JPH0442917Y2 - - Google Patents
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- JPH0442917Y2 JPH0442917Y2 JP1985014071U JP1407185U JPH0442917Y2 JP H0442917 Y2 JPH0442917 Y2 JP H0442917Y2 JP 1985014071 U JP1985014071 U JP 1985014071U JP 1407185 U JP1407185 U JP 1407185U JP H0442917 Y2 JPH0442917 Y2 JP H0442917Y2
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- JP
- Japan
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- emitter
- conductor layer
- base
- region
- diagonal line
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、設計の自由度の高い構造のマルチエ
ミツタトランジスタに関する。
ミツタトランジスタに関する。
従来のマルチエミツタトランジスタのベース及
びエミツタの配線構造は第９図に示す如くであ
る。この第９図において、１はトランジスタチツ
プ、２はエミツタ電極、３はベース電極、２ａは
エミツタ配線部分、２ｂはボンデイングバツド部
分、３ａはベース配線部分、３ｂはボンデイング
バツド部分である。なお、エミツタ配線部分２ａ
の下はエミツタ領域（図示せず）が島状に形成
れ、ここに絶縁層の開口を通して配線部分２ａが
接続されている。また、ベース配線部分３ａはエ
ミツタ領域に重ならないように延在し、絶縁層の
開口を通してベース領域（図示せず）に接続され
ている。
びエミツタの配線構造は第９図に示す如くであ
る。この第９図において、１はトランジスタチツ
プ、２はエミツタ電極、３はベース電極、２ａは
エミツタ配線部分、２ｂはボンデイングバツド部
分、３ａはベース配線部分、３ｂはボンデイング
バツド部分である。なお、エミツタ配線部分２ａ
の下はエミツタ領域（図示せず）が島状に形成
れ、ここに絶縁層の開口を通して配線部分２ａが
接続されている。また、ベース配線部分３ａはエ
ミツタ領域に重ならないように延在し、絶縁層の
開口を通してベース領域（図示せず）に接続され
ている。
［考案が解決しようとする問題点］
ところで、マルチエミツタトランジスタのベー
スリード及びエミツタリードを接続するための外
部の導体（例えばリードピン）との関係で半導体
チツプ上のベースリード接続導体層及びエミツタ
リード接続導体層を半導体チツプの四角形の主面
の対向する２つの角部に配置しなければならない
ことがある。この様にベース及びエミツタ接続導
体層を半導体チツプの角部に配置する場合であつ
ても、チツプ面積（半導体基板の主面）の有効利
用が望まれる。
スリード及びエミツタリードを接続するための外
部の導体（例えばリードピン）との関係で半導体
チツプ上のベースリード接続導体層及びエミツタ
リード接続導体層を半導体チツプの四角形の主面
の対向する２つの角部に配置しなければならない
ことがある。この様にベース及びエミツタ接続導
体層を半導体チツプの角部に配置する場合であつ
ても、チツプ面積（半導体基板の主面）の有効利
用が望まれる。
そこで、本考案の目的は半導体基板の主面を有
効に利用することができるマルチエミツタトラン
ジスタを提供することにある。
効に利用することができるマルチエミツタトラン
ジスタを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するための本考案は、コレクタ
領域とベース領域と多数の島状エミツタ領域とを
有し、且つ少なくとも前記ベース領域と前記島状
エミツタ領域とが露出している正方形の主面を有
している半導体基板と、前記半導体基板の主面に
形成された絶縁膜と、前記正方形の主面の１つの
仮想対角線の一方及び他方の端の領域上に設けら
れたベースリード接続導体層及びエミツタリード
接続導体層と、前記絶縁膜に形成された開口を通
して前記ベース領域に接続され且つ前記ベースリ
ード接続導体層に接続されているベース接続導体
層と、前記絶縁膜に形成された開口を通して前記
島状エミツタ領域に接続され且つ前記エミツタリ
ード接続導体層に接続されているエミツタ接続導
体層とを備えており、前記仮想対角線を中心に前
記島状エミツタ領域、前記ベース領域、前記ベー
ス接続導体層及びエミツタ接続導体層が対称に配
置され、前記複数の島状エミツタ領域は前記仮想
対角線上に配置されたものと、前記仮想対角線か
ら離れた領域に配置されたものとから成り、前記
ベース接続導体層は前記仮想対角線を通り且つ前
記仮想対角線上に配置された前記島状エミツタ領
域を平面的に見て横切るように配置された対角線
部分と、この対角線部分から枝状に分岐した複数
の枝状分岐部分とを有しており、前記エミツタ接
続導体層は前記ベース接続導体層の枝状分岐部分
の相互間に入り込むように配置されており、前記
仮想対角線上に配置された前記島状エミツタ領域
に対して前記エミツタ接続導体層が前記ベース接
続導体層の前記対角線部分の両側に位置するよう
に前記絶縁膜に形成された対の開口を通して接続
されていることを特徴とするマルチエミツタトラ
ンジスタに係わるものである。
領域とベース領域と多数の島状エミツタ領域とを
有し、且つ少なくとも前記ベース領域と前記島状
エミツタ領域とが露出している正方形の主面を有
している半導体基板と、前記半導体基板の主面に
形成された絶縁膜と、前記正方形の主面の１つの
仮想対角線の一方及び他方の端の領域上に設けら
れたベースリード接続導体層及びエミツタリード
接続導体層と、前記絶縁膜に形成された開口を通
して前記ベース領域に接続され且つ前記ベースリ
ード接続導体層に接続されているベース接続導体
層と、前記絶縁膜に形成された開口を通して前記
島状エミツタ領域に接続され且つ前記エミツタリ
ード接続導体層に接続されているエミツタ接続導
体層とを備えており、前記仮想対角線を中心に前
記島状エミツタ領域、前記ベース領域、前記ベー
ス接続導体層及びエミツタ接続導体層が対称に配
置され、前記複数の島状エミツタ領域は前記仮想
対角線上に配置されたものと、前記仮想対角線か
ら離れた領域に配置されたものとから成り、前記
ベース接続導体層は前記仮想対角線を通り且つ前
記仮想対角線上に配置された前記島状エミツタ領
域を平面的に見て横切るように配置された対角線
部分と、この対角線部分から枝状に分岐した複数
の枝状分岐部分とを有しており、前記エミツタ接
続導体層は前記ベース接続導体層の枝状分岐部分
の相互間に入り込むように配置されており、前記
仮想対角線上に配置された前記島状エミツタ領域
に対して前記エミツタ接続導体層が前記ベース接
続導体層の前記対角線部分の両側に位置するよう
に前記絶縁膜に形成された対の開口を通して接続
されていることを特徴とするマルチエミツタトラ
ンジスタに係わるものである。
［作用］
上記考案においては、ベース接続導体層を対角
線上にも配置するので、対角線を中心にしたベー
ス接続導体層の対称性を容易に得ることができ
る。また島状エミツタ領域は対角線上にも配置さ
れているので、半導体基板の主面が有効に利用さ
れている。ベース接続導体層は島状エミツタ領域
の全部を覆うようには配置されずに、横切るよう
に配置されている。従つて、平面的に見てベース
接続導体層の対角線部分の両側に島状エミツタ領
域の一部が存在する。対角線上の島状エミツタ領
域に対するエミツア接続導体の接続は、ベース接
続導体層の対角線部分の両側に形成された絶縁膜
の開口を通して達成されている。従つて、エミツ
タ接続導体層の対角線を中心にした対称性も得る
ことができる。ベース領域、エミツタ領域、ベー
ス接続導体層、及びエミツタ接続導体層を対角線
を中心に対称に配置すれば、対角線の一方の側と
他方の側の熱バランスが良くなり、熱の集中に起
因するトランジスタの破壊を抑制することが可能
になる。
線上にも配置するので、対角線を中心にしたベー
ス接続導体層の対称性を容易に得ることができ
る。また島状エミツタ領域は対角線上にも配置さ
れているので、半導体基板の主面が有効に利用さ
れている。ベース接続導体層は島状エミツタ領域
の全部を覆うようには配置されずに、横切るよう
に配置されている。従つて、平面的に見てベース
接続導体層の対角線部分の両側に島状エミツタ領
域の一部が存在する。対角線上の島状エミツタ領
域に対するエミツア接続導体の接続は、ベース接
続導体層の対角線部分の両側に形成された絶縁膜
の開口を通して達成されている。従つて、エミツ
タ接続導体層の対角線を中心にした対称性も得る
ことができる。ベース領域、エミツタ領域、ベー
ス接続導体層、及びエミツタ接続導体層を対角線
を中心に対称に配置すれば、対角線の一方の側と
他方の側の熱バランスが良くなり、熱の集中に起
因するトランジスタの破壊を抑制することが可能
になる。
次に、第１図〜第８図に基づいて本発明の実施
例に係わるマルチエミツタ型シリコンパワートラ
ンジスタを説明する。
例に係わるマルチエミツタ型シリコンパワートラ
ンジスタを説明する。
半導体基体１１の上から絶縁層、導体層等を取
り除いて、基体１１の表面を示す第１図、及び完
成したトランジスタの断面を示す第４図及び第５
図から明らかな如く、高抵抗のＮ型コレクタ領域
１２が設けられ、この中にＰ型ベース領域１３が
硼素拡散によつて形成され、更にベース領域１３
の中に多数のN+型エミツタ領域１４が燐拡散に
よつて島状に形成されている。多数のエミツタ領
域１４は、平面形状四角形の同じ大きさを有して
基盤状に規則正しく配置されている。
り除いて、基体１１の表面を示す第１図、及び完
成したトランジスタの断面を示す第４図及び第５
図から明らかな如く、高抵抗のＮ型コレクタ領域
１２が設けられ、この中にＰ型ベース領域１３が
硼素拡散によつて形成され、更にベース領域１３
の中に多数のN+型エミツタ領域１４が燐拡散に
よつて島状に形成されている。多数のエミツタ領
域１４は、平面形状四角形の同じ大きさを有して
基盤状に規則正しく配置されている。
１５はエミツタリード線のボンデイングバツド
部分を形成するためのＰ型領域、１６は領域１５
とベース領域１３を連結する幅狭の（小断面積
の）Ｐ型領域であり、いずれもベース拡散と同時
に硼素拡散によつて形成されている。領域１５と
ベース領域１３は、領域１６で連結されている部
分以外の所においてはコレクタ高抵抗領域１２に
よつて絶縁分離されることになるため、幅狭であ
ることによつて抵抗領域として作用する領域１６
によつて抵抗接続されることになる。なお、領域
１６は、完成後のトランジスタのエミツタ・ベー
ス間にバイアス抵抗あるいは安定化抵抗として作
用する。領域１３ａは、ベースリード線のための
ボンデイングバツドが形成される部分である。第
１図から明らかな如く、エミツタリードのボンデ
イングのためのＰ型領域１５とベースリードのボ
ンデイングのための領域１３ａとは基体１１の平
面四角形の表面の対角線上の角に設けられてい
る。従つて、第１図におけるパターンは領域１
５，１３ａを結ぶ対角線を中心に対称である。
部分を形成するためのＰ型領域、１６は領域１５
とベース領域１３を連結する幅狭の（小断面積
の）Ｐ型領域であり、いずれもベース拡散と同時
に硼素拡散によつて形成されている。領域１５と
ベース領域１３は、領域１６で連結されている部
分以外の所においてはコレクタ高抵抗領域１２に
よつて絶縁分離されることになるため、幅狭であ
ることによつて抵抗領域として作用する領域１６
によつて抵抗接続されることになる。なお、領域
１６は、完成後のトランジスタのエミツタ・ベー
ス間にバイアス抵抗あるいは安定化抵抗として作
用する。領域１３ａは、ベースリード線のための
ボンデイングバツドが形成される部分である。第
１図から明らかな如く、エミツタリードのボンデ
イングのためのＰ型領域１５とベースリードのボ
ンデイングのための領域１３ａとは基体１１の平
面四角形の表面の対角線上の角に設けられてい
る。従つて、第１図におけるパターンは領域１
５，１３ａを結ぶ対角線を中心に対称である。
配線導体及びリード線を取り除いて絶縁層１７
の表面を示す第２図、及び完成したトランジスタ
の断面を示す第４図及び第５図から明らかな如
く、各エミツタ領域１４を露出させるための開口
２０が各エミツタ領域１４毎に設けられている。
但し、基体１１の角１１ａと１１ｂとを結ぶ対角
線上に位置するエミツタ領域１４ａにおいては、
対角線を中心に対称に２つの開口２０ａ，２０ｂ
が設けられている。また、ベース領域１３を露出
させるために、各エミツタ領域１４の角の近傍に
開口２０が設けられている。１９はベースリード
のボンデイングのための領域１３ａを露出させる
ための開口、２１はエミツタリードのボンデイン
グのための領域１５を露出させるための開口であ
る。なお、各開口１８，１９，２０，２１は、角
１１ａ，１１ｂを結ぶ対角線を中心に対称に配置
されている。シリコン基体１１上に形成された絶
縁層１７は、シリコン領域側をSiO2膜とする
SiO2膜（シリコン酸化膜）−Si3N4膜（シリコン
窒化膜）とから成る。SiO2膜は熱酸化膜で、厚
さ約0.7μmである。Si3N4膜はCVD法により付着
形成したもので、厚さ0.1μm弱である。
の表面を示す第２図、及び完成したトランジスタ
の断面を示す第４図及び第５図から明らかな如
く、各エミツタ領域１４を露出させるための開口
２０が各エミツタ領域１４毎に設けられている。
但し、基体１１の角１１ａと１１ｂとを結ぶ対角
線上に位置するエミツタ領域１４ａにおいては、
対角線を中心に対称に２つの開口２０ａ，２０ｂ
が設けられている。また、ベース領域１３を露出
させるために、各エミツタ領域１４の角の近傍に
開口２０が設けられている。１９はベースリード
のボンデイングのための領域１３ａを露出させる
ための開口、２１はエミツタリードのボンデイン
グのための領域１５を露出させるための開口であ
る。なお、各開口１８，１９，２０，２１は、角
１１ａ，１１ｂを結ぶ対角線を中心に対称に配置
されている。シリコン基体１１上に形成された絶
縁層１７は、シリコン領域側をSiO2膜とする
SiO2膜（シリコン酸化膜）−Si3N4膜（シリコン
窒化膜）とから成る。SiO2膜は熱酸化膜で、厚
さ約0.7μmである。Si3N4膜はCVD法により付着
形成したもので、厚さ0.1μm弱である。
リード線を取り除いてチツプ表面を示す第３図
及び完成した素子の断面を示す第４図、第５図、
第７図及び第８図から明らかな如く、ベース電極
として働くベース接続導体層２２と、エミツタ電
極として働くエミツタ接続導体層２３とが設けら
れている。ベース接続導体層２２は、第２図に示
す開口１８を通してベース領域１３にオーミツク
接触する部分２２ａと、領域１３ａにオーミツク
接触するボンデイングバツド部分２２ｂと、部分
２２ａ，２２ｂを相互に接続するために絶縁層１
７の上に設けられた配線部分２２ｃとから成る。
エミツタ接続導体層２３は、第２図の開口２０を
通してエミツタ領域１４にオーミツク接触する部
分２３ａと、領域１５にオーミツク接触する部分
２３ｂと、これ等の相互間を接続するために絶縁
層１７の上に設けられた配線部分２３ｃとから成
る。ベース接続導体層２２は、角１１ａ，１１ｂ
を結ぶ対角線上を延びる部分即ちエミツタ領域１
４ａを２分するように延びる中央部分とここから
枝状に延びる部分とを有し、対角線を中心に対称
に配置され、対角線上を延びる部分は第２図に示
す分割された対のエミツタ露出用開口２０ａ，２
０ｂの間に配置されている。エミツタ接続導体層
２３は、ベース接続導体層２２の間に入り込むよ
うに配置されている。これ等の導体層２２，２３
はクロス配線されていないので、対角線上のエミ
ツタ領域を露出させるための対の開口２０ａ，２
０ｂは別の方向から延びてきた導体層２３によつ
て覆われている。上述のベース及びエミツタ接続
導体層２２，２３は、シリコン領域側をAlとす
るAl−Zn−Niの三層構造とされている。Al層
は、厚さ約5μmでチツプ上の全面に真空蒸着後に
フオトエツチングによつて図のようなパターンに
形成され、Zn層は約0.05〜0.1μmと極く薄いもの
で、置換メツキ（メツキ溶液にAlが溶解し、そ
のときの反応で生じた電子をメツキ溶液中のZn
イオンがもらつて金属ZnとしてAl上に析出する
方法）によつてAl上に形成され、Ni層は酸性カ
ニゼン法として公知の無電解メツキ法によりZn
上に形成されている。なお、Ni層形成後に、200
℃程度の熱処理が行われている。この三層構造の
導体層２２，２３は、配線抵抗を小さくできると
いうAl電極の利点と半田付け可能というNi電極
の長所を合わせ持つものである。Zn層はAl層と
Ni層の良好な接着のために介在させている。
及び完成した素子の断面を示す第４図、第５図、
第７図及び第８図から明らかな如く、ベース電極
として働くベース接続導体層２２と、エミツタ電
極として働くエミツタ接続導体層２３とが設けら
れている。ベース接続導体層２２は、第２図に示
す開口１８を通してベース領域１３にオーミツク
接触する部分２２ａと、領域１３ａにオーミツク
接触するボンデイングバツド部分２２ｂと、部分
２２ａ，２２ｂを相互に接続するために絶縁層１
７の上に設けられた配線部分２２ｃとから成る。
エミツタ接続導体層２３は、第２図の開口２０を
通してエミツタ領域１４にオーミツク接触する部
分２３ａと、領域１５にオーミツク接触する部分
２３ｂと、これ等の相互間を接続するために絶縁
層１７の上に設けられた配線部分２３ｃとから成
る。ベース接続導体層２２は、角１１ａ，１１ｂ
を結ぶ対角線上を延びる部分即ちエミツタ領域１
４ａを２分するように延びる中央部分とここから
枝状に延びる部分とを有し、対角線を中心に対称
に配置され、対角線上を延びる部分は第２図に示
す分割された対のエミツタ露出用開口２０ａ，２
０ｂの間に配置されている。エミツタ接続導体層
２３は、ベース接続導体層２２の間に入り込むよ
うに配置されている。これ等の導体層２２，２３
はクロス配線されていないので、対角線上のエミ
ツタ領域を露出させるための対の開口２０ａ，２
０ｂは別の方向から延びてきた導体層２３によつ
て覆われている。上述のベース及びエミツタ接続
導体層２２，２３は、シリコン領域側をAlとす
るAl−Zn−Niの三層構造とされている。Al層
は、厚さ約5μmでチツプ上の全面に真空蒸着後に
フオトエツチングによつて図のようなパターンに
形成され、Zn層は約0.05〜0.1μmと極く薄いもの
で、置換メツキ（メツキ溶液にAlが溶解し、そ
のときの反応で生じた電子をメツキ溶液中のZn
イオンがもらつて金属ZnとしてAl上に析出する
方法）によつてAl上に形成され、Ni層は酸性カ
ニゼン法として公知の無電解メツキ法によりZn
上に形成されている。なお、Ni層形成後に、200
℃程度の熱処理が行われている。この三層構造の
導体層２２，２３は、配線抵抗を小さくできると
いうAl電極の利点と半田付け可能というNi電極
の長所を合わせ持つものである。Zn層はAl層と
Ni層の良好な接着のために介在させている。
第３図の−線に相当する部分に対応する完
成後のトランジスタの断面を示す第４図から明ら
かな如く、Ｐ型領域１５上のボンデイングバツド
部分２３ｂにAg製のエミツタリード線２６がPb
−Sn−Ag系の半田２８によつて接合されてい
る。また、第３図の−線に対応する完成後の
トランジスタの断面を示す第５図から明らかな如
く、領域１３ａ上のボンデイングバツド部分２２
ｂにはAg製のベースリード製２７がPb−Sn−
Ag系の半田２８で接合されている。なお、低抵
抗のコレクタ領域２４の下面にはAl−Zn−Niか
ら成る三層構造のコレクタ電極２５が設けられて
いる。
成後のトランジスタの断面を示す第４図から明ら
かな如く、Ｐ型領域１５上のボンデイングバツド
部分２３ｂにAg製のエミツタリード線２６がPb
−Sn−Ag系の半田２８によつて接合されてい
る。また、第３図の−線に対応する完成後の
トランジスタの断面を示す第５図から明らかな如
く、領域１３ａ上のボンデイングバツド部分２２
ｂにはAg製のベースリード製２７がPb−Sn−
Ag系の半田２８で接合されている。なお、低抵
抗のコレクタ領域２４の下面にはAl−Zn−Niか
ら成る三層構造のコレクタ電極２５が設けられて
いる。
第４図及び第５図に示す完成したトランジスタ
チツプのエミツタリード線２６の引張り試験を行
つたところ、第９図の従来構造であればシリコン
の層割れが１％程度の確率で発生していたもの
を、シリコンの層割れを皆無とすることができ
た。即ち、開口２１を0.7mm角、リード線２６の
直径を0.25mmとしたとき、適切な電極形成条件お
よび半田付け条件を選択したことと相まつて、直
径0.25mmのAg製リード線２６の抗張力である1.0
〜1.5Kg以下においてはシリコンの層割れ、電極
間剥れ、及び半田割れ等は起こらず、全数リード
線２６切れとなつた。一方、ベースリード線２７
に関しても、エミツタリード線２６と同じ接続構
造としているので、同じく良好な接続強度を得る
ことができた。
チツプのエミツタリード線２６の引張り試験を行
つたところ、第９図の従来構造であればシリコン
の層割れが１％程度の確率で発生していたもの
を、シリコンの層割れを皆無とすることができ
た。即ち、開口２１を0.7mm角、リード線２６の
直径を0.25mmとしたとき、適切な電極形成条件お
よび半田付け条件を選択したことと相まつて、直
径0.25mmのAg製リード線２６の抗張力である1.0
〜1.5Kg以下においてはシリコンの層割れ、電極
間剥れ、及び半田割れ等は起こらず、全数リード
線２６切れとなつた。一方、ベースリード線２７
に関しても、エミツタリード線２６と同じ接続構
造としているので、同じく良好な接続強度を得る
ことができた。
第６図は完成したトランジスタの等価回路であ
る。この回路の抵抗Ｒは、第１図に示すベース領
域１３とＰ型領域１５との間に形成された幅狭の
Ｐ型領域１６によつて得られる。ダイオードＤ
は、Ｐ型領域１５をＮ型コレクタ領域１２に設け
ることによつて生じるものであり、トランジスタ
Ｑに逆並列に接続されている。このダイオードＤ
はトランジスタＱの保護のために接続するものと
同一であるので、トランジスタ動作には影響しな
い。
る。この回路の抵抗Ｒは、第１図に示すベース領
域１３とＰ型領域１５との間に形成された幅狭の
Ｐ型領域１６によつて得られる。ダイオードＤ
は、Ｐ型領域１５をＮ型コレクタ領域１２に設け
ることによつて生じるものであり、トランジスタ
Ｑに逆並列に接続されている。このダイオードＤ
はトランジスタＱの保護のために接続するものと
同一であるので、トランジスタ動作には影響しな
い。
［考案の効果］
上述から明らかなように本考案によれば、半導
体基板の正方形の主面の１つの対角線を中心にし
て対称にベース接続導体層を配置する構造である
にも拘らず、対角線上にも島状エミツタ領域を配
置するので、主面の有効利用が可能になり、半導
体基板の小型化が可能になる。また、対角線上の
島状エミツタ領域は対角線のベース接続導体層の
両側に設けた開口によつてエミツタ接続導体層に
接続されるので、対称性を保つことができる。対
角線の両側が対称であれば、半導体基板の温度分
布も対称になり、熱のアンバランスに基づいて電
流が集中することによるトランジスタの破壊を抑
制することができる。
体基板の正方形の主面の１つの対角線を中心にし
て対称にベース接続導体層を配置する構造である
にも拘らず、対角線上にも島状エミツタ領域を配
置するので、主面の有効利用が可能になり、半導
体基板の小型化が可能になる。また、対角線上の
島状エミツタ領域は対角線のベース接続導体層の
両側に設けた開口によつてエミツタ接続導体層に
接続されるので、対称性を保つことができる。対
角線の両側が対称であれば、半導体基板の温度分
布も対称になり、熱のアンバランスに基づいて電
流が集中することによるトランジスタの破壊を抑
制することができる。
第１図は本考案の実施例に係わるマルチエミツ
タトランジスタの半導体基体表面を示す平面図、
第２図はリード線及び配線導体を除いてトランジ
スタチツプの表面を示す平面図、第３図はリード
線を除いてトランジスタチツプの表面を示す平面
図、第４図は完成したトランジスタの第３図の
−線に相当する部分を示す断面図、第５図は完
成したトランジスタの第３図の−線に相当す
る部分を示す断面図、第６図は完成したトランジ
スタの等価回路図、第７図は第３図の−線の
一部を示す断面図、第８図は第３図の−線の
一部を示す断面図、第９図は従来のマルチエミツ
タトランジスタを示す平面図である。 １１……シリコン基体、１２……コレクタ領
域、１３……ベース領域、１３ａ……ベースリー
ド接続領域、１４ａ……エミツタ領域、１５……
Ｐ型領域、１６……抵抗用Ｐ型領域、１７……接
続層、１８，１９，２０，２０ａ，２０ｂ，２１
……開口、２２……ベース接続導体層、２３……
エミツタ接続導体層、２６……エミツタリード
線、２７……ベースリード線。
タトランジスタの半導体基体表面を示す平面図、
第２図はリード線及び配線導体を除いてトランジ
スタチツプの表面を示す平面図、第３図はリード
線を除いてトランジスタチツプの表面を示す平面
図、第４図は完成したトランジスタの第３図の
−線に相当する部分を示す断面図、第５図は完
成したトランジスタの第３図の−線に相当す
る部分を示す断面図、第６図は完成したトランジ
スタの等価回路図、第７図は第３図の−線の
一部を示す断面図、第８図は第３図の−線の
一部を示す断面図、第９図は従来のマルチエミツ
タトランジスタを示す平面図である。 １１……シリコン基体、１２……コレクタ領
域、１３……ベース領域、１３ａ……ベースリー
ド接続領域、１４ａ……エミツタ領域、１５……
Ｐ型領域、１６……抵抗用Ｐ型領域、１７……接
続層、１８，１９，２０，２０ａ，２０ｂ，２１
……開口、２２……ベース接続導体層、２３……
エミツタ接続導体層、２６……エミツタリード
線、２７……ベースリード線。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 コレクタ領域とベース領域と多数の島状エミツ
タ領域とを有し、且つ少なくとも前記ベース領域
と前記島状エミツタ領域とが露出している正方形
の主面を有している半導体基板と、 前記半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、 前記正方形の主面の１つの仮想対角線の一方及
び他方の端の領域上に設けられたベースリード接
続導体層及びエミツタリード接続導体層と、 前記絶縁膜に形成された開口を通して前記ベー
ス領域に接続され且つ前記ベースリード接続導体
層に接続されているベース接続導体層と、 前記絶縁膜に形成された開口を通して前記島状
エミツタ領域に接続され且つ前記エミツタリード
接続導体層に接続されているエミツタ接続導体層
と、 を備えており、 前記仮想対角線を中心に前記島状エミツタ領
域、前記ベース領域、前記ベース接続導体層及び
エミツタ接続導体層が対称に配置され、 前記複数の島状エミツタ領域は前記仮想対角線
上に配置されたものと、前記仮想対角線から離れ
た領域に配置されたものとから成り、 前記ベース接続導体層は前記仮想対角線を通り
且つ前記仮想対角線上に配置された前記島状エミ
ツタ領域を平面的に見て横切るように配置された
対角線部分と、この対角線部分から枝状に分岐し
た複数の枝状分岐部分とを有しており、 前記エミツタ接続導体層は前記ベース接続導体
層の枝状分岐部分の相互間に入り込むように配置
されており、 前記仮想対角線上に配置された前記島状エミツ
タ領域に対して前記エミツタ接続導体層が前記ベ
ース接続導体層の前記対角線部分の両側に位置す
るように前記絶縁膜に形成された対の開口を通し
て接続されていることを特徴とするマルチエミツ
タトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985014071U JPH0442917Y2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985014071U JPH0442917Y2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129355U JPS61129355U (ja) | 1986-08-13 |
| JPH0442917Y2 true JPH0442917Y2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=30498658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985014071U Expired JPH0442917Y2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442917Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115857A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP1985014071U patent/JPH0442917Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61129355U (ja) | 1986-08-13 |
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