JPH0442835B2 - - Google Patents
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- JPH0442835B2 JPH0442835B2 JP59197348A JP19734884A JPH0442835B2 JP H0442835 B2 JPH0442835 B2 JP H0442835B2 JP 59197348 A JP59197348 A JP 59197348A JP 19734884 A JP19734884 A JP 19734884A JP H0442835 B2 JPH0442835 B2 JP H0442835B2
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- JP
- Japan
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- bsf
- optical sensor
- manufacturing
- wafer
- infrared irradiation
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は受光素子、太陽電池等として広く用い
られている光センサの製造方法、さらに詳しくい
えば赤外線照射により浅い接合とBSFを同時に
形成する光センサの製造方法に関する。
られている光センサの製造方法、さらに詳しくい
えば赤外線照射により浅い接合とBSFを同時に
形成する光センサの製造方法に関する。
ここでBSFとは裏面に小数キヤリヤを押し戻
す電位勾配を形成して裏面での小数キヤリヤの再
結合を防ぐことができる効果をいう。
す電位勾配を形成して裏面での小数キヤリヤの再
結合を防ぐことができる効果をいう。
（従来の技術）
Si太陽電池の反射防止膜と受光面の浅い接合形
成をTiO2とP2O5の混合物をスピンオン法で、Si
のエツチ面に塗布して電気炉の中で900℃〜930℃
で15分程度加熱して、不純物Ｐを拡散によつて行
う。
成をTiO2とP2O5の混合物をスピンオン法で、Si
のエツチ面に塗布して電気炉の中で900℃〜930℃
で15分程度加熱して、不純物Ｐを拡散によつて行
う。
次にウエーハの裏面にスクリーン印刷で塗布し
たAl膜を電気炉で800℃〜825℃で２分程度加熱
してp+層を形成することにより、BSF効果を持
たせる。
たAl膜を電気炉で800℃〜825℃で２分程度加熱
してp+層を形成することにより、BSF効果を持
たせる。
最後に受光面の電極は、銀ペーストをＡ・Ｒ膜
（TiO2膜）の上にスクリーン印刷して、600℃〜
610℃で加熱してつくり、最大効率16％の太陽電
池を得ている。
（TiO2膜）の上にスクリーン印刷して、600℃〜
610℃で加熱してつくり、最大効率16％の太陽電
池を得ている。
この方法には以下の問題がある。
900℃〜930℃で15分と、受光層の浅い接合を
形成する時間が長い。
形成する時間が長い。
BSF効果を発生させるために800〜825℃で
２分間熱処理をする必要がある。と温度およ
び時間が異なり、同一のプロセスになりえな
い。
２分間熱処理をする必要がある。と温度およ
び時間が異なり、同一のプロセスになりえな
い。
高温処理（900℃〜930℃）時間が15分と長
く、基板の寿命が減少し、逆方向電流の増加、
開放電圧の減少、長波長応答の減少が予測され
る。
く、基板の寿命が減少し、逆方向電流の増加、
開放電圧の減少、長波長応答の減少が予測され
る。
受光層の浅い接合を形成する時間を短くして前
記問題を解決するために本件発明者の一人は1984
年６月28日付けで「トランジエント光照射技術を
用いた低コストSi太陽電池」（論文番号SSD84−
27）と題して社団法人電子通信学会において発表
を行つている。
記問題を解決するために本件発明者の一人は1984
年６月28日付けで「トランジエント光照射技術を
用いた低コストSi太陽電池」（論文番号SSD84−
27）と題して社団法人電子通信学会において発表
を行つている。
前記論文記載の方法によれば、極めて短時間の
熱処理により浅い接合層を形成することができ
る。熱平衡状態だけでは説明できない増速された
拡散が発生していると推定される。これは半導体
ウエーハと不純物を含んだ絶縁膜間に熱膨張係数
の差による歪が発生することによると考えられ
る。短時間の熱処理による拡散により基板の拡散
長の劣化を防止することができるので、短時間で
良質の接合を形成することができ、従来の太陽電
池等の製造プロセスを大幅に改善できる。
熱処理により浅い接合層を形成することができ
る。熱平衡状態だけでは説明できない増速された
拡散が発生していると推定される。これは半導体
ウエーハと不純物を含んだ絶縁膜間に熱膨張係数
の差による歪が発生することによると考えられ
る。短時間の熱処理による拡散により基板の拡散
長の劣化を防止することができるので、短時間で
良質の接合を形成することができ、従来の太陽電
池等の製造プロセスを大幅に改善できる。
本件発明者等は前記熱処理をさらに検討した結
果、前記異常拡散についてのより多くのデータを
得るとともに、半導体ウエーハの裏面にBSF効
果を与える半導体のハイ・ロー結合層を同時に形
成できることを突き止めた。
果、前記異常拡散についてのより多くのデータを
得るとともに、半導体ウエーハの裏面にBSF効
果を与える半導体のハイ・ロー結合層を同時に形
成できることを突き止めた。
（発明の目的）
本発明の目的は赤外線照射による極短時間の熱
処理により浅い接合とBSF効果を与える半導体
のハイ・ロー結合層を同時に形成できる光センサ
の製造方法を提供することにある。
処理により浅い接合とBSF効果を与える半導体
のハイ・ロー結合層を同時に形成できる光センサ
の製造方法を提供することにある。
（発明の構成）
前記目的を達成するために本発明による赤外線
照射により浅い接合とBSFを同時に形成する光
センサの製造方法は、 拡散により表面に接合を形成する光センサの製
造方法において、 半導体ウエーハの裏面にハイ・ロー接合用の金
属膜を形成し、 半導体ウエーハの表面に前記半導体とは異なる熱
膨張係数を持ち拡散しようとする不純物を含んだ
絶縁膜を形成し、 前記半導体ウエーハを赤外線源を持つ炉中に配
置し、前記半導体ウエーハと不純物を含んだ絶縁
膜間に熱膨張係数の差による歪が発生する急激な
温度勾配で昇温し極短時間加熱して受光面に浅い
接合と裏面にBSF効果を呈するハイ・ロー接合
を同時に形成するよう構成されている。
照射により浅い接合とBSFを同時に形成する光
センサの製造方法は、 拡散により表面に接合を形成する光センサの製
造方法において、 半導体ウエーハの裏面にハイ・ロー接合用の金
属膜を形成し、 半導体ウエーハの表面に前記半導体とは異なる熱
膨張係数を持ち拡散しようとする不純物を含んだ
絶縁膜を形成し、 前記半導体ウエーハを赤外線源を持つ炉中に配
置し、前記半導体ウエーハと不純物を含んだ絶縁
膜間に熱膨張係数の差による歪が発生する急激な
温度勾配で昇温し極短時間加熱して受光面に浅い
接合と裏面にBSF効果を呈するハイ・ロー接合
を同時に形成するよう構成されている。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
第１図は本発明による赤外線照射による光セン
サの方法の第１の実施例の製造工程を示す工程図
である。
サの方法の第１の実施例の製造工程を示す工程図
である。
この工程図な、面方位（100）比抵抗10Ωcmの
CZシリコンｐ形ウエーハについて示されている。
CZシリコンｐ形ウエーハについて示されている。
シリコンウエーハ準備工程１０で前記ウエーハ
を準備する。なおウエーハの熱膨張係数は2.5×
10-6／℃である。
を準備する。なおウエーハの熱膨張係数は2.5×
10-6／℃である。
裏面の処理工程１１で前記ウエーハの裏面に真
空蒸着によりアルミニユウム（Al）を蒸着する。
不純物を含む絶縁膜形成工程１２により前記ウエ
ーハの表面に拡散しようとする不純物を含む絶縁
膜を形成する。
空蒸着によりアルミニユウム（Al）を蒸着する。
不純物を含む絶縁膜形成工程１２により前記ウエ
ーハの表面に拡散しようとする不純物を含む絶縁
膜を形成する。
良く知られているスピンオン法によりＰをドー
プした2000〜3000ÅのSiO2膜を形成した。
プした2000〜3000ÅのSiO2膜を形成した。
なお前記不純物を含む絶縁膜の熱膨張係数は
0.5×10-6／℃である。
0.5×10-6／℃である。
照射加温工程１３において、前記アルミ蒸着面
と不純物を含む絶縁膜が形成されたウエーハをハ
ロゲンランプの炉中に配置して、不活性ガス
（N2）中でトランジエント加熱を行つた。
と不純物を含む絶縁膜が形成されたウエーハをハ
ロゲンランプの炉中に配置して、不活性ガス
（N2）中でトランジエント加熱を行つた。
第２図は、トランジエント加熱の一例を示す温
度プログラム図である。
度プログラム図である。
温度のモニタは、クロメル−アルメル熱電対を
前記ウエーハに接触させておこなつた。
前記ウエーハに接触させておこなつた。
ハロゲンランプを点炉する前にウエーハ温度を
100℃に保つておく。
100℃に保つておく。
第２図には炉内温度を900℃まで、昇温スピー
ドは50℃／secで上昇させる例を示している。こ
のようにして熱処理されたウエーハはよく知られ
ている電極作成工程１５を経て、素子切出し工程
１６で１×１cm2のチツプに加工される。
ドは50℃／secで上昇させる例を示している。こ
のようにして熱処理されたウエーハはよく知られ
ている電極作成工程１５を経て、素子切出し工程
１６で１×１cm2のチツプに加工される。
ハロゲンランプを点灯してから設定温度（第２
図では900℃）に達してから短時間、設定温度を
保つ、この明細書では、設定温度の98％に達した
時点からハロゲンランプを消燈するまでの時間を
拡散時間と仮に定義して用いる。
図では900℃）に達してから短時間、設定温度を
保つ、この明細書では、設定温度の98％に達した
時点からハロゲンランプを消燈するまでの時間を
拡散時間と仮に定義して用いる。
設定時間、800、850、900、950℃において、拡
散時間を１〜20秒の範囲で適当に選び種々の試料
を得た。
散時間を１〜20秒の範囲で適当に選び種々の試料
を得た。
ホール測定４、これらの試料につき陽極酸化と
ホール測定を繰り返して行うことにより、拡散さ
れたキヤリヤ濃度の深さ方向の分布を測定した。
ホール測定を繰り返して行うことにより、拡散さ
れたキヤリヤ濃度の深さ方向の分布を測定した。
第３図に前記測定で得られたキヤリヤ濃度およ
び移動度のグラフを示す。
び移動度のグラフを示す。
設定温度900℃、950℃のときは、いずれも、最
初の１秒間で異常に大きな拡散が生じ、１秒から
５秒の間よりも大きな拡散が観測される。
初の１秒間で異常に大きな拡散が生じ、１秒から
５秒の間よりも大きな拡散が観測される。
このことは前記論文において詳述されている。
本件発明者等は設定温度900℃において、前記
50℃／sec以外の他の昇温率10℃／sec、20℃／
sec、30℃／sec、を選定して、拡散時間を５秒と
して熱処理を行つた。
50℃／sec以外の他の昇温率10℃／sec、20℃／
sec、30℃／sec、を選定して、拡散時間を５秒と
して熱処理を行つた。
キヤリア濃度の測定結果を第４図に示す。
この測定結果からも、昇温率が大きかつたもの
のほうがより大きな拡散深さを得ることができる
ことが理解できる。
のほうがより大きな拡散深さを得ることができる
ことが理解できる。
次に本発明方法によりBSF効果層を形成した
太陽電池（n+／pp+形）と、同じ熱処理を施した
がBSF効果層を形成しなかつた太陽電池（n+／
ｐ形）のそれぞれの特性を比較する。
太陽電池（n+／pp+形）と、同じ熱処理を施した
がBSF効果層を形成しなかつた太陽電池（n+／
ｐ形）のそれぞれの特性を比較する。
BSF効果層を形成するためにρ＝10Ωcm、厚さ
500μｍのｐ形Siウエーハの裏面に3000ÅのAlを
蒸着して、表面に前記方法で不純物を含む絶縁層
を形成する。
500μｍのｐ形Siウエーハの裏面に3000ÅのAlを
蒸着して、表面に前記方法で不純物を含む絶縁層
を形成する。
他の試料は同一のウエーハの表面に不純物を含
む絶縁層を形成する。
む絶縁層を形成する。
両ウエーハを設定温度900℃、拡散時間10秒、
昇温率50℃／secで熱処理をおこなつた。
昇温率50℃／secで熱処理をおこなつた。
第５図に前記各太陽電池の分光特性を比較して
示してある。
示してある。
BSF効果層を形成した太陽電池は、BSF効果
層を持たない太陽電池に比較して長波長側が高感
度化されている。
層を持たない太陽電池に比較して長波長側が高感
度化されている。
第６図に前記各太陽電池のＩ−Ｖ特性を比較し
て示してある。
て示してある。
BSF効果層を形成した太陽電池は、BSF効果
層を持たない太陽電池に比較して効率も9.01％か
ら10.88％となり、約２割の上昇が見られる。以
上のデータは表面に反射防止膜を施していないも
のであるが反射防止膜をつければ30〜40％効率が
上昇することが知られている。
層を持たない太陽電池に比較して効率も9.01％か
ら10.88％となり、約２割の上昇が見られる。以
上のデータは表面に反射防止膜を施していないも
のであるが反射防止膜をつければ30〜40％効率が
上昇することが知られている。
したがつて反射防止膜を形成することにより効
率を35％上昇できるとすると、本発明方法による
太陽電池に反射防止膜を形成すれば14.7％程度の
効率の太陽電池が得られることになる。
率を35％上昇できるとすると、本発明方法による
太陽電池に反射防止膜を形成すれば14.7％程度の
効率の太陽電池が得られることになる。
前述した第１の実施例と同様な工程−Ｖ属化
合物ウエーハによる光センサを製造することもで
きる。
合物ウエーハによる光センサを製造することもで
きる。
ガリウム・砒素・燐（GaAsP）ウエーハによ
る第２の実施例について説明する。
る第２の実施例について説明する。
前記実施例同様にウエーハの準備工程１０、裏
面の処理工程１１、不純物を含む絶縁膜形成工程
１２を経て、照射加温工程１３において、前記ア
ルミ蒸着面と不純物を含む絶縁膜が形成されたウ
エーハを800℃で２秒間拡散を行う。
面の処理工程１１、不純物を含む絶縁膜形成工程
１２を経て、照射加温工程１３において、前記ア
ルミ蒸着面と不純物を含む絶縁膜が形成されたウ
エーハを800℃で２秒間拡散を行う。
続いて工程１５，１６を経てガリウム・砒素・
燐ウエーハによる光センサを得た。
燐ウエーハによる光センサを得た。
第７図に前記工程で得られた光センサと、同じ
基板に従来の拡散方法（800℃、60分）を用いて
形成したものとを、それぞれの電圧電流特性を比
較して示してある。
基板に従来の拡散方法（800℃、60分）を用いて
形成したものとを、それぞれの電圧電流特性を比
較して示してある。
第８図は第２の実施例による光センサと、前記
従来の拡散方法（800℃、60分）を用いて形成し
たものとを、それぞれの分光感度特性を比較して
示したグラフである。
従来の拡散方法（800℃、60分）を用いて形成し
たものとを、それぞれの分光感度特性を比較して
示したグラフである。
第２の実施例によるものは優れた電圧電流特性
を示し、短波長側にも充分な感度をもつことが理
解できる。
を示し、短波長側にも充分な感度をもつことが理
解できる。
（変形例）
以上詳しく説明した実施例につき本発明の範囲
内で種々の変形を施すことができる。
内で種々の変形を施すことができる。
前記各実施例において前記不純物を含む絶縁膜
形成工程１２の次に不純物を含まない絶縁膜形成
工程を設けると不純物が気相に散逸することを防
止できる。
形成工程１２の次に不純物を含まない絶縁膜形成
工程を設けると不純物が気相に散逸することを防
止できる。
前記各実施例において照射加温工程１３の炉内
の不活性ガスを大気に、また水素に置き換えても
良い。
の不活性ガスを大気に、また水素に置き換えても
良い。
また第２の実施例としてガリウム・砒素・燐
（GaAsP）のウエーハの例を示したが他の−Ｖ
族化合物（GaAs）（GaP）等について同様な工
程を適用することができる。
（GaAsP）のウエーハの例を示したが他の−Ｖ
族化合物（GaAs）（GaP）等について同様な工
程を適用することができる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明による製造方法に
よれば、一回の短時間の熱処理により、表面の薄
い接合と裏面のBSF効果層を同時に形成するこ
とができ、しかも従来の太陽電池よりも高い効率
の太陽電池が得られる。
よれば、一回の短時間の熱処理により、表面の薄
い接合と裏面のBSF効果層を同時に形成するこ
とができ、しかも従来の太陽電池よりも高い効率
の太陽電池が得られる。
また製造工程が簡単でかつ短時間でよいから太
陽電池等の製造工程を大幅に合理化することがで
きる。
陽電池等の製造工程を大幅に合理化することがで
きる。
第１図は本発明により赤外線照射による光セン
サの製造工程の実施例を示す工程図である。第２
図は炉内温度の制御例を示すグラフである。第３
図は前記測定で得られたキヤリヤ濃度およびホー
ル移動度を示すグラフである。第４図は昇温速度
を変えて、拡散の深さを比較したグラフである。
第５図は本発明による方法で製造した太陽電池の
分光特性を示すグラフ、第６図は本発明による方
法で製造した太陽電池のＩ−Ｖ性を示すグラフで
あつて、それぞれ同一の熱処理を施して製造した
太陽電池でBSF効果層を形成していないものの
特性と比較して示してある。第７図は本発明によ
る方法で、ガリウム・砒素・燐（GaAsP）のウ
エーハを用いて製造した光センサと、同じウエー
ハに従来の拡散方法を適用して製造した光センサ
とを、それぞれの電圧電流特性を比較して示した
グラフである。第８図は本発明による方法で、ガ
リウム・砒素・燐（GaAsP）のウエーハを用い
て製造した光センサと、同じウエーハに従来の拡
散方法を適用して製造した光センサとを、それぞ
れの分光感度特性を比較して示栄したグラフであ
る。 １０……シリコンウエーハ準備工程、１１……
Al蒸着工程、１２……不純物を含む絶縁膜形成
工程、１３……照射加温工程、１４……ホール測
定、１５……電極作成工程、１６……素子切出し
工程。
サの製造工程の実施例を示す工程図である。第２
図は炉内温度の制御例を示すグラフである。第３
図は前記測定で得られたキヤリヤ濃度およびホー
ル移動度を示すグラフである。第４図は昇温速度
を変えて、拡散の深さを比較したグラフである。
第５図は本発明による方法で製造した太陽電池の
分光特性を示すグラフ、第６図は本発明による方
法で製造した太陽電池のＩ−Ｖ性を示すグラフで
あつて、それぞれ同一の熱処理を施して製造した
太陽電池でBSF効果層を形成していないものの
特性と比較して示してある。第７図は本発明によ
る方法で、ガリウム・砒素・燐（GaAsP）のウ
エーハを用いて製造した光センサと、同じウエー
ハに従来の拡散方法を適用して製造した光センサ
とを、それぞれの電圧電流特性を比較して示した
グラフである。第８図は本発明による方法で、ガ
リウム・砒素・燐（GaAsP）のウエーハを用い
て製造した光センサと、同じウエーハに従来の拡
散方法を適用して製造した光センサとを、それぞ
れの分光感度特性を比較して示栄したグラフであ
る。 １０……シリコンウエーハ準備工程、１１……
Al蒸着工程、１２……不純物を含む絶縁膜形成
工程、１３……照射加温工程、１４……ホール測
定、１５……電極作成工程、１６……素子切出し
工程。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 拡散により表面に接合を形成する光センサの
製造方法において、 半導体ウエーハの裏面にハイ・ロー接合用の金
属膜を形成し、 半導体ウエーハの表面に前記半導体とは異なる
熱膨張係数を持ち拡散しようとする不純物を含ん
だ絶縁膜を形成し、 前記半導体ウエーハを赤外線源を持つ炉中に配
置し、 前記半導体ウエーハと不純物を含んだ絶縁膜間
に熱膨張係数の差による歪が発生する急激な温度
勾配で昇温し極短時間加熱した受光面に浅い接合
と裏面にBSF効果を呈するハイ・ロー接合を同
時に形成するよう構成したことを特徴とする赤外
線照射により浅い接合とBSFを同時に形成する
光センサの製造方法。 ２ 前記半導体ウエーハはシリコンウエーハであ
る特許請求の範囲第１項記載の赤外線照射により
浅い接合とBSFを同時に形成する光センサの製
造方法。 ３ 前記シリコンウエーハは面方位（100）比抵
抗10ΩcmのCZシリコンｐ形ウエーハである特許
請求の範囲第２項記載の赤外線照射により浅い接
合とBSFを同時に形成する光センサの製造方法。 ４ 前記不純物を含んだ絶縁膜はスピンオン法に
より形成されたＰをドープしたSiO2膜である特
許請求の範囲第２項記載の赤外線照射により浅い
接合とBSFを同時に形成する光センサの製造方
法。 ５ 前記不純物を含んだ絶縁膜の厚さは、2000〜
3000Åである特許請求の範囲第４項記載の赤外線
照射により浅い接合とBSFを同時に形成する光
センサの製造方法。 ６ 前記ハイ・ロー接合用の金属膜はアルミニユ
ウムである特許請求の範囲第１項記載の赤外線照
射により浅い接合とBSFを同時に形成する光セ
ンサの製造方法。 ７ 前記半導体ウエーハは−Ｖ族化合物である
特許請求の範囲第１項記載の赤外線照射により浅
い接合とBSFを同時に形成する光センサの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197348A JPS6174378A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 赤外線照射により浅い接合とｂｓｆを同時に形成する光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197348A JPS6174378A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 赤外線照射により浅い接合とｂｓｆを同時に形成する光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174378A JPS6174378A (ja) | 1986-04-16 |
| JPH0442835B2 true JPH0442835B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=16372984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59197348A Granted JPS6174378A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 赤外線照射により浅い接合とｂｓｆを同時に形成する光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174378A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256427A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-09 | Nec Corp | 不純物拡散法 |
| US5223453A (en) * | 1991-03-19 | 1993-06-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Controlled metal-semiconductor sintering/alloying by one-directional reverse illumination |
| GB0114896D0 (en) * | 2001-06-19 | 2001-08-08 | Bp Solar Ltd | Process for manufacturing a solar cell |
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-
1984
- 1984-09-20 JP JP59197348A patent/JPS6174378A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6174378A (ja) | 1986-04-16 |
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