JPH0442897A - 単結晶引き上げ用るつぼおよびその製造方法 - Google Patents
単結晶引き上げ用るつぼおよびその製造方法Info
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- JPH0442897A JPH0442897A JP14593190A JP14593190A JPH0442897A JP H0442897 A JPH0442897 A JP H0442897A JP 14593190 A JP14593190 A JP 14593190A JP 14593190 A JP14593190 A JP 14593190A JP H0442897 A JPH0442897 A JP H0442897A
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- boron
- ammonia
- mol
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- borate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は熱分解窒化ほう素およびその製造方法、特には
層構造の発達した異方性の高いものであることから、化
合物半導体単結晶引き上げ用るつぼ材として有用とされ
る熱分解窒化ほう素およびその製造方法に関するもので
ある。
層構造の発達した異方性の高いものであることから、化
合物半導体単結晶引き上げ用るつぼ材として有用とされ
る熱分解窒化ほう素およびその製造方法に関するもので
ある。
（従来の技術）
熱分解窒化ほう素（以下Ｐ−ＢＮと略記する）の製造方
法については、ハロゲン化ほう素とアンモニアとを温度
、１，４５０〜２，３００℃、圧力５０＋ａｍＨｇ以下
という条件で熱化学蒸着させるという方法が公知とされ
ており（米国特許第３，１５２，００６号明細書参照）
、この方法で得られるＰ−ＢＮ結晶が堆積方向に配向さ
れることから層状構造をもつ、結晶配向度がｌＯ〜１０
０である異方性のものになる。
法については、ハロゲン化ほう素とアンモニアとを温度
、１，４５０〜２，３００℃、圧力５０＋ａｍＨｇ以下
という条件で熱化学蒸着させるという方法が公知とされ
ており（米国特許第３，１５２，００６号明細書参照）
、この方法で得られるＰ−ＢＮ結晶が堆積方向に配向さ
れることから層状構造をもつ、結晶配向度がｌＯ〜１０
０である異方性のものになる。
また、これについてはほう酸アルキルエステルとアンモ
ニアとを温度１，１００−１．９（１０℃、圧力約１ト
ールで熱分解蒸着させる法（米国特許第３．６９２，５
６６号明細書参照）、またこの反応を温度１．２００〜
２，３００ 、圧力１００トールで行なうという方法（
米国特許３４４，０９６，２９７号明細書参照）も知ら
れているが、この場合に得られるＰ−ＢＮは層状構造で
はなく等方性のものであり、結晶配向度も１〜ｌＯと低
いものになる。
ニアとを温度１，１００−１．９（１０℃、圧力約１ト
ールで熱分解蒸着させる法（米国特許第３．６９２，５
６６号明細書参照）、またこの反応を温度１．２００〜
２，３００ 、圧力１００トールで行なうという方法（
米国特許３４４，０９６，２９７号明細書参照）も知ら
れているが、この場合に得られるＰ−ＢＮは層状構造で
はなく等方性のものであり、結晶配向度も１〜ｌＯと低
いものになる。
さらにこのＰ−ＢＮの製造方法についてはハロゲン化ほ
う素とアンモニアとを少量のほう酸アルキルエステルの
存在下に温度１，１００〜１，６００℃で反応させる方
法も公知とされており（米国特許第４．５４４，５３５
号明細書参照）、これによれば層状構造にはならないが
異方性をもフており、結晶配向度が１０〜１００のもの
が得られるとされている。
う素とアンモニアとを少量のほう酸アルキルエステルの
存在下に温度１，１００〜１，６００℃で反応させる方
法も公知とされており（米国特許第４．５４４，５３５
号明細書参照）、これによれば層状構造にはならないが
異方性をもフており、結晶配向度が１０〜１００のもの
が得られるとされている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、これら公知の方法で得られたＰ−ＢＮはこれを
化合物半導体結晶引き上げ用るつぼとして使用すると、
このＰ−ＢＮと化合物半導体融液との濡れ性が良いため
に、冷却時に熱収縮応力がるつぼに発生し、層状構造を
もつＰ−ＢＮから作られたるつぼにはその内面が層にし
たがって剥離し、この剥離量が多いために通常２０回程
度しか使用できないという不利があり、層状構造をもた
ないＰ−ＢＮから作られたるつぼは割れてしまうために
繰り返し使用することができないという欠点がある。
化合物半導体結晶引き上げ用るつぼとして使用すると、
このＰ−ＢＮと化合物半導体融液との濡れ性が良いため
に、冷却時に熱収縮応力がるつぼに発生し、層状構造を
もつＰ−ＢＮから作られたるつぼにはその内面が層にし
たがって剥離し、この剥離量が多いために通常２０回程
度しか使用できないという不利があり、層状構造をもた
ないＰ−ＢＮから作られたるつぼは割れてしまうために
繰り返し使用することができないという欠点がある。
（課題を解決するための手段）
本発明はこのような不利を解決したＰ−ＢＮおよびその
製造方法に関するものであり、これは結晶配向度が１，
０００以上であるＰ−ＢＮおよびハロゲン化ほう素、ほ
う酸アルキルエステルおよびアンモニアを１，６００℃
以上、５０トール以下で反応させることを特徴とするＰ
−ＢＮの製造方法に関するものである。
製造方法に関するものであり、これは結晶配向度が１，
０００以上であるＰ−ＢＮおよびハロゲン化ほう素、ほ
う酸アルキルエステルおよびアンモニアを１，６００℃
以上、５０トール以下で反応させることを特徴とするＰ
−ＢＮの製造方法に関するものである。
すなわち、本発明者らは化合物半導体単結晶引き上げ用
るつぼ材として好適とされるＰ−ＢＮの製造方法につい
て種々検討した結果、ハロゲン化ほう素、ほう酸アルキ
ルエステルおよびアンモニアとの反応を１，６００℃以
上、５０トール以下で反応させると、従来公知のＰ−Ｂ
Ｎにくらべてより層構造の発達した結晶配向度が１，０
００以上のＰ−ＢＮが得られるし、このものは異方性が
極めて高いものとなるので、これを化合物半導体単結晶
引き上げ用るつぼ材として使用すると、この発達した層
構造によって冷却時に起る剥離が深さの方向に広がるの
が防止され、この剥離量が極めて少ないものとなるので
、この繰り返し使用回数を多くすることができるという
ことを見出し、この反応条件についての研究を進めて本
発明を完成させた。
るつぼ材として好適とされるＰ−ＢＮの製造方法につい
て種々検討した結果、ハロゲン化ほう素、ほう酸アルキ
ルエステルおよびアンモニアとの反応を１，６００℃以
上、５０トール以下で反応させると、従来公知のＰ−Ｂ
Ｎにくらべてより層構造の発達した結晶配向度が１，０
００以上のＰ−ＢＮが得られるし、このものは異方性が
極めて高いものとなるので、これを化合物半導体単結晶
引き上げ用るつぼ材として使用すると、この発達した層
構造によって冷却時に起る剥離が深さの方向に広がるの
が防止され、この剥離量が極めて少ないものとなるので
、この繰り返し使用回数を多くすることができるという
ことを見出し、この反応条件についての研究を進めて本
発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
（作用）
本発明は結晶配向度が１．０００以上であるＰ−ＢＮお
よびハロゲン化ほう素、ほう酸アルキルエステルおよび
アンモニアの反応によるＰ−ＢＮ製造方法の改良に関す
るものである。
よびハロゲン化ほう素、ほう酸アルキルエステルおよび
アンモニアの反応によるＰ−ＢＮ製造方法の改良に関す
るものである。
本発明によるＰ−ＢＮの製造はハロゲン化ほう素、ほう
酸アルキルエステルおよびアンモニアとの反応により行
なわれる。
酸アルキルエステルおよびアンモニアとの反応により行
なわれる。
ここに使用されるハロゲン化ほう素は三塩化ほう素、三
フッ化ほう素のようなものとすればよいし、またここに
使用されるほう酸アルキルエステルはほう酸メチル、ほ
う酸エチルなどとすればよく、ここに使用されるアンモ
ニアも従来公知の方法で使用されるものとすればよいが
、これらは目的とする化合物半導体単結晶引き上げ用る
つぼが高純度であることが要求されるものであることか
ら、いずれも充分に精製した高純度のものとすることが
必要とされる。
フッ化ほう素のようなものとすればよいし、またここに
使用されるほう酸アルキルエステルはほう酸メチル、ほ
う酸エチルなどとすればよく、ここに使用されるアンモ
ニアも従来公知の方法で使用されるものとすればよいが
、これらは目的とする化合物半導体単結晶引き上げ用る
つぼが高純度であることが要求されるものであることか
ら、いずれも充分に精製した高純度のものとすることが
必要とされる。
このハロゲン化ほう素、ほう酸アルキルエステル、アン
モニアの配合比はハロゲン化ほう素１モルに対してほう
酸アルキルエステルが０．１モル未満では少なすぎて層
構造が発達せず、１．０モルより多くすると層状になら
ないので、０．１〜１．０モルの範囲とすればよく、こ
のアンモニアについてはハロゲン化ほう素１モルに対し
て２モル未満とすると少なすぎて生成物中に過剰のほう
素が多くなり、１０モルより多くすると未反応のアンモ
ニアが多くなるので、２〜１０モルの範囲とすればよハ
。
モニアの配合比はハロゲン化ほう素１モルに対してほう
酸アルキルエステルが０．１モル未満では少なすぎて層
構造が発達せず、１．０モルより多くすると層状になら
ないので、０．１〜１．０モルの範囲とすればよく、こ
のアンモニアについてはハロゲン化ほう素１モルに対し
て２モル未満とすると少なすぎて生成物中に過剰のほう
素が多くなり、１０モルより多くすると未反応のアンモ
ニアが多くなるので、２〜１０モルの範囲とすればよハ
。
また、この反応はＰ−ＢＮを高純度のものとして取得す
るということから通常、これは高純度グラファイト製の
反応容器中で行なわせることがよいが、これを公知の１
．ｔｏｏ〜１．６００℃という温度で行なわせると得ら
れるＰ−ＢＮが層状構造をもつものとならないので、こ
れは１，６００℃以上の例えば１．７００〜１，９００
℃で行なう必要があるが、この場合の圧力は５０ト一ル
以上では膜とならないので５０ト一ル未満とすればよい
。このように１，６００℃以上という高温、５０トール
以下で反応させると、得られるＰ−ＢＮは従来公知の方
法で得られるものにくらべて層構造がより発達したもの
となるし、異方性も極めて高いものとなり、式 ％式％） （ここにＩ ｃ （００２）は堆積面に垂直な方向の（
００２）面のＸ線回折強度、Ｉｃ（１０）は堆積面に垂
直な方向の（１Ｇ）面のＸ線回折強度、Ｉ ａ （００
２）は堆積面に平行な方向の（００２）面のＸ線回折強
度、Ｉａ（ｔｏ）は堆積面に平行な方向の（１０）面の
Ｘ線回折強度）で示される結晶配向度が従来品の１〜１
００にくらべて著しく高い１，０００〜１００，０００
となり、このものを化合物半導体単結晶引き上げ用るつ
ぼとして使用すると、この発達した層構造が剥離の深さ
方向に広げるのを防ぐので、この剥離を従来品にくらべ
て著しく薄いものとすることができるという有利性が与
えられる。
るということから通常、これは高純度グラファイト製の
反応容器中で行なわせることがよいが、これを公知の１
．ｔｏｏ〜１．６００℃という温度で行なわせると得ら
れるＰ−ＢＮが層状構造をもつものとならないので、こ
れは１，６００℃以上の例えば１．７００〜１，９００
℃で行なう必要があるが、この場合の圧力は５０ト一ル
以上では膜とならないので５０ト一ル未満とすればよい
。このように１，６００℃以上という高温、５０トール
以下で反応させると、得られるＰ−ＢＮは従来公知の方
法で得られるものにくらべて層構造がより発達したもの
となるし、異方性も極めて高いものとなり、式 ％式％） （ここにＩ ｃ （００２）は堆積面に垂直な方向の（
００２）面のＸ線回折強度、Ｉｃ（１０）は堆積面に垂
直な方向の（１Ｇ）面のＸ線回折強度、Ｉ ａ （００
２）は堆積面に平行な方向の（００２）面のＸ線回折強
度、Ｉａ（ｔｏ）は堆積面に平行な方向の（１０）面の
Ｘ線回折強度）で示される結晶配向度が従来品の１〜１
００にくらべて著しく高い１，０００〜１００，０００
となり、このものを化合物半導体単結晶引き上げ用るつ
ぼとして使用すると、この発達した層構造が剥離の深さ
方向に広げるのを防ぐので、この剥離を従来品にくらべ
て著しく薄いものとすることができるという有利性が与
えられる。
（実施例）
つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例１
毎時三塩化ほう素１モル、ほう酸メチル０．２モルおよ
びアンモニア１０モルを内径が１５０ｍｍφの高純度グ
ラファイト製反応容器内に供給し、１，６００℃、５ト
ールの条件で熱化学蒸着させたところ、層状構造であり
、結晶配向度が３３，０００であるＰ−ＢＮが得られた
ので、これから直径４インチのるつぼを作った。
びアンモニア１０モルを内径が１５０ｍｍφの高純度グ
ラファイト製反応容器内に供給し、１，６００℃、５ト
ールの条件で熱化学蒸着させたところ、層状構造であり
、結晶配向度が３３，０００であるＰ−ＢＮが得られた
ので、これから直径４インチのるつぼを作った。
ついでこのるつぼを使用して化合物半導体単結晶引上げ
時に封止剤として使われる無水ほう酸の融解、冷却を３
９回繰り返してそのときのるつぼの剥離量をしらべたと
ころ、これは０．３ｇ／回であった。
時に封止剤として使われる無水ほう酸の融解、冷却を３
９回繰り返してそのときのるつぼの剥離量をしらべたと
ころ、これは０．３ｇ／回であった。
実施例２
毎時三塩化ほう素１モル、ほう酸メチル０．３モルおよ
びアンモニア５モルを直径１５０ｍｍφの高純度グラフ
ァイト製反応容器に供給し、１，７００℃、５トールの
条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、この
Ｐ−ＢＮは層状構造で結晶配向度が１８，０００のもの
であった。
びアンモニア５モルを直径１５０ｍｍφの高純度グラフ
ァイト製反応容器に供給し、１，７００℃、５トールの
条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、この
Ｐ−ＢＮは層状構造で結晶配向度が１８，０００のもの
であった。
ついで、このＰ−ＢＮから直径４インチのるつぼを作り
、これについて実施例１と同じ試験を行なったところ、
このるつぼの剥離量は平均０．４ｇ／回であった。
、これについて実施例１と同じ試験を行なったところ、
このるつぼの剥離量は平均０．４ｇ／回であった。
実施例３
毎時三塩化ほう素１モル、ほう酸メチル０．８モルおよ
びアンモニア３モルを直径１５０ｍｍφの高純度グラフ
ァイト製反応容器に供給し、１，８００℃、７トールの
条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、この
Ｐ−ＢＮは層状構造をもつもので結晶配向度が１，９０
０のものであった。
びアンモニア３モルを直径１５０ｍｍφの高純度グラフ
ァイト製反応容器に供給し、１，８００℃、７トールの
条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、この
Ｐ−ＢＮは層状構造をもつもので結晶配向度が１，９０
０のものであった。
ついで、このＰ−ＢＮから直径４インチのるつぼを作り
、これについて実施例１と同じ試験を行なったところ、
このるつぼの剥離量は平均０ 、３ ｇ／回であった。
、これについて実施例１と同じ試験を行なったところ、
このるつぼの剥離量は平均０ 、３ ｇ／回であった。
実施例４
毎時三塩化ほう素１モル、ほう酸メチル０．５モルおよ
びアンモニア３モルを直径１５０ｍｍφの高純度グラフ
ァイト製反応容器に供給し、１，９００℃、１０トール
の条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、こ
のＰ−ＢＮは層状構造を有するもので結晶配向度が１，
１００のものであった。 ついで、このＰ−ＢＮから直
径４インチのるつぼを作り、これについて実施例１と同
じ試験を行なったところ、このるつぼの剥離量は平均０
．３ｇ／回であった。
びアンモニア３モルを直径１５０ｍｍφの高純度グラフ
ァイト製反応容器に供給し、１，９００℃、１０トール
の条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、こ
のＰ−ＢＮは層状構造を有するもので結晶配向度が１，
１００のものであった。 ついで、このＰ−ＢＮから直
径４インチのるつぼを作り、これについて実施例１と同
じ試験を行なったところ、このるつぼの剥離量は平均０
．３ｇ／回であった。
実施例５
毎時三フッ化ほう素１モル、ほう酸メチル０．２モルお
よびアンモニア５モルを直径１５０ｍｍφの高純度グラ
ファイト製反応容器に供給し、１，８００℃、３トール
の条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、こ
のＰ−ＢＮは層状構造を有するもので結晶配向度が３，
０００のものであった。
よびアンモニア５モルを直径１５０ｍｍφの高純度グラ
ファイト製反応容器に供給し、１，８００℃、３トール
の条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、こ
のＰ−ＢＮは層状構造を有するもので結晶配向度が３，
０００のものであった。
ついで、このＰ−ＢＮから直径４インチのるつぼを作り
、これについて実施例１と同じ試験を行なったところ、
このるつぼの剥離量は平均０．４ｇ ７回であった。
、これについて実施例１と同じ試験を行なったところ、
このるつぼの剥離量は平均０．４ｇ ７回であった。
実施例６
毎時三塩化ほう素１モル、ほう酸エチル０．６モルおよ
びアンモニア５モルを直径１８０ｍｍφの高純度グラフ
ァイト製反応容器に供給し、１．８００℃、１０トール
の条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、こ
のＰ−ＢＮは層状構造を有するもので結晶配向度がｓ、
ｏｏｏのものであった。
びアンモニア５モルを直径１８０ｍｍφの高純度グラフ
ァイト製反応容器に供給し、１．８００℃、１０トール
の条件で熱化学蒸着させてＰ−ＢＮを作ったところ、こ
のＰ−ＢＮは層状構造を有するもので結晶配向度がｓ、
ｏｏｏのものであった。
ついで、このＰ−ＢＮから直径４インチのるつぼを作り
、これについて実施例１と同じ試験を行なフたところ、
このるつぼの剥離量は平均０．３ｇ ７回であった。
、これについて実施例１と同じ試験を行なフたところ、
このるつぼの剥離量は平均０．３ｇ ７回であった。
比較例
毎時三塩化ほう素１モルとアンモニア３モルを直径１８
０＋ｗｍφの高純度グラファイト製反応容器に供給し、
１．８００℃、５トールの条件で熱化学蒸着させてＰ−
ＢＮを作ったところ、このＰ−ＢＮは層状構造を有する
ものであったが、結晶配向度は２８と低いものであった
。
０＋ｗｍφの高純度グラファイト製反応容器に供給し、
１．８００℃、５トールの条件で熱化学蒸着させてＰ−
ＢＮを作ったところ、このＰ−ＢＮは層状構造を有する
ものであったが、結晶配向度は２８と低いものであった
。
ついで、このＰ−ＢＮから直径４インチのるつぼを作り
、これについて実施例１と同じ試験を行なフなところ、
このるつぼの剥離量は平均２．０ｇ／回であった。
、これについて実施例１と同じ試験を行なフなところ、
このるつぼの剥離量は平均２．０ｇ／回であった。
（発明の効果）
本発明は層構造の発達した異方性の高いＰ−ＢＮおよび
その製造方法に関するものであり、これは前記したよう
にハロゲン化ほう素、ほう酸アルキルエステルおよびア
ンモニアを１．６（１０℃以上、５０トール以下で反応
させることを特徴とするものであるが、これによれば従
来法で得られたＰ−ＢＮにくらべて層構状がより発達し
た異方性の高いものが得られ、これはその結晶配向度が
１，０００以上のものとなり、このものを化合物半導体
単結晶引き上げ用るつぼとして用いた場合には、この発
達した層構造、結晶配向度が剥離の深さ方向への広がり
を防止するので、この剥離が従来法で得られたＰ−ＢＮ
から作られたるつぼにおける剥離にくらべて著しく小さ
いものとなり、したがってこのるつぼには長期間使用す
ることができるどう有利性が与えられる。
その製造方法に関するものであり、これは前記したよう
にハロゲン化ほう素、ほう酸アルキルエステルおよびア
ンモニアを１．６（１０℃以上、５０トール以下で反応
させることを特徴とするものであるが、これによれば従
来法で得られたＰ−ＢＮにくらべて層構状がより発達し
た異方性の高いものが得られ、これはその結晶配向度が
１，０００以上のものとなり、このものを化合物半導体
単結晶引き上げ用るつぼとして用いた場合には、この発
達した層構造、結晶配向度が剥離の深さ方向への広がり
を防止するので、この剥離が従来法で得られたＰ−ＢＮ
から作られたるつぼにおける剥離にくらべて著しく小さ
いものとなり、したがってこのるつぼには長期間使用す
ることができるどう有利性が与えられる。
〃 〃 兎 升 罐
懇偽
手続補正書溌
平成２年 ９月゛３日
特許庁長官 植 松 敏 殿
１、事件の表示
平成２年特許願第１４５９３１号
２、発明の名称
熱分解窒化ほう素およびその製造方法
３゜
補正をする者
事件との関係 特許出願人
名 称 （２０６）信越化学工業株式会社４゜
Claims (2)
- １．結晶配向度が１，０００以上である熱分解窒化ほう
素。 - ２．ハロゲン化ほう素、ほう酸アルキルエステルおよび
アンモニアを１，６００℃以上、５０トール以下で反応
させることを特徴とする熱分解窒化ほう素の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14593190A JP2883405B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 単結晶引き上げ用るつぼおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14593190A JP2883405B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 単結晶引き上げ用るつぼおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442897A true JPH0442897A (ja) | 1992-02-13 |
| JP2883405B2 JP2883405B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=15396389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14593190A Expired - Fee Related JP2883405B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 単結晶引き上げ用るつぼおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2883405B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011079715A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | National Institute For Materials Science | 超薄窒化ホウ素ナノシート及びその製造方法ならびに該シートを含有する光学用素材 |
| WO2015122379A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | 電気化学工業株式会社 | 球状窒化ホウ素微粒子およびその製造方法 |
| WO2015122378A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | 電気化学工業株式会社 | 窒化ホウ素微粒子およびその製造方法 |
| JP2016113338A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 信越化学工業株式会社 | 熱分解窒化ホウ素部材及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3152006A (en) | 1961-06-29 | 1964-10-06 | High Temperature Materials Inc | Boron nitride coating and a process of producing the same |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP14593190A patent/JP2883405B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2011079715A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | National Institute For Materials Science | 超薄窒化ホウ素ナノシート及びその製造方法ならびに該シートを含有する光学用素材 |
| WO2015122379A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | 電気化学工業株式会社 | 球状窒化ホウ素微粒子およびその製造方法 |
| WO2015122378A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | 電気化学工業株式会社 | 窒化ホウ素微粒子およびその製造方法 |
| JPWO2015122379A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2017-03-30 | デンカ株式会社 | 球状窒化ホウ素微粒子およびその製造方法 |
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