JPH0442522A - レジスト硬化方法 - Google Patents
レジスト硬化方法Info
- Publication number
- JPH0442522A JPH0442522A JP2151045A JP15104590A JPH0442522A JP H0442522 A JPH0442522 A JP H0442522A JP 2151045 A JP2151045 A JP 2151045A JP 15104590 A JP15104590 A JP 15104590A JP H0442522 A JPH0442522 A JP H0442522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- light
- curing
- curing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体デバイスの製造等に用いるレジストパタ
ーン形成技術に関し、特にレジストの硬化方法に関する
。
ーン形成技術に関し、特にレジストの硬化方法に関する
。
（従来の技術）
レジストを硬化させ耐熱性を向上させる技術としては高
温ベータ、ディープＵＶ光照射、イオン注入、プラズマ
照射、電子ビーム照射などがあるが、半導体製造プロセ
スではディープＵＶ（ＤＵ■）光照射が最もよく使われ
る。具体的にはレジストパターンに波長２００〜３００
ｎｍのＤＵＶ光を照射してレジストを硬化させる（手間
ら（Ｈ，Ｈｉｒａｏｋａ ｅｔ、 ａｌ）、ジャーナル
オブバキュームサイエンスアンドテクノ ロ ジ
−（Ｊ、ｏｆ Ｖａｃ、Ｓｃｉ、ａｎｄ Ｔｅｃｈ、
）ｖｏｌ、１９゜Ｐ１１２７（１９８１））。
温ベータ、ディープＵＶ光照射、イオン注入、プラズマ
照射、電子ビーム照射などがあるが、半導体製造プロセ
スではディープＵＶ（ＤＵ■）光照射が最もよく使われ
る。具体的にはレジストパターンに波長２００〜３００
ｎｍのＤＵＶ光を照射してレジストを硬化させる（手間
ら（Ｈ，Ｈｉｒａｏｋａ ｅｔ、 ａｌ）、ジャーナル
オブバキュームサイエンスアンドテクノ ロ ジ
−（Ｊ、ｏｆ Ｖａｃ、Ｓｃｉ、ａｎｄ Ｔｅｃｈ、
）ｖｏｌ、１９゜Ｐ１１２７（１９８１））。
（発明が解決しようとする課題）
上述のようなりＵＶ光照射ではたとえばノボラック型の
レジストではその熱耐性は２１０〜２２０°Ｃ程度が上
限である。これはＤＵＶ光はレジスト表面での吸収が大
きく表面層のみが架橋、硬化するためである。ドライエ
ツチング工程等で温度がこれより高くなるとレジストが
軟化し形状及び寸法が保てなくなるという欠点があった
。
レジストではその熱耐性は２１０〜２２０°Ｃ程度が上
限である。これはＤＵＶ光はレジスト表面での吸収が大
きく表面層のみが架橋、硬化するためである。ドライエ
ツチング工程等で温度がこれより高くなるとレジストが
軟化し形状及び寸法が保てなくなるという欠点があった
。
（課題を解決するための手段）
本発明のレジスト硬化法は、レジストパターンにシンク
ロトロン放射光を照射して硬化させることを特徴とする
。
ロトロン放射光を照射して硬化させることを特徴とする
。
（作用）
シンクロトロン放射光（ＳＲ光）を用いると、レジスト
膜の表面だけでなく膜全体を架橋、硬化させることかで
きるのでＤＵＶ光の場合よりレジストパターンの耐熱性
が向上する。
膜の表面だけでなく膜全体を架橋、硬化させることかで
きるのでＤＵＶ光の場合よりレジストパターンの耐熱性
が向上する。
（実施例）
以下第１図（ａ）〜（ｄ）を参照して実施例を説明する
。
。
任意の基板１１の表面上にノボラック樹脂をベースポリ
マーとするレジスト膜１２を例えばスピン塗布法により
形成する（第１図（ａ））。このレジスト膜１２に例え
ばフォトリングラフィ法又は電子ビーム露光法若しくは
ＳＲ露光法等の方法により所望のパターンを転写し、レ
ジストパターン１２ａを形成する（第１図（ｂ））。次
にレジストパターン１２ａの全面に少なくとも７人ない
し１０人の軟Ｘ線を含むＳＲ光を約３０００ｍＪ／ｃｍ
２照射しくこの照射量はＳＲ光を露光に使う場合の照射
量数十〜１００ｍＪ／ｃｍ２に比べてずつと多い）、ペ
ースポリマーを三次元的に架橋させ、硬化させる（第１
図（Ｃ））。続いて基板１１を例えばホットプレート１
３上で約３００°Ｃに加熱してＳＲ光照射によって生じ
たメタノール等の揮発性反応生成物を除去する（第１図
（ｄ））。反応生成物が水素のように自然にレジスト外
へ出てしまうものである場合は加熱は不要である。
マーとするレジスト膜１２を例えばスピン塗布法により
形成する（第１図（ａ））。このレジスト膜１２に例え
ばフォトリングラフィ法又は電子ビーム露光法若しくは
ＳＲ露光法等の方法により所望のパターンを転写し、レ
ジストパターン１２ａを形成する（第１図（ｂ））。次
にレジストパターン１２ａの全面に少なくとも７人ない
し１０人の軟Ｘ線を含むＳＲ光を約３０００ｍＪ／ｃｍ
２照射しくこの照射量はＳＲ光を露光に使う場合の照射
量数十〜１００ｍＪ／ｃｍ２に比べてずつと多い）、ペ
ースポリマーを三次元的に架橋させ、硬化させる（第１
図（Ｃ））。続いて基板１１を例えばホットプレート１
３上で約３００°Ｃに加熱してＳＲ光照射によって生じ
たメタノール等の揮発性反応生成物を除去する（第１図
（ｄ））。反応生成物が水素のように自然にレジスト外
へ出てしまうものである場合は加熱は不要である。
次に本発明のレジスト硬化方法と従来のＤＵＶ光を用い
たレジスト硬化方法の違いについて述べる。第２図に従
来のＤＵＶ光によるレジスト硬化とＳＲ光によるレジス
ト硬化の違いを模式的に示す。
たレジスト硬化方法の違いについて述べる。第２図に従
来のＤＵＶ光によるレジスト硬化とＳＲ光によるレジス
ト硬化の違いを模式的に示す。
ＤＵＶ光の（ａ）にはレジストによる吸収のためパター
ン内部にはＤＵＶ光が十分照射されず、レジストパター
ン表面近傍２２ａのみが三次元的に架橋する。これに対
し、ＳＲ光の場合（ｂ）には、レジストパターン内部に
も均一に軟Ｘ線が照射される為、パターン全体が三次元
的に架橋し、耐熱性が高くなる。この結果、ＤＵＶ光に
よる硬化の場合には約２２０°Ｃ以上の温度でレジスト
パターンの変形が生じたのに対し、ＳＲ光により硬化し
た場合には約３５０°Ｃまで全くパターンの変形を生じ
ない。
ン内部にはＤＵＶ光が十分照射されず、レジストパター
ン表面近傍２２ａのみが三次元的に架橋する。これに対
し、ＳＲ光の場合（ｂ）には、レジストパターン内部に
も均一に軟Ｘ線が照射される為、パターン全体が三次元
的に架橋し、耐熱性が高くなる。この結果、ＤＵＶ光に
よる硬化の場合には約２２０°Ｃ以上の温度でレジスト
パターンの変形が生じたのに対し、ＳＲ光により硬化し
た場合には約３５０°Ｃまで全くパターンの変形を生じ
ない。
（発明の効果）
本発明によってドライエツチング工程等におけるレジス
トパターンの耐熱性が向上する。
トパターンの耐熱性が向上する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のレジスト硬化方法を工
程順に説明する模式断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は従
来のＤＵＶ硬化法と本発明のレジスト硬化法によるレジ
ストの架橋効果の違いを示す模式図である。
程順に説明する模式断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は従
来のＤＵＶ硬化法と本発明のレジスト硬化法によるレジ
ストの架橋効果の違いを示す模式図である。
Claims (1)
- レジストパターンにシンクロトロン放射光を照射して
硬化させることを特徴とするレジスト硬化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151045A JPH0442522A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | レジスト硬化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151045A JPH0442522A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | レジスト硬化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442522A true JPH0442522A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15510096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2151045A Pending JPH0442522A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | レジスト硬化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442522A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957432A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2151045A patent/JPH0442522A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957432A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
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