミツタをトランジスタ
３６により定電流駆動されるトランジスタ３１、該エミ
ツタに接続されたメータ調整用可変抵抗３２、フイルム
感度により設定可能な可変抵抗３３、絞り値により設定
可能な可変抵抗３４、露出時間調整用可変抵抗３５を介
してベースに帰還がなされている。なおＦＥＴ２９、抵
抗３０及びトランジスタ３１は上記バツフア回路２０を
構成している。上記トランジスタ３１を定電流駆動する
トランジスタ３６のベースは抵抗３８と共に自己バイア
ス構成されるＦＥＴ３７をコレクタベースに受けるダイ
オード接続されたトランジスタ３９のベースに接続され
ている。電源５０と直列に構成される抵抗４０、ダイオ
ード接続されるトランジスタ４１の接続点と上記トラン
ジスタ３１のエミツタにはメータ４２が接続される。可
変抵抗３２，３３の接続点には伸張トランジスタ４５の
ベースが接続され、該トランジスタ４５のコレクタには
夕を《ングスイツチ４３、コンデンサ４４、コンパレー
タ４８の反転入力端子が接続される。電源５０に直列に
配置されるツエナーダイオード４６、抵抗４７の接続点
にはコンパレータ４８の非反転入力端子が接続され、コ
ンパレータ４８の出力にはマグネツト４９が接続されて
いる。上記構成による動作は、第２図からも判るごとく
光起電力素子２８とトランジスタ２７の接続点はバツフ
ア回路を構成するソースホロア一ＦＥＴ２９、エミツタ
ホロアートランジスタ３１及び可変抵抗３２，３３，３
４，３５を介してトランジスタ２７のベースに帰還がな
され、トランジスタ２７のベース・エミツタ間電圧ＶＩ
は、光起電力素子２８の光電流に対応した電圧となる。
スタ２７のコレクタより、抵抗３０と共にソース・ホロ
ア回路を構成するＦＥＴ２９、エミツタをトランジスタ
３６により定電流駆動されるトランジスタ３１、該エミ
ツタに接続されたメータ調整用可変抵抗３２、フイルム
感度により設定可能な可変抵抗３３、絞り値により設定
可能な可変抵抗３４、露出時間調整用可変抵抗３５を介
してベースに帰還がなされている。なおＦＥＴ２９、抵
抗３０及びトランジスタ３１は上記バツフア回路２０を
構成している。上記トランジスタ３１を定電流駆動する
トランジスタ３６のベースは抵抗３８と共に自己バイア
ス構成されるＦＥＴ３７をコレクタベースに受けるダイ
オード接続されたトランジスタ３９のベースに接続され
ている。電源５０と直列に構成される抵抗４０、ダイオ
ード接続されるトランジスタ４１の接続点と上記トラン
ジスタ３１のエミツタにはメータ４２が接続される。可
変抵抗３２，３３の接続点には伸張トランジスタ４５の
ベースが接続され、該トランジスタ４５のコレクタには
夕を《ングスイツチ４３、コンデンサ４４、コンパレー
タ４８の反転入力端子が接続される。電源５０に直列に
配置されるツエナーダイオード４６、抵抗４７の接続点
にはコンパレータ４８の非反転入力端子が接続され、コ
ンパレータ４８の出力にはマグネツト４９が接続されて
いる。上記構成による動作は、第２図からも判るごとく
光起電力素子２８とトランジスタ２７の接続点はバツフ
ア回路を構成するソースホロア一ＦＥＴ２９、エミツタ
ホロアートランジスタ３１及び可変抵抗３２，３３，３
４，３５を介してトランジスタ２７のベースに帰還がな
され、トランジスタ２７のベース・エミツタ間電圧ＶＩ
は、光起電力素子２８の光電流に対応した電圧となる。
なおバツフア回路を構成するＦＥＴ２９及びトランジス
タ３１は高入力インピーダンス、低出力インピーダンス
を有しゲインがほぼ１のインピーダンス変換回路である
。自己バイアスされたＦＥＴ３７のゲート・ソース間電
圧Ｖ。８対ドレイン電流１Ｄ特性を第４図に示す。
タ３１は高入力インピーダンス、低出力インピーダンス
を有しゲインがほぼ１のインピーダンス変換回路である
。自己バイアスされたＦＥＴ３７のゲート・ソース間電
圧Ｖ。８対ドレイン電流１Ｄ特性を第４図に示す。
第４図より抵抗３８の抵抗値をＲ３とすれば２０℃にお
いて特性曲線を負荷線との交点がＦＥＴ３７のドレイン
電流１Ｄ３となる。ここで（７）式に示した如くＦＥＴ
３７のドレイン電流は、絶対温度Ｔに比例した温度特性
を持つ必要があるが、第４図特性曲線から判るごとく、
Ｒ３を可変することにより、またＦＥＴの特性を選択す
ることにより、任意に設定できる。トランジスタ３６，
３９をベース・エミツタ間電圧対コレクタ電流特性の等
しいものを用いれば、トランジスタ３６のコレクタ電流
はＦＥＴ３７のドレイン電流１Ｄ３と等しい定電流源と
なり、フイルム感度絞り値により、設定可能な可変抵抗
３３，３４にはＬ，ＶＫの端子電圧を発生する。なお露
出時間調整用可変抵抗３５により（自）式を満足するご
とくＮを設定する。上記設定条件を満足することにより
伸張トランジスタ４５のコレクタ電流は適正露出を満足
するものである。タイミングスイツチ４３が閉じている
ときにはマグネツト４９には通電されており、タイミン
グスイツチ４３が開くと同時にコンデンサ４４は充電さ
れ、ツエナーダイオード４６の端子電圧Ｖｐに達した時
点で、マグネット４９への通電が停止される。
いて特性曲線を負荷線との交点がＦＥＴ３７のドレイン
電流１Ｄ３となる。ここで（７）式に示した如くＦＥＴ
３７のドレイン電流は、絶対温度Ｔに比例した温度特性
を持つ必要があるが、第４図特性曲線から判るごとく、
Ｒ３を可変することにより、またＦＥＴの特性を選択す
ることにより、任意に設定できる。トランジスタ３６，
３９をベース・エミツタ間電圧対コレクタ電流特性の等
しいものを用いれば、トランジスタ３６のコレクタ電流
はＦＥＴ３７のドレイン電流１Ｄ３と等しい定電流源と
なり、フイルム感度絞り値により、設定可能な可変抵抗
３３，３４にはＬ，ＶＫの端子電圧を発生する。なお露
出時間調整用可変抵抗３５により（自）式を満足するご
とくＮを設定する。上記設定条件を満足することにより
伸張トランジスタ４５のコレクタ電流は適正露出を満足
するものである。タイミングスイツチ４３が閉じている
ときにはマグネツト４９には通電されており、タイミン
グスイツチ４３が開くと同時にコンデンサ４４は充電さ
れ、ツエナーダイオード４６の端子電圧Ｖｐに達した時
点で、マグネット４９への通電が停止される。
タイミングスイツチとマグネツトのカメラとの関係は一
般公知であるので省略する。一方抵抗４０により電流制
限されるトランジスタ４１のベース・エミツタ間電圧Ｖ
Ｎとトランジスタ３１のエミツタに接続されたメータ端
子電圧ＶＱはＱ＝ＶＯ＋ＶＭ−ＶＮＯ６） （至）式において、ＶＯは露出時間Ｔのアペツクス表示
量Ｔｖに比例しているから、メータ端子電圧ＱはＴｖに
比例する。
般公知であるので省略する。一方抵抗４０により電流制
限されるトランジスタ４１のベース・エミツタ間電圧Ｖ
Ｎとトランジスタ３１のエミツタに接続されたメータ端
子電圧ＶＱはＱ＝ＶＯ＋ＶＭ−ＶＮＯ６） （至）式において、ＶＯは露出時間Ｔのアペツクス表示
量Ｔｖに比例しているから、メータ端子電圧ＱはＴｖに
比例する。
なお、メータ調整用可変抵抗３２に発生する電圧ＶＭに
よりメータのレベルを任意に設定できる。以上の如く本
発明による装置を用いれば、回路構成が非常に簡単にな
り、大巾なコスト・ダウンが可能となる。
よりメータのレベルを任意に設定できる。以上の如く本
発明による装置を用いれば、回路構成が非常に簡単にな
り、大巾なコスト・ダウンが可能となる。
また低電圧低電力動作が可能であり、温度依存性・減電
圧特性が良好であることは明白である。また製造面にお
いても調整抵抗、可変抵抗がーケ所にまとめられる等、
きわめて効果大である。
圧特性が良好であることは明白である。また製造面にお
いても調整抵抗、可変抵抗がーケ所にまとめられる等、
きわめて効果大である。
第１図は従来用いられていた測光・演算回路、第２図は
本発明の原理を説明するための回路図、第３図は本発明
による測光・演算回路の一実施例を示す回路図、第４図
はＦＥＴの特性を説明するための特性曲線？１，１１：
可変抵抗、２，３，１２，１３：ダイオード、５：光起
電力素子、４，７，１０：演算増巾器、６，９：トラン
ジスタ、８：コンデンサ、１５：タイミングスイツチ、
１６：スイツチング回路、１７：マグネツト、１８：光
起電力素子、２０：バツフア回路、２３：定電流源、２
８：光起電力素子、２９，３７：ＦＥＴｌ４２：メータ
、４３：タイミングスイツチ、４６：ツエナーダイオー
ド、４８：コンパレータ一、４９：マグネツ・ト。
本発明の原理を説明するための回路図、第３図は本発明
による測光・演算回路の一実施例を示す回路図、第４図
はＦＥＴの特性を説明するための特性曲線？１，１１：
可変抵抗、２，３，１２，１３：ダイオード、５：光起
電力素子、４，７，１０：演算増巾器、６，９：トラン
ジスタ、８：コンデンサ、１５：タイミングスイツチ、
１６：スイツチング回路、１７：マグネツト、１８：光
起電力素子、２０：バツフア回路、２３：定電流源、２
８：光起電力素子、２９，３７：ＦＥＴｌ４２：メータ
、４３：タイミングスイツチ、４６：ツエナーダイオー
ド、４８：コンパレータ一、４９：マグネツ・ト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光起電力素子をコレクタに接続したトランジスタの
コレクタにバッファ回路を接続し、該バッファ回路の出
力に露出決定因子に対応して設定可能な可変抵抗を接続
して上記トランジスタのベースに帰還をなし、上記の可
変抵抗を定電流駆動したことを特徴とする測光・演算回
路。 ２ 光起電力素子をコレクタに接続したトランジスタの
コレクタにバッファ回路を接続し、該バッファ回路の出
力に露出決定因子に対応して設定可能な可変抵抗を接続
して上記トランジスタのベースに帰還をなし、上記の可
変抵抗を定電流駆動する測光・演算回路において、上記
可変抵抗の露出決定因子１ステップ当りの抵抗両端に生
ずる電圧の温度特性が（ＫＴ／ｑ）ｌｏｇ２（Ｋ：ボル
ツマン定数、ｑ：電子の電荷、Ｔ：絶対温度）を略満た
すような温度特性を有する定電流により、上記可変抵抗
が駆動されることを特徴とする測光・演算回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50050470A JPS5922167B2 (ja) | 1975-04-25 | 1975-04-25 | 測光・演算回路 |
| DE19762617729 DE2617729B2 (de) | 1975-04-25 | 1976-04-23 | Photometrische schaltung |
| US05/679,587 US4106035A (en) | 1975-04-25 | 1976-04-23 | Photometric circuit |
| GB16840/76A GB1521374A (en) | 1975-04-25 | 1976-04-26 | Photometric circuit |
| US05/887,914 US4180310A (en) | 1975-04-25 | 1978-03-17 | Photometric circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50050470A JPS5922167B2 (ja) | 1975-04-25 | 1975-04-25 | 測光・演算回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51126190A JPS51126190A (en) | 1976-11-04 |
| JPS5922167B2 true JPS5922167B2 (ja) | 1984-05-24 |
Family
ID=12859765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50050470A Expired JPS5922167B2 (ja) | 1975-04-25 | 1975-04-25 | 測光・演算回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4106035A (ja) |
| JP (1) | JPS5922167B2 (ja) |
| DE (1) | DE2617729B2 (ja) |
| GB (1) | GB1521374A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161138U (ja) * | 1978-02-17 | 1979-11-10 | ||
| JPS631936A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-06 | Asahi Optical Co Ltd | 光電変換回路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1376080A (en) * | 1971-02-27 | 1974-12-04 | Asahi Optical Co Ltd | Exposure-determing device for a camera |
| JPS5611930B2 (ja) * | 1973-10-09 | 1981-03-18 |
-
1975
- 1975-04-25 JP JP50050470A patent/JPS5922167B2/ja not_active Expired
-
1976
- 1976-04-23 US US05/679,587 patent/US4106035A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-04-23 DE DE19762617729 patent/DE2617729B2/de active Granted
- 1976-04-26 GB GB16840/76A patent/GB1521374A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4106035A (en) | 1978-08-08 |
| DE2617729A1 (de) | 1976-11-04 |
| DE2617729B2 (de) | 1977-09-22 |
| DE2617729C3 (ja) | 1978-05-24 |
| JPS51126190A (en) | 1976-11-04 |
| GB1521374A (en) | 1978-08-16 |
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